Электронный микроскоп

Изобретение относится к микробиологии и может применяться при профилактике инфекционных болезней. Электронный микроскоп содержит трубку, один конец которой соединен с вакуумным насосом, а другой конец трубки расположен внутри корпуса микроскопа после магнитного конденсора и герметично закрыт полусферической заглушкой. Заглушка имеет щели, ширина которых равна 10-0,01 мкм. Комнатный воздух входит внутрь корпуса и вытягивается через щели заглушки вакуумным насосом. Микробы и вирусы остаются на щелях заглушки. Поток электронов из катода, усиленный анодом и выравненный магнитным конденсором, проходит мимо полусферической заглушки, на которой задерживаются микроорганизмы. Увеличенное изображение микроорганизмов проецируется на фотографическую пластинку. По изображению на фотографической пластинке можно определить вредные для здоровья человека микробы и вирусы. 2 ил.

 

Изобретение относится к микробиологии и может применяться при профилактике инфекционных болезней.

Известен электронный микроскоп, состоящий из электронного прожектора, магнитного конденсатора, магнитных линз, вакуумного насоса и фотографической пластинки. (Л.Эллиот, У.Уилкос. Физика. М.: 1975, стр.612-614).

Однако этим электронным микроскопом нельзя определить находящиеся в воздухе микробы и вирусы.

Техническим результатом изобретения является определение электронным микроскопом находящихся в воздухе микробов и вирусов.

Указанный технический результат достигается тем, что один конец трубки соединен с вакуумным насосом, а другой ее конец, расположенный внутри корпуса между магнитным конденсором и магнитной линзой, герметично закрыт полусферической заглушкой, имеющей щели, ширина которых равна 10-0,01 мкм.

На фиг.1 изображен электронный микроскоп, разрез.

На фиг.2 изображена заглушка со щелями.

Электронный микроскоп имеет следующую конструкцию. Корпус 1 имеет электронный прожектор, состоящий из катода 2 и анода 3. Магнитный конденсор 4 прикреплен к корпусу 1. Один конец трубки 5 соединен с вакуумным насосом 6. Другой конец трубки 5, расположенный внутри корпуса 1 после магнитного конденсора 4, герметично закрыт полусферической заглушкой 7. Заглушка 7 имеет щели 8, ширина которых равна 10-0,01 мкм. Магнитные линзы 9 и 10 расположены на корпусе 1 после трубки 5. Фотографическая пластинка 11 герметично прикреплена к корпусу 1.

Электронный микроскоп используется следующим образом. Оператор приносит электронный микроскоп в помещение и включает вакуумный насос 6. Затем он герметично прикрепляет фотографическую пластинку 11 к корпусу 1. Комнатный воздух входит внутрь корпуса 1 и вытягивается через щели 8 заглушки 7 вакуумным насосом 6 в трубку 5. Микробы и вирусы остаются на щелях 8 заглушки 7. Потом оператор подает напряжение на электронный микроскоп. Поток электронов из катода 2, усиленный анодом 3 и выравненный магнитным конденсором 4, проходит мимо полусферической задвижки 7 через микробы и вирусы 12. Затем электроны проходят через магнитную линзу 9, которая дает первое увеличенное изображение микробов и вирусов. Потом электроны проходят через магнитную линзу 10, которая дает второе увеличенное изображение. Увеличенное изображение микробов и вирусов проецируется на фотографическую пластинку 11. По изображению микроорганизмов на фотографической пластинке можно определить вредные для здоровья человека микробы и вирусы.

Использование электронного микроскопа предложенной конструкции позволит получить следующий технико-экономический эффект.

Так с помощью электронного микроскопа предложенной конструкции можно обнаружить находящиеся в воздухе микробы, вирусы и вредные примеси. Это позволит уберечь людей от многих болезней. Затраты на здравоохранение будут меньше.

Электронный микроскоп, состоящий из электронного прожектора, магнитного конденсора, магнитных линз, вакуумного насоса и фотопластинки, отличающийся тем, что один конец трубки соединен с вакуумным насосом, а другой ее конец, расположенный внутри корпуса между магнитным конденсором и магнитной линзой, герметично закрыт полусферической заглушкой, имеющей щели, ширина которых равна 10-0,01 мкм.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию и предназначено для замкнутого цикла производства новых изделий наноэлектроники. .

Изобретение относится к области научного приборостроения и может быть использовано при выпуске просвечивающих электронных микроскопов. .

Изобретение относится к сканирующей туннельной спектроскопии и может быть использовано в зондовых микроскопах и приборах на их основе. .

Изобретение относится к способам получения изображений в растровой электронной микроскопии. .

Изобретение относится к ядерной технике, в частности к исследованию материалов, подвергающихся воздействию радиации. .

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, к устройствам, обеспечивающим транспортировку и установку зондов и образцов в позиции измерения и функционального воздействия.

Изобретение относится к электронным приборам, предназначенным для исследования физических свойств поверхностей твердых тел при сверхнизких температурах с разрешающей способностью порядка размеров атома.

Изобретение относится к микроскопии и может быть использовано в растровой электронной и оптической микроскопии, а также в электроннои ионнолучевой литографии . .

Изобретение относится к вакуумной технике и предназначено для проведения операций по перемещению объектов внутри вакуумных систем

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию и предназначено для замкнутого цикла производства новых изделий наноэлектроники

Изобретение относится к области калибровки просвечивающих электронных микроскопов (ПЭМ) при измерениях в нано- и субнанометровом диапазонах. Тестовый объект выполнен в виде держателя образцов с несколькими местами крепления исследуемых объектов, в одном из которых расположена эталонная структура, выполненная в виде тонкого поперечного среза кремниевой структуры с периодической рельефной поверхностью, имеющей известное межплоскостное расстояние и известные размеры трапециевидных элементов рельефа. Техническим результатом является повышение точности калибровки ПЭМ, обеспечивающее повышение точности измерений с помощью ПЭМ длин отрезков, характеризующих профиль элемента рельефа в широком диапазоне длин (0.3-2000 нм), а также одновременное определение масштабного коэффициента ПЭМ по двум осям и степени линейности и ортогональности этих осей. 9 ил.

Изобретение относится к системам электронно-ионной оптики и предназначено для изучения структуры вещества путем просвечивания его мощным потоком заряженных частиц. Высокочастотный электронно-ионный микроскоп состоит из вакуумной камеры и находящихся в ней источника заряженных частиц, исследуемого объекта, апертурной диафрагмы, флуоресцирующего экрана. Снаружи вакуумной камеры расположена система контуров с током, соединенная в высокочастотным генератором тока, создающая высокочастотное аксиально-симметричное магнитное поле, обладающее эффектом двойной фокусировки и одновременно индуцирующее электрическое поле, ускоряющее поток заряженных частиц. Вакуумная камера имеет вид участка кольцевой трубы на торцах которого расположены источник заряженных частиц и флуоресцирующий экран. Высокочастотное магнитное поле выполняет одновременно функции ускорителя, объектива и проектора заряженных частиц. Технический эффект заключается в увеличении энергии потока заряженных частиц, светосилы, разрешающей способности и толщины исследуемого объекта при снижении габаритов системы. 2 ил.

Способ визуализации ротационного искривления решетки нанотонких кристаллов включает получение электронно-микроскопического изображения нанотонкого кристалла в светлом и темном поле, получение электронограммы от кристалла, микродифракционное исследование, анализ картины изгибных экстинкционных контуров, присутствующих на электронно-микроскопическом изображении кристалла, расчет углов поворота решетки кристалла вокруг [001]. Заявленный способ визуализации ротационного искривления решетки нанотонкого кристалла позволяет на основании экспериментальных данных, полученных при исследовании реальной структуры нанотонкого кристалла, построить двумерный геометрический объект - поверхность искривления решетки для выбранного кристаллографического направления. Простота и наглядность заявляемого способа позволяют визуализировать ротационное искривление решетки нанотонкого кристалла и визуализировать изменение геометрии решетки нанотонких кристаллов от евклидовой к римановой. 10 ил., 4 табл.
Наверх