Способ получения монокристаллов

Авторы патента:

C30B9/12 - солевые растворители, например выращивание из флюсов

C30B29/28 - с формулой A₃Me₅O₁₂, где A - редкоземельный металл, а Me - Fe, Ga, Sc, Cr, Co или Al, например гранаты

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскик

Социалистическик

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 15.1.1968 (№ 1210945/23-26) с присоединением заявки №

Приоритет

Комитет по делам иаобретеиий и открытий при Совете Мииистров

СССР

Опубликовано 01.IV.1969. Бюллетень ¹ 13

Дата опубликования описания 25Л П1.1969

Авторы изобретения

Н. Д, Урсуляк, Н. И. Уткин и А. Г. Миха,пьченков

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

КАЛЬЦИЙ-ВАНАДИЙ-ВИСМУТОВОГО ФЕРРОГРАНАТА, ЛЕГИРОВАННЫХ ДОБАВКАМИ, НАПРИМЕР АЛЮМИНИЯ

В процессе охлаждения происходит рост кристаллов калыцьй-ванадий-висмутового феррограната, легированного алюминием.

В результате получают монокристаллы состава Bi 0,33 Саз,бг 1- ез,а V>,ç А10,зз Оьз с намагниченностью насыщения около 700 гс вместо

560 гс для состава 810,38 Са2,62 1. ез,69 Ъ l,з Онь

Это позволяет расширить границу применения кальцийванадиевых феррогранатов в более коротковолновую область примерно на 8вЂ”

10 см.

Предмет изобретения

Способ получення монокрнсталлов кальций-ванадий-внсмутового феррограната, легированных добавками, например алюминия, путем кристаллизации нз раствора в расплаве, 2о оТ.гггчтошийсл тем, что, с целью упрощения процесса и улучшения свойств конечного продукта, процесс ведут в тигле нз окиси легирующего элемента.

Настоящее изобретение относится к области радиоэлектроники.

Известен способ получения монокрпсталлов кальций - ванадий - висмутового феррограната В1з з., Саз, Fe6,, V,. 0», легированных различными добавками, например алюминия, путем кристаллизации из раствора в расплаве в платиновом тигле.

Основными недостатками известного способа являются сложность процесса, обусловленная трудностями дозированного введения легирующей добавки и недостаточно высокое качество конечного продукта, Для упрощения процесса и улучшения свойств конечного продукта предложено процесс вести в тигле из окиси легирующего элемента.

Пример. Исходную шихту загружают в тигель из окиси алюминия. Тигель высотой

120 мм и диаметром 55 мм (емкость 300 см6) нагревают в печи до 1250 С, выдерживают при этой температуре в течение 10 час, затем охлаждают со скоростью 1,5" С/час до 1000 С.

Кл. 12m, 11/00

12п, 31/00

12п, 29, 00

12п, 49 00

12д, 17/06

МПК С Olf с n)g

С olg

C 01

В 01

УДК 546,41 881 87 72..07:548.55 (088.8)

Способ выращивания монокристаллов фосфидабора // 185087

Способ выращивания монокристаллов i -:-г.-у;луч':;,'• . .?!, •'•,. ..j i .1|,/л // 173421

Способ получения монокристаллов фосфида бора // 167820

Способ получения л10нокристаллов тугоплавких окислов // 164016

Способ получения сплава для кристаллических детекторов // 13378

Способ получения сплава для кристаллических детекторов // 13194

Порошок комплексного оксида металла, порошок иттрий- алюминиевого граната (варианты) и способ получения порошка комплексного оксида металла // 2137715

Изобретение относится к порошку комплексного оксида металла, содержащему по крайней мере два металлических элемента, который используют в качестве исходного порошка оксидной керамики, которую используют в качестве функционального материала для конструктивного материала, который используют в диспергированном состоянии в качестве наполнителя или пигмента, или который используют в качестве исходного порошка для получения монокристалла или покрытия, нанесенного методом пламенного распыления, и к способу его получения

Способ получения мелкокристаллического нелегированного и легированного иттрий-алюминиевого граната // 2137867

Изобретение относится к синтезу неорганических металлов и используется для получения шихты для выращивания монокристаллов ИАГ, применяемых в качестве активных сред в твердотельных лазерах, а такие при изготовлении высокотемпературной керамики

Способ выращивания монокристаллов тугоплавких оксидов // 2320789

Изобретение относится к технологии высокотемпературной кристаллизации из расплава и может быть применено для получения особо крупных монокристаллов тугоплавких оксидов

Способ выращивания кристаллов галлий-скандий-гадолиниевых гранатов для пассивных лазерных затворов // 2321689

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов для пассивных лазерных затворов, используемых в современных лазерах, работающих в ИК-области спектра

Серийный способ выращивания кристаллов галлий-скандий-гадолиниевых гранатов для пассивных лазерных затворов // 2324018

Способ выращивания оптически прозрачных монокристаллов тербий-галлиевого граната // 2328560

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано в электронной, химической промышленности, в ювелирном деле

Способ получения оптически прозрачных монокристаллов тербий-галлиевого граната // 2328561

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов гранатов и может быть использовано в лазерной технике, магнитной микроэлектронике (полупроводники, сегнетоэлектрики) и для ювелирных целей

Pr-содержащий сцинтилляционный монокристалл, способ его получения, детектор излучения и устройство обследования // 2389835

Изобретение относится к оксидным сцинтилляционным монокристаллам, предназначенным для приборов рентгеновской компьютерной томографии (РКТ) и обследования просвечиванием излучением

Лазерный материал // 2391754

Изобретение относится к материалам для твердотельных лазеров, а именно к материалам для лазеров с ламповой накачкой

Лазерный материал // 2395883

Изобретение относится к материалам для твердотельных лазеров, преимущественно, к материалам для перестраиваемых лазеров и лазеров со сверхкороткой длительностью импульса

Нелинейно-оптический кристалл стронций бериллатоборат, способ выращивания нелинейно-оптических монокристаллов стронций бериллатобората и нелинейно-оптическое устройство // 2112089

Изобретение относится к нелинейно-оптическому кристаллу стронций бериллатоборату, способу выращивания нелинейно-оптических монокристаллов бериллатобората и нелинейно-оптическому устройству

Способ выращивания монокристаллов трибората лития // 2112820

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO)

Способ выращивания монокристалла двойного цезий-литий бората cslib6o10 // 2119976

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла двойного цезий-литий бората CsLiB6O10 из раствор-расплава на затравку путем снижения температуры расплава

Способ управления процессом кристаллизации и устройство для его осуществления // 2163943

Изобретение относится к выращиванию кристаллов