Халькогенидное стекло
Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых в микроэлектронике. Халькогенидное стекло содержит GeS2, NaCl, Ga2S3 и дополнительно In2S3 и GaAs при следующем соотношении компонентов, мас.%: GeS2 35,0-45,0, NaCl 10,0-15,0, Ga2S3 15,0-25,0, In2S3 15,0-25,0, GaAs 5,0-10,0. Технический результат - повышение термической устойчивости халькогенидного стекла. 1 табл.
Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых в микроэлектронике.
Известно халькогенидное стекло состава, мас.%: GeS2 55,0-75,0; NaCl 10,0-20,0; Ga2S3 15,0-25,0 /1/.
Целью изобретения является повышение термической устойчивости халькогенидного стекла.
Цель достигается тем, что в состав стекла, содержащего GeS2, NaCl, Ga2S3, дополнительно вводят In2S3 и GaAs, при следующем соотношении, мас.%: GeS2 35,0-45,0; NaCl 10,0-15,0; Ga2S3 15,0-25,0; In2S3 15,0-25,0; GaAs 5,0-10,0.
В таблице приведены составы стекла.
| Таблица | ||||||
| Состав | Компоненты, мас %: | Сохранение твердого состояния до температуры, °С | ||||
| GeS2 | NaCl | Ga2S3 | In2S3 | GaAs | ||
| 1 | 35,0 | 15,0 | 25,0 | 15,0 | 10,0 | 450-500 |
| 2 | 40,0 | 13,0 | 20,0 | 20,0 | 7,0 | 450-500 |
| 3 | 45,0 | 10,0 | 15,0 | 25,0 | 5,0 | 450-500 |
Халькогенидное стекло получают при медленном подъеме температуры до 1000-1100°С в герметичных вакуумированных сосудах.
Источники информации
1. Авторское свидетельство СССР №1135726, С03С 3/12, 1985.
Халькогенидное стекло, содержащее GeS2, NaCl, Ga2S3, отличающееся тем, что дополнительно содержит In2S3 и GaAs, при следующем соотношении компонентов, мас.%:
| GeS2 | 35,0-45,0 |
| NaCl | 10,0-15,0 |
| Ga2S3 | 15,0-25,0 |
| In2S3 | 15,0-25,0 |
| GaAs | 5,0-10,0 |
Похожие патенты:
Халькогенидное стекло // 2316496
Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых для защиты и изоляции полупроводниковых приборов и интегральных схем. .
Стекло, прозрачное в ик-области спектра // 2250880
Изобретение относится к оптическим фторидным стеклам, прозрачным в ИК-области спектра, используемым в качестве перспективных материалов для ИК-оптики: ИК-пропускающие сердцевины оптических волокон, элементы оптических устройств, рабочих тел лазеров в различных оптических усилителях, планарных волноводах и в светотрансформирующих устройствах.
Теллургалогенидное стекло // 2249567
Изобретение относится к теллургалогенидным стеклам, прозрачным в инфракрасной области спектра. .
Изобретение относится к волоконной оптике и касается разработки способа получения сульфидно-мышьяковых стекол для сердцевины и оболочки одномодовых и малоапертурных многомодовых световодов, используемых в оптике и приборах для ближнего и среднего ИК-диапазона.
Халькогенидное стекло // 2237029
Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых преимущественно в оптоэлектронике. .
Способ получения стекол gex s1-x (x=0,1-0,5) // 2186744
Изобретение относится к области химии и может быть использовано для синтеза стекол GexS1-x(X= 0,1-0,5) особой чистоты. .
Изобретение относится к способам синтеза стекол AsxS1-x(х = 0,10-0,45), AsxSe1-x (х = 0-0,60) и может быть использовано в различных областях электронной техники, волоконной оптики, электронографии.
Галогенсодержащее халькогенидное стекло // 2140398
Изобретение относится к галогеносодержащим халькогенидным стеклам, прозрачным в инфракрасной области спектра. .
Халькогенидное стекло // 2028982
Изобретение относится к акустооптике, преимущественно к материалам, которые используются для изготовления светозвукопроводов акустооптических устройств (АОУ). .
Способ получения халькогенидного стекла ges2 // 2021218
Изобретение относится к химии, а именно к способам синтеза стеклообразного GeS2 . .
Халькогенидное стекло // 2334704
Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых в приборостроении
Халькогенидное стекло // 2334705
Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых в приборостроении
Изобретение относится к волоконной оптике и касается разработки способа получения халькогенидных стекол системы As-S с низким содержанием примеси кислорода в виде гидроксильных групп, молекулярной воды, диоксида углерода и может быть использовано для получения волоконных световодов, применяемых в оптике и приборах для ближнего и среднего ИК-диапазона
Изобретение относится к материалам для волоконной оптики и касается разработки способа получения особо чистых тугоплавких халькойодидных стекол, которые могут быть использованы для изготовления волоконных световодов, применяемых в оптике и оптоэлектронных приборах для ближнего и среднего ИК-диапазона
Изобретение относится к фторидным оптическим стеклам, обладающим способностью к люминесценции в диапазоне 1000-1700 нм при возбуждении излучением с длинами волн в пределах 400-1100 нм
Изобретение относится к технологии получения фторидных хлор- и бромсодержащих стекол с широким ИК-диапазоном пропускания и повышенной прозрачностью. Способ получения фторидных стекол включает плавление шихты из исходных компонентов в инертной атмосфере в платиновом или углеродном тигле с последующим выливанием расплава в металлическую литьевую форму и охлаждение расплава в форме. В шихту из смеси галогенидов, выбранных из ряда: HfF4; BaF2; BaCl2; LaF3; AlF3; InF3; NaF; NaBr дополнительно вводят 2÷3 мол.% предварительно высушенного при температуре до 100°C гидрофторида бария. Шихту загружают в тигель, который помещают в ампулу из кварцевого стекла, нагревают в токе инертного газа до температуры разложения гидрофторида и выдерживают в течение 20÷40 мин. Затем тигель накрывают графитовой пробкой, а зазор между пробкой и стенкой тигля заполняют порошком стекла того же состава, после чего в верхней части ампулы размещают металлическую литьевую форму. Ампулу герметизируют, промывают инертным газом и помещают в двухзонную печь сопротивления. Тигель нагревают до температуры на 250÷350°C выше температуры плавления шихты и выдерживают в течение 30÷50 минут, после чего температуру снижают на 120÷160°C, а форму, находящуюся в верхней части ампулы, нагревают во второй зоне печи сопротивления до температуры на 35÷45°C ниже температуры стеклования. Затем расплав охлаждают, а полученное стекло извлекают из формы. Предложенный способ позволяет получить фторидные хлор- или бромсодержащие стекла с малой концентрацией кислородсодержащих примесей и исключить испарения тяжелых галогенов. и 3 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил., 3 пр.
Изобретение относится к химии, а именно к производству высокочистых стекол, которые могут быть использованы для изготовления оптических элементов, световодов и широкозонных полупроводников, применяемых в оптике и оптоэлектронных приборах ближнего и среднего ИК-диапазона. Задачей, на решение которой направленно заявляемое изобретение, является разработка способа получения высокочистых халькойодидных стекол, позволяющего уменьшить количество примесей, поступающих из материалов аппаратуры. Сущность предлагаемого способа получения высокочистых халькойодидных стекол заключается в том, что компоненты шихты постоянно поступают в проточный плазмохимический реактор, инициирование реакции взаимодействия халькогена и летучих йодидов производят плазменным разрядом, синтез стеклообразующих соединений проводят в условиях неравновесной плазмы высокочастотного емкостного разряда при пониженном давлении. Техническим результатом изобретения является снижение загрязняющих примесей в составе стекол. 2 табл., 2 пр.
Плазмохимический способ получения халькогенидных стекол системы as-s и устройство для его реализации // 2585479
Изобретение относится к производству высокочистых халькогенидных стекол для изготовления оптических элементов, световодов и широкозонных полупроводниковых устройств. Изобретение позволяет исключить загрязнение получаемого халькогенидного стекла за счет неполного разложения исходных веществ, а также уменьшить количество примесей, поступающих из материалов аппаратуры. Способ получения халькогенидных стекол включает загрузку исходных веществ, содержащих мышьяк и серу, в проточный плазмохимический реактор, инициирование реакции взаимодействия мышьяка и серы высокочастотным плазменным разрядом в условиях неравновесной плазмы при пониженном давлении с образованием шихты халькогенидного стекла и получение самого халькогенидного стекла. В качестве исходных веществ используют элементарные мышьяк As и серу S, а в качестве транспортного и плазмообразующего газа используют инертный газ. Получение самого халькогенидного стекла проводят путем отпайки реактора и установки его в качающуюся печь, плавления и гомогенизации стеклообразующих соединений и охлаждения их. Устройство содержит плазмохимический реактор и систему откачки. Реактор изготовлен в виде проточной кварцевой трубки, снабженной плазмообразующей системой и системой диагностики, а система напуска выбранной газовой смеси включает особо чистые кварцевые резервуары с загрузочными кварцевыми емкостями для твердотельных мышьяка и серы. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 1 ил., 2 табл.
Изобретение относится к области получения фторидных стекол с широким диапазоном пропускания. Технический результат изобретения заключается в получении оптически прозрачных стекол без кислородсодержащих примесей с расширенным диапазоном пропускания от 0,21 мкм до 7,5 мкм для фторцирконатного стекла и от 0,225 мкм до 8 мкм для фторгафнатного стекла. Шихту из смеси фторидов металлов, выбранных из ряда: фторид металла IV группы; BaF2; LaF3; AlF3; NaF, плавят в атмосфере сухого аргона при температуре 850÷950°С в течение 30÷60 минут и затем охлаждают. Перед плавлением шихту обрабатывают фторирующим агентом - дифторидом ксенона при температурах его реагирования с кислородсодержащими примесями с последующим удалением газообразных продуктов реакции в вакууме. В качестве фторида металла IV группы используют либо ZrF4, либо HfF4. Обработку шихты фторирующим агентом проводят при температуре 300÷350°С в течение 3÷5 часов. Удаление газообразных продуктов реакции в вакууме проводят при температуре 100÷150°C. Полученное стекло дополнительно отжигают при 250÷270°C в течение 2÷3 часов во избежание растрескивания. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 2 пр.
