Способ травления слоя фоторезиста

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам удаления слоя фоторезиста с поверхности кремниевых подложек методом плазмохимического травления. Сущность изобретения: в способе травления слоя фоторезиста, включающем плазмохимическое травление слоя фоторезиста с кремниевых пластин обработкой газовой смесью элегаза и кислорода, травление проводят при расходе элегаза (SF6) и кислорода (O2) соответственно 7 и 0,8 л/ч, при рабочем давлении, равном 20±5 Па, температуре 30±5°С, мощности 1±0,5 кВт, в течение 2±1 минут, при этом разброс по толщине слоя фоторезиста составляет 3,5÷4,0%. Техническим результатом изобретения является получение равномерного стравленного слоя фоторезиста по всей поверхности пластин.

 

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к способам удаления слоя фоторезиста с поверхности кремниевых подложек методом плазмохимического травления.

Известны способы травления слоя фоторезиста, сущность которого состоит в травлении фоторезистивного материала в среде низкотемпературной плазмы активных газов [1,2].

Основным недостатком этого способа является неравномерное стравливание слоя фоторезиста.

Известен способ травления слоя фоторезиста, сущность которого состоит в плазмохимическом травлении, включающий малые расходы кислорода, при котором происходит объединение газовой среды активными радикалами в процессе травления, которое приводит к снижению скорости процесса [3].

Недостатком этого способа является то, что как при увеличении, так и при уменьшении расхода кислорода происходит увеличение разброса остаточной толщины по площади, обрабатываемой пластины.

Целью изобретения является получение равномерного стравленного слоя фоторезиста по всей поверхности пластин.

Поставленная цель достигается тем, что плазмохимическое травление слоя фоторезиста с кремниевых пластин проводят обработкой газовой смесью элегаз (SF6) и кислород (О2), при расходе соответственно 7 и 0,8 л/ч и при рабочем давлении 20±5 Па, при температуре 30±5°С, мощности 1±0,5 кВт, в течение 2±1 минут.

Сущность способа заключается в том, что слой фоторезиста на кремниевой пластине удаляется за счет химического взаимодействия между ионами и радикалами активного газа и атомами обрабатываемой подложки с образованием летучих соединений.

Предлагаемый способ отличается от известного тем, что в качестве компонентов газовой фазы используют элегаз (SF6) и кислород (O2), при рабочем давлении, равном 20±5 Па, что приводит улучшению равномерности стравливания слоя фоторезиста по всей площади.

Время травления 2±1 мин.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Процесс проводят в реакторе 08 ПХТ-100/10-006. Процесс травления слоя фоторезиста проводят плазмохимическим травлением поверхности кремниевых пластин при расходе элегаза (SF6) и кислорода (О2) соответственно 7 и 0,8 л/ч, при рабочем давлении 20±5 Па, при температуре 30±5°С, мощности 1±0,5 кВт, в течение 2±1 минут.

Разброс по толщине слоя фоторезиста составляет 6,5÷7,0%.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при расходе газовой смеси элегаза (SF6) и кислорода (О2) в соотношении компонентов:

SF62=4 л/ч:0,5 л/ч.

При рабочем давлении Р=20±5 Па, температура термостата равна 30±5°С, мощность 1±0,5 кВт, время травления 5±1 мин.

Разброс по толщине слоя фоторезиста составляет 5,5÷6,0%.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при газовой смеси элегаза (SF6) и кислорода (О2) в соотношении компонентов:

SF6:O2=5 л/ч:0,6 л/ч

При рабочем давлении Р=20±5 Па, температура термостата равна 30±5°С, мощность 1±0,5 кВт, время травления 4±1 мин.

Разброс по толщине слоя фоторезиста составляет 4,5÷5,0%.

ПРИМЕР 4. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении элегаза (SF6) и кислорода (O2) в соотношении компонентов:

SF62=6 л/ч:0,7 л/ч

При рабочем давлении Р=20±5 Па, температура термостата равна 30±5°С, мощность 1±0,5 кВт, время травления 3±1 мин.

Разброс по толщине слоя фоторезиста составляет 3,5÷4,0%.

ПРИМЕР 5. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении элегаза (SF6) и кислорода (О2) в соотношении компонентов:

SF6:O2=7 л/ч:0,8 л/ч

При рабочем давлении Р=20±5 Па, температура термостата равна 30±5°С, мощность 1±0,5 кВт, время травления 2±1 мин.

Разброс по толщине слоя фоторезиста составляет 3,5÷4,0%.

Как следует из результатов опытов, наиболее приемлемыми компонентами газовой смеси при плазмохимическом травлении слоя фоторезиста являются элегаз (SF6) и кислород (О2), которое необходимо проводить при больших концентрациях SF6=7 л/ч и малых концентрациях О2=0,8 л/ч.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом обеспечивает равномерное стравливание слоя фоторезиста по всей поверхности подложек.

ЛИТЕРАТУРА

1. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. / Под редакцией Л.А.Коледова. - М.: Радио и связь, 1989, с.400.

2. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. / Под редакцией А.И.Курносова, В.В.Юдина. - М.: Высшая школа, 1986, с.107.

3. Микроэлектроника / Под редакцией Л.Г.Пономарева. - М.: Наука, 2002, с.395.

Способ травления слоя фоторезиста, включающий плазмохимическое травление слоя фоторезиста с кремниевых пластин обработкой газовой смесью элегаз и кислород, отличающийся тем, что травление проводят при расходе элегаза (SF6) и кислорода (O2), соответственно, 7 л/ч и 0,8 л/ч, при рабочем давлении равном 20±5 Па, температуре 30±5°С, мощности 1±0,5 кВт, в течение 2±1 мин, при этом разброс по толщине слоя фоторезиста составляет 3,5÷4,0%.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике технологических процессов производства изделий микроэлектроники, в частности к контролю фотолитографических процессов с использованием газофазной химической модификации приповерхностного слоя пленок фоторезистов.

Изобретение относится к технике газофазной химической модификации приповерхностного слоя полимерных пленок, в частности фоторезистных, и может быть использовано на операциях контроля фотолитографических процессов, а также любых других пленок, прозрачных в видимой области спектра на отражающих подложках.

Изобретение относится к микролитографии как одной из важнейших стадий технологии микроэлектроники и предназначено для формирования резистных масок. .

Изобретение относится к технике полупроводникового производства и может быть использовано в фотолитографии, например, при определении момента окончания процесса проявления пленки фоторезиста.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве фоторезистов или в процессах фотолитографии для производства интегральных микросхем (ИМС).
Изобретение относится к технологии микроэлектроники. .

Изобретение относится к области обработки материалов и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности на операциях фотолитографии.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к удалению резистивной маски с поверхности кремниевых пластин после фотолитографических операций
Изобретение относится к способам допроявления фоторезистов и может быть использовано в области микроэлектроники интегральных пьезоэлектрических устройств на поверхностных акустических волнах (фильтры, линии задержки, резонаторы)

Изобретение относится к способу освещения, по меньшей мере, одной среды для быстрого прототипирования (СБП), в котором указанное освещение осуществляют, по меньшей мере, двумя одновременно индивидуально модулируемыми световыми пучками (ИМСП), проецируемыми на указанную среду для быстрого прототипирования (СБП), и в котором указанную среду для быстрого прототипирования освещают световыми пучками (ИМСП), имеющими, по меньшей мере, два различных содержания длин волн (СДВ1, СДВ2)
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к микроэлектронике интегральных пьезоэлектрических устройств на поверхностных акустических волнах (фильтры, линии задержки и резонаторы), которые находят широкое применение в авионике и бортовых системах

Изобретение относится к процессам формирования (синтеза) трехмерных объектов произвольной формы с использованием технологии интерференционной литографии

Изобретение относится к области обработки полимерных материалов и касается способа термического проявления фотоотверждаемой заготовки печатной формы для получения рельефной растровой структуры. Заготовка содержит слой основы, фотоотверждаемый слой и удаляемый лазером масочный слой, расположенный поверх фотоотверждаемого слоя. Способ включает удаление лазером части масочного слоя, ламинирование кислородонепроницаемой мембраны поверх масочного слоя, экспонирование заготовки актиничным излучением через кислородонепроницаемую мембрану и масочный слой для избирательного сшивания и отверждения частей фотоотверждаемого слоя. Затем производят удаление кислородонепроницаемой мембраны и осуществляют термическое проявление для удаления масочного слоя и неотвержденных частей фотоотверждаемого слоя. Варианты способа предусматривают использование вместо удаляемого лазером масочного слоя негативной маски, а также использование негативной маски в качестве кислородонепроницаемого слоя. Технический результат заключается в повышении качества получаемой растровой структуры. 3 н. и 45 з.п. ф-лы, 1 табл., 19 ил.

Изобретение относится к вариантам способа проявления светоотверждающейся заготовки печатной формы с целью формирования рельефной структуры, содержащей множество рельефных точек. При этом в одном из вариантов светоотверждающаяся заготовка печатной формы содержит несущий слой, на котором находится по меньшей мере один светоотверждающийся слой, барьерный слой, расположенный по меньшей мере на одном светоотверждающемся слое, и удаляемый лазерным излучением маскирующий слой, расположенный поверх барьерного слоя, причем способ включает стадии: а) визуализации по меньшей мере одного светоотверждающегося слоя путем избирательной лазерной абляции удаляемого лазерным излучением маскирующего слоя с целью создания изображения, б) экспонирования заготовки печатной формы через барьерный слой и маскирующий слой одним или несколькими источниками актиничного излучения с целью избирательного сшивания и отверждения участков по меньшей мере одного светоотверждающегося слоя, при этом по меньшей мере один светоотверждающийся слой сшивают и отверждают на участках, не покрытых маскирующим слоем, и тем самым создают рельефную структуру, и в) проявления заготовки печатной формы с целью удаления барьерного слоя, подвергнутого лазерной абляции маскирующего слоя и неотвержденных участков светоотверждающегося слоя и выявления рельефной структуры, где стадия проявления заготовки печатной формы включает стадии: i) размягчение несшитых участков по меньшей мере одного светоотверждающегося слоя путем нагревания по меньшей мере одного светоотверждающегося слоя до температуры, при которой несшитые участки по меньшей мере одного светоотверждающегося слоя размягчаются, в то время как отвержденные участки по меньшей мере одного светоотверждающегося слоя остаются твердыми, и ii) удаление несшитых участков светоотверждающегося слоя путем введения в контакт печатающего элемента с абсорбирующим материалом, способным поглощать несшитый фотополимер, посредством чего выявляют рельефную структуру. При этом барьерный слой имеет коэффициент диффузии кислорода менее 6,9×10-9 м2/сек и оптическую прозрачность по меньшей мере 50%. 2 н. и 30 з.п. ф-лы, 4 ил.
Наверх