Электрофотографический фоточувствительный элемент и электрофотографическое устройство

Изобретение относится к электрофотографическим устройствам. Электрофотографический фоточувствительный элемент имеет переходный слой, состоящий из пяти или более промежуточных слоев a-SiC, предусмотренных между фотопроводящим слоем a-Si и поверхностным слоем a-SiC. В тех случаях, когда два слоя, прилегающие друг к другу, в которых C/(Si+C) имеет значение от 0,35 до 0,65, выбраны из числа промежуточных слоев a-SiC, включенных в переходный слой, скорость роста между C/(Si+C) промежуточного слоя a-SiC на стороне фотопроводящего слоя и C/(Si+C) промежуточного слоя a-SiC на стороне поверхностного слоя, то есть скорость роста между слоями имеет значение 19% или менее. Изобретение обеспечивает электрофотографический фоточувствительный элемент, промежуточные слои которого не расслаиваются. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 4 ил., 28 табл.

 

Текст описания приведен в факсимильном виде.

1. Электрофотографический фоточувствительный элемент, содержащий
подложку,
фотопроводящий слой, предусмотренный на подложке и сформированный из аморфного кремния, и
поверхностный слой, предусмотренный на фотопроводящем слое и сформированный из гидрированного аморфного карбида кремния,
при этом электрофотографический фоточувствительный элемент дополнительно содержит между фотопроводящим слоем и поверхностным слоем переходный слой, состоящий по существу из пяти или более промежуточных слоев, каждый из которых сформирован из гидрированного аморфного карбида кремния,
причем отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) в каждом из промежуточных слоев, включенных в переходный слой, однообразно увеличивается от самого внутреннего промежуточного слоя на стороне фотопроводящего слоя к самому наружному промежуточному слою на стороне поверхностного слоя;
в переходный слой включены два или более промежуточных слоев, в которых отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) находится в диапазоне от 0,35 или более до 0,65 или менее;
при этом среди промежуточных слоев, включенных в переходный слой, два слоя, прилегающих друг к другу, выбраны из числа промежуточных слоев, в которых отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) находится в диапазоне от 0,35 или более до 0,65 или менее, и между двумя слоями, прилегающими друг к другу, отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) в промежуточном слое на стороне фотопроводящего слоя представлено посредством А, а отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) в промежуточном слое на стороне поверхностного слоя представлено посредством В, причем все промежуточные слои, в которых отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) находится в диапазоне от 0,35 или более до 0,65 или менее, отвечают требованию, что скорость роста между слоями, которая определена следующим выражением (1):

имеет значение 19% или менее;
причем отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) в поверхностном слое имеет значение от 0,61 или более до 0,90 или менее; и
отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) в поверхностном слое выше, чем отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) в любом промежуточном слое, включенном в переходный слой.

2. Электрофотографический фоточувствительный элемент по п.1, в котором отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) в поверхностном слое имеет значение от 0,70 или более до 0,90 или менее.

3. Электрофотографический фоточувствительный элемент по п.1, в котором переходный слой является слоем, состоящим по существу из от пяти или более до девяти или менее промежуточных слоев.

4. Электрофотографический фоточувствительный элемент по п.1, в котором каждый из промежуточных слоев, включенных в переходный слой, имеет толщину слоя от 10 нм или более до 200 нм или менее.

5. Электрофотографический фоточувствительный элемент по п.1, в котором среди промежуточных слоев, включенных в переходный слой, промежуточные слои, в которых отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C), имеет значение от 0,35 или менее, в сумме имеют толщину слоя 200 нм или менее.

6. Электрофотографический фоточувствительный элемент по п.1, в котором, по меньшей мере, один промежуточный слой, подвергнутый встраиванию элемента группы 13, включен в переходный слой.

7. Электрофотографический фоточувствительный элемент по п.6, в котором отношение количества атомов у атомов углерода (С) к сумме количества атомов у атомов кремния (Si) и количества атомов у атомов углерода (С), C/(Si+C) в промежуточном(ых) слое(ях), подвергнутом(ых) встраиванию элемента группы 13, имеет значение 0,10 или более.

8. Электрофотографический фоточувствительный элемент по п.6, в котором среди промежуточных слоев, включенных в переходный слой, промежуточные слои, подвергнутые встраиванию элемента группы 13, в сумме имеют толщину слоя от 50 нм или более до 1000 нм или менее.

9. Электрофотографическое устройство, содержащее электрофотографический фоточувствительный элемент по п.1, и средство зарядки, средство экспонирования по изображению, средство проявки, средство переноса и средство очистки.