Датчик для измерения усилий
ОП ИГРАНИ Е
252696
Союз Совотскик
Социалистическик
Республик
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства №
Кл, 42k, 4
Заявлено 16.II,1968 (№ 1218621/25-28) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 22.1Х.1969. Бюллетень № 29
Дата опубликования описания 5.И.1970
МПК G 011
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК, 681.2.083.2:531.787. .913:621.315.592 (088.8) Авторы изобретения
М. И. Елинсон, В. И. Покалякин и Г. В. Степанов
Институт радиотехники и электроники АН СССР
Заявитель
ДАТЧИК ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ УСИЛИЙ
„1, Известны датчики для измерения усилий, содержащие полупроводниковый кристалл а-типа и другой элемент, между которыми образуется запорный слой.
Предложенный датчик отличается от известных тем, что в качестве другого элемента используется металлическая пленка.
Такой датчик благодаря малой глубине залегания запорного слоя от поверхности датчика и использованию одного типа носителей заряда (электроны) обладает более высокой чувствительностью и имеет лучшие час1отнь1е, свойства.
На фиг. 1 приведена схема описываемого датчика; на фиг. 2 — энергетическая диаграмма диода.
Датчик для измерения усилий содержит полупроводниковый кристалл 1 п-типа, на поверхность которого нанесена тонкая пленка 2 металла. Запорный слой 8 между металлом и полупроводниковым кристаллом обладает ярко выраженными выпрямительными свойствами. К кристаллу 1 и пленке 2 подведены контакты 4 и 5, причем контакт 5 к кристаллу 1 является омическим.
При подаче напряжения смещения от источника б в обратном направлении через слой 3 течет незначительный по величине обратный ток, величина которого определяется высотой контактного барьера q> на границе металл— полупроводник.
На поверхности пленки 2 укреплена игла 7, передающая усилие от рупора 8. Давление иглы 7 приводит к уменьшению ширины высоты контактного барьера ср, а следовательно, к резкому увеличению обратного тока. Экспсримент на системе кремний — золото при радиусе иглы 1 лткн и усилии, приложенном к игле в несколько миллиграмм, показал, что коэффициент чувствительности достигает величинbI 10с.
Предмет изобретения
Датчик для измерения усилий, содержащий полупроводниковый кристалл и-типа и другой элемент, между которыми создается запорный слой, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности и улучшения частотных свойств, в качестве другого элемента исполь25 зована металлическая пленка.
252696
Фиг.!
Фиг. Я
Составитель И. Федоров
Редактор Т. Рыбалова Техред А. А. Камышникова Корректор А. П. Васильева
Заказ 1б2717 Тираж 480 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
