Патент ссср 241546

Авторы патента:

H01L43/10 - выбор материалов

ОПИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

24I546

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 09.111.1967 (№ 1138075/26-,25) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 07.Х.1969. Бюллетень ¹ 31

Дата опубликования описания З.III.1970

Кл 21g, 11/02

21О, 35

МПК Н 01!

Н 051

УДК 621.382:537.312.8 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

6С- L1 10344 и ,{1 пл1нпнО- )

Ti ХНИЧЕС1, ЛЯ ь 116. 1110ТС11

Авторы изобретения

P. М. Бабаев, В, И. Тихонов, М. Д. Хлыстовская и Л. Е. Дмитриева

Заявитель

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК Э.Д.С. ХОЛЛА

Известны датчики э.д.с. Холла, выполненные на основе германия, кремния, арсенида индия и арсенида галлия, у которых одна из характеристик датчика, чаще всего постоянная Холла Ra слабо зависит от температуры, температурная же зависимость коэффициента передачи по напряжению, равного отношению э.д. с., возникающей на контактах Холла, к приложенному напряжению сравнительно велика.

Вместе с тем .в большинстве различных случаев применения датчиков Холла требуется, чтобы именно этот параметр обладал минимальной температурной зависимостью.

Предложено изготовлять датчики Холла на основе полупроводникового твердого раствора In> х Gax AS, где Х=0,15 вЂ” 0,20. Датчики э. д. с. Холл а, изготовленные из этого м атериала, обладают большой вольтовой чувствительностью, малым температурным коэффициентом постоянной Холла, а сопротивление такого датчика практически не изменяется во всем рабочем диапазоне температур, вследствие чего коэффициент передачи по напряжению слабо зависит от температуры. Таким образом, все важнейшие параметры такого датчика Холла являются температурно-устойчивыми, и его можно использовать в точных

5 измерительных и электронных устройствах, работающих в широком диапазоне температур окружающей среды, причем не требуется принятия специальных мер для компенсации температурных изменений характеристик дат10 чика.

Технология изготовления этих датчиков достаточно проста. Омические контакты к полупроводниковой пластине изготовляются пайкой оловом или индием с помощью обыч15 ных флюсов.

Предмет изобретения

Полупроводниковый датчик э. д. с. Холла, отгичаюитийся тем, что, с целью повышения

20 температурной стабильности его основных характеристик, например коэффициента передачи по напряжению, он изготовлен на основе твердого раствора In> х Gax AS, где X=0,15вЂ”

0,20.

Похожие патенты:

Датчик магнитного поля // 2238571

Многослойная тонкопленочная магниторезистивная наноструктура // 2334306

Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, запоминающих и логических элементах, гальванических развязках на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным (МР) эффектом

Полупроводниковое устройство // 432856

Способ получения самарийсодержащего спин-стекольного магнитного материала // 2470897

Изобретение относится к разработке новых материалов с магнитным состоянием спинового стекла - системы с вырожденным основным магнитным состоянием, которые могут быть полезны для химической, атомной промышленностей и развития магнитных информационных технологий

Спин-стекольный магнитный материал с содержанием иттербия // 2647544

Изобретение относится к области разработки новых керамических редкоземельных оксидных материалов с магнитным состоянием спинового стекла и может найти применение в химической промышленности и электронной технике, в частности, для разработки моделей новых типов устройств магнитной памяти. Спин-стекольный магнитный материал YbFeTi2O7 включает железо, титан, кислород и иттербий при следующем соотношении компонентов, ат.%: иттербий - 9,09; железо - 9,09; титан - 18,18; кислород - 63,64. Способ получения иттербийсодержащего спин-стекольного материала включает приготовление шихты из оксидов Fe2O3, Yb2O3 и TiO2, формование таблеток и их спекание в четыре этапа с максимальной температурой отжига 1250°С. Техническим результатом изобретения является получение нового магнитного материала с состоянием спинового стекла и содержащего редкоземельный элемент с низкими значениями сечения захвата тепловых нейтронов и удельного электросопротивления. 3 табл., 2 ил.