Способ изготовления мессбауэровского источника на основе кобальта-57

Изобретение относится к технологии изготовления источников на основе радионуклида 57Со для ядерной гамма-резонансной (мессбауэровской) спектроскопии. Способ включает нанесение родия или хрома на поверхность подложки из графита или окиси бериллия при помощи метода химического осаждения из газовой фазы летучих металлсодержащих соединений или сокращенно CVD-процесса (Chemical vapor deposition - химическое осаждение из газовой фазы) с последующим электролитическим осаждением радионуклида 57Со на поверхность подложки. Способ позволяет получать источники 57Со с шириной линии испускания не более 0,12 мм/с при поверхностной активности 57Со до 500 мКи/см2 в металлической матрице на подложках любой формы.

 

Изобретение относится к технологии изготовления источников на основе радионуклида 57Со для ядерной гамма-резонансной (мессбауэровской) спектроскопии.

Ранее описаны способы изготовления мессбауэровских источников на основе кобальта-57 [Nucl. Instr. And Methods, 1964, v. 26, N2, p.269-273, Stephan I.; Nucl. Instr. And Methods, 1967, v. 54, N2, p.105-109, Deji I., Molnar В.; RU 2084981, МПК G21G 4/06, от 25.01.1995], в которых 57Co электролитически осаждают на тонкие (6-12 мкм) фольги различных металлов, а затем при температурах 950-1400°С в течение 2-50 часов проводят диффузионное внедрение радионуклида в металлическую матрицу. Эти способы позволяют получать источники с малой шириной линии испускания (не более 0,13 мм/с) при поверхностной активности 57Co до 500 мКи/см2, однако имеют существенные недостатки:

а) длительный термический отжиг металлических фольг (полученных прокаткой) перед процессом электрохимического осаждения целевого радионуклида для устранения деформационных напряжений кристаллической решетки металла;

б) работа с фольгами достаточно сложна, учитывая, что подготовка к электроосаждению включает в себя изолирование обратной стороны фольги, часть 57Со при этом адсорбируется на изоляторе. Кроме того, тонкие пленки хрома чрезвычайно хрупкие, поэтому изготовление их и работа с ними связаны с большими трудностями.

Некоторые из описанных выше недостатков устраняются в патенте [RU 2254629, МПК G21G 4/06, опубликованный 20.07.1997, БИ №17, от 20.07.2005], в соответствии с которым слой металлической матрицы формируют на поверхности графита или окиси бериллия магнетронным напылением соответствующего металла.

Полученная таким образом металлизированная подложка удобна для дальнейших технологических операций: не требует специальных приспособлений для работы с тонкими фольгами, позволяет использовать щадящий режим термодиффузии радионуклида в матрицу.

Кроме того, метод позволяет получать источники на основе 57Со в матрицах родия или хрома с шириной линии испускания 0,11-0,12 мм/с при поверхностной активности 57Со до 500 мКи/см2.

Данный способ следует рассматривать в качестве прототипа изобретения.

Основной недостаток предложенного метода заключается в сильном внутреннем напряжении конденсированных пленок родия и в особенности хрома, что, в свою очередь, является причиной неконтролируемого механического разрушения покрытия. Иногда это проявляется в наблюдаемом отслаивании, вспучивании и растрескивании пленки. Если этот дефект проявляется в процессе изготовления источников, это приводит к потере дорогостоящего сырья - 57Со. В некоторых случаях этот недостаток выявляется в виде изменения формы линий спектра испускания при эксплуатации источника и уже не может быть устранен.

Кроме того, реализация данного способа требует специального дорогостоящего оборудования.

Поэтому на первое место при выборе метода металлизации выходит его способность реализации надежного сцепления пленочного покрытия с керамической или графитовой подложкой, которая исключила бы островковое отшелушивание и осыпание.

Наилучших результатов в этом направлении можно достигнуть, используя метод химического осаждения из газовой фазы металлсодержащего соединения или сокращенно CVD-процесса (Chemical vapor deposition - химическое осаждение из газовой фазы). Высокая проникающая способность газа в микрорельеф подложки и гетерогенный тип реакции обеспечивают максимальные адгезионные параметры покрытия. Полученные таким способом пленки, даже в случае их растрескивания, не отшелушиваются от подложки и, следовательно, не приводят к ухудшению спектральных характеристик.

Изготовление мессбауэровских источников на основе 57Со начинается с нанесения металлического слоя родия или хрома на поверхность графита или окиси бериллия в реакционном аппарате, в который подается газообразное металлсодержащее соединение. После подачи газообразного соединения происходит разложение последнего на разогретой подложке, вследствие чего на поверхности формируется слой металла. На сформированную таким образом матрицу электролитически наносится радионуклид 57Co с последующей его термодиффузией в вакууме.

Применение CVD-процесса для нанесения матрицы металлического хрома или родия позволяет снизить температуру процесса, а также контролировать толщину слоя металла на поверхности подложки путем регулирования скорости подачи рабочего вещества.

Основными достоинствами предложенного метода в сравнении с прототипом являются:

- прочное сцепление сформированных пленок родия и хрома с подложкой, исключающих деформацию и разрушение матрицы;

- возможность формирования металлической матрицы на поверхностях сложной геометрии;

- низкая стоимость технологического оборудования, использованного в CVD-процессе получения металлических пленок.

Изобретение позволяет получать источники 57Со в матрице родия или хрома с шириной линии испускания не более 0,12 мм/с при поверхностной активности 57Со до 500 мКи/см2 на подложках любой формы и размера.

Технический результат изобретения заключается в возможности изготовления высоконадежных мессбауэровских источников 57Со с пленочной матрицей родия или хрома, не изменяющих свои спектральные характеристики при нарушении ее целостности.

Пример 1.

Подложка из графита устанавливается на нагревательный элемент внутри реакционного аппарата. После достижения вакуума (≤10Па) и температуры нагревательного элемента 300°С в аппарат подается летучее (в данных условиях) металлсодержащее соединение H2Rh(PF3)4. Подача летучего соединения осуществляется с помощью вентиля тонкой регулировки. Так, для достижения толщины слоя родия 10 мкм продолжительность процесса составляет 10 мин.

Полученная подложка после окончания процесса формирования на ней родиевой матрицы помещается в электролитическую ячейку из органического стекла и через силиконовую прокладку уплотняется в ячейке.

В стаканчик объемом 3 мл отбирают необходимое количество солянокислого раствора 57Со, добавляют 1 мл раствора электролита (водный раствор цитрата и сульфата аммония), 2 капли гидразин гидрата и 4 капли 25% раствора аммиака. Раствор перемешивают и вносят пипеткой в электролитическую ячейку с анодом из платины.

Электролиз проводят при плотности тока 100 мА/см2. Через каждый час в ячейку добавляют раствор гидразин гидрата и раствор аммиака. Процесс осаждения длится 2,5 часа. После окончания процесса остатки электролита отбираются из ячейки. Подложку с осажденным на нее 57Со извлекают из ячейки, измеряют ее активность и помещают в кварцевую ампулу.

Кварцевая ампула вакуумируется до давления 10-3Па, а затем проводится термодиффузия 57Со при температуре 1000±10°С в течение 1,5 часов. После диффузионного отжига образец охлаждается с печью до комнатной температуры.

Подложку извлекают из кварцевой ампулы, измеряют ее активность и мессбауэровские характеристики.

Пример 2.

Подложка из окиси бериллия устанавливается на нагревательный элемент внутри реакционного аппарата. После достижения вакуума (≤10 Па) и температуры нагревательного элемента 300°С в аппарат подается летучее (в данных условиях) металлсодержащее соединение Сr(С8Н10)2 (бисэтилбензол-хром). Для улучшения условий формирования хромовой матрицы в исходное соединение вводится хлорсодержащее летучее соединение порядка 1-2 об.% основного металлсодержащего соединения. Подача летучего соединения осуществляется с помощью вентиля тонкой регулировки. Так, для достижения толщины слоя хрома 10 мкм продолжительность процесса составляет 12 мин.

Полученная подложка после окончания процесса формирования на ней родиевой матрицы помещается в электролитическую ячейку из органического стекла и через силиконовую прокладку уплотняется в ячейке.

В стаканчик объемом 3 мл отбирают необходимое количество солянокислого раствора 57Со, добавляют 1 мл раствора электролита (водный раствор цитрата и сульфата аммония), 2 капли гидразин гидрата и 4 капли 25% раствора аммиака. Раствор перемешивают и вносят пипеткой в электролитическую ячейку с анодом из платины.

Электролиз проводят при плотности тока 100 мА/см2. Через каждый час в ячейку добавляют раствор гидразин гидрата и раствор аммиака. Процесс осаждения длится 2,5 часа. После окончания процесса остатки электролита отбираются из ячейки. Подложку с осажденным на нее 57Со извлекают из ячейки, измеряют ее активность и помещают в кварцевую ампулу.

Кварцевая ампула вакуумируется до давления 10-3 Па, а затем проводится термодиффузия 57Со при температуре 1000±10°С в течение 1,5 часов. После диффузионного отжига образец охлаждается с печью до комнатной температуры.

Подложку извлекают из кварцевой ампулы, измеряют ее активность и мессбауэровские характеристики.

Способ изготовления мессбауэровского источника на основе 57Со, включающий электролитическое осаждение 57Со на металлическую матрицу из родия или хрома, сформированную на поверхности графита или окиси бериллия, и последующую термодиффузию 57Со в металл, отличающийся тем, что металлическую матрицу формируют на поверхности подложки методом химического осаждения из газовой фазы металлсодержащего соединения.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к области атомной техники. .

Изобретение относится к технологии изготовления закрытых радиоактивных излучателей, используемых в лабораторной и производственной ядерно-спектроскопической аппаратуре и, в частности, в устройствах радиоизотопной медицинской диагностики.
Изобретение относится к технологии изготовления мессбауэровских источников и может быть использовано в ядерной гамма-резонансной спектроскопии (ЯГРС). .

Изобретение относится к медицинской радиационной технике и может быть использовано для контроля системой неоднородности медицинских гамма-камер при работе с радиофармпрепаратами, например, на основе радионуклидов технеций 99 м и галлий 201.

Изобретение относится к технике генерирования рентгеновского направленного излучения и может быть использовано в рентгеновской и ядерной спектроскопии для селективного возбуждения атомных и ядерных уровней, структурного анализа вещества, калибровки спектрометрической аппаратуры и т.д.

Изобретение относится к ядерной физике и может быть использовано для приготовления высокоактивных источников альфа-излучения на основе полония-210. .

Изобретение относится к источникам гамма-излучения. Получение источника гамма-излучения включает в себя этапы, на которых обеспечивают неподходящий материал, являющийся комбинацией подходящих и неподходящих изотопов, затем преобразуют неподходящий материал в подходящий материал путем удаления неподходящих изотопов из неподходящего материала с оставлением только подходящих изотопов. Далее смешивают селен-74 с подходящим материалом, нагревают смесь, чтобы вызвать реакцию между компонентами, и подвергают последующему облучению продукт реакции для превращения по меньшей мере части селена-74 в селен-75. Получение источника гамма-излучения может также включать в себя этапы, на которых добавляют к смеси по меньшей мере один другой подходящий материал. Этот по меньшей мере один другой подходящий материал может быть добавлен в смесь перед нагреванием смеси. Неподходящие материалы могут быть выбраны из группы, состоящей из: цинка, титана, никеля, циркония, рутения, железа, серебра, индия, таллия, самария, иттербия, германия и иридия. Техническим результатом является возможность создания материалов, используемых для изготовления источника гамма-излучения, не приводящих к долговременному испусканию паразитного излучения. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 4 ил., 3 табл., 6 пр.
Наверх