Материал эмиссионного покрытия катодов электронно-ионных приборов

Авторы патента:

Зорина Татьяна Максимовна (RU)

Корочков Юрий Алексеевич (RU)

Нищев Константин Николаевич (RU)

Беглов Владимир Иванович (RU)

Сафроненков Сергей Анатольевич (RU)

H01J1/144 - Электрические газоразрядные и вакуумные электронные приборы и газоразрядные осветительные лампы (искровые разрядники H01T; дуговые лампы с расходуемыми электродами H05B; ускорители элементарных частиц H05H)

Владельцы патента RU 2462781:

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева" (RU)

Изобретение относится к электротехнической промышленности и может быть использовано в производстве газоразрядных источников света высокого давления. Материал эмиссионного покрытия катодов содержит оксид кальция и оксид иттрия, или оксид иттербия, или оксид скандия при следующем соотношении компонентов (мол.%): оксид кальция - 50-51, оксид иттрия, или оксид иттербия, или оксид скандия - 50-49. Технический результат- повышение стойкости к термическому испарению с рабочей температурой катода ~1700-1950 К. 2 табл., 2 ил.

Изобретение относится к электротехнической промышленности и может быть использовано в производстве газоразрядных источников света высокого давления.

В настоящее время в производстве газоразрядных источников света высокого давления с рабочей температурой катода ~1700-1950 К (например, ламп ДРЛ) в качестве катодного покрытия применяется оксид иттрия (Y₂O₃), обладающий высокой стойкостью к термическому испарению (Фоменко B.C. Эмиссионные свойства материалов. Справочник. Киев, Наукова думка. 1981, с.163, 174).

Недостатком известного решения являются низкие эмиссионные свойства катодного покрытия: при 1900 К эффективная работа выхода электрона из Y₂O₃ составляет φ_эф ~3,5 эВ.

Технический результат заключается в получении оксидного термоэмиссионного материала, сочетающего в себе высокую стойкость к термическому испарению с рабочей температурой катода ~1700-1950 К.

Сущность изобретения заключается в том, что материал эмиссионного покрытия катодов электронно-ионных приборов содержит оксид кальция и или оксид иттрия, или оксид иттербия, или оксид скандия при следующем соотношении компонентов (мол.%): оксид кальция - 50-51, оксид иттрия, или оксид иттербия, или оксид скандия - 50-49.

Изменение указанного мольного соотношения оксида кальция с одним из оксидов редкоземельного металла: или оксид иттрия (СаО:Y₂O₃), или оксид иттербия (СаО:Yb₂O₃), или оксид скандия(СаО:Sc₂O₃), приводит к увеличению работы выхода сложного оксида и уменьшению стойкости к термическому испарению.

Способ получения материала эмиссионного покрытия катодов электронно-ионных приборов осуществляют следующим образом.

Синтез твердых растворов, осуществлявшийся способом совместного осаждения металлов, включает следующие этапы:

1. Совместное осаждение ионов Са²⁺и одного из ионов РЗЭ: Y³⁺, Yb³⁺, Sc³⁺ - осуществлялось из смеси водных растворов их хлоридов, взятых в определенном соотношении, добавлением к ней двойного избытка осадителя - водного раствора оксалата аммония (NH₄)₂C₂O₄.

Выпавший осадок продукта совместного осаждения отфильтровывался, промывался на фильтре слабым водным раствором щавелевой кислоты и высушивался на воздухе при комнатной температуре ~12 ч.

Воздушно-сухой осадок растирался в алундовой ступке до мелкодисперсного состояния; из порошка прессовались компакты: ⌀25 мм, h=2-3 мм, Р_пресс.=50 кг/см².

2. Утильный обжиг компактов продукта совместного осаждения проводился на воздухе в силитовой печи при 1500-1550 К в течение 2,0-2,5 часов, после чего они вынимались горячими и остывали до комнатной температуры в эксикаторе с фосфорным ангидридом (Р₄O₁₀). Остывшие компакты вновь измельчались в ступке.

3. Окончательный обжиг, в ходе которого полностью завершается синтез материала и удаляется примесь углерода, осуществляется в печи СШВЛ при 1900-1950 К, ~20-25 мин. Для окончательного обжига из порошка, полученного в результате утильного обжига, прессовались таблетки (⌀10 мм, h=1-2 мм, Р_пресс.=100 кг/см²) и помещались в засыпку, химический состав которой аналогичен составу таблетки, находящуюся в молибденовой ампуле, внутренняя поверхность которой футерована ниобиевой фольгой, причем засыпки берется столько, чтобы внутренний свободный объем ампулы после завинчивания крышки был минимален. По окончании обжига материал остывал вместе с печью до комнатной температуры.

Режим окончательного обжига подбирается таким образом, чтобы не допустить оплавления таблеток.

4. Идентификация синтезированного материала химическим и дифрактометрическим методами.

5. Синтезированный материал растирался в алундовой ступке, просеивался через капроновое сито (500 меш/см²), смешивался со связующим (бутилметакрилатом) и наносился на катод методом окунания.

Пример 1. К смеси водных растворов 100 мл хлорида кальция (СаСl₂, 0,2 М) и 57 мл хлорида иттрия (YCl₃, 0,73 М) по каплям добавлялся двойной избыток осадителя - 400 мл водного раствора оксалата аммония ((NH₄)₂C₂O₄, 0,3 М) при постоянном перемешивании реакционной смеси на магнитной мешалке. Выпавший осадок продукта совместного осаждения сразу же отделялся от маточного раствора фильтрованием, промывался слабым раствором щавелевой кислоты (pH_р-ра ~4), высушивался на воздухе до комнатной температуры, растирался в алундовой ступке и компактировался. Компакты (⌀25 мм, h=2-3 мм, Р_пресс.=50 кг/см²) прокаливались на воздухе при 1500-1550 К, 2-2,5 ч, затем горячий алундовый тигель с компактами извлекался из печи и остывал в эксикаторе, заполненном фосфорным ангидридом (Р₄O₁₀), до комнатной температуры. Остывшие компакты измельчались в алундовой ступке. Из порошка прессовались плотные таблетки ⌀10 мм, h=1-2 мм, Р_пресс.=100 кг/см². Прессовки помещались в толстостенную молибденовую ампулу с завинчивающейся крышкой, внутренний объем которой футерован ниобиевой фольгой, в находящуюся там засыпку, состоящую из 50 мол.% оксида кальция (СаО), предварительно высушенного при 480 К, и из 50 мол.% оксида иттрия Y₂О₃, предварительно прокаленного при 1300 К, 1 ч. Закрытая ампула помещалась в печь СШВЛ, которую откачивали до р=10^-3 мм рт.ст., нагревали до 1900-1950 К и выдерживали при этой температуре 20-25 мин. До комнатной температуры образец остывал вместе с печью. Остывшие таблетки растирались в алундовой ступке, порошок просеивался через капроновое сито (500 меш/см²), смешивался с бутилметакрилатом (БМК) и наносился на вольфрамовый (W) катод.

Пример 2. К смеси водных растворов 100 мл хлорида кальция (СаСl₂, 0,2 М) и 53,5 мл хлорида иттербия (YbCl₃, 0,75 М) при постоянном перемешивании на магнитной мешалке по каплям добавлялся двойной избыток осадителя - 400 мл водного раствора оксалата аммония ((NH₄)₂C₂O₄, 0,3 М). Далее все как в примере 1. Состав засыпки - 50 мол.% оксида кальция (СаО), 50 мол.% оксида иттербия (Yb₂O₃).

Пример 3. К смеси водных растворов 100 мл хлорида кальция (CaCl₃, 0,2 М) и 50 мл хлорида скандия (ScCl₃, 0,8 М) при постоянном перемешивании на магнитной мешалке по каплям добавлялось 400 мл водного раствора оксалата аммония ((NH₄)₂C₂O₄, 0,3 М). Далее все как в примере 1. Состав засыпки - 50 мол.% оксида кальция (СаО) и 50 мол.% оксида скандия (Sс₂O₃).

Химическим и дифрактометрическим методами установлено, что вещества, полученные в примерах 1-3, являются эквимолярными твердыми растворами оксидов кальция и иттрия (СаО:Y₂O₃), оксидов кальция и иттербия (СаО:Yb₂O₃), оксидов кальция и скандия (СаO:Sс₂O₃) без примесей индивидуальных оксидов. В качестве примера на рис.1 приводится дифрактограмма твердого раствора СаО:Y₂О₃, снятая при комнатной температуре, ДРОН-2, Сu_Kα отфильтрованное излучение.

Для изучения температурной зависимости величины удельного объемного электрического сопротивления ρ_V=f(T) синтезированных твердых растворов были получены плотные керамики на их основе. Спекание керамик осуществлялось в ходе окончательного обжига. В этом случае увеличивалось давление прессования таблеток (Р_пресс.=150 кг/см²), температура в печи СШВЛ (до 1950-1980 К) и время выдержки в ней (до 40-60 мин).

Дифрактограммы каждого из синтезированных твердых растворов и керамики на его основе аналогичны, т.е. спекание в указанных условиях не приводит к изменению фазового состава и структуры материала, что позволяет исследовать температурную зависимость его удельного объемного электрического сопротивления (ρ_V=f(T)).

В таблицах 1, 2 и на рис.2 приводятся результаты измерений на воздухе на постоянном (=) и переменном (~1500 Гц) токах в режимах нагревания (● - на постоянном (=) и ◇ -на переменном (~) токе) и охлаждения (□ - на постоянном (=) и × - на переменном (~) токе) зависимости ρ_V=f(T^-1) твердых растворов СаО:Y₂О₃ и СаO:Yb₂О₃, из которых следует, что в рассмотренных температурных интервалах твердые растворы являются полупроводниками с отрицательными температурными коэффициентами электросопротивления, не претерпевающими фазовых или химических изменений (близость значений ρ_V, полученных в процессах нагревания и охлаждения образца), основной вклад в общую проводимость которых вносит ее электронная составляющая (практическое совпадение значений ρ_V, измеренных на постоянном и переменном токах).

Установлено, что в рассмотренных температурных интервалах твердые растворы CaO:Y₂O₃, СаО:Yb₂O₃ и CaO:Sc₂O₃ являются полупроводниками р-типа. В то же время известно [4], что в качестве термоэмиттеров могут использоваться полупроводники, обладающие n-типом проводимости с отрицательным температурным коэффициентом электросопротивления.

Из рис.2 и табл.1, 2 следует, что нагревание на воздухе (р(O₂)=0,21 атм) твердых растворов СаО:Y₂О₃ и СаО:Yb₂О₃ до 1525 и 1380 К соответственно не приводит к изменению их типа проводимости, хотя уже на воздухе начинается р-n переход с ~1215 К у СаО:Y₂О₃ и с ~1145 К у СаО:Yb₂О₃ (увеличение тангенса угла наклона соответствующего участка ломаной прямой зависимости ρ_V=f(T^-1) с положительным направлением оси абсцисс).

По оценочным расчетам, подтвержденным в ходе экспериментального определения величины работы выхода твердых растворов, для изменения их типа проводимости необходим нагрев в вакууме 10^-3 атм (р(O₂)=10^-4 атм) при 1300-1350 К.

Экспериментально определенная эффективная работа выхода синтезированных твердых растворов определяется следующими выражениями:

для CaO:Yb₂O₃ φ_эф=1,4±0,2+4,0·10^-4T, эВ,

для CaO:Y₂O₃ φ_эф=1,6±0,2+4,0·10^-4T, эВ,

для CaO:Sc₂O₃ φ_эф=1,4±0,2+4,0·10^-4T, эВ,

т.е. соизмерима с эффективной работой выхода для Ba₂CaWO₆, у которого φ_эф ~2,4 эВ при 1100 К по данным [1].

Сравнительно невысокая работа выхода для безбариевых катодов требует дополнительных исследований.

Таблица 1
Температурная зависимость величины удельного объемного электрического сопротивления твердого раствора СаО:Y₂О₃, измеренная на воздухе на постоянном (=) и переменном (~) токе
Т, К	10⁴/T	U_вх (=), В	U_вых (=), В	U_вх (~), В	U_вых (~), B	R_обр, Ом	R_x, Ом	ρ_v, Ом·м	lg ρ_v
539	18,5	1,8	1,75	-	-	302,6·10³	10,6·10⁶	4,8·10⁵	5,7
700	14,3	1,8	1,72	-	-	302,6·10³	6,5·10⁶	3·10⁵	5,5
834	12	1,8	1,45	-	-	302,6·10³	12,5·10⁵	5,8·10⁴	4,76
916	10,9	1,8	0,91	-	-	302,6·10³	309·10³	14·10³	4,15
		-	-	1,0	0,5	256,7·10³	256,7·10³	12·10³	4,10
997	10,0	1,8	0,9	-	-	76,1·10³	76,1·10³	3,5·10³	3,5
		-	-	1,0	0,5	62·10³	62·10³	2,9·10³	3,46
1112	9,0	1,8	0,95	-	-	8,99·10³	10·10³	462	2,67
		-	-	1,0	0,48	11,2·10³	10,4·10³	475	2,68
1196	8,4	1,78	0,89	-	-	3330	3330	153	2,2
		-	-	1,0	0,5	3330	3330	153	2,2
1269	7,9	1,8	0,9	-	-	1486	1486	67	1,8
		-	-	1,0	0,5	1486	1486	67	1,8
1361	7,35	1,82	0,9	-	-	645	645	29	1,46
		-	-	1,0	0,5	645	645	29,7	1,47
1440	6,95	1,8	0,9	-	-	322	322	15	1,17
		-	-	1,0	0,5,	322	322	15	1,17
1515	6,6	1,8	0,9	-	-	129,7	129,7	6	0,8
1523	6,6	1,8	0,9	-	-	129,7	129,7	6	0,8
		-	-	1,0	0,5	129,7	129,7	6	0,8
Охлаждение
1278	7,8	-	-	1,0	0,5	413	413	19	1,28
1168	8,6	-	-	1,0	0,5	913	913	42	1,62
1143	8,75	-	-	1,0	0,48	4724	4360	200	2,30
1043	9,6	-	-	1,0	0,52	14,95·10³	16,2·10³	7,5·10²	2,88
978	10,2	-	-	1,0	0,52	46,3·10³	50,16·10³	2,3·10³	3,36
777	12,8	1,80	1,65	-	-	159·10³	1755·10³	80,5·10³	4,9

Таблица 2
Температурная зависимость величины удельного объемного электрического сопротивления твердого раствора СаО:Yb₂O₃, измеренная на воздухе на постоянном (=) и переменном (~) токе
Т, К	10⁴/T	U_вх (=), В	U_вых (=), в	U_вх (~), В	U_вых (~), B	R_обр, Ом	R_x, Ом	ρ_v, Ом·м	Ig ρ_v
827	12,1	1,8	0,9	-	-	82900	82900	4808	3,68
		-	-	1,0	0,5	76100	76100	4414	3,65
923	10,8	1,75	0,9	-	-	13000	13764	798	2,90
		-	-	1.0	0,5	14950	14950	867	2,94
1097	9,1	1,75	0,88	-	-	913	923	53,6	1,78
		-	-	1,0	0,48	1085	1001	58,1	1,76
1220	8,2	1,8	0,88	-	-	239	229	13,2	1,12
		-	-	1,0	0,5	239	239	13,9	1,14
1326	7,5	1,8	0,9	-	-	64,7	64,7	3,8	0,57
		-	-	1,0	0,5	64,7	64,7	3,8	0,57
1371	7,3	-	-	-	-	-	-	-	-
		-	-	1,0	0,5	49,5	49,5	2,9	0,46
1378	7,25	1,8	0,9	-	-	64,7	64,7	3,8	0,57
		-	-	1,0	0,5	49,5	49,5	2,9	0,46
Охлаждение
1313	7,6	1,76	0,87	-	-	108	105,6	6,1	0,78
		-	-	1,0	0,49	129,1	124	7,2	0,86
1214	8,2	1,8	0,9	-	-	267	267	15,5	1,2
		-	-	1,0	0,5	267	267	15,5	1,2
1053	9,5	1,87	0,78	-	-	2738	1959	113,6	2,05
		-	-	1,0	0,5	2968	2968	172	2,23
998	10,0	1,8	0,9	-	-	3837	3837	222,5	2,35
		-	-	1,0	0,5	5597	5597	324,7	2,50
938	10,7	1,8	0,9	-	-	13000	13000	754	2,88
		-	-	1,0	0,5	13000	13000	754	2,88

Материал эмиссионного покрытия катодов электронно-ионных приборов, заключающийся в том, что его состав содержит оксид кальция и оксид иттрия, или оксид иттербия, или оксид скандия при следующем соотношении компонентов, мол.%:

оксид кальция	50-51
оксид иттрия, или оксид иттербия,
или оксид скандия	50-49

Изобретение относится к электронной технике, а именно к металлопористым катодам электронных приборов СВЧ-типа и способам изготовления их катодов. .

Штыревой катод сварочной электронной пушки // 2457570

Фотокатод // 2454750

Изобретение относится к области электровакуумной электронной техники. .

Шихта для композиционного катода и способ его изготовления // 2454474

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к получению композиционных катодов для ионно-плазменного напыления многокомпонентных наноструктурных покрытий.

Способ изготовления высоковольтного электрода // 2452055

Изобретение относится к электротехнике, а именно к изготовлению электродов к аппаратам, предназначенным для исследования явления свечения у объектов в импульсном электромагнитном поле высокой напряженности.

Катодно-подогревательный узел // 2446503

Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройству источника электронов, и может быть использовано в ускорителях электронов, ускоренный пучок которых используется для радиационных технологий, таких как очистка сточных вод, очистка газов электростанций, работающих на угле, в линейных ускорителях, используемых для рентгеновской диагностики в медицинских целях, и в др.

Экран // 2439638

Изобретение относится к области эргономики, а именно к конструкциям оптических экранов. .

Плазменный катод // 2438208

Изобретение относится к области электрореактивных двигателей, а именно к широкому классу плазменных двигателей (холловских, ионных), использующих в своем составе катоды.

Углеродсодержащий наноматериал с низким порогом полевой эмиссии электронов и способ его получения (варианты) // 2431900

Изобретение относится к углеродсодержащим наноматериалам с низким порогом полевой эмиссии электронов (НППЭЭ). .

Способ изготовления композиционного катода // 2421844

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к способам получения композиционных катодов для ионно-плазменного напыления многокомпонентных наноструктурных нитридных покрытий и может быть использовано в химической, станкоинструментальной промышленности, машиностроении, металлургии для получения наноструктурных покрытий методом ионно-плазменного напыления.

Способ получения материала для автоэмиссионного катода // 2463253

Изобретение относится к области электроники и нанотехнологии, в частности к способу создания материала для высокоэффективных автоэмиссионных катодов на основе углеродных нанотруб, которые могут найти применение в дисплеях, панельных лампах, ионизаторах, рентгеновских источниках и других областях техники

Способ обработки электронно-полевых катодов // 2468462

Изобретение относится к области нанотехнологии, в частности к способу обработки поверхности электронно-полевых катодов, изготовленных из углеродных наноматериалов, которые могут использоваться для производства дисплеев, осветительных элементов, радиочастотных усилителей, в рентгеновских установках, ионизаторов газовых сред, измерителей вакуума

Способ повышения деградационной стойкости сильноточных многоострийных автоэмиссионных катодов // 2474909

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении изделий светоиндикаторной техники и эмиссионной электроники на основе автоэлектронной эмиссии многоострийных углеродных структур

Получение однородности газового разряда // 2474910

Изобретение относится к электронной технике, в частности к технике газоразрядных приборов

Способ изготовления матрицы многоострийного автоэмиссионного катода на монокристаллическом кремнии // 2484548

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении изделий светоиндикаторной техники и эмиссионной электроники на основе автоэлектронной эмиссии матрицы многоострийных углеродных эмиттеров на пластинах монокристаллического кремния

Гетеропереходная структура // 2497222

Изобретение может найти применение в качестве приборной структуры для твердотельных автоэмиссионных диодов и эмитирующих электроны активных элементов функциональных узлов как в твердотельной электронике, так и в вакуумной эмиссионной электронике, в том числе в силовой СВЧ электронике. Гетеропереходная структура согласно изобретению состоит из полупроводниковых слоев n- и p-типа проводимости, расположенных последовательно на подложке n-типа, гомогенной прилежащему к ней полупроводниковому слою n-типа и имеющей омический контакт к тыльной стороне, при этом на поверхности n-слоя со стороны n-p гетерограницы расположен массив из наноструктурированных объектов, p-слой выполнен в виде алмазной пленки, толщина которой не превышает диффузионную длину электронов, а концентрация акцепторов в нем находится в диапазоне 1020-1024 м-3. Изобретение обеспечивает возможность значительного увеличения рабочих токов автокатода, либо автоэмиссионных диодов, повышения стойкости устройств к деградации и увеличения их рабочего ресурса. 5 з.п. ф-лы, 1 пр., 6 ил.

Автоэмиссионный катод // 2504858

Изобретение относится к устройствам вакуумной электроники, в частности к источникам для получения электронного потока - автоэмиттерам (холодным эмиттерам) электронов, материалам и способам их изготовления. Подобные катоды могут использоваться в качестве источников электронов в различных электронных приборах - электронных микроскопах, рентгеновских трубках, усилительных и генераторных приборах СВЧ электроники, источниках света и т.п. Технический результат изобретения - получение стабильного автоэмиссионного катода с высокой удельной проводимостью, плотностью автоэмиссионного тока до 20 мА/см2. Результат достигнут использованием в автоэмиссионном катоде объемного композитного материала, содержащего частицы металла, окруженные наноструктурированным углеродным материалом (углеродные или углерод-азотные нанотрубки, углеродные нановолокна, фуллерены и им подобные материалы). При этом металл обеспечивает низкое удельное сопротивление, высокую теплопроводность и механическую прочность, а наноуглеродный материал - высокие эмиссионные свойства катода. Для повышения эффективности автоэлектронной эмиссии при изготовлении катода применены: дополнительная механическая обработка с удалением поверхностного слоя катода и последующей шлифовкой, химическое и плазменное травление рабочей поверхности. Полученный катод обеспечивает плотность автоэмиссионного тока на уровне 10-20 мА/см2 с высокой стабильностью и однородностью. 4 ил.

Трехмерно-структурированная полупроводниковая подложка для автоэмиссионного катода, способ ее получения и автоэмиссионный катод // 2524353

Заявленное изобретение относится к области электротехники, а именно, к способу получения трехмерно-структурированной полупроводниковой подложки для автоэмиссионного катода, и может быть использовано в различных электронных приборах: СВЧ, рентгеновских трубках, источниках света, компенсаторах заряда ионных пучков и т.п. Создание трехмерно-структурированной полупроводниковой подложки, на которую наносят эмитирующую пленку автоэмиссионных катодов в виде микроострийной квазирегулярной ячеисто-пичковой структуры с аспектным отношением не менее 2 (отношение высоты острий к их высоте), позволяет повысить эмиссионную характеристику катодов, что является техническим результатом заявленного изобретения. Полупроводниковую подложку для формирования на ней требуемой микроострийной структуры подвергают фотоэлектрохимическому травлению в водном или безводном электролите, меняя режимы травления и интенсивность подсветки. Предложена также структурированная полупроводниковая подложка для автоэмиссионного катода из кристаллического кремния р-типа с проводимостью от 1 до 8 Ом*см и сам автоэмиссионный катод с такой подложкой, обладающий повышенными эмиссионными характеристиками. 3 н. и 3 з.п. ф-лы, 5 ил.

Способ изготовления мдм-катода // 2525865

Изобретение относится к области электронной техники. Способ изготовления МДМ-катода заключается в нанесении на подложку нижнего электрода, диэлектрика, верхнего электрода и формовку структуры. На нижнем электроде создается регулярная наноострийная структура в виде столбиков с плотностью 5·10 см-2 путем электрохимического осаждения металла через шаблон из полимерной пленки со сквозными порами. Технический результат - повышение плотности тока эмиссии и ее равномерности по поверхности МДМ-катода. 2 ил.

Способ изготовления автоэмиссионного катода // 2526240

Изобретение относится к лазерной технике, а именно к способам лазерной обработки материалов при изготовлении автоэмиссионных катодов из стеклоуглерода, которые могут быть использованы в области приборостроения электронной техники, а именно в электровакуумных приборах с большой плотностью электронных потоков и микросекундным временем готовности. Для создания автоэмиссионного катода в качестве углеродного материала используют стеклоуглерод. Формирование эмиттеров на поверхности катода производят фрезеровкой сфокусированным лазерным излучением и последующей лазерной очисткой поверхности катодной структуры. Нанесение эмитирующей структуры на поверхности эмиттеров катода производят лазерной микрогравировкой с образованием поля микроострий пирамидальной формы с последующей вырезкой основания катода сфокусированным лазерным излучением и лазерной очисткой эмитирующих структур. Технический результат - повышение технических характеристик автоэмиссионного катода. 2 ил.