Корпус интегральной схемы

Использование: электронная техника. Сущность изобретения: корпус интегральной схемы содержит основание 1 с проводящей структурой 2 и внешние выводы 12 с изогнутыми концами. Внешние выводы 12 закреплены на контактных площадках 14, которые установлены на основание 1 на двух уровнях. Каждая площадка 14 одного уровня расположена между двумя площадками другого уровня с допуском смещения осей площадок не более 0,1 мм. Прямые участки внешних выводов 12 каждой из сторон основания закреплены на изоляторах 13, которые установлены с зазором по отношению к наружным сторонам основания и выполнены из керамической ленты с проводящими слоями. Изобретение обеспечивает уменьшение габаритных размеров корпуса за счет геометрии внешних выводов и их расположения с минимальным шагом на изоляторах. 5 ил.

 

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при разработке корпусов интегральных схем типа «Package SOJ".

Известен корпус интегральной схемы, содержащий керамическое основание с размещенными на его поверхности контактными площадками и структурой планарных выводов, а также многовыводную изолирующую рамку прямоугольной формы с изолирующими пластинами, к которым закреплены планарные выводы (1).

Недостатком известного технического решения является увеличенные габаритные размеры корпуса из-за прямолинейной формы внешних выводов, монтаж которых на печатную плату осуществляется с помощью пайки. Это, в свою очередь, приводит к увеличению объема и массы изделия с одновременным уменьшением плотности компоновочных элементов.

Наиболее близким к заявленному изобретению по совокупности признаков (прототипом) является корпус интегральной схемы, содержащий электронный компонент и проводящую структуру, включающую внутренние выводы, электрически соединенные с контактными площадками основания корпуса интегральной схемы, и внешние выводы с изогнутыми концами в форме заглавной буквы «J». Электронный компонент и внутренняя часть проводящей структуры заключена в пластмассовый корпус, выполненный из материалов на основе эпоксидных или кремнеорганических смол (2).

Недостаток прототипа состоит в следующем.

Известный корпус интегральной схемы имеет ограниченное применение из-за использования в качестве материала корпуса пластиков, не обеспечивающих жестких требований к стойкости корпусов к воздействию внешних факторов, кроме того, ширина формованных внешних выводов исключает возможность уменьшить шаг их расположения, что приводит к увеличению количества выводов в одних и тех же габаритах корпуса. Задача, решаемая настоящим изобретением, состоит в устранении указанных недостатков путем уменьшения габаритных размеров корпуса за счет геометрии внешних выводов и их расположения с минимальным шагом на изоляторах.

Для решения этой задачи в предлагаемом корпусе интегральной схемы, содержащим керамическое основание с многослойной проводящей структурой и множество внешних выводов с изогнутыми концами, закрепленных на контактных площадках основания в соответствии с изобретением и в отличие от прототипа контактные площадки расположены по периметру основания на двух уровнях так, что каждая контактная площадка верхнего уровня размещена между двумя площадками нижнего уровня, при этом смещение осей смежных контактных площадок не более 0,1 мм, а прямые участки внешних выводов связаны между собой изоляторами, которые установлены с зазором по отношению к наружным сторонам основания и выполнены многослойными из керамической ленты с проводящими слоями.

Изобретение поясняется чертежами, где на

фиг.1 изображен поперечный разрез корпуса интегральной схемы;

фиг.2 изображен корпус интегральной схемы в плане;

фиг.3 изображен корпус интегральной схемы, вид снизу;

фиг.4 изображен узел крепления крышки к основанию корпуса;

фиг.5 изображены внешние выводы с изогнутыми концами с изолятором.

Устройство содержит основание 1 с проводящей структурой 2, в центральной части которого выполнено сквозное монтажное отверстие 3 ступенчатой формы.

Отверстие 3 перекрывается снизу металлической пластиной 4, а сверху крышкой 5, закрепленной на основании посредством ободка 6 и прокладки 7 шовной контактной сваркой. В отверстие 3 основания 1 на металлическую пластину 4 установлен теплоотвод 8, на котором монтируется интегральная схема 9, электрически соединенная с контактными площадками 10 и 11. Внешние выводы 12 связаны между собой изоляторами 13, которые установлены с зазором по отношению к наружным сторонам основания 1 и припаяны к контактным площадкам 14, расположенным по периферии основания 1 на разных уровнях в два ряда.

При этом каждая контактная площадка одного уровня размещается между двумя площадками другого уровня с допуском смещения осей площадок не более 0,1 мм.

Устройство работает следующим образом. Сигнал поступает на выводы корпуса через многослойные проводящие линии к интегральной схеме, проходит соответствующую обработку (усиление, преобразование частоты, смещение и т.д.).

Преобразованный сигнал снимается с внешних выводов корпуса.

Предложенный корпус интегральной схемы характеризуется небольшими габаритными размерами с оптимальным количеством выводов (208 штук), что способствует миниатюризации устройства при одновременном увеличении объема обработки информации.

Задача увеличения количества внешних выводов корпусов интегральных схем данного типа достигается уменьшением шага расположения выводов, что ведет к уменьшению их ширины и, как следствие, к потере жесткости и пружинных свойств выводов. Применение в конструкции корпуса изоляторов позволяет ликвидировать этот недостаток, придавая выводам необходимую жесткость и пружинные свойства, обеспечивающие качественный монтаж корпуса в панельном исполнении. Изготовление изоляторов производится спеканием до монолита слоев из керамической ленты с нанесением на них методом трафаретной печати проводящих слоев с соответствующей топологией.

Увеличению жесткости и пружинных свойств выводов способствует также двухярусное крепление внутренних концов выводов, каждая пара которых вместе с изолятором образует треугольник жесткости.

Кроме того, двухярусное расположение контактных площадок облегчает реализацию технологической задачи припайки концов выводов к контактным площадкам

Предложенный корпус интегральной схемы обладает также повышенной герметичностью за счет вакуумно-плотного основания и герметично закрепленной крышки посредством контактной сварки. Выполнение основания и теплоотвода из нитрида алюминия, обладающего высокой теплопроводностью, позволяет увеличить эффективность теплопередачи из зоны расположения интегральной схемы в окружающую среду.

Источники информации

1. Патент RU № 2331138, кл. H01L 23/02, 2008 г.

2. Патент US № 6005286, кл. H01L 23/495, 1999 г.

Корпус интегральной схемы, содержащий керамическое основание с многослойной проводящей структурой и закрепленные на контактных площадках основания внешние выводы с изогнутыми концами, отличающийся тем, что контактные площадки расположены по периметру основания на двух уровнях так, что каждая площадка верхнего уровня размещена между двумя площадками нижнего уровня, при этом смещение осей смежных контактных площадок не более 0,1 мм, а прямые участки внешних выводов закреплены на изоляторах, которые установлены с зазором по отношению к наружным сторонам основания и выполнены многослойными из керамической ленты с проводящими слоями.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной технике. .

Изобретение относится к электронной технике, а именно к металлокерамическим корпусам для полупроводниковых приборов СВЧ. .

Изобретение относится к электронной техники, в частности к микроэлектронному конструированию, и может быть использовано при проектировании планарных металлокерамических корпусов.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при разработке корпусов интегральных схем. .

Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике и может быть использовано при создании новых приборов силовой полупроводниковой электроники. .

Изобретение относится к термореактивным композициям смол, предназначенным для использования в качестве термореактивных композиций герметиков, быстро заполняющих пустоты в полупроводниковом устройстве, таком, как блок перевернутых чипов, который включает полупроводниковый чип, укрепленный на подложке носителя, обеспечивающий надежное соединение полупроводника с монтажной платой при кратком термическом отверждении.

Изобретение относится к радиоэлектронной и цифровой электронно-вычислительной технике, в частности к микроэлектронному конструированию, и может быть использовано при проектировании многокристальных модулей на основе полупроводниковых подложек.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при разработке керамических корпусов интегральных схем с устройствами для съема тепла
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и предназначено для производства корпусов мощных биполярных и полевых ВЧ- и СВЧ-транзисторов

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для производства корпусов биполярных и полевых мощных многокристальных ВЧ- и СВЧ-транзисторов

Изобретение относится к области светотехники, в частности к светодиодным лампам с круговым обзорным освещением

Изобретение относится к силовому полупроводниковому модулю

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления корпуса мощного полупроводникового прибора СВЧ включает изготовление высокотеплопроводного основания и рамки из металла или сплава металлов, изготовление выводов, совмещение рамки с выводами и высокотеплопроводного основания, герметичное соединение их высокотемпературной пайкой, последующее расположение в корпусе, по меньшей мере, одного кристалла активного элемента и, по меньшей мере, одной согласующей интегральной схемы, по меньшей мере, одного полупроводникового прибора и соединение их низкотемпературной пайкой. Высокотеплопроводное основание изготавливают, по меньшей мере, с одним выступом на его лицевой стороне, дополнительно изготавливают компенсаторный элемент из металла или сплава металлов с заданным температурным коэффициентом линейного расширения. При совмещении рамки с выводами и высокотеплопроводного основания высокотемпературный припой располагают только между высокотеплопроводным основанием и рамкой с выводами, а упомянутое герметичное соединение осуществляют одновременно с соединением компенсаторного элемента с высокотеплопроводным основанием при температуре 650-1100°C. Технический результат - улучшение отвода тепла и снижение потерь СВЧ в корпусе и соответственно повышение выходной мощности полупроводникового прибора СВЧ, повышение надежности, выхода годных и технологичности. 7 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.

Изобретение относится к радиоэлектронной технике, а именно к корпусам электрических приборов, в частности к герметичным корпусам, и может использоваться в конструкциях, к которым предъявляются высокие требования по герметичности и теплоотводу. С целью повышения надежности и времени сохранения герметичности в корпусе, содержащем основание с внешними выводами, крышки, присоединенные к основанию пайкой по контуру, внешняя поверхность, по крайней мере, одной из крышек, вне зоны пайки содержит систему неровностей правильной формы, выполненных в виде пуклевок, а внутренняя поверхность крышки с пуклевками вне зоны пайки содержит слой геттера. 2 ил.

Изобретение относится к системам термоэлектрического охлаждения. Система имеет горячую сторону с первой температурой и холодную сторону для размещения тепловой нагрузки. Горячая сторона окружена областью с температурой окружающего воздуха. Система содержит контактирующий с ней механизм постоянного поддержания первой температуры горячей стороны ниже температуры окружающего воздуха с целью повышения охлаждающей способности системы термоэлектрического охлаждения. Использование изобретения позволяет понизить температуру горячей стороны элемента термоэлектрического охлаждения, что приводит в итоге к повышению охлаждающей способности. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 5 ил.

Использование: для полупроводниковых приборов СВЧ. Сущность изобретения заключается в том, что корпус для полупроводникового прибора СВЧ содержит высокотепло- и электропроводное основание, рамку по периметру одной из поверхностей высокотепло- и электропроводного основания со сквозными отверстиями для металлокерамических вводов/выводов, по меньшей мере одну металлическую контактную площадку на упомянутой поверхности высокотепло- и электропроводного основания для расположения и последующего соединения с ним по меньшей мере одного кристалла полупроводникового прибора, по меньшей мере два металлокерамических ввода/вывода, одни контактные площадки которых выходят внутрь, а другие - через сквозные отверстия в рамке наружу корпуса, при этом высокотепло- и электропроводное основание, рамка, металлокерамические вводы/выводы соединены пайкой, высокотепло- и электропроводное основание выполнено из композиционного материала, при этом по меньшей мере из двух компонентов - высокотеплопроводного керамического и электропроводного при их соотношении, мас.%, (90-70):(10-30) соответственно, термические коэффициенты линейного расширения которых обеспечивают согласование с термическим коэффициентом линейного расширения кристалла полупроводникового прибора. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения массогабаритных характеристик, повышения технологичности и снижения трудоемкости изготовления при сохранении надежности, долговечности, выходной мощности полупроводникового прибора СВЧ. 3 з.п. ф-лы, 1 табл.,1 ил.
Наверх