Способ получения углеродного нанокристаллического материала, чувствительного к рн среды

Изобретение относится к нанотехнологии. Способ получения углеродного нанокристаллического материала включает приготовление раствора полиакрилонитрила (ПАН) (Мη=1×105) в диметилформамиде (ДМФА) с СПАН=1÷5 мас.%, выдерживание ПАН до растворения в ДМФА в течение 72 часов при 25°С, нанесение на стеклоуглеродную основу слоя раствора ПАН/ДМФА, сушку полимерного слоя в сушильном шкафу при 90°С в течение 0,5÷1 час, нагрев пленки полимера со скоростью 2÷20°С/мин под действием ИК-излучения и выдержку пленки более 1 секунды при 800÷900°С, Р=10-3 мм рт.ст. Изобретение позволяет получать углеродный нанокристаллический материал, чувствительный к рН среды. 1 табл., 2 ил.

 

Изобретение относится к нанотехнологии изготовления углеродного нанокристаллического материала (УНМ), чувствительного к рН среды.

Органические полупроводники интенсивно исследуют и применяют в качестве сенсоров, используя эффект допирования на изменение электропроводимости [MacDiarmid F.G. Synthetic metals: a novel role for organic polymers. / Nobel Lectures. Chemistry. 1996-2000. World Scientific Publishing Co., Singapore]. УНМ на основе термообработанного полиакрилонитрила обладает наиболее стабильными среди органических полупроводников электрофизическими свойствами (R<10-4 К-1 в диапазоне от -100 до 600°С) и получается с помощью экономически эффективного способа термообработки. Образование при термообработке графитоподобной фазы, искривленных углеродных плоскостей приводит к структурам, имеющим сферическую (сферолиты), кольцеобразную формы и фибриллы, представляющие тубуленоподобные структуры, которые имеют размер 2÷5 нм [Кожитов Л.В., Косушкин В.Г., Крапухин В.В., Пархоменко Ю.Н. "Технология материалов микро- и наноэлектроники". М.: МИСиС. 2007 г., 544 с.].

Техническим результатом является получение углеродного нанокристаллического материала, чувствительного к рН среды.

Способ получения УНМ содержит стадии приготовления раствора полиакрилонитрила (ПАН) (Мη=1×105) в диметилформамиде (ДМФА) с СПАН=1÷5 мас.%; выдерживание ПАН до растворения в ДМФА в течение 72 часа при 25°С; нанесение на стеклоуглеродную основу слоя раствора ПАН/ДМФА; сушки полученной структуры в сушильном шкафу при 90°С в течение 0,5÷1 часа; нагрев пленки полимера со скоростью 2÷20°С/мин под действием ИК-излучения и выдержки пленки более 1 секунды при 800÷900°С, Р=10-3 мм рт.ст. с образованием углеродного нанокристаллического материала, чувствительного к рН среды.

Зависимость электродного потенциала УНМ от рН среды исследовали при 25°С с помощью измерительной системы, содержащей хлорсеребряный электрод сравнения, электрод, изготовленный по выше указанному способу. Измерения проводили в ячейке при перемешивании раствора, в качестве которого использовали стандартные буферные растворы.

Для измерения размера кристаллитов графитоподобной фазы использован рентгеновский дифрактометр ДРОН-1,5 (CuKα-излучение) с модернизированной коллимацией. Средний кристаллический размер (Lc) наночастиц графитоподобной фазы (ГФ) рассчитан из рентгеновских дифрактограмм с помощью уравнения Дебай-Шеррера:

,

где k - константа, равная 0,89; В - полуширина дифракционного угла, соответственного дифракционного максимума; λ=1,54056 Å - длина волны рентгеновского CuKα - излучения.

Пример 1. Делаем навеску ПАН (Мη=1×105) с mПАН=1 г; приготавливаем 50 мл ДМФА для получения раствора с СПАН=2 мас.%. Берем коническую колбу (V=100 мл) с пробкой, засыпаем в нее навеску ПАН и заливаем приготовленный ДМФА. После перемешивания содержимого в колбе с помощью стеклянной палочки в течение 5 мин закрываем колбу пробкой. После выдержки смеси в течение 72 часов при 25°С до полного растворения ПАН в ДМФА получаем раствор ПАН/ДМФА. Методом окунания наносим на стеклоуглеродную основу в виде цилиндра пленку полимерного раствора. Высушиваем полимерный слой на стеклоуглеродной основе, сушку проводим в сушильном шкафу при 90°С в течение 1 часа. Помещаем пленку ПАН на стеклоуглеродной основе в установку термообработки с помощью ИК-излучения. Нагрев пленки полимера производим со скоростью 2°С/мин до 900°С при Р=10-3 мм рт.ст. в реакторе. Выдерживаем образец при 900°С в течение 1 минуты. С помощью рентгенофазового анализа УНМ установлен размер кристаллитов графитоподобной фазы (ГФ), составляющий 2,7 нм. Электрохимический потенциал пленки УНМ на стеклоуглероде измеряли с помощью измерительной системы, содержащей хлорсеребряный электрод сравнения и электрод, изготовленный по вышеуказанному способу. Измерения проводили в ячейке при перемешивании раствора, в качестве которого использовали стандартные буферные растворы. Зависимость электрохимического потенциала УНМ от рН в кислой области составила 58 мВ/рН, а в щелочной среде зависимость снижается до 20 мВ/рН (фиг.1). Для графита и стеклоуглерода зависимость от рН не наблюдается из-за их индифферентных свойств к электролиту (фиг.1). Электродный потенциал не изменяется в течение времени выдержки электрода в электролите (фиг.2).

Пример 2. Делаем навеску ПАН (Мη=1×105) с mПАН=0,5 г; приготавливаем 50 мл ДМФА для получения раствора с СПАН=1 мас.%. Берем коническую колбу (V=100 мл) с пробкой, засыпаем в нее навеску ПАН и заливаем приготовленный ДМФА. После перемешивания содержимого в колбе с помощью стеклянной палочки в течение 5 мин закрываем колбу пробкой. После выдержки смеси в течение 72 часов при 25°С до полного растворения ПАН в ДМФА получаем раствор ПАН/ДМФА. Методом окунания наносим на стеклоуглеродную основу в виде цилиндра пленку полимерного раствора. Высушиваем полимерный слой на стеклоуглеродной основе, сушку проводим в сушильном шкафу при 90°С в течение 0,5 часа. Помещаем пленку ПАН на стеклоуглеродной основе в установку термообработки с помощью ИК-излучения. Нагрев пленки полимера производим со скоростью 10°С/мин до 800°С при Р=10-3 мм рт.ст. в реакторе. Выдерживаем образец при 800°С в течение 2 секунд. С помощью рентгенофазового анализа УНМ установлен размер кристаллитов ГФ, составляющий 1,9 нм. Электрохимический потенциал пленки УНМ на стеклоуглероде измеряли с помощью измерительной системы, содержащей хлорсеребряный электрод сравнения и электрод, изготовленный по вышеуказанному способу. Измерения проводили в ячейке при перемешивании раствора, в качестве которого использовали стандартные буферные растворы. Зависимость электрохимического потенциала УНМ от рН в кислой области составила 49 мВ/рН, а в щелочной среде зависимость снижается до 19 мВ/рН. Электродный потенциал не изменяется в течение времени выдержки электрода в электролите.

Пример 3. Делаем навеску ПАН (Мη=1×105) с mПАН=2,5 г; приготавливаем 50 мл ДМФА для получения раствора с СПАН=5 мас.%. Берем коническую колбу (V=100 мл) с пробкой, засыпаем в нее навеску ПАН и заливаем приготовленный ДМФА. После перемешивания содержимого в колбе с помощью стеклянной палочки в течение 5 мин закрываем колбу пробкой. После выдержки смеси в течение 72 часов при 25°С до полного растворения ПАН в ДМФА получаем раствор ПАН/ДМФА. Методом окунания наносим на стеклоуглеродную основу в виде цилиндра пленку полимерного раствора. Высушиваем полимерный слой на стеклоуглеродной основе, сушку проводим в сушильном шкафу при 90°С в течение 45 минут. Помещаем пленку ПАН на стеклоуглеродной основе в установку термообработки с помощью ИК-излучения. Нагрев пленки полимера производим со скоростью 20°С/мин до 850°С при Р=10-3 мм рт.ст. в реакторе. Выдерживаем образец при 850°С в течение 10 минут. С помощью рентгенофазового анализа УНМ установлен размер кристаллитов ГФ, составляющий 2,2 нм. Электрохимический потенциал пленки УНМ на стеклоуглероде измеряли с помощью измерительной системы, содержащей хлорсеребряный электрод сравнения и электрод, изготовленный по вышеуказанному способу. Измерения проводили в ячейке при перемешивании раствора, в качестве которого использовали стандартные буферные растворы. Зависимость электрохимического потенциала УНМ от рН в кислой области составила 51 мВ/рН, а в щелочной среде зависимость снижается до 18 мВ/рН. Электродный потенциал не изменяется в течение времени выдержки электрода в электролите.

От условий приготовления (температура обработки (Тобр.); исходной концентрации раствора ПАН в ДМФА (СПАН); времени сушки (tсуш) при 90°С; времени термической обработки (tобр); скорости нагрева (V)) зависят свойства (зависимость электрохимического потенциала от рН раствора (КрН) и размер нанокристаллитов ГФ (RГФ)) полученного УНМ, которые показаны в таблице.

Таблица
Зависимость свойств УНМ от условий получения
СПАН, мас.% tсуш, мин Tобр., °С tобр, мин V, 0/мин RГФ, нм КpH (pH<7), мВ/рН КpH (pH>7), мВ/рН
1 2 60 900 1 2 2,7 58 20
2 1 30 800 0,03 10 1,9 49 19
3 5 45 850 10 20 2,2 51 18
4 3 40 820 5 5 2,3 55 19
5 4 50 870 3 15 2,4 56 20
6 5 40 800 1 20 1,8 47 18
7 2 30 840 0,1 3 2,2 50 19
8 3 60 810 0,2 20 1,7 46 18
9 1 35 830 2 3 2,3 54 18

Способ получения углеродного нанокристаллического материала, чувствительного к рН среды, включающий приготовление раствора полиакрилонитрила (ПАН) в диметилформамиде (ДМФА), выдерживание ПАН до растворения в ДМФА, нанесение на основу слоя раствора ПАН/ДМФА, сушку полимерного слоя и нагревание полученного твердого вещества, отличающийся тем, что осуществляют приготовление раствора ПАН (Мη=1·105) в ДМФА с СПАН=1÷5 мас.%; выдерживание ПАН до растворения в ДМФА в течение 72 ч при 25°С; нанесение на стеклоуглеродную основу слоя раствора ПАН/ДМФА; сушку полимерного слоя в сушильном шкафу при 90°С в течение 0,5-1 ч; нагрев пленки полимера со скоростью 2÷20°С/мин под действием ИК-излучения и выдержку пленки более 1 с при 800÷900°С, Р=10-3 мм рт.ст. с образованием углеродного нанокристаллического материала, чувствительного к рН среды.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов и может быть использовано в электронной промышленности для получения полупроводникового материала - твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x для создания на его основе приборов твердотельной силовой и оптоэлектроники, для получения буферных слоев (SiC) 1-x(AlN)x при выращивании кристаллов нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия (GaN) на подложках карбида кремния (SiC).

Изобретение относится к технологии получения частиц с монокристаллической структурой алмаза путем выращивания из паровой фазы в условиях плазмы. .

Изобретение относится к области новой технологии создания алмазов и может быть использовано в микро- и наноэлектронике при создании новых сверхпрочных конструкционных материалов, широко применяемых в различных отраслях машиностроения, в производстве полупроводниковых светодиодов на алмазной основе, а также при создании ювелирных изделий.
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. .

Изобретение относится к устройству и способу, предназначенным для кристаллизации белка. .

Изобретение относится к области автоматизации управления технологическими процессами получения полупроводниковых материалов и может использоваться для выращивания кристаллов в космических условиях при отсутствии оператора.

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов замораживанием при температурном градиенте на затравочный кристалл без использования растворителей и промышленно применимо для выращивания высококачественных монокристаллов большого диаметра, в том числе в условиях невесомости.

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов замораживанием при температурном градиенте на затравочный кристалл без использования растворителей и промышленно применимо для выращивания высококачественных монокристаллов большого диаметра, в том числе в условиях невесомости.

Изобретение относится к аппаратам, применяемым в химической промышленности, в частности к реакторам для получения углеродных нанотрубок. .
Изобретение относится к технологии производства углеродных нановолокон, которые используются для производства сорбентов и носителей катализаторов, катализаторов, ферромагнитных чернил, графитовых пигментов для копирования.

Изобретение относится к технологии получения волокнистых углеродных материалов каталитическим пиролизом. .
Изобретение относится к каталитическим процессам получения водорода и углерода из углеводородсодержащих газов. .

Изобретение относится к наноструктурным системам покрытий. .
Наверх