Способ нанесения покрытия из смеси стекла и керамики на элемент металлического тигля

Изобретение относится к способу нанесения покрытия на металлический тигель. Техническим результатом изобретения является снижение открытой пористости покрытия. Способ нанесения покрытия на стальные сектора тигля для стеклования включает нанесение на сталь секторов плазменным напылением смесь из стекла и керамики с последующей термической обработкой покрытия при температуре от 650°С до 850°С. При этом смесь содержит стекло с температурой перехода в стеклообразное состояние ниже 650°С в количестве от 50 мас.% до 70 мас.% и керамику в количестве от 30 мас.% до 50 мас.%. 9 з.п. ф-лы.

 

Область техники, к которой относится изобретение

Объектом настоящего изобретения являются способ нанесения покрытия на металлический тигель, а также элемент такого тигля.

Изобретение предусмотрено, прежде всего, для тиглей, используемых в процессах остекловывания с высокотемпературным индукционным нагревом шихты тигля, при которых тигель охлаждают. Такие тигли используют для получения стекла из оксидов, для сжигания органических ядерных отходов низкой и средней активности на ванне расплавленного стекла и для остекловывания ядерных отходов или жидких ядерных отходов высокой, средней и низкой активности. Тигли устанавливают на пол из огнеупорного бетона и помещают в магнитное поле, создаваемое катушкой индуктивности, в которой циркулирует высокочастотный электрический ток, обеспечивающий нагрев шихты тиглей. Цилиндрическая стенка тиглей, предпочтительно выполненная из металла, подвергается сильному нагреву, вызванному содержащейся в них расплавленной шихтой и температурой, создаваемой циркулирующими наведенными токами. Поэтому в стенке тигля выполняют контур охлаждения. Вместе с тем, токи, индуцируемые в стенке, необходимо ограничивать не только для снижения нагрева, но также для усиления прямого электромагнитного взаимодействия между катушкой индуктивности и содержимым тигля. При этом стенка состоит из сборки вертикальных секторов, соединенных своей поперечной стороной наподобие бочечных клепок, с размещением электрического изолятора между каждой парой смежных элементов. Как правило, этим электрическим изолятором является слюда. Как правило, секторы тигля соединяют друг с другом в верхней части над катушкой индуктивности при помощи сварки или при помощи винтов, завинчиваемых на верхнем фланце; их можно также стягивать при помощи хомута на внешней периферии со стеклянной тканью, пропитанной эластомером или эпоксидной смолой.

Уровень техники

Из документа FR-A-2835601 известно, что электроизоляционную защиту можно усилить путем нанесения керамического покрытия, по меньшей мере, на часть поверхности тигля, например на внутреннюю сторону или на боковые стороны секторов.

Керамические материалы являются огнеупорными элементами с кристаллической структурой, плавящимися при температуре, превышающей температуру плавления металла тигля. За счет этого в большинстве случаев улучшаются эксплуатационные характеристики тигля, несмотря на сложные условия повышенной температуры и часто встречающейся коррозийной атмосферы. Однако при некоторых обстоятельствах такие способы сталкиваются с трудностями. В частности, это относится к случаю, когда на поверхности ванны стекла собирается большое количество жидкости (кислоты, вода, жидкие отходы), связанное с присутствием жидких отходов в остекловываемой шихте, тогда как охлаждение секторов, как правило, обеспечивает сохранение затвердевшего слоя шихты, входящего в контакт со стенкой тигля, который не только является менее горячим, чем остальная часть шихты, но и менее агрессивным. Покрытия из керамики являются пористыми с самого момента изготовления и затем подвергаются растрескиванию, в том числе поверхностному, вызванному действующими на них тепловыми ударами. Эта пористость позволяет газам, образующимся при стекловании, и особенно жидкостям, которые могут присутствовать в больших количествах над стеклом, проникать в слой керамики, что приводит, с одной стороны, к снижению электрической прочности слоя и, с другой стороны, к возможной коррозии покрываемой им подложки. Керамический слой может даже расслаиваться вплоть до полного разрушения.

Увеличение толщины керамического слоя увеличивает его открытую пористость и повышает его диэлектрическую прочность, но для данного случая не подходит по причине сильных температурных градиентов, возникающих между шихтой и охлаждаемыми секторами, и соответствующих перепадов теплового расширения, в частности, вдоль секторов в вертикальном направлении, которые могут привести к разрушению толстых слоев керамики.

В связи с этим возник интерес к покрытиям, состоящим из смеси стекла и керамики, вместо только одной чистой керамики. При этом ставилась цель использования более низкой температуры плавления стекла для заполнения промежуточных пространств керамики и уменьшения, таким образом, ее пористости во время нанесения и даже для еще большего уменьшения этой пористости при помощи дальнейшей обработки отжига детали с повышением вязкости стекла; ставилась также цель использования его более высокого коэффициента расширения, чем у керамики, чтобы приблизить общий коэффициент расширения покрытия к более высокому коэффициенту расширения подложки.

Вместе с тем, исследования, предшествовавшие изобретению и подтвержденные его авторами, показали, что задача уменьшения пористости оказалась трудно выполнимой.

Так, работы Manfredini ("Glass-alumina composite coatings by plasma spraying. Part I: microstructural and mechanical characterization", Surface & Coating Technology [2005]), проводившиеся к тому же на керамических подложках, показали, что термическая обработка при 1000°С, которая предназначалась для реструктуризации покрытия за счет инфильтрации ставшего вязким стекла, в результате не привела к ожидаемому воздействию на пористость покрытия и на его механическую прочность и даже могла стать вредной. Причинами могли быть преобразование фазы керамики (глинозема), которая дает усадку и превращается из метастабильной фазы гамма в стабильную фазу альфа, проходя через промежуточные метастабильные состояния дельта и каппа, и расширение воздушных пузырьков, остающихся в покрытии. Было отмечено также снижение механической прочности покрытия, кроме случаев содержания кремнезема примерно 80% и стекла примерно 20%.

Как было установлено авторами изобретения, применение таких способов термической обработки для идентичных покрытий, но нанесенных на подложки из нержавеющей стали, может также иметь другие отрицательные последствия, а именно окисление подложки по причине химической окислительно-восстановительной реакции со стеклом, при которой железо подложки окисляется, а стекло разлагается за счет восстановления некоторых из его оксидов с крайне отрицательными последствиями на свойства сцепления и прочности покрытия.

Можно также указать работы Zhang ("Temperature profiles and thermal stress analysis of plasma sprayed glass-composite coating", Thermal spray: surface engineering via applied research, издательство C.Berndt, ASM thermal spray society, German Welding Society 9DUS) and International Institute of Welding (IIW) 0-87170-680-6, SAN: 204-7986 (2000), 355-361), в которых указано, что внутренние напряжения покрытия можно ослабить за счет выбора стекла с низкой температурой перехода в стеклообразное состояние и с высоким коэффициентом линейного расширения. Было рассмотрено стекло с температурой перехода в стеклообразное состояние ниже 500°С. Однако влияние на пористость покрытия не было указано, и авторы изобретения смогли установить, воспроизведя эти испытания, что такого влияния не существует вовсе и что микрографическая структура покрытия существенно не изменилась.

В документе US-A-200610023 описано абразивное покрытие, состоящее из твердых частиц, погруженных в аморфную матрицу. Покрытие наносили при помощи плазмы с высокотемпературной термической обработкой, например, при 1300°С.

В документе WO-A-02/18128 описано композитное покрытие из стекловидного материала и из кристаллического материала, где кристаллизация происходит после термической обработки, по меньшей мере, при 1100°С-1200°С.

Раскрытие изобретения

Таким образом, настоящее изобретение призвано предложить покрытие металлических секторов охлаждаемой стенки тигля, удовлетворяющее обычным требованиям диэлектрической прочности и термостойкости, но при этом не имеет чрезмерной открытой пористости, способствующей проникновению жидкостей, присутствующих на расплавленной шихте.

Кроме того, это покрытие должно быть стойким к встречающимся химическим веществам, таким как нитраты, хлориды, сульфаты, молибдаты и т.д., в зависимости от обрабатываемых отходов. В распространенных вариантах обработки радиоактивных отходов оно должно быть также стойким к их радиации. Наконец, естественно, оно должно быть физически и химически совместимым с покрываемой подложкой, то есть должно обладать соответствующими свойствами сцепления, не подвергаться очень большому тепловому расширению и не реагировать с этой подложкой.

Традиционные покрытия в технической области индукционных печей выполняют из керамики и, в частности, из глинозема, муллита, глинозема с добавлением рутила и т.д. Как правило, эти покрытия наносят плазменным напылением. Слой, полученный при плазменном напылении, имеет взаимосвязанную открытую пористость во всем своем объеме.

В связи с этим, объектом настоящего изобретения является способ нанесения покрытия на сектора тигля для стеклования, при этом сектора выполнены из стали, отличающийся тем, что способ состоит из стадий, на которых на сектора наносят смесь из стекла и керамики и смесь подвергают термической обработке, при этом смесь содержит стекло в количестве от 50 мас.% до 70 мас.% с температурой перехода в стеклообразное состояние ниже 650°С и керамику в количестве от 30 мас.% до 50 мас.%, а термическую обработку осуществляют при максимальной температуре, которая выше температуры текучести смеси и составляет от 650°С до 850°С.

Таким образом, изобретение основано на комбинировании специального состава покрытия и низкой температуры термической обработки, но в применении к стеклу с еще более низкой температурой перехода в стеклообразное состояние.

Взаимосвязанную открытую пористость во всем объеме покрытия после плазменного напыления полностью устраняют за счет термической обработки. Эта обработка делает стекло вязким и уплотняет пористую структуру покрытия. Однако покрытие не будет плотным, так как будет обладать замкнутой пористостью, связанной с расширением воздуха, оставшегося в покрытии. Эта пористость не оказывает отрицательного влияния, так как она локализована в покрытии и не способствует проникновению химических веществ, и не снижает механические свойства, если, разумеется, она остается контролируемой.

Массовый состав смеси из 30% керамики и 70% стекла позволил получить хорошие результаты.

Таким образом, в соответствии с первым аспектом изобретение относится к композиции покрытия. Стекло содержится в количестве примерно от 50 мас.% до 70 мас.%, остальное составляет керамика. Керамика придает покрытию механическую прочность, а стекло придает ему стойкость к расслаиванию и шелушению при перепадах теплового расширения. При других пропорциях, например при равных долях стекла и керамики, стойкость к расслаиванию будет снижаться, в частности, по краям покрываемой детали, что можно объяснить неоднородностью микроструктуры покрытия. При большем количестве керамики покрытие будет иметь пластинчатую структуру, в основном состоящую из чередующихся слоев стекла и керамики, то есть его сцепление будет слабым. При значениях содержания в соответствии с настоящим изобретением покрытие принимает вид сплошной стекловидной матрицы, охватывающей отдельные зерна керамики. Стекловидная матрица придает покрытию необходимое сцепление, а зерна керамики позволяют остановить распространение микротрещин в матрице в результате напряжений, действующих на покрытие, что обеспечивает искомую механическую прочность.

Во втором аспекте настоящее изобретение относится к термической обработке покрытия. В известных технических решениях термическая обработка, проводившаяся при высокой температуре (близкой к 1000°С), не позволяла уменьшить пористость покрытия. Авторы изобретения выявили интервалы температур, позволяющие достичь этого результата и зависящие от следующих условий:

a) Прежде всего, необходимо придать смеси вязкость для обеспечения инфильтрации стекла в поры покрытия. Этого достигают при температуре текучести смеси, которая немного превышает температуру перехода стекла в стеклообразное состояние, по причине присутствия керамики в смеси, и которую можно найти, наблюдая температуру, при которой капля смеси начинает растекаться.

b) Кроме этого, следует избегать окисления подложки, что предполагает температуры термической обработки, остающиеся умеренными на границе раздела между покрытием и подложкой.

с) Температура должна также оставаться умеренной в самом покрытии, чтобы избежать образования дополнительной пористости вследствие расширения воздушных пузырьков, захваченных в покрытие, и изменений состояния керамики.

Испытания показали, что окисление рассматриваемой стали от стекла начинается примерно при 550°С, однако его развитие становится гораздо более быстрым при 650°С и выше. Таким образом, нагрев на границе раздела между покрытием и подложкой сверх этой температуры 650°С допустим, только если он является коротким, и предпочтительным является нагрев при более низкой температуре.

Удовлетворительная степень термической обработки включает глазурование при относительно высокой температуре, находящейся ближе к верхнему пределу указанного температурного интервала, после чего следуют воздушная закалка и отжиг при температуре ближе к нижнему пределу этого интервала и даже при существенно более низкой температуре. Глазурование выражается в плавлении свободной поверхности покрытия, а отжиг улучшает дно покрытия и преследует цель предупреждения окисления подложки с одновременным решением проблемы внутренних напряжений. Глазурование является коротким, его осуществляют в течение нескольких минут и самое большее примерно 15 минут; его можно производить при температуре примерно от 750°С до 850°С.

В случае осуществления глазурования часть тепла, передаваемая покрытию, предназначена также для нагрева его дна, чтобы отжиг можно было производить ниже температуры 650°С и даже, например, ниже 500°С, то есть близкой к температуре перехода стекла в стеклообразное состояние. Эта стадия отжига длится не менее одного часа и, в случае необходимости, даже больше.

Другой вид термической обработки является аналогичным отжигу по своей длительности, но его осуществляют отдельно без стадии глазурования и при температуре, превышающей температуру, предусмотренную для отжига, в частности, в температурном интервале примерно от 650°С до 750°С. При этом, поскольку возникает риск коррозии подложки, эту обработку следует производить в инертной атмосфере.

Таким образом, можно отметить, что, среди всего прочего, задачей изобретения является устранение противоречия, связанного с необходимостью поверхностного нагрева покрытия до температуры, при которой происходит быстрое окисление подложки.

Осуществление изобретения

I. Таким образом, для выполнения рассматриваемых в рамках изобретения покрытий выбрали стекло с температурой Tg перехода в стеклообразное состояние примерно ниже 650°С и предпочтительно примерно ниже 500°С, что дает возможность более широкого выбора видов термической обработки и, следовательно, более легкого достижения хороших результатов.

1. Предусматриваемые виды термической обработки должны соблюдать нижеследующие условия.

a) Первым видом термической обработки является глазурование, то есть сильный и короткий нагрев для достижения плавления поверхности или всего объема покрытия, за которым следует воздушная закалка. Чтобы ослабить термические напряжения в результате закалки, глазурование продолжают отжигом при температуре, не достаточной для окисления подложки, которая, как правило, составляет менее 550°С при температуре перехода в стеклообразное состояние 500°С. Глазурование длится несколько минут, а отжиг длится несколько часов. Глазурование осуществляют при температуре, близкой к 3/2 температуры перехода в стеклообразное состояние, которая в данном случае может составлять примерно от 800°С до 850°С.

b) Другая возможность состоит в термической обработке с единым горизонтальным участком профиля при температуре, промежуточной между температурами глазурования и отжига предыдущего вида обработки. Эта промежуточная температура может составлять от 650 до 700°С. Поскольку следует избегать окисления подложки и расширения воздушных пузырьков в покрытии, рекомендуется для работы использовать закрытую герметичную камеру. Поскольку окислительно-восстановительная реакция полностью не прекращается, эти виды термической обработки не должны быть слишком продолжительными.

2. Далее будет рассмотрено влияние других параметров.

a) Способами нанесения покрытия могут быть плазменное напыление, агломерация и сушка, и нанесение геля. Предпочтительно используемые порошки состоят из однородных сферических и мелких зерен (примерно диаметром менее 45 мкм).

b) Керамикой могут быть глинозем, муллит, глинозем с добавлением рутила.

c) Стекло с низкой температурой перехода в стеклообразное состояние может быть обыкновенным промышленным боросиликатным стеклом.

d) Одной из возможностей является нанесение на подложку подслоя перед напылением керамики. Подслой служит для улучшения сцепления покрытия с подложкой. Классические подслои между сталью и керамикой выполняют из сплавов на основе никеля, однако в данном случае от них отказались из-за низкой химической стойкости по отношению к азотным соединениям. Как неожиданно выяснилось, нанесение однородного подслоя на подложку (в частности, нержавеющей стали на нержавеющую сталь другой марки) дает хорошие результаты, несмотря на снижение адаптации коэффициентов теплового расширения, так как подслой не имеет коэффициента расширения, промежуточного между коэффициентами подложки и покрытия, такого как у никелевых сплавов. В этом случае сцепления достигают за счет большей шероховатости подслоя по сравнению с шероховатостью подложки. Предпочтительно подслой выполняют плазменным напылением, как и покрытие. Он может быть выполнен из стали другой марки, чем подложка (например, соответственно 316L и 304L).

II. Далее следует описание нескольких испытаний, показавших удовлетворительные результаты, характеризующие частные варианты выполнения изобретения. Все они проводились со смесью глинозема в количестве 30 мас.% и стекла в количестве 70 мас.%. Стекло является промышленным стеклом марки Escol с температурой перехода в стеклообразное состояние 470°С, коэффициентом теплового расширения 14,47×10-6, гранулометрическим размером от 32 до 45 микрометров и плотностью 2,626 (данные производителя). Двумя основными свойствами этого стекла являются низкая температура перехода в стеклообразное состояние и высокий коэффициент расширения, однако при реальном использовании важным преимуществом будет также химическая стойкость к кислотам. Смесь нанесли на круглые образцы диаметром 25 миллиметров и толщиной 6 миллиметров из нержавеющей стали 304L, при этом по краю выполнили простую скошенную фаску под углом 45° (1×1 мм). Температура текучести смеси, выше которой она может растекаться под действием силы тяжести и, следовательно, проникать в поры, примерно равна 640°С.

1. При первом испытании покрытие подвергли обработке глазурования при 800°С в течение 5 минут, затем воздушной закалке, затем отжигу при 480°С в течение одного часа в окислительной атмосфере. При этом в конце процесса отметили удовлетворительное равномерное покрытие с хорошим сцеплением на образце.

2. Второе испытание проводили аналогичным образом, но с глазурованием при несколько отличной температуре (850°С) при такой же продолжительности 5 минут и без промежуточного плато. После отжига произвели постепенное охлаждение от 480°С до 100°С в течение часа. Внешний вид детали улучшился еще больше при еще большем снижении граничного эффекта.

Аналогичные сравнительные испытания, но без отжига, показали очень плохие результаты по причине сильного расслоения, которое привело к полному разрушению покрытия возле краев образца и к сильному увеличению шероховатости на остальной части. Точно так же, другие сравнительные испытания, произведенные с отжигом, но при большем содержании глинозема, показали сильные расслоения на краях, начиная от значения содержания глинозема в 40 мас.%.

3. Третье удовлетворительное испытание проводили в атмосфере аргона, и образец с покрытием подвергли термической обработке при 700°С в течение часа с повышением температуры на 5°С в минуту. В данном случае тоже осуществили сравнительные испытания. Повышение содержания глинозема в составе смеси привело к еще больше выраженному отслоению, чем в условиях предыдущих испытаний. Испытание повторили также с тем же составом, но в окислительной атмосфере. Было отмечено химическое ухудшение покрытия по причине окисления подложки.

Эти три главные испытания привели к получению покрытий хорошего внешнего вида, выдерживающих напряжение пробоя в 1200 В, 50 Гц, в сухой и влажной (соленой) среде.

Другие испытания провели при температуре 650°С в течение 5 часов с последующим отжигом при 480°С в течение 30 минут. Во всех случаях открытая и сквозная пористость уменьшилась, но появились реакции подложки, которые привели к ее окислению, а также к увеличению внутренних пузырьков.

1. Способ нанесения покрытия на стальные сектора тигля для стеклования, который состоит из стадий, на которых на сталь секторов плазменным напылением наносят смесь из стекла и керамики и полученное покрытие подвергают термической обработке, при этом смесь содержит стекло с температурой перехода в стеклообразное состояние ниже 650°С в количестве от 50 мас.% до 70 мас.% и керамику в количестве от 30 мас.% до 50 мас.%, и термическую обработку осуществляют при максимальной температуре, которая превышает температуру текучести смеси и составляет от 650°С до 850°С.

2. Способ нанесения покрытия по п.1, в котором термическая обработка представляет собой глазурование, осуществляемое при температуре от 750°С до 850°С в течение времени не более 15 минут, с последующим отжигом, осуществляемым при температуре, близкой к температуре перехода стекла в стеклообразное состояние.

3. Способ нанесения покрытия по п.2, в котором стекло имеет температуру перехода в стеклообразное состояние ниже 500°С.

4. Способ нанесения покрытия по п.1, в котором термическая обработка содержит единственную стадию, осуществляемую при температуре от 650°С до 750°С в инертной атмосфере.

5. Способ нанесения покрытия на сектора тигля по п.2, в котором отжиг или единственная стадия термической обработки длится по меньшей мере 1 час.

6. Способ нанесения покрытия на сектора тигля по п.3, в котором отжиг или единственная стадия термической обработки длится по меньшей мере 1 час.

7. Способ нанесения покрытия по п.1, в котором смесь содержит 30 мас.% керамики и 70 мас.% стекла.

8. Способ нанесения покрытия по любому из пп.1-7, который дополнительно содержит нанесение подслоя из нержавеющей стали путем плазменного напыления на подложку перед нанесением смеси из стекла и керамики.

9. Способ нанесения покрытия по любому из пп.1-7, в котором керамику выбирают из глинозема, муллита и глинозема с добавлением рутила.

10. Способ нанесения покрытия по п.8, в котором керамику выбирают из глинозема, муллита и глинозема с добавлением рутила.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вакуумной технике, а именно к устройствам для вакуумного нанесения пленок с использованием электромагнитного излучения. .

Изобретение относится к технологии неорганических веществ и материалов. .

Изобретение относится к технологиям модификации металлических поверхностей, например к технологиям азотирования, цементации, легирования и др. .

Изобретение относится к устройству для плазменного химического парофазного осаждения пленки на поверхности полосообразной подложки и может найти применение при изготовлении дисплеев.

Изобретение относится к полимерным изделиям, имеющим тонкое покрытие, и способу его изготовления. .

Изобретение относится к технологиям получения высокотвердых защитных и функциональных покрытий и может быть использовано для покрытия поверхностей деталей машин и механизмов, трубопроводов и насосов, элементов корпусов, функциональных и несущих металлоконструкций.

Изобретение относится к СВЧ плазменному реактору и может найти применение при формировании пленки большого размера, соизмеримого по диаметру с длиной СВЧ волны. .

Изобретение относится к СВЧ плазменным реакторам для плазмохимического синтеза вещества из газовой фазы. .

Изобретение относится к способу изготовления металлической проволоки для армирования эластомерного материала, металлической проволоки и металлокорду для армирования такого эластомерного материала.

Изобретение относится к способу для формирования тонких пленок оксида на поверхности подложки, устройству для формирования тонких пленок (варианты) и способу мониторинга процесса формирования тонких пленок и может быть использовано при изготовлении упаковок в различных отраслях производства.

Изобретение относится к области плазмохимии, в частности к способу и реактору для плазмохимического синтеза, и может быть использовано при создании плазмохимических реакторов на основе лазеров. Способ включает формирование в реакторе, содержащем лазер, оптически связанный с фокусирующим объективом, и систему подачи реагентов посредством источника плазмы, плазменного образования, воздействие на него лазерным излучением, подачу в упомянутое плазменное образование реагентов и вывод полученных продуктов реакции. Используют набор лазеров с различными длинами волн с резонаторами или с резонаторами и с дополнительными резонаторами, причем плазменное образование располагают в упомянутых резонаторах лазеров. Технический результат заключается в снижении энергозатрат при высоком качестве продукции. 2 н.п. ф -лы, 2 ил.

Изобретение относится к способу управления концентрацией и однородностью распределения легирующей примеси в синтетическом CVD-алмазном материале, используемом в электронных устройствах и датчиках. Алмазный материал получают в микроволновом плазменном реакторе, содержащем плазменную камеру 102, в которой расположена(ы) одна или более подложек-областей поверхности роста 105, поверх которой(ых) осаждается алмазный материал, систему газового потока 112 для подачи технологических газов в плазменную камеру 102, систему 122 удаления их оттуда. Микроволновое излучение подается от микроволнового генератора 106 в плазменную камеру 102 через микроволновую связь 110, чтобы сформировать плазму выше области поверхности роста 105 или ниже области поверхности роста, если микроволновый плазменный реактор находится в инвертированной конфигурации с технологическими газами, протекающими в восходящем направлении. Система газового потока 112 включает в себя газовый впуск, содержащий один или более газовых впускных патрубков 124, расположенных противоположно области поверхности роста 105 и сконфигурированных для инжекции технологических газов по направлению к области поверхности роста 105, причем технологические газы инжектируют в плазменную камеру 102 через один или каждый газовый впускной патрубок 124 с числом Рейнольдса в диапазоне 1-100, которые при этом интегрально сформированы в металлической стенке плазменной камеры 102, расположенной противоположно области поверхности роста 105. Плазменная камера 102 выполнена с возможностью поддержания ТМ011 моды стоячей микроволны, конфигурация микроволновой связи 110 содержит микроволновое окно 119 для подачи микроволнового излучения от микроволнового генератора 106 в плазменную камеру 102, которое расположено на противоположном конце плазменной камеры 102 по отношению к области поверхности роста 105 и выполнено в виде кольцевого диэлектрического окна. Изобретение позволяет достичь однородного химического состава алмазного материала, выращенного в единственном цикле роста при поддержании равномерной плазмы с большой площадью при очень высоких скоростях роста и обеспечивает возможность достижения высокой степени контроля уровня и распределения дефектов и легирующих примесей в алмазной пленке без загрязнений и повреждений стенок и микроволнового окна плазменной камеры, которая при этом может поддерживать компактную ТМ011 моду стоячей микроволны. 14 з.п. ф-лы, 17 ил.

Изобретения могут быть использованы при бактерицидной обработке флюидов, таких как вода и промышленные жидкости. Продукт для очистки флюидов содержит, с одной стороны, пористое тело, имеющее наружную и внутреннюю удельную поверхность, и, с другой стороны, металлизированный слой нанометровой толщины, покрывающий, по меньшей мере, часть наружной и внутренней поверхности пористого тела. Металлизированный слой содержит, по меньшей мере, один металл (Ag), связанный с пористым телом химическими связями, возникшими под действием внутримолекулярных сил. Металлизированный слой содержит кремний (Si), также связанный с пористым телом химическими связями, возникшими в результате действия внутримолекулярных сил. Способ получения продукта (10) для очистки включает обработку пористого тела, имеющего наружную и внутреннюю удельную поверхность, в реакторе осаждения из плазмы инертного газа в условиях радиочастотного разряда. При этом обработку выполняют путем погружения пористого тела в плазму и инжекции металла (Ag) и кремния (Si) в плазму. Изобретения обеспечивают улучшение бактерицидной обработки флюидов при длительном сохранении бактерицидности обработанных флюидов, например, очищенной воды. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к технологиям получения массивов углеродных нанотрубок на поверхности подложки. В реакционной камере формируют поток рабочего газа, содержащего несущий газ, газообразный углеводород и предшественник катализатора для синтеза углеродных нанотрубок. Поток рабочего газа направляют на поверхность подложки со скоростью 100-1000 м/с. Вдоль потока рабочего газа направляют инфракрасное импульсное лазерное излучение с частотой импульсов 5-100 кГц и энергией импульсов 0,05-0,5 Дж для его активации и локального нагрева поверхности подложки до 600-1000°C. Упомянутую реакционную камеру перемещают над поверхностью подложки. В частном случае осуществления изобретения на поверхность подложки дополнительно направляют поток инертного газа, экранирующий зону синтеза углеродных нанотрубок от воздуха, при его давлении, превышающем давление потока рабочего газа. Обеспечивается получение массивов ориентированных углеродных нанотрубок на подложках, имеющих поверхности большой площади - до нескольких квадратных метров. 1 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 пр.

Изобретение относится к технологии получения монокристаллического, полученного химическим осаждением из газовой фазы (ХОГФ), синтетического алмазного материала, который может быть использован в качестве квантовых датчиков, оптических фильтров, частей инструментов для механической обработки и исходного материала для формирования окрашенных драгоценных камней. Алмазный материал имеет общую концентрацию азота непосредственно после выращивания, равную или превышающую 5 ч./млн, и однородное распределение дефектов, которое определяется одной или более из следующих характеристик: (i) общая концентрация азота, когда она отображается масс-спектрометрией вторичных ионов (МСВИ) по площади, равной или превышающей 50×50 мкм, используя область анализа 10 мкм или менее, обладает поточечной вариацией менее чем 30% от среднего значения общей концентрации азота, или когда она отображается посредством МСВИ по площади, равной или превышающей 200×200 мкм, используя область анализа 60 мкм или менее, обладает поточечной вариацией менее чем 30% от среднего значения общей концентрации азота; (ii) концентрация азотно-вакансионных дефектов (NV) непосредственно после выращивания равна или превышает 50 ч./млрд при измерении с использованием замеров УФ-видимого поглощения при 77 К, где азотно-вакансионные дефекты однородно распределены по алмазному материалу так, что при возбуждении с использованием источника лазерного излучения с длиной волны 514 нм с размером пятна равным или меньше чем 10 мкм при комнатной температуре с использованием 50 мВт лазера, работающего в непрерывном режиме, и отображаемая по площади, равной или превышающей 50×50 мкм, с интервалом данных менее 10 мкм, имеется низкая поточечная вариация, где отношение площадей интенсивностей азотно-вакансионных пиков фотолюминесценции между областями высокой интенсивности фотолюминесценции и областями низкой интенсивности фотолюминесценции составляет менее 2 для либо пика фотолюминесценции (NV0) при 575 нм, либо пика фотолюминесценции (NV-) при 637 нм; (iii) вариация в рамановской интенсивности такова, что при возбуждении с использованием источника лазерного излучения с длиной волны 514 нм (приводящему к рамановскому пику при 552,4 нм) с размером пятна, равным или меньше чем 10 мкм, при комнатной температуре с использованием 50 мВт лазера, работающего в непрерывном режиме, и отображаемая по площади, равной или превышающей 50×50 мкм, с интервалом данных менее 10 мкм, имеется низкая поточечная вариация, где отношение площадей рамановских пиков между областями низкой рамановской интенсивности и высокой рамановской интенсивности составляет меньше 1,25; (iv) концентрация азотно-вакансионных дефектов (NV) непосредственно после выращивания равна или превышает 50 ч./млрд при измерении с использованием замеров УФ-видимого поглощения при 77 К, где при возбуждении с использованием источника лазерного излучения с длиной волны 514 нм с размером пятна, равным или меньше чем 10 мкм, при 77 К с использованием 50 мВт лазера, работающего в непрерывном режиме, интенсивность при 575 нм, соответствующая NV0, превышает более чем в 120 раз рамановскую интенсивность при 552,4 нм, и/или интенсивность при 637 нм, соответствующая NV-, превышает более чем в 200 раз рамановскую интенсивность при 552,4 нм; (v) концентрация одиночных азотных дефектов замещения (Ns) равна или превышает 5 ч./млн, где одиночные азотные дефекты замещения однородно распределены по монокристаллическому, полученному ХОГФ, синтетическому алмазному материалу, так что используя характерное инфракрасное поглощение при 1344 см-1 и делая выборку площади больше чем площадь 0,5 мм2, вариация, выведенная делением стандартного отклонения на среднее значение, составляет менее 80%; (vi) вариация в интенсивности красной люминесценции, определенная посредством стандартного отклонения, разделенного на среднее значение, составляет менее 15%; (vii) среднее стандартное отклонение в концентрации нейтрального одиночного азота замещения составляет менее 80%; и (viii) интенсивность окраски, измеренная с использованием гистограммы изображения, полученного микроскопией, со средним уровнем яркости больше чем 50, где интенсивность окраски является однородной по монокристаллическому синтетическому алмазному материалу, так что вариация в сером цвете, характеризующаяся стандартным отклонением уровня яркости, разделенным на среднее значение уровня яркости, составляет менее 40%. Алмазный материал имеет высокое и однородное распределение общих азотных дефектов, одиночных азотных дефектов замещения Ns, азотно-вакансионных дефектов NV, не имеет полосчатости в условиях фотолюминесценции. Однородность достигается по всему алмазному материалу, выращенному в ходе одного цикла и от цикла к циклу выращивания. 19 з.п. ф-лы, 8 ил., 5 табл.

Изобретение относится к плазменным СВЧ реакторам для газофазного осаждения алмазных пленок в потоке газа (варианты). Выполнение реактора на основе двух связанных резонаторов - цилиндрического резонатора и прикрепленного к его торцевой стенке круглого коаксиального резонатора, вдоль оси которых (соосно резонаторам) располагается реакционная камера в виде диэлектрической трубы, позволяет генерировать и поддерживать аксиально-симметричную плазму в реакционной камере только в одной единственной области резонатора около подложки. Выбор диаметра d этой реакционной камеры, удовлетворяющего условию: d2<V/p·C, где V - скорость внешнего потока газовой смеси в см/с, p - давление газовой смеси в реакционной камере в Торрах, С - константа, имеющая размерность [1/см·с·Торр] и равная 10-3, позволяет при поглощаемой в плазме мощности, большей 500 Вт, обеспечить ламинарный безвихревой поток газовой смеси над подложкой, что в свою очередь дает возможность быстрой замены осаждаемой газовой смеси, и, таким образом, позволяет наносить на подложку многослойные поли- или монокристаллические алмазные пленки, имеющие различающиеся электрофизические характеристики слоев. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к способу ввода пучка электронов в среду с повышенным давлением, при котором подачу газа осуществляют через систему напуска в сопловой блок, состоящий из двух кольцевых сопел (внутреннего и внешнего, по оси внутреннего кольцевого сопла имеется отверстие для прохождения пучка электронов), при расширении из которого в среду с повышенным давлением в приосевой области течения формируется «зона спокойствия», параметры которой зависят только от параметров, определяющих работу внутреннего кольцевого сопла (в частности, его геометрии и расхода газа), являющаяся частью транспортного канала для ввода пучка электронов из объема электронной пушки в среду с повышенным давлением. При этом пучок электронов перед поступлением в среду с повышенным давлением пропускают через секцию откачки обратного потока, а расходы газа внутреннего и внешнего кольцевых сопел G1 и G2 поддерживают такими, чтобы соотношение G2/G1 находилось в диапазоне от 7 до 8. Предлагаемое изобретение позволяет упростить систему шлюзовых камер и уменьшить общее количество камер системы. 6 ил., 3 пр.

Изобретение относится к устройству для осуществления процесса плазменного химического осаждения из паровой фазы. Цилиндрический резонатор устройства плазменного химического осаждения стекломатериала из паровой фазы на внутреннюю поверхность подложки в виде трубки содержит наружную цилиндрическую стенку, выполненную с резонансной полостью, проходящей в периферийном направлении вокруг оси цилиндра, боковую стенку с частями, ограничивающими резонансную полость в направлении оси цилиндра, и щелевую структуру, расположенную в периферийном направлении вокруг оси цилиндра с обеспечением доступа микроволновой энергии из резонансной полости радиально внутрь упомянутой трубки. Щелевая структура содержит щелевые секции, которые взаимно смещены в направлении цилиндра. Обеспечивается осаждение материала со значительно меньшей или даже нулевой неоднородностью толщины и/или коэффициента преломления. 16 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к способам получения монолитных соединений стержней из поликристаллических алмазов, предназначенных для использования в производстве приборов электроники, оптики, СВЧ-техники, в частности для изготовления диэлектрических опор в лампах бегущей волны (ЛБВ), использующих низкий коэффициент поглощения на частотах генерации. Способ сращивания компонентов из поликристаллических CVD-алмазов в СВЧ- плазме заключается в том, что торцы соединяемых образцов поликристаллического алмаза (ПКА) размещают на промежуточной монокристаллической алмазной подложке (ПМАП) на ростовой грани {100}, которая перпендикулярна к направлению оси сращиваемого соединения, навстречу друг другу с зазором S не менее (0,5-5,0)⋅h, где h - высота ПКА, при этом торцы ПКА выполнены со скосами с углом раскрытия α(°)=tg(Vэ.пка⋅τ)/(Vэ.мка/⋅τ), где τ - полное время роста сварного соединения, Vэ.пка - скорость встречного роста слоев на ПКА и на боковой грани {111} ПМАП, Vэ.мка - скорость эпитаксиального роста монокристаллического слоя алмаза на ростовой грани {100} ПМАП. Монолитное соединение создается методом одновременного эпитаксиального ускоренного и замедленного роста CVD-слоев на промежуточной монокристаллической алмазной подложке (ПМАП) и встречно растущих слоев на гранях ПМАП и сращиваемых торцах ПКА перпендикулярно направлению оси соединения, на оптимальном расстоянии от основания соединяемых компонентов, торцы которых выполнены со скосами, равными половине угла раскрытия монолитного неразъемного соединения α(°). Изобретение обеспечивает экономию затрат времени и средств на выращивание заготовок большого размера, замену их менее дорогостоящими заготовками меньшего размера и удовлетворяющими требованиям вырезки из них элементов стержней опор для ЛБВ, приобретающих нужную длину после сращивания. 2 ил., 2 табл., 1 пр.

Изобретение относится к структуре двухкаскадного тонкопленочного солнечного модуля (фотопреобразователя) на основе аморфного и микрокристаллического кремния. Тонкопленочный солнечный модуль состоит из последовательно расположенных: фронтальной стеклянной подложки, фронтального контактного слоя из прозрачного проводящего оксида, подслоя из нестехиометрического карбида кремния р-типа, аморфного и микрокристаллического каскадов, соединенных последовательно. Аморфный каскад состоит из р-слоя на основе слоя наночастиц кремния в матрице гидрогенизированного нестехиометрического оксида кремния, легированного бором (nc-Si/SiOx:H), являющегося широкозонным окном, собственного слоя на основе аморфного гидрогенизированного кремния (а-Si:H) и n-слоя на основе слоя наночастиц кремния в матрице гидрогенизированного нестехиометрического оксида кремния, легированного фосфором (nc-Si/SiOx:H), являющегося промежуточным отражателем. Микрокристаллический каскад состоит из pin структуры на основе микрокристаллического кремния (uc-Si:H), тыльного контактного слоя из прозрачного проводящего оксида, продольных и поперечных электрических контактных шин, тыльного отражателя, выполняющего герметизирующую функцию, установленного вместе с тыльным стеклом и коммутационной коробки. Способ изготовления тонкопленочного солнечного модуля включает нанесение на фронтальную стеклянную подложку слоя прозрачного проводящего оксида, нанесение подслоя из нестехиометрического карбида кремния методом плазмохимического осаждения из газовой фазы в силан-водородной плазме, на подслой методом плазмохимического осаждения из газовой фазы наносят аморфный каскад. На слой аморфного каскада наносят слой микрокристаллического каскада, затем наносят тыльный контактный слой из прозрачного проводящего оксида, после чего наносят продольные и поперечные электрические шины, поверх которых наносят тыльный отражатель, выполняющий герметизирующую функцию, на который устанавливают тыльное стекло и коммутационную коробку. Обеспечивается снижение фотодеградации при снижении толщины собственного слоя аморфного кремния, повышение стабилизированной эффективности, повышение квантовой эффективности за счет снижения потерь от поглощения. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 1 ил.
Наверх