Способ получения цинксульфидного электролюминофора

Изобретение относится к химической технологии. Шихту, содержащую сульфид цинка, серу, галогениды аммония и добавку активатора в виде меди или меди с алюминием, прокаливают при температуре 600-1100°С в течение 10-60 минут. Затем целевой продукт размалывают и просеивают. Полученный порошок подвергают дополнительной электронно-лучевой обработке, воздействуя на него пучком электронов, ускоренных до энергии 900 кэВ, при поглощенной дозе 25÷75 кГр. Изобретение позволяет повысить яркость электролюминесценции порошка цинксульфидного электролюминофора на 40% при отсутствии роста его частиц и/или улучшения его кристалличности. 2 табл.

 

Изобретение относится к химической технологии, в частности к способу получения электролюминофоров на основе сульфида цинка.

Наиболее близким по технической сущности является способ получения цинксульфидных электролюминофоров (а.с. 258500, 26.01.1972, БИ №5), который заключается в том, что шихта известного состава прокаливается при температурах 600-1100°С в течение 10-60 мин в присутствии минерализующих добавок. При этом происходит легирование сульфида цинка медью с образованием твердого раствора меди в сульфиде цинка. После прокаливания происходит остывание, в процессе которого происходит частичный распад твердого раствора и образование гетеропереходов ZnS-Cu2S, являющихся источниками электронов при возбуждении люминесценции переменным электрическим полем. Кроме того, происходит выделение фазы Cu2S на поверхности, которая далее удаляется отмывкой. Готовый продукт высушивается и просеивается.

Недостатком известного способа, принятого за прототип предлагаемого, является то, что процесс распада твердого раствора при охлаждении протекает не полностью, и тем самым снижается яркость электролюминесценции.

Задачей предлагаемого технического решения является повышение яркости электролюминесценции цинксульфидных электролюминофоров.

Поставленная задача достигается тем, что в способе получения цинксульфидного электролюминофора, включающем прокаливание шихты, содержащей сульфид цинка, серу, галогениды аммония и добавку активатора в виде меди или меди совместно с алюминием, при температуре 600-1100°С в течение 10-60 минут с последующим размалыванием и просеиванием целевого продукта, дополнительно проводят электронно-лучевую обработку полученного в виде порошка продукта, воздействуя на него пучком электронов, ускоренных до энергии 900 кэВ, при поглощенной дозе 25÷75 кГр.

Заявляемый способ позволяет повысить яркость электролюминесценции на 40% по сравнению с известным способом-прототипом.

В предлагаемом способе электронно-лучевую обработку образцов электролюминофоров проводят с использованием ускорителя электронов, например ускорителя резонансно-трансформаторного типа РТЭ-1В (производства НИИЭФА им. Д.В.Ефремова, Санкт-Петербург), при энергии электронов 900 кэВ, токе 1 мА и значениях поглощенной дозы в диапазоне от 25 до 75 кГр.

Для проведения электронно-лучевой обработки образцы порошковых электролюминофоров помещают в стандартные полиэтиленовые пакеты, которые плотно закрывают и располагают на рабочем столе ускорителя. С целью обеспечения однородности толщина слоя обрабатываемого материала составляет несколько сотен микрон, что на порядок меньше глубины проникновения ускоренных электронов с энергией 900 кэВ. Для обеспечения требуемой поглощенной дозы в процессе обработки рабочий стол с расположенными на нем образцами приводили в движение с совершением возвратно-поступательных движений под выходным окном ускорителя.

В литературе известно использование гамма-излучения для повышения яркости готовых электролюминесцентных конденсаторов (патент РФ 1825277, 11.27.1996), но в этом случае облучали готовое изделие, а не электролюминофор, и повышение яркости происходило за счет изменения электрических характеристик конденсатора. В заявляемом способе яркость возрастает при облучении исходного электролюминофора за счет более полного распада твердого раствора и изменения спектра свечения (сдвиг спектра в область больших длин волн).

По результатам измерения размеров частиц и данным рентгенофазового анализа в предлагаемом нами способе получения цинксульфидного люминофора никакого роста частиц и/или улучшения кристалличности не происходит, а рост яркости осуществляется за счет распада пересыщенного твердого раствора меди в ZnS, что приводит к формированию гетеропереходов ZnS-Cu2S, необходимых для электролюминесценции, а также к формированию центров «зеленого» излучения с максимумом при 510-515 нм. Указанный эффект возможен только в системах с высокой концентрацией меди в электролюминофоре значительно выше предела растворимости, что характерно только для электролюминофоров системы ZnS:Cu. Во всех других случаях, когда нет пересыщенного твердого раствора, наш способ не приводит к повышению яркости, а только вызывает ее снижение за счет возникновения радиационных дефектов, что и наблюдалось нами для других систем.

Предлагаемое техническое решение является новым, обладает изобретательским уровнем и промышленно применимо.

Примеры осуществления способа

Пример 1. Электролюминофор состава ZnS:Cu,Al,Br синтезировали по известному способу-прототипу с содержанием меди 0,3 мас.%, алюминия 0,05 мас.% и бромида аммония 0,5 мас.%. Полученный люминофор подвергали электронно-лучевой обработке при энергии электронов 900 кэВ, токе 1 мА и поглощенных дозах 25, 50 и 75 кГр в соответствии с заявляемым способом. В таблице 1 представлены результаты воздействия обработки на яркость электролюминесценции в зависимости от поглощенной дозы.

Полученные результаты показывают, что яркость электролюминесценции образца ZnS:Cu,Al,Br достигает максимума при поглощенной дозе 50 кГр, превосходя яркость образца, полученного по способу-прототипу, на 40% при напряжении возбуждения 220 В.

Пример 2. Электролюминофоры ZnS:Cu,Cl синтезировали с по известному способу-прототипу содержанием меди 0,0375, 0,075, 0,150 и 0,30 мас.% и хлорида аммония 0,5 мас.%. Электронно-лучевую обработку проводили при энергии электронов 900 кэВ, токе 1 мА и поглощенной дозе 50 кГр. Яркости образцов при напряжении 220 В и частоте 400 Гц приведены в таблице 2.

Полученные результаты свидетельствуют о существенном повышении яркости электролюминесценции по сравнению с прототипом, составляющем до 15%, при содержании меди в электролюминофоре 0,075-0,15 мас.%.

Таким образом, заявляемый способ получения цинксульфидных электролюминофоров позволяет повысить яркость электролюминесценции на 40% по сравнению с известным способом.

Таблица 2
Яркость электролюминесценции (при 220 В, 400 Гц) люминофоров состава ZnS:Cu,Cl
Содержание Сu, мас.%
0,0375 0,075 0,150 0,30
Яркость прототипа, отн. ед. 4,6 6,0 7,3 7,1
Яркость образца, полученного по предлагаемому способу, отн. ед. 5,2 6,9 8,4 7,7

Способ получения цинксульфидного электролюминофора, включающий прокаливание шихты, содержащей сульфид цинка, серу, галогениды аммония и добавку активатора в виде меди или меди совместно с алюминием, при температуре 600-1100°С в течение 10-60 мин с последующим размалыванием и просеиванием целевого продукта, отличающийся тем, что дополнительно вводят электронно-лучевую обработку полученного в виде порошка продукта, воздействуя на него пучком электронов, ускоренных до энергии 900 кэВ, при поглощенной дозе 25-75 кГр.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способу получения люминесцентных наночастнц сульфида кадмия, используемых при производстве дисплеев, в электрофотографии и других отраслях промышленности.

Изобретение относится к области создания люминесцентных наноструктурных композиционных керамических материалов на основе диоксида кремния и ортосиликата цинка (виллемита) и может быть использовано при разработке светоизлучающих и светосигнальных устройств, например плазменных дисплейных панелей, световых матричных индикаторов, светофоров и т.п., излучающих определенный цветовой тон видимого спектра.

Изобретение относится к оптоэлектронике ядерно-физических исследований, а точнее изготовления мощных твердотельных лазеров, работающих в УФ-области спектра. .
Изобретение относится к неорганической химии, к способам получения сульфидных электролюминофоров, в частности электролюминофоров типа А2В6. .

Изобретение относится к опто- и акустоэлектронике и может быть применено при изготовлении люминесценции индикаторов фото-, катодо- и -возбуждения, спектрометров и элементов различной аппаратуры.

Изобретение относится к области электронной техники, а именно к нелинейному катодолюминофору с белым цветом свечения, используемому в индикаторных ЭЛП с токовым управлением цветом свечения.
Изобретение относится к химической технологии получения электролюминофоров на основе сульфида цинка
Изобретение относится к химической технологии, в частности к способу получения электролюминофоров на основе сульфида цинка

Изобретение относится к светопреобразующему укрывному материалу для теплиц и к композиции для получения такого материала и может применяться в сельском хозяйстве и растениеводстве для выращивания растений в защищенном грунте

Изобретение относится к электронной технике. Цинкооксидный люминофор осаждают из безводной инертной среды на подложку, помещают внутрь вакуумной камеры в зону косвенного подогрева. Затем из камеры откачивают воздух с одновременным подогревом подложки до температуры 215 °C, подают поток водорода при давлении 0,10-0,15 Topp и одновременно создают безэлектродный высокочастотный разряд. Изобретение позволяет увеличить светоотдачу люминофора в 1,62 раза. 2 ил.

Изобретение может быть использовано при изготовлении люминесцентных материалов для лазеров, светодиодов, солнечных батарей и биометок. В реактор загружают 2,5-5% раствор желатина в дистиллированной воде при температуре 20-30°C, нагревают его до 40-90°C и заливают 96%-этанол в количестве 2,5% от объема раствора желатина. Отдельно готовят 0,6-5% раствор сульфида натрия и 0,8-7% раствор бромида кадмия в дистиллированной воде с температурой от 7-13°C. Затем производят двуструйное сливание приготовленных растворов сульфида натрия и бромида кадмия в реактор при постоянном перемешивании со скоростью 100-600 об/мин. Объёмное соотношение растворов - сульфида натрия:бромида кадмия:желатина 1:1:4. Полученную смесь перемешивают 1-300 мин, охлаждают до 4-10°C и выдерживают при данной температуре в течение суток. Образовавшийся студень измельчают до размера гранул 5-10 мм, промывают погружением на 30 мин в дистиллированную воду при температуре 7-13°C. Лишнюю воду сцеживают, гранулы нагревают до температуры свыше 40°C. Получают полупроводниковые коллоидные квантовые точки сульфида кадмия со средними размерами 1,5-4,2 нм и разбросом по размеру не более ±30% в полимерной матрице, обладающие люминесценцией в области 470-650 нм. 7 ил., 3 пр.

Изобретение может быть использовано в химии, биологии и медицине в целях визуализации и диагностики. Неорганические коллоидные полупроводниковые нанокристаллы переносят из органической в водную фазу, не смешивающуюся с органической фазой, с помощью катализатора межфазного переноса. В качестве катализатора межфазного переноса используют энантиомеры хиральных молекул. Процесс межфазного переноса осуществляют при температуре в промежутке 0-4°С. Из органической в водную фазу переносят полупроводниковые нанокристаллы, которые имеют тот же тип хиральности, что и используемый энантиомер катализатора межфазного переноса. Изобретение позволяет разделять энантиомеры неорганических коллоидных полупроводниковых нанокристаллов путем энантиоселективного межфазного переноса. 14 ил., 6 пр.

Изобретение относится к кварцевым стеклам, имплантированным ионами цинка, и может быть использовано при создании компонентов микро-(нано-) и оптоэлектронных устройств, в частности микроминиатюрных источников света для планарных тонкопленочных волноводных систем и оптических интегральных схем. Кварцевое стекло представляет собой основу из диоксида кремния с модифицированным поверхностным слоем, включающим монофазные включения в виде кристаллических нанокластеров Zn2SiO4, которые имеют диаметры 4÷10 нм и распределены в поверхностном слое стекла на глубинах 10÷50 нм. Стекло получено имплантацией в импульсном режиме при длительности импульсов 0,3-0,4 мс, частоте повторения импульсов 12,5-20 Гц, импульсной плотности тока 0,8-0,9 мА/см2, дозе облучения (4,5-5)·1016 ион/см2, энергии ионов 30-35 кэВ и температуре диоксида кремния 60-350°C. Полученное стекло характеризуется повышенной удельной интенсивностью в зеленой области спектра (500-600 нм). 2 ил., 1 табл., 3 пр.

Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано в радиолокационных трубках, сигнальных устройствах, предназначенных для электронной, лакокрасочной и полиграфической промышленности при создании рекламных устройств, а также в средствах для отображения информации. По первому варианту шихта включает следующие компоненты, мас. %: сульфид цинка - 92,495, хлорид цинка - 0,5, хлорид аммония - 1,5, хлорид бария - 5, хлорид меди - 0,005, тиомочевина - 0,5 и дополнительно пероксид цинка в количестве 0,1-2,5% к суммарной массе этих компонентов. По второму варианту шихта содержит следующие компоненты, мас. %: сульфид цинка - 88,9, хлорид цинка - 0,63, хлорид аммония - 2,34, хлорид бария - 6,6, хлорид меди - 0,014, ацетат свинца - 0,626, тиомочевина - 0,89 и дополнительно пероксид цинка в количестве 0,1-0,8% к суммарной массе этих компонентов. Изобретения обеспечивают повышение выхода люминофора на основе сульфида цинка с длительным послесвечением, увеличенную яркость люминесценции как начальной, так и послесвечения, а также гидролитическую стойкость. Кроме того, люминофоры, полученные из шихты по второму варианту, характеризуются увеличенной яркостью вспышки. 2 н.п. ф-лы, 2 табл., 8 пр.

Изобретение относится к оптическим средам на основе кристаллических галогенидов и может быть использовано в системах оптической связи в качестве широкополосных усилителей и лазеров. Оптическая среда содержит ионы низковалентного висмута в качестве единственного оптически активного центра, способна к широкополосной люминесценции в ближнем ИК диапазоне, представляет собой кристаллическую фазу бромида цезия-кадмия CsCdBr3, содержащую изоморфную примесь ионов одновалентного висмута Bi+ в количестве от 0.1 ат.% до 3 ат.%, и люминесцирует в диапазоне 900-1200 нм при возбуждении излучением с длинами волн в пределах 570-700 нм. Предложено два варианта способа получения оптической среды. Первый вариант включает приготовление шихты путем смешения CsBr, CdBr2 и BiBr3 или CsCdBr3, CdBr2 и BiBr3, добавление к шихте металлического висмута, нагревание полученной смеси, помещенной в кварцевый контейнер, в вакууме до температуры 450-500°С до полного расплавления, медленное охлаждение расплава до спонтанной кристаллизации и отделение из полученной поликристаллической структуры монокристаллов. Второй вариант включает приготовление шихты путем смешения CsBr, CdBr2 и BiBr3 или CsCdBr3, CdBr2 и BiBr3, добавление к шихте металлического висмута, помещение смеси в кварцевом контейнере в вертикальную печь Бриджмена-Стокбаргера до образования монокристаллического образца оптической среды. Предложенная оптическая среда негигроскопична, обладает стабильной люминесценцией в ближнем ИК диапазоне, а именно, в диапазоне 900-1200 нм при возбуждении излучением с длинами волн в интервале 570-700 нм. Способ получения бромида CsCdBr3 достаточно прост технологически и позволяет выращивать качественные кристаллы необходимых размеров. 3 з.п. ф-лы, 2 ил., 4 пр.

Изобретение относится к новым соединениям металлохелатовбидентатных азометиновых лигандов 2-N-тозиламинобензальдегида и 2-гидроксибензальдегида и аралкиламинов, а именно к бис-[2-(N-тозиламинобензилиден)-3′,4′-диметоксифенилэтилиминату]цинка(II) и бис-[2-(гидроксибензилиден)-3′,4-диметоксифенилэтилиминату]цинка(II) формулы I: где Х=NTs (а), Х=O (б), Ts=-SO2-C6H4-CH3-п. Новые комплексные соединения цинка - бис-[2-(N-тозиламинобензилиден)-3′,4′-диметоксифенилэтилиминат]цинка(II) и бис-[2-(гидроксибензилиден)-3′,4′-диметоксифенилэтилиминат]цинка(II), проявляют фотолюминесцентные свойства в фиолетовой и синей областях спектра λфл=427 нм и λфл=442 нм с квантовыми выходами флуоресценции 0.33 и 0.36 соответственно и обладают термической стабильностью. Соединения могут быть использованы при создании светоизлучающих органических диодов (OLED) белого и видимого света в качестве электролюминесцентных слоев. 1 ил., 5 пр.
Наверх