Шихта для выращивания ферритовых монокристаллов

 

253953

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Кл. 21g, 31/03

12g, 17/00

Заявлено 04.У.1967 (М 1155918/22-1) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано 07.Х.1969. Бюллетень ¹ 31

Дата опубликования описания ЗО.IV.1970

МПК Н Olf

В 01

УДК 621.318.1:548.55 (088.8) Комитет оо лелем изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

Заявитель

ШИХТА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ФЕРРИТОВЫХ

МОНОКРИСТАЛЛОВ

Изобретение относится к области получения ферромагнитных монокристаллических материалов, применяемых в СВЧ-технике.

Известен ферромагнитный монокристаллический материал на основе литиевой феррошпинели, полученный путем кристаллизации монокристаллов из раствора в расплаве.

Исходная шихта для их выращивания имеет следующий, состав, вес.

Углекислый литий 5,2

Окись железа 16,5

Окись свинца 68,0

Окись бора 10,3

Окись железа 13,3 — 16,0

Окись цинка 0,3 — 1,8

Окись свинца 68,1 — 68,7

Окись бора 10,4 — 11,0

Углекислый литий Остальное

Монокристаллы с намагниченностью насыщения до 4400 гс получают из расплава шихты следующего состава, вес. %:

Окись железа 12,0 — 16,0

1Р Окись галлия 0,5 — 4,3

Окись свинца 68,0 — 68,1

Окись бора 10,3 — 10,4

Углекислый литий Остальное

Способ получения монокристаллов с указанными свойствами осуществляют следующим образом.

Исходные компоненты, взятые в определенном соотношении, взвешивают и подвергают вибропомолу. Полученную смесь помещают в печь для выращивания монокристаллов.

Подъем температуры в печи до 1100 С осуществляют со скоростью 150 /час с выдержкой при температуре 1100 С в течение 15 — 20 час для лучшего растворения исходных компонентов .в расплаве. Охлаждение расплава проводят со скоростью 0,5 — 1 /час,до 500 С. Затем печь отключают, кристаллы из застывшего расплава извлекают кипячением в разбавленной азотной кислоте. Полученные монокрис3р таллы имеют октаэдрическую структуру, ИзмеМонокристаллы,;полученные из шихты указанного состава, имеют намагниченность насыщения 3900 гс и ширичу ферромагнитного резонанса менее 5 эр.

С целью увеличения намагниченности насыщения ферритов при сох ранении узкой линии ферромагнитного резонанса предложено использовать исходную шихту, содержащую помимо известных .компонентов также окись цинка и окись галлия. Эффект достигается за счет замещения части окиси железа окисью цинка или окисью .галлия.

Монокристаллы с намагниченностью насыщения до 5000 гс получают из расплава шихты следующего состава, вес. %:

А втары изобретения Э. В. Рубальская, С, Ш. Генделев, Б. Е. Рубинштейн, Ю. М. Як ЙЫв1. ::,.-,-, и А. Г. Титова х и„-13. о--,: ! е1 с

253953

Таблица 2

Нама гниченность насыщения, гс

Состав шихты для выращивания монокристаллов, вес. Оо

Состав кристаллов, вес, оо

Li2С0з 5,2

Резоз 14,7

ZnO 1,1

РЬО 68,4

Воз 10 6

1.1зО 3,0

ZnO 5,4

Ре,оз 91,6 ио г 8

Таблица 1

4600

Намагниченность насыщения, гс

Состав шихты для выращивания монокристаллов, вес.

Состав кристаллов, вес. о, 11,СОз

Резоз

ZnO

PbO

Взоз

5,2

14,4

1,3

68,5

10,6

4700

ZnO 7,3

Fe O3 89,9

Li,ÑOç 5,2

Резоз 12,0

Оа,о, 4,3

РЬО 68,1

Взоз 10,4

LI,O 3,0

Fe,O, 79,2

4400 100

11зСОз 5,2

Ре,оз 13,8

ZnO 1,6

РЬО 68,5

Взо, 10,9

LI2o

ZnO

2,7

8,0

4800

Оазоз 17,8

Резоз 89,3

1-1зСОз 5,2

Резоз 13,3

ZnO 1,8

РЬО 68,7

ВО По

LiO г5

ZnO 9,4

5000

Fe O, 88,1

12,0 — 16,0

0,5 — 4,3

68,0 — 68,1

10,3 — 10,4

Остальное

Составитель Г. Портнова

Редактор О. С. Филиппова Техред Л. 8. Куклина

Корректор О. Б. Тюрина

Заказ 1172/10 Тираж 480 Подписное

ПНИИ11И Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва >К-35, Раушская наб., д. 4!5

Типография, пр. Сапунова, 2 рения свойств монокристаллов показывают, что значение намагниченности насыщения на образцах лежит в пределах 4900+-100 гс при ширине линии ферромагнитного резонанса на сферах диаметром 0,4 — 0,5 мл 1,5 — 2 эр.

В табл. 1 приведен состав шихты для выращивания моноиристаллов с намагниченностью насыщения 440 гс.

Дальнейшее увеличение содержания окиси галлия в шихте приводит к снижению намагниченности насыщения, В табл. 2 .приведены составы шихты для выращивания монокристаллов с намагниченностью насыщения до 5000 гс.

Предмет

1. Шихта для выращивания ферритовых монокристаллов кристаллизацией из раствора в раоплаве на основе литиевой феррошпинели, включающая окиси свинца и бора, отличающаяся тем, что, с целью увеличения намагниченности насыщения ферритов при сохранении узкой линии ферромагнитного резонанса, в нее ,введены окиси цинка и галлия.

2. Шихта по п. 1, отличающаяся тем, что, с целью получения феррита с намагниченностью .насыщения до 5000 гс, в нее введена окись цинка |при следующем соотношении компонентов, вес. %:

Дальнейшее увеличение содер>кания окиси цинка в шихте приводит к снижению намагниченности насыщения.

II3 о бр ете ни я

Окись железа 13,3 — 16,0

Окись цинка 0,3 — 1,8

Окись свинца 68,1 — 68,7

Окись бора 10,4 — 11,0

Углекислый литий Остальное

35 3. Шихта по п. 1, отличающаяся тем, что, с целью получения феррита с намагниченностью насыщения до 4400 гс, в нее введена окись галлия при следующем соотношении компонентов, вес. %:

40 Окись железа

Окись галлия

Окись свинца

Окись бора

Углекислый литий

Шихта для выращивания ферритовых монокристаллов Шихта для выращивания ферритовых монокристаллов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к производству изделий, имеющих шпинельную кристаллическую структуру, в том числе таких изделий как були, пластины и подложки, а также к созданию активных устройств, в которые они входят

Изобретение относится к производству изделий, имеющих шпинельную структуру, таких как були, пластины, подложки и т.д

Изобретение относится к технологии производства изделий, имеющих шпинельную кристаллическую структуру, таких как пластины, подложки и активные устройства, в которые они входят

Изобретение относится к технологии получения теплоизоляционных материалов и может быть использовано при изготовлении изделий, стойких в химически агрессивных средах, в том числе, в области высоких температур, до 2100оС
Изобретение относится к области получения монокристаллов активированного титаном хризоберилла (BeAl2O4:Ti3+), используемых для изготовления лазерных элементов, вставок ювелирных изделий

Изобретение относится к технологии тонкопленочных материалов и может быть использовано для получения сверхпроводящих, каталитических материалов, в магнитооптике, лазерной технике, интегральной оптике, СВЧ-технике

Изобретение относится к синтезу монокристаллов и может быть использовано в радиоэлектронной технике

Изобретение относится к монокристаллическим ферритовым материалам (МКФ), предназначенным для сердечников видеоголовок сверхплотной записи, работающих в диапазоне до 50 МГц

Изобретение относится к области получения монокристаллических материалов методом Бриджмена для электронной техники, в частности монокристаллов марганец-цинкового феррита для магнитных головок

Изобретение относится к нелинейно-оптическому кристаллу стронций бериллатоборату, способу выращивания нелинейно-оптических монокристаллов бериллатобората и нелинейно-оптическому устройству

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO)

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла двойного цезий-литий бората CsLiB6O10 из раствор-расплава на затравку путем снижения температуры расплава
Наверх