Способ измерения флюенса нейтронов детектором из монокристаллического кремния

Изобретение относится к области радиационных технологий, а также к эксплуатации ядерных установок и ускорителей. Технический результат - способ позволяет использовать в качестве детектора тепловых нейтронов простейший полупроводник без p-n переходов - монокристаллический кремний как n-, так и p-типов; широкий диапазон измеряемого флюенса тепловых нейтронов от 1015 до 1018 см-2; одна исходная для данного спектра нейтронов калибровка детектора с любым исходным сопротивлением, при этом калибровка не меняется при использовании детекторов с любым другим исходным сопротивлением. Способ включает калибровку детектора, измерение исходного удельного электрического сопротивления монокристаллического кремния, облучение неизвестным флюенсом нейтронов, отжиг радиационных дефектов в кремнии, генерированных быстрыми нейтронами, измерение конечного удельного электрического сопротивления и определение флюенса нейтронов по изменению удельной электрической проводимости в монокристаллическом кремнии за счет образования в нем донорной примеси фосфора по формуле: где К - коэффициент пропорциональности, который постоянен для измеряемого спектра нейтронов и не зависит от исходного удельного электрического сопротивления, его определяют при калибровке детекторов, ρ0 - исходное удельное электрическое сопротивление, которое измеряют перед облучением детектора, ρ - конечное удельное электрическое сопротивление, которое измеряют после облучения детектора флюенсом F тепловых нейтронов и отжига радиационных дефектов. При этом отжиг радиационных дефектов проводят при температуре не менее 800°С в течение не менее двух часов. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.

 

Изобретение относится к области радиационных технологий, а также к эксплуатации ядерных установок и ускорителей.

Взаимодействие нейтронного излучения с полупроводником сопровождается образованием в его кристаллической решетке трансмутационных примесей и разного рода структурных нарушений. Это приводит к появлению в запрещенной зоне локальных энергетических уровней и изменению таких параметров полупроводника, как концентрация носителей заряда, фоточувствительность, подвижность, время жизни носителей, оптическое поглощение и т.п. Это свойство полупроводников используют для измерения флюенса нейтронов.

Известны активационные способы измерений флюенса нейтронов [Крамер-Агеев Е.А., Трошин В.С., Тихонов Е.Г. Активационные методы спектрометрии нейтронов. М.: Атомиздат, 1976, 232 с.]. Они наиболее универсальны и позволяют определять абсолютные значения флюенса нейтронов без дополнительной калибровки. Однако эти способы очень трудоемки и требуют специальной аппаратуры. Их часто используют для калибровки других, более простых, способов измерений флюенса нейтронов.

Известны также способы измерения флюенса нейтронов с помощью ионизационных камер и пропорциональных счетчиков [Ломакин С.С, Петров В.И., Самойлов П.С. Радиометрия нейтронов активационным методом. М.: Атомиздат, 1975, 208 с.]. Их достоинством является то, что информация о плотности потока нейтронов выводится непрерывно, что позволяет контролировать флюенс нейтронов непосредственно в процессе облучения. Их недостатки: а) значительное выгорание нейтронно-чувствительного элемента, которое зависит от флюенса и спектра нейтронов, б) повышенные требования к термической и радиационной стойкости изоляторов, в) относительная сложность конструкции.

Известен также способ измерения флюенса нейтронов полупроводниковым детектором, включающий в себя калибровку детектора, измерение электрического сопротивления детектора до облучения, облучение неизвестным флюенсом нейтронов, измерение электрического сопротивления детектора после его облучения [SU № 934402, опубл. 07.06.82, БИ № 21]. При этом в качестве детектора используют кремний n-типа. Основной недостаток этого способа связан со значительным разбросом исходных параметров даже у однотипных приборов серийного выпуска. Поэтому каждый такой прибор требует индивидуальной калибровки, после которой восстановление исходных параметров при высокотемпературном отжиге часто невозможно из-за разрушения внутренней структуры приборов.

Наиболее близким к заявляемому является способ измерения флюенса нейтронов полупроводниковым детектором из монокристаллического кремния [заявка RU № 2007125306, решение о выдаче патента от 23.06.08], включающий в себя калибровку детектора, измерение удельного электрического сопротивления монокристаллического кремния до и после облучения, облучение неизвестным флюенсом нейтронов и определение флюенса быстрых нейтронов по изменению удельной электрической проводимости в монокристаллическом кремнии.

При облучении быстрыми нейтронами в кремнии наряду с другими типами дефектов образуются и сложные дефекты как донорного, так и акцепторного характеров, являющиеся следствием взаимодействия вакансий и междуузельных атомов между собой и с атомами исходных химических примесей. При этом введение сложных компенсирующих центров приводит к компенсации основной легирующей примеси, т.е. доноров в кремнии n-типа. Поэтому изменение удельной проводимости пропорционально концентрации этих дефектов, которая в свою очередь пропорциональна флюенсу быстрых нейтронов. Поскольку этот способ основан на изменении проводимости из-за сложных радиационных дефектов, он не чувствителен к тепловым нейтронам, которые генерируют только простые дефекты типа пары Френкеля (вакансия и междуузельный атом).

Техническим результатом изобретения является: 1) использование в качестве детектора тепловых нейтронов простейшего полупроводника без p-n переходов - монокристаллического кремния как n-, так и p-типов; 2) одна исходная для данного спектра нейтронов калибровка детектора с любым исходным сопротивлением, при этом калибровка не меняется при использовании детекторов с любым другим исходным сопротивлением; 3) возможность в результате одного облучения шайбы кремния определять как флюенс тепловых нейтронов, так и флюенс быстрых нейтронов (по прототипу).

Это достигается тем, что в известном способе измерения флюенса нейтронов детектором из монокристаллического кремния, включающем калибровку детектора, измерение исходного удельного электрического сопротивления монокристаллического кремния, облучение неизвестным флюенсом нейтронов, измерение конечного удельного электрического сопротивления и определение флюенса нейтронов по изменению удельной электрической проводимости в монокристаллическом кремнии, согласно изобретению после облучения проводят отжиг радиационных дефектов в кремнии, генерированных быстрыми нейтронами, а флюенс тепловых нейтронов определяют по изменению удельной электрической проводимости в монокристаллическом кремнии за счет образования в нем донорной примеси фосфора по формуле:

где К - коэффициент пропорциональности, который постоянен для измеряемого спектра нейтронов и не зависит от исходного удельного электрического сопротивления, его определяют при калибровке детекторов, ρ0 - исходное удельное электрическое сопротивление, которое измеряют перед облучением детектора, ρ - конечное удельное электрическое сопротивление, которое измеряют после облучения детектора флюенсом F тепловых нейтронов и отжига радиационных дефектов.

При этом отжиг радиационных дефектов проводят при температуре не менее 800°С в течение не менее двух часов.

Суть изобретения заключается в следующем. При облучении кремния тепловыми нейтронами за счет (n,γ)-реакции образуется фосфор

При этом концентрация ядер фосфора Np пропорциональна флюенсу F тепловых нейтронов

где σ - сечение реакции радиационного захвата тепловых нейтронов на 30Si, NSi - концентрация ядер 30Si. Фосфор в монокристаллическом кремнии является донорной примесью, поэтому в кремнии n-типа он увеличивает проводимость, а в кремнии p-типа - уменьшает. В предлагаемом способе между изменением проводимости (1/ρ-1/ρ0) и флюенсом нейтронов F существует линейная связь (1), которая вытекает из выражения (3). При этом коэффициент пропорциональности К один и тот же для любого исходного сопротивления ρ0. Это, во-первых, снижает трудоемкость калибровки детекторов для каждого конкретного спектра нейтронов, во-вторых, уменьшает погрешность измерений, в-третьих, позволяет измерять широкий диапазон флюенса тепловых нейтронов, от 1015 до 1018 см-2. Кроме того, физическая информация (удельное электрическое сопротивление) в отличие, например, от активационного метода сохраняется бесконечно долго, что позволяет в любой момент времени перепроверить полученный результат измерения флюенса тепловых нейтронов.

Возможность осуществления способа подтверждается следующими экспериментами, проведенными на исследовательском ядерном реакторе типа ИРТ-Т мощностью 6 МВт в г. Томске. Эксперименты проводились с использованием существующей с 1984 года технологии нейтронно-трансмутационного легирования кремния, базирующейся на горизонтальном экспериментальном канале ГЭК-4. Имеется печь отжига радиационных дефектов типа СУЗН1.6, установки для измерения удельного электрического сопротивления 4-зондовым методом, времени жизни неосновных носителей заряда, типа проводимости, станки для резки и шлифовки слитков, химический участок подготовки кремния к облучению и его дезактивации. С помощью этой технологии были заготовлены шайбы монокристаллического кремния. Измерения удельного электрического сопротивления проводились 4-зондовым методом по 15 точкам. Погрешность измерения среднего по торцу шайбы удельного сопротивления не превышает 2%. Измерения сопротивлений проводились до и после облучения и отжига радиационных дефектов при температуре 800°С в течение 2 часов. Контроль за флюенсом тепловых нейтронов осуществляли с помощью штатных камер деления типа КтВ-4. Пять таких камер установлены над каналом ГЭК-4 и калиброваны на абсолютные значения плотности потока тепловых нейтронов в 5 точках этого канала. Калибровка осуществлялась по золоту с помощью стандартного набора активационных детекторов по методике, рекомендованной Всероссийским научно-исследовательским институтом физико-технических и радиационных измерений. Результаты калибровки представлены в таблице, где ρ0, ρ есть исходные и конечные (после облучения и отжига) удельные электрические сопротивления, F1 - флюенс тепловых нейтронов по показаниям камер КтВ-4, К - коэффициент пропорциональности в выражении (2), который вычислен для каждой шайбы по значениям ρ0, ρ и F1. Среднее значение этого коэффициента (Кср) равно 222,9·1017 Ом/см. По сути дела, Кср и есть результат калибровки детекторов в абсолютных единицах для канала ГЭК-4. В этой же таблице F2 - флюенс тепловых нейтронов для каждой шайбы, вычисленный по выражению (2), где К=Кср, т.е. результаты измерений флюенса тепловых нейтронов кремниевыми детекторами. δ - ошибки измерений, которые определялись по формуле

Кроме того, были проведены эксперименты по определению режима отжига радиационных дефектов, генерированных быстрыми нейтронами. Очевидно, этих дефектов тем больше, чем жестче спектр и больше флюенс нейтронов. Температура отжига варьировалась от 600°С до 900°С, а флюенс тепловых нейтронов - от 1016 до

1018 см-2. Облучение проводили в канале реактора ГЭК-4. При флюенсе тепловых нейтронов до 1016 см-2 достаточно для отжига 30 минут при температуре 650°С. При флюенсе 1017 см-2 температура отжига повышается до 800°С, а время - до 1,5 часов. С дальнейшим ростом флюенса, вплоть до 1018 см-2, дефекты отжигались при той же температуре, но время отжига увеличилось до 2 часов.

Полезный результат заключается в том, что при одном облучении шайба монокристаллического кремния содержит информацию как о флюенсе быстрых нейтронов (по прототипу), так и (после отжига) о флюенсе тепловых нейтронов. Калибровку детектора можно осуществить даже в одном единственном облучении шайбы кремния с любым исходным удельным сопротивлением. Калибровка остается постоянной для измеряемого спектра нейтронов и не зависит от исходного удельного электрического сопротивления. Каждый монокристалл можно использовать многократно. Кроме того, физическая информация (удельное электрическое сопротивление) в отличие, например, от активационного метода сохраняется бесконечно долго, что позволяет в любой момент времени перепроверить полученный результат измерения флюенса тепловых нейтронов.

No шайбы ρ0, Ом·см ρ, Ом·см F1·1017 (по КтВ), см-2 К·1017, Ом/см F2·1017, см-2 δ, %
1 3500 243,9 0,865 226,8 0,850 1,8
2 4200 244,3 0,840 218,0 0,859 -2,2
3 3100 244,0 0,852 225,7 0,842 1,2
4 3750 243,9 0,838 218,7 0,854 -1,9
5 3450 243,1 0,872 228,1 0,852 2,3
6 3450 243,7 0,865 226,8 0,850 1,8
7 3150 243,3 0,866 228,2 0,846 2,4
8 3200 242,7 0,831 218,2 0,849 -2,1
9 4350 250,8 0,820 218,2 0,838 -2,1
10 3750 252,8 0,800 216,9 0,822 -2,7
11 3600 135,2 1,651 231,9 1,587 4,0
12 1800 126,4 1,601 217,6 1,640 -2,4
13 3200 129,5 1,602 216,2 1,652 -3,0
14 3850 132,1 1,650 225,8 1,629 1,3
15 16000 125,7 1,825 231,3 1,759 3,8
16 3300 43,6 5,148 227,3 5,048 2,0
17 3850 44,6 5,101 230,2 4,940 3,3
18 3100 44,0 4,896 218,4 4,996 -2,0
19 3550 44,6 4,825 217,9 4,935 -2,2
20 3450 43,3 4,950 216,9 5,088 -2,7
21 3450 87,0 2,407 214,9 2,497 -3,6
22 1500 84,0 2,575 229,1 2,505 2,8
23 330 86,1 1,952 227,6 1,912 2,1
24 2850 87,2 2,407 216,6 2,477 -2,8
25 3450 85,0 2,658 231,5 2,559 3,9
26 7200 150,9 1,401 216,0 1,446 -3,1
27 3050 138,9 1,481 215,4 1,532 -3,4
28 3100 139,4 1,488 217,1 1,528 -2,6
29 2150 73,4 3,000 228,0 2,933 2,3
30 5450 75,3 3,001 229,0 2,921 2,7
31 2250 73,4 2,974 225,6 2,938 1,2

1. Способ измерения флюенса нейтронов детектором из монокристаллического кремния, включающий калибровку детектора, измерение исходного удельного электрического сопротивления монокристаллического кремния, облучение неизвестным флюенсом нейтронов, измерение конечного удельного электрического сопротивления и определение флюенса нейтронов по изменению удельной электрической проводимости в монокристаллическом кремнии, отличающийся тем, что после облучения проводят отжиг радиационных дефектов в кремнии, генерированных быстрыми нейтронами, а флюенс тепловых нейтронов определяют по изменению удельной электрической проводимости в монокристаллическом кремнии за счет образования в нем донорной примеси фосфора по формуле

где К - коэффициент пропорциональности, который постоянен для измеряемого спектра нейтронов и не зависит от исходного удельного электрического сопротивления, его определяют при калибровке детекторов, ρ0 - исходное удельное электрическое сопротивление, которое измеряют перед облучением детектора, ρ - конечное удельное электрическое сопротивление, которое измеряют после облучения детектора флюенсом F тепловых нейтронов и отжига радиационных дефектов.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что отжиг радиационных дефектов проводят при температуре не менее 800°С в течение времени не менее двух часов.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области радиационных технологий, а также к эксплуатации ядерных установок и ускорителей. .

Изобретение относится к области детектирования источников нейтронного и мягкого гамма-излучения, особо источников нейтронов на фоне гамма-излучения, и предназначено для дозиметрической и таможенной практики, для решения задач Госатомнадзора и служб ядерной безопасности, для комплексов и систем специального радиационного технического контроля, для систем радиационного мониторинга территорий и акваторий, для обнаружения и идентификации делящихся материалов (ДМ-урана, плутония, кюрия, калифорния и изделий из них), для обнаружения и идентификации ряда радиоактивных веществ (РВ), обладающих мягким гамма-спектром.

Изобретение относится к технике измерения нейтронного излучения и может быть использовано для определения флюенса нейтронов. .

Изобретение относится к области радиационных технологий, а также к эксплуатации ядерных установок и ускорителей

РЕФЕРАТ (57) Изобретение относится к области радиационных технологий, а также к эксплуатации ядерных установок и ускорителей. Способ включает калибровку детектора, измерение электрофизических параметров детектора до и после облучения, облучение детектора быстрыми нейтронами, при этом детектор изготавливают в форме пластины с плоскопараллельными поверхностями оснований, до и после облучения измеряют электрическое сопротивление между основаниями пластины, для чего перед измерениями на всю поверхность каждого основания пластины наносят омические контакты, а флюенс быстрых нейтронов F определяют по изменению электрической проводимости между контактами до и после облучения пластины , где К - коэффициент пропорциональности, который постоянен для измеряемого спектра нейтронов и не зависит от исходного электрического сопротивления, коэффициент К определяют при калибровке детектора; d - толщина пластины; S - площадь каждого основания пластины; R0, R - исходное и конечное электрические сопротивления между омическими контактами до и после облучения соответственно. Технический результат заключается в создании простого, более доступного способа детектирования флюенса быстрых нейтронов. 1 табл.

Изобретение относится к области радиационных технологий, а также к исследованиям, созданию и эксплуатации ядерных установок и ускорителей. Технический результат - повышение динамического диапазона измерений флюенса быстрых нейтронов (108-1016 см-2), отсутствие калибровка детектора, возможность измерения эквивалентного флюенса быстрых нейтронов с энергией 1 МэВ при неизвестном спектре. Способ включает измерение вольтамперной характеристики (ВАХ) полупроводникового детектора до и после облучения, в качестве которого используется планарный кремниевый детектор из высокоомного монокристаллического кремния n- или p-типа проводимости с p-n переходом и исходным удельным сопротивлением ρ>1 кОм×см, облучение неизвестным флюенсом быстрых нейтронов, определение флюенса быстрых нейтронов по приращению объемного термогенерационного (темнового) обратного тока детектора за счет образования в нем электрически активных радиационных дефектов от быстрых нейтронов, причем флюенс быстрых нейтронов определяют по формуле: Ф = Δ I α I × V , где: Ф (см-2) - эквивалентный флюенс быстрых нейтронов с энергией 1 МэВ, ΔI=(I1-I0) (A) - измеренное приращение темнового обратного тока детектора после облучения, I0 - ток детектора до облучения при напряжении полного обеднения, приведенный к температуре +20°C, I1 - ток детектора после облучения при напряжении полного обеднения, приведенный к температуре +20°C, αI=(5±0.5)×10-17 (А/см) - токовая константа радиационных повреждений кремния для быстрых нейтронов с энергией 1 МэВ при температуре +20°C без учета самоотжига, V=d×S (см3) - объем детектора при напряжении полного обеднения, d - толщина (см) детектора (измеряется), S - активная площадь (см2) детектора (площадь p-n перехода, известна с высокой точностью из топологии детектора).

Изобретение относится к области ядерного приборостроения. Устройство для измерения плотности потока нейтронов ядерной энергетической установки в условиях фоновой помехи от гамма-квантов и высокоэнергетичных космических электронов и протонов содержит замедлитель нейтронов, блок питания и два параллельно расположенных полупроводниковых детектора с нанесенным на чувствительную область каждого детектора конвертером нейтронов, при этом чувствительные области детекторов с нанесенными на них конверторами обращены по направлению друг к другу, при этом между детекторами расположена пластина из органического материала, а сигналы с детекторов, проходящие через отдельные для каждого детектора каналы регистрации, состоящие из зарядочувствительного предусилителя, устройства селекции сигналов по амплитуде и формирователя временной отметки, подаются на устройство временной селекции, работающее по схеме антисовпадений. Технический результат – измерение плотности потока нейтронов в условиях фоновой помехи от гамма-квантов и высокоэнергетичных космических электронов и протонов. 2 ил.
Наверх