Проволочный резистор

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

23235I

СОК3з Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Кл, 21с, 54/03

Заявлено 18.111.1967 (№ 1141139/24-7) с присоединением заявки ¹

Приоритет

МПК Н Оlс

УДК 621.316.842 (088,8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Опубликовано 11.XII.1968. Бюллетень № 1 за 1969 г.

Дата опубликования описания 18.IV.1969

A13TOP hI изобретения

Е. Я. Бадинтер, 3. И. Зеликовский и В. И. Шнайдерман

Кишиневский научно-исследовательский институт электроприборостроения

Заявитель

ПРОВОЛОЧНЫЙ РЕЗИСТОР

Изобретение относится к проволочным прецизионным резисторам, применяемым в измерительных, электронных и других устройствах, и имеет целью обеспечить механизацию и точность подгонки проволочных резисторов, имеющих подгоночную секцию, наложенную на общий с основным резистивным элементом каркас.

Поставленная задача решается, в соответствии с изобретением, путем выполнения указанной подгоночной секции в виде пленочного резистора.

Как известно, существующие способы автоматической намотки позволяют изготовлять проволочные резисторы с точностью до единиц процента, а широко известными механизированными и автоматизированными способами подгонки пленочных резисторов с одновременным измерением их параметров обеспечивается подгонка с точностью до десятых н сотых долей процента.

На фиг, 1 и 2 приведены два варианта выполнения предлагаемого резистора.

Проволочный резистор с общей герметизацией основного резистивного элемента и подгоночной секции представляет собой каркас 1 с колпачками 2 и 8 и контактным кольцом 4, на который между колпачком 3 и кольцом 4 предварительно нанесена подгоночная секция в виде пленочного резистора 5, а между колпачками 2 и 8 намотан основной проволочный резистивный элемент 6, концы которого обра5 зу IOT электр 333ес3т33й контакт 7 с Ico:III II O 3I 2 и кольцом 4. Весь резистивный элемент герметизирован трубкой 8, концы которой залиты, например, эпоксидной смолой 9. Контактные колпачки 2 и 3 имеют оксиальные

10 токоподводы 10.

Так как при герметизации проволочных резисторов, в частности из литого остеклованного микропровода, наблюдается их уход от номинала, возможна конструкция проволоч15 ного резистора, приведенная на фиг. 2, отличающаяся от вышеописанной только тем, что основной резнстивный элемент 6 герметизируется трубкой 11 с залитыми концами до окончательной подгонки, а подгоночная сек20 ция герметизируется после подгонки путем ее заливки, например, эпоксидной смолой.

Так как после окончания намотки основного резистивного элемента 6 и создания электрических контактов 7 резистор имеет закончен25 ный вид, то его подгонку под требуемую точность можно вести при одновременном измерении его сопротивления, что дает возможность автоматизировать процесс подгонки.

232351

Предмет изобретения у 7 6

7 7

Составитель Л. Сольц

Корректор С. М. Сигал

Тсхред T. П. Курилко

Редактор Е. Кречетова

Заказ 448/4 Тираж 437 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Проволочный резистор с подгоночной секцией, наложенной на общий с основным резистивным элементом каркас, отличающийся тем, что, с целью механизации и повышения точности подгонки, указанная подгоночная секция выполнена в виде пленочного резистора.

Проволочный резистор Проволочный резистор 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к технологическим процессам изготовления тонкопленочных резисторов

Изобретение относится к области электротехники, в частности к технологии изготовления тонкопленочных резисторов, и может быть использовано в радиоэлектронной промышленности, приборостроении и вычислительной технике

Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности, в том числе мощных, высокочастотных цепях. В пленочном резисторе, включающем диэлектрическую подложку и сформированную на ней многослойную пленку резистивных материалов, размещенную на теплоотводящем основании, многослойная пленка резистивных материалов включает резистивный слой, адгезионный слой, контактный и пассивирующий слои, размещенные на резистивном, при этом на указанной многослойной пленке размещены защитный и маркировочный слои. Технический результат заключается в улучшении температурного коэффициента сопротивления пленочных резисторов. 1 табл., 1 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления тонкопленочных чип-резисторов, резистивных матриц, а также гибридных интегральных схем с резисторами в производстве радиоэлектронной аппаратуры различного назначения. Техническим результатом является повышение надежности резисторов за счет увеличения до максимально возможной поверхности контактирования проводникового и резистивного слоев по их периметру в области контактных площадок резисторов и расположения контактных площадок резисторов на обеих поверхностях подложки. Способ изготовления включает травление окон в диэлектрическом слое заготовки из лакофольгового диэлектрика до слоя медной фольги, осаждение в эти окна гальванической меди, вакуумное напыление на диэлектрический слой подложки резистивных и проводникового слоев, формирование из них в области окон в диэлектрическом слое заготовки резистивных элементов и контактных площадок к ним, которые представляют собой многослойную структуру из медной фольги, гальванической и вакуумной меди, внутри которой осуществляется электрический контакт проводникового и резистивного слоев по всему периметру. 3 ил.

Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при изготовлении ЧИП резистивных высокочастотных (ВЧ) аттенюаторов. Техническим результатом является увеличение рассеиваемой мощности и упрощение технологии изготовления резистивного ВЧ-аттенюатора. Резистивный ВЧ-аттенюатор состоит из керамической платы и нанесенных на нее резистивного и электропроводящего слоев, на керамической плате первым выполнен резистивный слой, при этом на нем размещен электропроводящий слой, выполненный в виде узких контактных площадок, третьим является диэлектрический слой с окнами, размещенными в местах узких контактных площадок, четвертым является электропроводящий слой, соединяющийся через окна с узкими контактными площадками второго слоя и выполненный в виде контактных площадок увеличенной площади. 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способу изготовления электрически изолированных резисторов микросхем на арсениде галлия с высокой термостабильностью. Технический результат заключается в увеличении термостабильности и повышении пробивного напряжения изолирующих слоев микросхем на арсениде галлия. Способ изготовления электрически изолированных резисторов микросхем, заключающийся в изготовлении контактных площадок на эпитаксиальных структурах арсенида галлия, проведении внедрения ионов гелия с энергией 30-150 кэВ и дозой 1,2-1,4 мкКл/см2 для формирования областей изоляции, нанесении маски фоторезиста с последующим формированием окон в фоторезистивной маске для повторного внедрения ионов гелия с энергией 30-150 кэВ и дозой 6-12 мкКл/см2. 10 ил, 1 табл.
Наверх