Магнитный материал на основе иттриевого феррограната
Союз Советских
Социалистических
Республик — и ;песо "-впа
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ;
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 12.XI 1.1966 (№ 1117776/22-1) Кл. 21 оo. 31/03 с присоединением заявки ¹
МП1i Н Old
УДЫ 621.318.134(088.8) Приоритет
Опубликовано 10.1.1969. Бюллетень № 4
Дата опубликования описания 21 V,1969
Комитет по делам изобретений и открытий лри Совете Министров
СССР
Авторы изобретения А. А. Шварц, А. M Котельникова, А. И. Аграновская и А. Н. Трофимова
Заявитель
МАГНИТНЬ1Й МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ ИТТРИЕВОГО
ФЕРРОГРАНАТА
44 — 45,5
53 — 54,5 окиси иттрия окиси железа
Предмет изобретения
Данное изобретение отнкится к области получения магнитного материала на основе иттриевого феррограната.
Известен магнитный материал, содержащий окись железа и окись иттрия.
Предлагаемый магнитный материал отличается от известного тем, что, с целью повышения диэлектрической постоянной, изменяющейся от частоты электрического поля и температуры, материал на основе иттриевого феррограната содержит, вес. у, : соединения двухвалентного или четырехвалентного металла Ca- +, Со:-, Мп -, Sit, Т1
Мпа- 0,5 — 1,5.
Каждая из этих присадок, введенная в отдельности, нарушает электронейтральность кристаллической решетки иттриевого феррограната и вызывает появление в нем разновалентных ионов одного и того же металла, как Fe- + — Fe>, Еез+ — Fe<, Мп - - — Мпз+, Мпз — Мп4+, Со> — Соз . Появление подобных пар в иттриевом феррогранате обуславливает. высокую диэлектрическую постоянную.
-Предложенный материал получают перемешиванием стехиометрического количества окиси иттрия, окиси железа и соединения двухвалентного или четырехвалентного металла, напрнмер СаСО>, с водой с последующим двойным отжигом при те:,1 пер а туре 1100—
1200 С ti, после измельчения и прессования прп 1300 — 1440 С в атмосфере кислорода.
Предложенный материал 1а основе пттриевого феррограната имеет небольшие диэлектрические потери (tg6: (1), вы "oêóþ диэлектрическую постоянную (Е = 10 ), которая резко уменьшается с увеличенп м частоты и рас10 тет с увеличением температуры в интервале температур от 100 до 400 С, и может применяться для датчиков-преобразователей емкостного типа.
Магнитный материал на основе иттриевого феррограната, отличающийся тем, что, с
20 целью повышения диэлектрической постоянной, изменяющейся от частоты электрического поля и температуры, материал содержит присадки — соединения двухвалентного или четырехвалентного металла при следующем
25 соотношении компонентов, в вес. ", „: окиси иттрия 44 — 45,5 окиси железа 53 — 54,5 соединения двухвалентного или четырехва30 лентного металла -- остальное,
