Датчик холла для локальной магнитометрии

Изобретение относится к области приборостроения, в частности к тонкопленочным датчикам на основе экстраординарного эффекта Холла, и может быть использовано в микроэлектронике при измерении и регистрации локальных магнитных полей и величин электрического тока, а также при разработке микроэлектронных устройств нового поколения. Датчик Холла для локальной магнитометрии включает подложку, помещенную на нее токопроводящую полосу из ферромагнитной пленки из сплава железо-платина, потенциальные и токоподводящие контакты, при этом в качестве сплава железо-платина используют сплав состава Fe0,44Pt0,56 - Fe0,56Pt0,44, причем толщина токопроводящей полосы составляет 1-5 нанометров. Для локальной магнитометрии наиболее оптимальными размерами ширины токопроводящей полосы и ширины потенциальных контактов являются размеры, равные 10-200 нанометрам. Техническим результатом является получение датчиков Холла для локальной магнитометрии со следующими характеристиками: чувствительность - не ниже 100 Ом/Тл, размер рабочей области - не больше 4×10-14 м2, при этом отсутствует влияние собственного магнитного поля в направлении, совпадающем с направлением тестируемого магнитного поля. 1 з.п. ф-лы, 9 ил.

 

Изобретение относится к области приборостроения, в частности к тонкопленочным датчикам на основе экстраординарного эффекта Холла, и может быть использовано в микроэлектронике при измерении и регистрации локальных магнитных полей и величин электрического тока, а также при разработке микроэлектронных устройств нового поколения.

Известен метод регистрации магнитного поля нанообъектов методом магнитной силовой микроскопии (A.M.Алексеев, А.Ф.Попков, Магнитно-силовая Микроскопия (МСМ). NT-MDT & ГосНИИ Физических Проблем, Москва. URL http://ru.ntmdt.ru/SPM-Techniques/SPM-Methodology/Magnetic_Force_Microscopy_MFM/text45.html). Метод основан на регистрации взаимодействия магнитного кантилевера с магнитным полем поверхности образца. Визуализация магнитного поля поверхности образца проводится при помощи достаточно сложного оборудования, например сканирующего зондового микроскопа "Solver MFM" (NT-MDT http://www.ntmdt.com).

Однако данный прибор не дает возможности определить полярность намагниченности поверхности образца, а определение величины магнитного поля при помощи подобных приборов возможно только по косвенным признакам и с небольшой точностью. Недостатком данного метода является также возможность изменения намагниченности как кантилевера, так и исследуемого образца из-за их магнитного взаимодействия.

Известен датчик магнитного поля, включающий изолирующую подложку и проводящую тонкую пленку, помещенную на подложке. Тонкая пленка состоит из ферромагнитного материала, в частности никеля (Ni). Тонкая пленка также имеет удельное электрическое сопротивление и толщину пленки, не большие чем пороговая толщина, при которой удельное сопротивление является в основном равным 150% удельного сопротивления массивного материала. Датчик также включает проводники, присоединенные к тонкой пленке для введения тока в пленку и измерения напряжения, сгенерированного поперек тонкой пленки, зависящего от введенного тока. (Патент USA 2002.0180429 A1, МКИ G01R 33/6, 5 декабря 2002 года).

Однако подобный датчик при толщине пленки 10 нм имеет низкое значение чувствительности ˜10 Ом/Тл, а пленка Ni обладает заметным гистерезисом (˜5 Гс), что затрудняет применение подобного датчика для измерения малых магнитных полей, меняющихся по направлению. Чувствительность датчика также ограничивается небольшой величиной коэффициента экстраординарного эффекта Холла для Ni, равной 5,21.10-10 м3/Кл.

Известен датчик Холла из тонкой пленки полупроводника GaAs для локального измерения магнитного поля. Ширина токопроводящей полосы в данном датчике равна 1 мкм. (Characterization of individual nanomagnets by the local Hall effect. F.G.Monzon, D.S.Patterson, M.L.Roukes. Journal of Magnetism and Magnetic Materials 195 (1999) 19-25).

Однако чувствительность такого датчика при комнатной температуре не превышает 80 Ом/Тл, а уменьшение ширины токопроводящей полосы приведет к уменьшению чувствительности в силу физических причин.

Известен датчик магнитного поля, включающий изолирующую подложку, помещенную на нее токопроводящую полосу из ферромагнитной пленки из сплава железо-платина, потенциальные и токоподводящие контакты. В качестве изолирующей подложки используют стекло. Тонкая пленка толщиной 15-25 А (1,5-2,5 нм), нанесенная с помощью ионного распыления, состоит из ферромагнитного материала, в качестве которого взят сплав, имеющий состав - Fe42Pt58, и имеет ширину токопроводящих полос от 500 нм до 8 мм. Материал данного состава обладает значительно более высоким, по сравнению с Ni, коэффициентом экстраординарного эффекта Холла (˜4.10-8 м3/Кл). (Extraordinary Hall effect in Fe-Pt alloy thin films and fabrication of micro Hall devices. M.Watanabe, T.Masumoto, M.Watanabe, T.Masumoto. Thin Solid Films, 405, (2002), 92-97).

Однако максимальная полученная чувствительность датчиков (50 Ом/Тл) недостаточно высока. Причем при уменьшении ширины токопроводящей полос чувствительность датчика уменьшается. Так, даже при ширине токовой дорожки 8 мм максимальный полученный сигнал был равен 120 мВ при плотности тока 5.104 А/см2.

Предлагаемое изобретение решает задачу улучшения характеристик датчиков Холла, в частности повышения его чувствительности, локальности и уменьшения влияния датчика на объект измерения.

Техническим результатом при этом является получение датчиков Холла для локальной магнитометрии со следующими характеристиками: чувствительность - не ниже 100 Ом/Тл, размер рабочей области - не больше 4×10-14 м2, при этом отсутствует влияние собственного магнитного поля в направлении, совпадающем с направлением тестируемого магнитного поля

Поставленная задача решается тем, что в датчике Холла для локальной магнитометрии, включающем подложку, помещенную на нее токопроводящую полосу из ферромагнитной пленки из сплава железо-платина, потенциальные и токоподводящие контакты, новым является то, что в качестве сплава железо-платина используют сплав состава Fe0,44Pt0,56-Fe0,56Pt0,44, причем толщина токопроводящей полосы составляет 1-5 нанометров.

Для локальной магнитометрии наиболее оптимальными размерами ширины токопроводящей полосы и ширины потенциальных контактов являются размеры, равные 10-200 нанометрам.

Нами экспериментально установлено, что чувствительность тонкопленочного датчика Холла из сплава Fe-Pt нелинейно зависит от толщины пленки и имеет максимум в области 2 нм при составе сплава Fe-Pt, близком к Fe0,5Pt0,5. (фиг.2).

Подложка может быть как изолирующей (стекло, сапфир, окись кремния на кремнии и т.п.), так и полупроводниковой (кремний, нитрид алюминия, нитрид алюминия на кремнии...).

Выполнение датчика согласно изобретению позволяет увеличить его чувствительность не ниже 100 Ом/Тл и размер рабочей области - не больше 4×10-14 м2, при этом отсутствует влияние собственного магнитного поля в направлении, совпадающем с направлением тестируемого магнитного поля.

На фиг.1 представлен общий вид предлагаемого датчика.

На фиг.2 показана зависимость чувствительности заявляемого датчика в зависимости от толщины токопроводящей полосы.

На фиг.3 приведена фотография в растровом электронном микроскопе линейки датчиков Холла, изготовление которых описано в примере 1.

На фиг.4 приведена фотография в растровом электронном микроскопе линейки датчиков Холла, изготовление которых описано в примере 2.

На фиг.5 приведена структура одиночного датчика.

На фиг.6-9 приведены типичные характеристики полученных датчиков Холла на различных подложках.

На подложке 1 расположена токопроводящая полоса 2 из ферромагнитной пленки из сплава железо-платина, соединенная с потенциальными 3 и токоподводящими контактами 4.

Датчик работает следующим образом.

Через расположенные на подложке 1 токоподводящие контакты 4 по токопроводящей полосе 2 пропускают электрический ток (I). При появлении внешнего магнитного поля (В) происходит отклонение носителей тока в токопроводящей полосе 2 и на потенциальных контактах 3 появляется электрическое напряжение (VH), которое и регистрируется. Любой намагниченный образец имеет в разных точках в своей поверхности разную намагниченность и, следовательно, разную магнитную индукцию. При перемещении датчика Холла для локальной магнитометрии по поверхности образца он проходит над точками с разной магнитной индукцией и выдает разный сигнал. Пространственное разрешение при этом определяется площадью рабочей области датчика - шириной токопроводящей полосы 2 (w1) и потенциальных контактов 3 (w2).

Приведенные ниже примеры иллюстрируют, но не ограничивают применение данного изобретения.

Пример 1.

Структуры датчиков Холла изготовляли при помощи электронной литографии. На подложку из стекла напыляли пленку из сплава Fe0,44Pt0,56 толщиной 1 нм, наносили двухслойный электронный резист, прорисовывали структуры датчиков, включающих в себя токопроводящие полосы, потенциальные и токоподводящие контакты так, чтобы ширина токопроводящей полосы и ширина потенциальных контактов были равны 10 нанометрам. Затем проявляли проэкспонированную структуру, проводили чистку проявленных участков от остатков резиста в плазме и осуществляли лазерное напыление пленки AlN на полученную структуру в электронном резисте, который затем удаляли. После чего проводили ионное травление в аргоне. При этой операции удаляется тонкая пленка FePt, не защищенная нитридом алюминия. Токопроводящие полосы, потенциальные и токоподводящие контакты при этом защищены пленкой AlN и сохраняются.

Полученные датчики имели чувствительность не ниже 100 Ом/Тл и размер рабочей области не больше 4×10-14 м2, при этом отсутствовало влияние собственного магнитного поля в направлении, совпадающем с направлением тестируемого магнитного поля (Фиг.3).

Пример 2.

Аналогично изготавливали структуры датчиков с защитой из алмазоподобной пленки. На подложку из окиси кремния напыляли пленку из сплава Fe0,56Pt0,44 толщиной 5 нм, наносили двухслойный электронный резист, прорисовывали токоподводящие контакты. После этого напыляли пленку Fe0,56Pt0,44 толщиной 20 нм на область токоподводящих контактов. Затем удалялся электронный резист. После этого в сканирующем электронном микроскопе прорисовывались токопроводящая полоса и потенциальные контакты, при этом под электронным пучком осаждалась алмазоподобная пленка. Ширина токоподводящей полосы и потенциальных контактов составила 100 нм. При такой технологии ширина токопроводящей полосы и потенциальных контактов датчика определяется только шириной электронного луча в электронном микроскопе. После чего проводили ионное травление в аргоне. При этой операции удаляется тонкая пленка FePt, не защищенная алмазоподобной пленкой. Токопроводящие полосы и потенциальные контакты при этом защищены алмазоподобной пленкой и сохраняются.

Полученные датчики имели чувствительность не ниже 100 Ом/Тл и размер рабочей области не больше 4×10-14 м2, при этом отсутствовало влияние собственного магнитного поля в направлении, совпадающем с направлением тестируемого магнитного поля (Фиг.4).

Пример 3.

То же, что в примере 2, только подложку из окиси кремния напыляли пленки из сплава Fe0,42Pt0,58 толщиной 0.5 нм, наносили двухслойный электронный резист, прорисовывали токоподводящие контакты. После этого напыляли пленку Fe0,56Pt0,44 толщиной 20 нм на область токоподводящих контактов. Затем удалялся электронный резист. После этого в сканирующем электронном микроскопе прорисовывались токопроводящая полоса и потенциальные контакты, при этом под электронным пучком осаждалась алмазоподобная пленка. Ширина токоподводящей полосы и потенциальных контактов составила 100 нм. При такой технологии ширина токопроводящей полосы и потенциальных контактов датчика определяются только шириной электронного луча в электронном микроскопе. После чего проводили ионное травление в аргоне. При этой операции удаляется тонкая пленка FePt, не защищенная алмазоподобной пленкой. Токопроводящие полосы и потенциальные контакты при этом защищены алмазоподобной пленкой и сохраняются. Полученные датчики имели чувствительность 50 Ом/Тл, при этом внутреннее сопротивление датчика было 10 МОм, остаточное сопротивления составляло 1,5 кОм, что не позволяет его применять для измерений с использованием стандартной аппаратуры.

Пример 4.

То же, что в примере 2, только подложку из окиси кремния напыляли пленки из сплава Fe0,58Pt0,42 толщиной 5.5 нм, наносили двухслойный электронный резист, прорисовывали токоподводящие контакты. После этого напыляли пленку Fe0,56Pt0,44 толщиной 20 нм на область токоподводящих контактов. Затем удалялся электронный резист. После этого в сканирующем электронном микроскопе прорисовывались токопроводящая полоса и потенциальные контакты, при этом под электронным пучком осаждалась алмазоподобная пленка. Ширина токоподводящей полосы и потенциальных контактов составила 200 нм. При такой технологии ширина токопроводящей полосы и потенциальных контактов датчика определяется только шириной электронного луча в электронном микроскопе. После чего проводили ионное травление в аргоне. При этой операции удаляется тонкая пленка FePt, не защищенная алмазоподобной пленкой. Токопроводящие полосы и потенциальные контакты при этом защищены алмазоподобной пленкой и сохраняются. Полученные датчики имели чувствительность 50 Ом/Тл.

Пример 5.

На подложку из кремния, покрытого слоем окиси кремния толщиной 0,3 мкм, наносили двухслойный электронный резист, прорисовывали структуры датчиков, включающих в себя токопроводящие полосы, потенциальные и токоподводящие контакты так, чтобы ширина токопроводящей полосы и ширина потенциальных контактов были равны 160 нанометрам. Затем проявляли проэкспонированную структуру, проводили чистку проявленных участков от остатков резиста в плазме и осуществляли лазерное напыление пленки Fe0,56Pt0,44 на полученную структуру в электронном резисте, который затем удаляли. Характеристика датчика приведена на фиг.6. При толщине ферромагнитной токопроводящей полосы, равной 1.5 нм, чувствительность равна 280 Ом/Тл.

Ширина ферромагнитной токопроводящей полосы и потенциальных контактов составляет 160 нм.

Пример 6.

Датчик изготовлен как в примере 5. В качестве подложки использовался сапфир (Al2O3). Характеристика датчика приведена на фиг.7. При толщине ферромагнитной токопроводящей полосы, равной 1.5 нм, чувствительность равна 300 Ом/Тл. Ширина ферромагнитной токопроводящей полосы и потенциальных контактов составляет 200 нм.

Пример 7.

Датчик изготовлен как в примере 5. В качестве подложки использовался кремний, покрытый слоем нитрида алюминия толщиной 30 нм. Характеристика датчика приведена на фиг.8. При толщине ферромагнитной токопроводящей полосы, равной 2 нм, чувствительность равна 160 Ом/Тл. Ширина ферромагнитной токопроводящей полосы и потенциальных контактов составляет 200 нм.

Пример 8.

Датчик изготовлен как в примере 5. В качестве подложки использовался кремний. Характеристика датчика приведена на фиг.9. При толщине ферромагнитной токопроводящей полосы, равной 2 нм, чувствительность равна 280 Ом/Тл. Ширина ферромагнитной токопроводящей полосы и потенциальных контактов составляет 120 нм.

1. Датчик Холла для локальной магнитометрии, включающий помещенную на подложку токопроводящую полосу из ферромагнитной пленки из сплава железо-платина, потенциальные и токоподводящие контакты, отличающийся тем, что в качестве сплава железо-платина используют сплав состава Fe0,44Pt0,56-Fe0,56Pt0,44, причем толщина токопроводящей полосы составляет 1-5 нм.

2. Датчик Холла для локальной магнитометрии по п.1, отличающийся тем, что ширина токопроводящей полосы и ширина потенциальных контактов равны 10-200 нм.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области неразрушающего контроля нефтегазопроводов и может быть использовано для целей определения расстояния, пройденного внутритрубным снарядом-дефектоскопом.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для уменьшения систематических погрешностей абсолютных измерений индукции магнитного поля магнитометром с четырехконтактным датчиком Холла.

Изобретение относится к области электрических измерений, в частности к измерениям магнитной индукции. .

Изобретение относится к технике магнитных измерений и может быть использо-Мухционная катушка.вано ДЛЯ прецизионного измерения в широком динамическом диапазоне индукции постоянных магнитных полей.

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для пространственного измерения составляющих магнитных полей. .

Изобретение относится к технике Магнитных измерений и предназначено для измерения в широком диапазоне индукции постоянных магнитных полей. .

Изобретение относится к магнитным измерениям, в частности к высокоточным измерителям постоянной магнитной индукции. .

Изобретение относится к области неразрушающего контроля, в частности к устройствам для внутритрубной диагностики

Изобретение относится к области электронных датчиков магнитного поля, а более конкретно к магниточувствительным интегральным схемам (МЧИС)

Изобретение относится к области измерительной техники и представляет собой способ и устройство для определения магнитного параметра, в частности составляющей постоянного магнитного поля в участке сердечника, через который протекает магнитный поток, с последующей компенсацией этой составляющей. Часть магнитного потока ответвляется от сердечника и направляется в магнитную шунтирующую часть, при этом магнитный материал магнитной шунтирующей части не насыщается. Посредством сенсорно-аналитического устройства, включающего установленную на шунтирующей ветви катушку, по этой ответвленной части магнитного потока или её производной величине определяется магнитный параметр. На основании полученных результатов осуществляется фильтрование сигнала. 3 н. и 15 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к системе для улучшения определения добротности системы считывания положения вращения. Сущность изобретения заключается в том, что во время вращения объекта, считываемого датчиком положения, сохраняют данные, связанные с добротностью профиля магнитного датчика, в датчике положения, и выдают данные о положении через штырь датчика положения; и во время когда указанный объект не вращается, выдают, по меньшей мере, часть данных, связанных с добротностью профиля магнитного датчика, через штырь. Технический результат - сбор и сообщение информации о добротности профиля магнитного датчика. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой устройство для контроля напряженности постоянного и переменного магнитных полей и позволяет упростить предупреждение о превышении допустимого уровня напряженности поля. Устройство содержит датчик Холла, сигнал с которого через усилитель поступает на вход звена частотной коррекции, соединенного с двухпозиционным переключателем. Выход положения I соединен с пороговым элементом постоянного поля, а выход положения II через амплитудный детектор - с пороговым элементом переменного поля. Пороговые элементы соединены с сигнальным устройством и жидкокристаллическим алфавитно-цифровым дисплеем. К дисплею также подключен элемент контроля уровня заряда батарей внешнего питания устройства. Техническим результатом является непрерывный контроль напряженности переменного и постоянного магнитных полей и упрощение своевременного предупреждения персонала о превышении допустимого уровня напряженности поля. 1 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к средствам измерения электрического тока, и может быть использовано в датчиках Холла. Способ заключается в том, что на первый и второй токовые контакты датчика Холла, который используется для измерения тока, подается постоянный ток, а на первый и второй холловские контакты подается тестовый переменный ток постоянной амплитуды с частотой, которая превышает верхнее значение диапазона измеряемого тока. При измерении тока одновременно измеряются между первым и вторым холловскими контактами холловское напряжение, являющееся мерой измеряемого тока, причем с погрешностью измерений измеряемого тока от изменений температуры датчика Холла, и второе напряжение, являющееся мерой температуры датчика Холла. При этом частотный диапазон холловского напряжения соответствует частотному диапазону измеряемого тока, а нижнее значение частотного диапазона второго напряжения превышает верхнее значение частотного диапазона измеряемого тока. При калибровке датчика Холла регистрируется зависимость холловского и второго напряжений от изменений измеряемых тока и температуры датчика Холла, причем при измерении тока эта зависимость используется для вычисления значения тока по измеренным значениям холловского и второго напряжений. Технический результат заключается в повышении точности измерения тока датчиком Холла путем уменьшения погрешности измерения тока от изменений температуры датчика Холла. 1 ил.
Наверх