Буферный усилитель

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве выходного устройства для усиления быстроизменяющихся аналоговых сигналов по мощности, в структуре входных каскадов аналоговых микросхем различного функционального назначения. Буферный усилитель содержит первый (1) и второй (2) входные транзисторы (Т), базы которых подключены ко входу (3) устройства, эмиттер первого Т(1) соединен с базой первого выходного Т(4) и коллектором Т(5) первого управляемого источника тока (УИТ), эмиттер второго входного Т(2) подключен к базе второго выходного Т(6) и коллектору Т(7) второго УИТ, причем эмиттеры Т(4) и Т(6) связаны с выходом (8) устройства. В схему введены первый Т(9) и второй Т(10), базы которых подключены к выходу (8) устройства, коллектор Т(9) соединен с базой Т(5) первого УИТ, эмиттер Т(9) связан с коллектором Т(1) и первым (11) дополнительным токостабилизирующим двухполюсником, коллектор Т (10) подключен к базе Т(7) второго УИТ, а эмиттер Т(10) связан с коллектором Т(2) и вторым (12) дополнительным токостабилизирующим двухполюсником. 8 ил.

 

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве выходного устройства для усиления быстроизменяющихся аналоговых сигналов по мощности (буферного усилителя), в структуре входных каскадов аналоговых микросхем различного функционального назначения, например операционных усилителях.

Одним из классических вариантов построения буферных усилителей являются схемы так называемых «бриллиантовых» транзисторов, которые стали основой современных аналоговых микросхем [1-22]. Предлагаемое изобретение относится к данному классу устройств.

Ближайшим прототипом заявляемого устройства является буферный усилитель, представленный в патенте США №5.557.238 fig 6. Эта архитектура присутствует в большем числе других патентов [1-22].

Существенный недостаток известного буферного усилителя (БУ) (фиг.1) состоит в том, что он не обеспечивает широкий диапазон линейного усиления входных сигналов при низкоомной нагрузке (например R_н=50 Ом) и малом собственном токопотреблении в статическом режиме.

Основная цель предлагаемого изобретения состоит в повышении максимально возможного тока в низкоомной нагрузке 1_н.max при малых значениях токов, потребляемых от источников питания в статическом режиме. В конечном итоге это расширяет диапазон линейной работы устройства.

Дополнительная цель - повышение входного сопротивления (R_вx) устройства при малых сопротивлениях нагрузки (R_н=50 Ом), а также предельных значений R_вx при R_н=∞.

Поставленная цель достигается тем, что в буферном усилителе, содержащем первый 1 и второй 2 входные транзисторы, базы которых подключены ко входу 3 устройства, эмиттер первого 1 входного транзистора соединен с базой первого 4 выходного транзистора и коллектором транзистора 5 первого управляемого источника тока, эмиттер второго 2 входного транзистора подключен к базе второго 6 выходного транзистора и коллектору транзистора 7 второго управляемого источника тока, причем эмиттеры первого 4 и второго 6 выходных транзисторов связаны с выходом 8 устройства, предусмотрены новые элементы и связи - в схему введены первый 9 и второй 10 дополнительные транзисторы, базы которых подключены к выходу 8 устройства, коллектор первого 9 дополнительного транзистора соединен с базой транзистора 5 первого управляемого источника тока, эмиттер первого дополнительного транзистора 9 связан с коллектором первого 1 входного транзистора и первым 11 дополнительным токостабилизирующим двухполюсником, коллектор второго 10 дополнительного транзистора подключен к базе транзистора 7 второго управляемого источника тока, а эмиттер второго 10 дополнительного транзистора связан с коллектором второго 2 входного транзистора и вторым 12 дополнительным токостабилизирующим двухполюсником.

На фиг.2 приведена схема заявляемого устройства в соответствии с формулой изобретения. На фиг.3 и фиг.4 показаны схемы БУ прототипа (фиг.3) и заявляемого устройства (фиг.4) в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП HПП "Пульсар".

Проходные характеристики сравниваемых БУ фиг.3 и фиг.4 при сопротивлении нагрузки R_н=50 Ом и одинаковом (достаточно малом собственном токопотреблении в статическом режиме I_пот=0,6 мА) показаны на фиг.5.

На фиг.6 и фиг.7 представлены соответственно схемы известного и заявляемого устройства в среде PaSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП HПП «Пульсар» для измерения их входных дифференциальных сопротивлений (R_вx).

На фиг.8 приведены графики частотной зависимости входных сопротивлений сравниваемых схем фиг.6 и фиг.7 при сопротивлении нагрузки R_н=50 Ом и изменении постоянной составляющей входного напряжения в пределах 0÷0,8 В.

Буферный усилитель фиг.2 содержит первый 1 и второй 2 входные транзисторы, базы которых подключены ко входу 3 устройства, эмиттер первого 1 входного транзистора соединен с базой первого 4 выходного транзистора и коллектором транзистора 5 первого управляемого источника тока, эмиттер второго 2 входного транзистора подключен к базе второго 6 выходного транзистора и коллектору транзистора 7 второго управляемого источника тока, причем эмиттеры первого 4 и второго 6 выходных транзисторов связаны с выходом 8 устройства. В схему введены первый 9 и второй 10 дополнительные транзисторы, базы которых подключены к выходу 8 устройства, коллектор первого 9 дополнительного транзистора соединен с базой транзистора 5 первого управляемого источника тока, эмиттер первого дополнительного транзистора 9 связан с коллектором первого 1 входного транзистора и первым 11 дополнительным токостабилизирующим двухполюсником, коллектор второго 10 дополнительного транзистора подключен к базе транзистора 7 второго управляемого источника тока, а эмиттер второго 10 дополнительного транзистора связан с коллектором второго 2 входного транзистора и вторым 12 дополнительным токостабилизирующим двухполюсником.

Рассмотрим работу буферных усилителей фиг.1 и фиг.2.

При максимально возможный ток в нагрузке БУ фиг.1 () и максимальное выходное напряжение зависят от статического тока эмиттера транзистора 1 (I_э1=I₅) и коэффициента усиления по току базы (β₄) транзистора 4:

При этом в режиме большого сигнала входная проводимость БУ фиг.1 имеет три составляющих:

где β_i - коэффициент усиления по току базы i-го транзистора;

у_к1, у_к2 - проводимость коллектор-база транзисторов 1 и 2.

В заявляемом БУ фиг.2 положительное приращение напряжения на входе 3 передастся практически с единичным коэффициентом на базу транзистора 4, что приводит к появлению тока базы и тока нагрузки :

или

Ток базы транзистора 4 складывается из двух составляющих

Следует заметить, что максимально возможное значение коллекторного тока транзистора 5 зависит от статического тока (I₁₁) двухполюсника 11

Поэтому максимально возможный ток базы и максимально возможные значения выходного напряжения которого проходная характеристика БУ линейна, определяются формулами

Сравнивая (9) и (2) можно сделать вывод о том, что предлагаемый БУ при идентичном токопотреблении в статическом режиме (I₁₁=I₁₂=I₅=I₇) имеет в β₅ раз более высокие уровни максимального тока в нагрузке и характеризуется в β₅ раз более широким диапазоном линейной работы при низкоомных нагрузках (R_н=20÷50 Ом). Данные выводы подтверждаются результатами компьютерного моделирования сравниваемых схем (фиг.5).

Замечательная особенность предлагаемого БУ состоит в том, что максимально возможная амплитуда его выходного напряжения при R_н=∞ отличается от напряжения питания не более чем на 1÷1,2 В. Это весьма существенное достоинство схемы при малых .

Кроме этого, заявляемый БУ имеет более высокие значения входного сопротивления R_вх=у^-1 _вх, т.к. его входная проводимость

где K_y1, К_у2 - коэффициенты передачи входного напряжения в коллекторные цепи транзисторов 1 и 2;

Таким образом, в схеме фиг.2 при низкоомной нагрузке R_н входное сопротивление в β₅-раз выше, чем в схеме фиг.1.

Если R_н=∞, то предельное значение R_вх в схеме фиг.2 на один-два порядка выше, чем в схеме фиг.1

,

где r_к1, r_к2 - сопротивления коллекторных переходов первого 1 и второго 2 входных транзисторов. Данные выводы подтверждены графиками фиг.8, из которых следует, что предлагаемая схема БУ имеет более чем в 30 раз лучшие значения входных сопротивлений.

Таким образом, заявляемое устройство характеризуется более высокими качественными показателями.

Литература

1. Патент США №6.268.769, fig.3.

2. Патент США №6.420.933.

3. Патент США №5.223.122.

4. Патентная заявка США №2004/0196101.

5. Патентная заявка США №2005/0264358, fig.1.

6. Патентная заявка США №2002/0175759.

7. Патент США №5.049.653, fig.8.

8. Патент США №4.837.523.

9. Патент США №5.179.355.

10. Патент Японии JP 10.163.763.

11. Патент Японии JP 10.270.954.

12. Патент США №5.170.134, fig.6.

13. Патент США №4.540.950.

14. Патент США №4.424.493.

15. Патент Японии JP 6310950.

16. Патент США №5.378.938.

17. Патент США №4.827.223.

18. Патент США №6.160.451.

19. Патент США №4.639.685.

20. А.св. СССР 1506512.

21. Патент США №5.399.991.

22. Патент США №6.542.032.

Буферный усилитель, содержащий первый (1) и второй (2) входные транзисторы, базы которых подключены ко входу (3) устройства, эмиттер первого (1) входного транзистора соединен с базой первого (4) выходного транзистора и коллектором транзистора (5) первого управляемого источника тока, эмиттер второго (2) входного транзистора подключен к базе второго (6) выходного транзистора и коллектору транзистора (7) второго управляемого источника тока, причем эмиттеры первого (4) и второго (6) выходных транзисторов связаны с выходом (8) устройства, отличающийся тем, что в схему введены первый (9) и второй (10) дополнительные транзисторы, базы которых подключены к выходу (8) устройства, коллектор первого (9) дополнительного транзистора соединен с базой транзистора (5) первого управляемого источника тока, эмиттер первого дополнительного транзистора (9) связан с коллектором первого (1) входного транзистора и первым (11) дополнительным токостабилизирующим двухполюсником, коллектор второго (10) дополнительного транзистора подключен к базе транзистора (7) второго управляемого источника тока, а эмиттер второго (10) дополнительного транзистора связан с коллектором второго (2) входного транзистора и вторым (12) дополнительным токостабилизирующим двухполюсником.