Способ обработки алмаза

Изобретение относится к способам обработки алмаза механическим методом с использованием абразивного порошка. Техническим результатом является повышение скорости обработки алмаза. Способ включает обработку алмаза вращающимся металлическим диском, содержащим абразивный порошок. При этом обрабатываемый алмаз приводят в контакт с алмазообрабатывающим диском и нагревают до температуры чуть ниже температуры графитизации алмаза на воздухе, до 680°С. Причем в процессе обработки алмаза осуществляют кратковременные периодические перегревы алмаза до температуры 750°С. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил.

 

Изобретение относится к способам обработки алмаза механическим методом с использованием абразивного порошка. Областью применения является гранильная промышленность, особенно эффективно способ может использоваться при обработке поликристаллических агрегатов алмаза.

Известны способы обработки алмаза термическими методами. Одним из первых является изобретение «Способ полирования алмазов» по а.с. СССР №51148 [1]. Существенными признаками изобретения, в соответствии с его формулой, является то, что полирование ведут без охлаждения и без абразивного зерна на полировальном инструменте из более мягкого материала, чем алмаз.

В описании изобретения указано, что нагрев алмаза осуществляется за счет его трения с полировальником. Не исключается и дополнительный нагрев алмаза. В формуле и в описании изобретения не конкретизированы такие существенные признаки способа, как температурные интервалы обработки, материал диска (полировальника), скорость вращения полировальника и режимы давления алмаза на полировальник. Между тем, достижение нагрева алмаза до температуры 550-600°С за счет трения алмаза с алмазообрабатывающим диском затруднительно, предъявляет определенные требования к материалу диска, силе прижима алмаза к диску и скорости вращения диска. Таким образом, изобретение по а.с. СССР №51148 представляет не проверенную экспериментами идею, работоспособность которой проблематична. Кроме того, отсутствие в формуле существенных признаков объекта как способа обработки непомерно раздувает объем изобретения. Так как алмаз является самым твердым материалом, по изобретению №51148 алмаз можно обрабатывать без абразива любым известным материалом, что противоречит фактам.

Наиболее близким к предлагаемому изобретению является способ обработки алмаза вращающимся металлическим диском, содержащим абразивный порошок [2]. В данном способе, принятом за прототип, скорость обработки зависит от скорости вращения алмазообрабатывающего диска, от силы прижима обрабатываемого алмаза к диску, от физико-механических свойств алмазного абразивного порошка. Основным недостатком способа является невысокая скорость обработки алмаза. Указанным способом кристалл алмаза по плоскости октаэдра, по так называемому твердому направлению кристалла, обрабатывается с исключительно малой скоростью. Это приводит к затруднениям при обработке поликристаллических агрегатов (спеков) алмаза. Из-за хаотического расположения частиц (кристалликов) агрегата при его обработке всегда найдутся частицы (кристаллики), ориентированные твердыми направлениями.

Целью предлагаемого изобретения является повышение скорости обработки алмаза. Для достижения указанной цели алмаз в процессе обработки нагревают до температуры чуть ниже температуры графитизации алмаза на воздухе, до 680°С.

Еще сильное повышение скорости шлифования алмаза достигают при кратковременных перегревах алмаза до температуры 750°С.

Дополнительный нагрев кристалла алмаза позволяет проводить обработку алмаза диском, содержащим менее твердый, чем алмаз, абразивный порошок, например карборунд, карбиды металлов.

В опытах по шлифованию алмаза применяли специальную технологическую оснастку - приспособление для шлифования кристаллов алмаза с электроподогреваемой оправкой. Температура измерялась и регулировалась с точностью до ±10°C. Постоянство давления кристалла на диск достигалось грузом на приспособление для шлифования F=22,5 H; Р=5,4 МПа. Результаты опытов приведены в таблице и на графике.

Таблица
Т, °С t (мин) m (мг) П ПT120
1 120 45 0,8 2,13 1
2 300 45 0,85 2,27 1,07
3 400 45 1,25 3,34 1,57
4 500 45 1,20 3,20 1,50
5 600 45 4,10 10,95 5,14
6 680 15 3,0 24,04 11,3
П - производительность шлифования кар/ мин·мм2.

Опыты показали, что при температурах 400-500°С скорость шлифования повышается только до 1,5 раза. Резкое повышение скорости до 11 раз наблюдается при температурах 600-680°С. Это можно объяснить наличием какого-то энергетического барьера в процессе разрушения (обработки) кристалла алмаза. Данные об изменении скорости шлифования при 750°С не приведены в таблице результатов опытов из-за недостаточной их сходимости. При кратковременных опытах получены данные о 20-30-кратном повышении скорости шлифования. Значительная графитизация алмаза на воздухе наблюдается при температурах выше 750°С. Но это происходит с необрабатываемыми кристаллами. При шлифовании, вероятно, температура интенсивной графитизации понижается вследствие воздействия механохимических эффектов. Возможно, эти же эффекты позволяют проводить обработку алмаза не меньшей, чем с алмазным абразивом, скоростью более мягкими, чем алмаз, абразивами при температурах 600-750°С.

1. А.с. 51148 СССР. Способ полирования алмазов / Валов А.А., Гребенщиков И.В. Опубл. 1937. Бюл. №5-6. С.39.

2. В.И.Епифанов, А.Я.Песина, Л.В.Зыков. Технология обработки алмазов в бриллианты. М: Высшая школа, 1987. С.335.

1. Способ обработки алмаза вращающимся металлическим диском, содержащим абразивный порошок, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости обработки алмаза, обрабатываемый алмаз приводят в контакт с алмазообрабатывающим диском и нагревают до температуры чуть ниже температуры графитизации алмаза на воздухе до 680°С, причем в процессе обработки алмаза осуществляют кратковременные периодические перегревы алмаза до температуры 750°С.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве абразива кроме алмазного порошка можно использовать порошки из более мягкого материала, например карборунда или карбидов металлов.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области технологии обработки алмазов, а именно к способам придания им заданной геометрической формы. .

Изобретение относится к способу и системе для лазерного мечения драгоценных камней и, в частности, к способу и системе гравирования кодов аутентификации. .
Изобретение относится к области добычи и комплексной переработки ископаемых смол, в частности янтаря, и может быть использовано в процессе промышленной, ювелирной и других видов переработки янтаря.

Изобретение относится к технологии машинного распиливания или резки камня, а более конкретно к способам тонкой обработки ценных камней, кристаллов с помощью не вращающихся инструментов при использовании возвратно-поступательного движения, преимущественно для лазерного распиливания алмазов.
Изобретение относится к ювелирной промышленности. .
Изобретение относится к технологии силикатов и касается составов смесей, пригодных для изготовления вставок, заменяющих «камень» в ювелирных изделиях (кольцах, запонках, брошах и др.).

Изобретение относится к лазерной машине для анализа, планирования и разметки необработанного алмаза. .

Изобретение относится к новому лазерному станку для распиливания алмазов. .

Изобретение относится к устройству и способу определения ориентации кристаллографической плоскости относительно поверхности кристалла, а также к аппарату и способу резки монокристалла в режущей машине.

Изобретение относится к области обработки алмазов и может быть использовано при изготовлении станков для их огранки. .

Изобретение относится к устройствам, применяемым при выполнении операций шлифования алмаза в гранильной и инструментальной промышленности

Изобретение относится к тонкой обработке драгоценных камней в алмазообрабатывающей промышленности, преимущественно к области производства бриллиантов, в частности к механизму для распиливания алмазов распиловочных станков

Изобретение относится к области обработки поли- и монокристаллических слитков полупроводниковых материалов с целью разделения их на пластины и может быть использовано при изготовлении пластин, используемых в производстве полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей, полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Изобретение относится к области обработки поли- и монокристаллических слитков полупроводниковых материалов с целью разделения их на пластины и может быть использовано при изготовлении пластин, используемых в производстве солнечных батарей, полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Изобретение относится к области технологии обработки сверхтвердых материалов, таких как твердые сплавы, кубический нитрид бора, алмаз, и может быть использовано в алмазообрабатывающей промышленности

Изобретение относится к монокристаллическим подложкам и способам отделки таких подложек

Изобретение относится к технологии обработки алмаза, в частности к его термохимической обработке

Изобретение относится к технологии обработки кристаллов алмаза и может быть использовано в алмазообрабатывающей промышленности

Изобретение относится к способам создания внутри алмазов изображений, несущих информацию различного назначения, например коды идентификации, метки, идентифицирующие алмазы
Наверх