Сверхширокополосный ограничитель свч-мощности

Авторы патента:

Монастырев Евгений Александрович (RU)

H01L27/10 - содержащие несколько отдельных компонентов с повторяющейся конфигурацией

Владельцы патента RU 2515181:

Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") (RU)

Изобретение относится к СВЧ-монолитным интегральным схемам и предназначено для использования в качестве защитных схем, например в устройствах, содержащих малошумящие усилители. Cхема сверхширокополосного ограничителя СВЧ-мощности отражательного типа согласно изобретению построена не как фильтр нижних частот, а представляет собой отрезок копланарной линии передач (либо копланарной линии передач с заземляющей плоскостью), сочлененный с планарными распределенными pin-структурами, включенными встречно-параллельно относительно соответствующих проводников копланарной линии (либо копланарной линии с заземляющей плоскостью). Изобретение обеспечивает возможность повысить значение верхней рабочей частоты и увеличить максимальное значение входной мощности ограничителя.

1 ил.

Широко известны монолитные интегральные схемы СВЧ-устройств, содержащие pin-структуры [1]. Известна монолитная интегральная схема ограничителя СВЧ-мощности TGL2201, разработанная фирмой TriQuint Semiconductor [2]. Известный аналог выполнен на полуизолирующей подложке из арсенида галлия и содержит два pin-диода вертикальной конструкции на входе интегральной схемы и два таких же pin-диода на выходе схемы. Входная пара диодов, включена встречно-параллельно между микрополосковой линией и «землей», так же как и пара выходных диодов. Входные и выходные пары диодов соединены отрезком микрополосковой линии. В данной схеме pin-диоды выполнены в виде меза-структур на полуизолирующей подложке. Слой n⁺-типа проводимости в диодах сформирован непосредственно на полуизолирующей подложке, поверх которого создан слой i-типа, на котором выращен слой p⁺-типа проводимости. К слоям n⁺- и p⁺-типов сформированы омические контакты.

Недостатком такой конструкции является то, что значение верхней рабочей частоты ограничителя зависит от номиналов емкостей (размеров) pin-диодов и размеров отрезков микрополосковых линий, поскольку данный ограничитель построен как фильтр нижних частот. С другой стороны, максимальное значение входной мощности в ограничителе также лимитировано размерами этих pin-диодов. Поэтому увеличение верхней рабочей частоты ограничителя невозможно без ухудшения мощностных характеристик.

Прототипом предлагаемого изобретения является монолитная интегральная схема сверхширокополосного ограничителя СВЧ-мощности, рассмотренная в работе [3]. Она выполнена на полуизолирующей подложке из арсенида галлия и содержит группу pin-диодов на входе интегральной схемы и группу pin-диодов на выходе схемы. Входные и выходные диоды соединены отрезком микрополосковой линии. В данной схеме pin-диоды изготовлены в виде меза-структур на полуизолирующей подложке. В pin-диодах слой n⁺-типа проводимости сформирован непосредственно на полуизолирующей подложке, поверх которого создан слой i-типа, на котором выращен слой p⁺-типа проводимости. К слоям n⁺- и p⁺-типов сформированы омические контакты.

Технический результат, на который направлено заявляемое решение, состоит в устранении указанного недостатка.

Этот результат достигается тем, что в отличие от прототипа вместо групп pin-диодов, соединенных микрополосковой линией, в предлагаемом изобретении на полуизолирующей подложке создан отрезок копланарной линии (либо копланарной линии с заземляющей плоскостью), у которой три металлических проводника целиком накрывают четыре полоски из сильнолегированных полупроводниковых слоев, сформированных на одной поверхности полуизолирующей подложки и расположенных в следующей последовательности: p⁺, n⁺, p⁺, n⁺, при этом два проводника на крайних полосках заземлены, а третий проводник лежит одновременно на двух средних полосках, образуя центральный сигнальный проводник.

В режиме пропускания предлагаемый ограничитель функционирует как копланарная линия (копланарная линия с заземляющей плоскостью), которая представляет собой разновидность линии передач с предельно высокими верхними рабочими частотами. В режиме ограничения происходит резкое уменьшение сопротивления между сформированными распределенными планарными pin-структурами и устройство работает как ограничитель отражательного типа.

На фиг.1 схематично представлена одна из возможных конструкций предлагаемой схемы. Ограничитель выполнен в виде монолитной интегральной схемы на полуизолирующей подложке 1. На одной поверхности подложки сформированы четыре полоски из сильнолегированных полупроводников 2, 3, 4 и 5. Полоски 2 и 4 выполнены из полупроводника p⁺-типа проводимости, а полоски 3 и 5 выполнены из полупроводника n⁺-типа проводимости. Поверх слоев 2 и 5 созданы свои металлические проводники 6 и 7. А поверх слоев 3 и 4 лежит только один металлический проводник 8. Металлические проводники 6, 7 и 8 создают омические контакты к полупроводниковым полоскам 2, 3, 4 и 5. С противоположной стороны подложки 1 также сформирован металлический проводник 9, соединенный с проводниками 6 и 7 с помощью металлизированных отверстий, неоказанных на фиг.1. Полуизолирующая подложка 1 вместе с металлическими проводниками 6, 7, 8 и 9 и полосками из сильнолегированных полупроводников 2, 3, 4 и 5 представляют собой копланарную линию с заземляющей плоскостью 9. Входом схемы является один конец линии, а выходом - другой. Пары полосок 2, 3 и 4, 5 представляют собой планарные распределенные pin-структуры, включенные встречно-параллельно относительно центрального проводника копланарной линии 8 и заземленные проводниками 6, 7 и 9.

Пример практического исполнения. Монолитная интегральная схема сверхширокополосного ограничителя СВЧ-мощности изготавливалась на подложке 1 из полуизолирующего арсенида галлия. На подложке 1 с использованием методов молекулярно-лучевой эпитаксии, обычной фотолитографии, химического травления, селективного травления эпитаксиальных слоев формировали полоски из сильнолегированных полупроводников 2, 3, 4 и 5. Полоски 2 и 4 p⁺-типа проводимости выращивались с концентрацией равновесных дырок 1·10¹⁹ см^-3 и толщиной 0,15 мкм, а полоски 3 и 5 n⁺-типа проводимости выращивались с концентрацией равновесных электронов равной 1·10¹⁹ см^-3 и толщиной 0,15 мкм.

С использованием стандартных приемов, включающих методы фотолитографии, методы напыления тонких пленок металлов золота, германия, никеля, цинка, электрохимического осаждения золота, формировали металлические проводники 6, 7, 8 и 9 толщиной 4 мкм. В результате было получено устройство, показанное на фиг.1, представляющее копланарную линию передач с заземленной плоскостью, сочлененную с планарными, распределенными pin-структурами.

Работа устройства

В режиме пропускания на вход ограничителя подается СВЧ-мощность с амплитудой сигнала меньшей амплитуды включения pin-структуры, образованной полосками 2, 3 и заключенным между ними участком подложки 1, а также pin-структуры, образованной полосками 4, 5 и заключенным между ними участком подложки 1. При этом предлагаемое устройство представляет собой копланарную линию передач с заземленной плоскостью, которая характеризуется сверхширокой полосой пропускания с предельно высокой верхней рабочей частотой. Причем верхняя рабочая частота в предлагаемом устройстве всегда будет существенно выше, чем у сверхширокополосных ограничителей, построенных по схеме фильтра нижних частот.

В режиме ограничения на вход ограничителя подается СВЧ-мощность с амплитудой сигнала большей или равной амплитуде включения pin-структуры, образованной полосками 2, 3 и заключенным между ними участком подложки 1, а также pin-структуры, образованной полосками 2, 3 и заключенным между ними участком подложки 1. В режиме ограничения участки подложки 1 между полосками 2, 3 и полосками 4, 5 заполняются неравновесными электронами и дырками, а сопротивления этих участков резко падают. Устройство работает как ограничитель отражающего типа и в устройстве происходит ограничение величины входной мощности. В режиме ограничения предложенная конструкция выдерживает значительно большую величину максимальной входной мощности в сравнении с прототипом, поскольку мощность в схеме рассеивается на площади кристалла, которую занимают распределенные pin-структуры. А эта площадь существенно выше, чем площадь диодов ограничителя у прототипа.

Таким образом продемонстрирована работа предлагаемого сверхширокополосного ограничителя СВЧ-мощности, в котором решены две задачи. Первая задача - увеличение верхней рабочей частоты. Вторая задача - увеличение максимального значения входной мощности.

Использование предложенной конструкции сверхширокополосного ограничителя позволит существенно расширить частотный диапазон существующих защитных устройств и повысить их стойкость к воздействию высокого уровня входной мощности и увеличить надежность.

Источники информации

l. J.V.Bellantoni, D.C.Bartele, D. Payne and et. al. Monolithic GaAs p-i-n Diode Switch Circuits for High-Power Millimeter-Wave Applications // IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, VOL.31. NO.12., DECEMBER, 1989, pp.2162-2165.

2. James M. Carrol. Performance Comparison of Single and Dual Stage MMIC Limiters// 2001 IEEE MTT-S Digest, pp.1341-1344.

3. D.G.Smith, D.D.Heston, J.Heston, B.Heimer, K.Decker. Designing reliable high-power limiter circuits with LIMITER GaAs PIN diodes // 2002 IEEE MTT-S Digest, pp.1245-1247.

Сверхширокополосный ограничитель СВЧ-мощности, содержащий pin-структуры с металлическими контактами, включенные встречно-параллельно, отличающийся тем, что на полуизолирующей подложке создан отрезок копланарной линии передачи (либо копланарной линии с заземляющей плоскостью), у которой три металлических проводника целиком накрывают четыре полоски из сильнолегированных полупроводниковых слоев, сформированных на одной поверхности полуизолирующей подложки и расположенных в следующей последовательности: p⁺, n⁺, p⁺, n⁺, при этом два проводника на крайних полосках заземлены (соединены с заземляющей плоскостью), а третий проводник лежит одновременно на двух средних полосках, образуя центральный сигнальный проводник.

Изобретение относится к микроэлектронике. .

Прибор с картой памяти обновленных алгоритмов измерения и способы ее применения // 2388407

Изобретение относится к медицинской технике, а именно к средствам для определения концентрации анализируемого вещества. .

Ячейка памяти со структурой проводящий слой-диэлектрик-проводящий слой // 2376677

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и наноэлектроники. .

Интегральный двунаправленный четырехконтактный коммутатор на основе комплементарных квантовых областей // 2304825

Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники. .

Интегрированные транзисторно-запоминающие структуры и массив подобных структур с матричной адресацией // 2287205

Изобретение относится к интегрированным транзисторно/запоминающим структурам. .

Интегральный полевой транзистор с размерным квантованием энергии // 2257642

Полупроводниковый прибор с периодической структурой электронно-дырочной плазмы - "периплазм" // 2245590

Полупроводниковое запоминающее устройство // 2216819

Полупроводниковое запоминающее устройство с конденсаторами, образованными над и под транзистором ячейки памяти (варианты), и способ его изготовления // 2194338

Фоточувствительная микросхема с зарядовой связью // 2087051

Схемная структура с по меньшей мере одним конденсатором и способ ее изготовления // 2082258

Фотоэлектрический модуль со стабилизированным полимером // 2528397

Изобретение относится к композиции для уменьшения пожелтения и способу получения такой композиции. Композиция состоит из фотоэлектрического устройства, содержащего металлический компонент, поливинилбутирального слоя, расположенного в контакте с указанным металлическим компонентом, и защитной подложки, являющейся второй подложкой, расположенной в контакте с указанным поливинилбутиральным слоем. Поливинилбутиральный слой содержит 1Н-бензотриазол или соль 1Н-бензотриазола. Технический результат - получение композиции, пригодной для устойчивого, долгосрочного применения в фотоэлектрических модулях с металлическими элементами. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 3 табл., 3 пр., 1 ил.

Кмоп кни интегральная микросхема с повышенной радиационной стойкостью // 2545325

Изобретение относится к субмикронным КМОП КНИ ИМС, действующим в условиях воздействия радиационного излучения. Усовершенствованная КМОП КНИ ИМС содержит систему-на-кристалле, выполняющую функции преобразования и/или хранения информации, и содержит генератор отрицательного напряжения, включающий последовательно соединенные блок управления, реализующий функцию сравнения нормированных токов утечки подложечных P-канальных и N-канальных транзисторов, пороговое устройство, формирователь тактовых импульсов и блок накачки заряда. Формирователь тактовых импульсов, имеющий управляющий вход, реализует внутреннюю логику функционирования генератора отрицательного напряжения путем включения и выключения формирователя тактовых импульсов в зависимости от логического уровня напряжения на этом входе. В варианте изобретения генератор отрицательного напряжения имеет первый и второй внешние входы, реализующие внешнюю логику функционирования генератора отрицательного напряжения, в соответствии с которой при первой комбинации логических уровней на этих входах генератор отрицательного напряжения функционирует в соответствии с его внутренней логикой, при второй комбинации логических уровней напряжения на этих входах генератор отрицательного напряжения включен, при третьей - выключен. Изобретение обеспечивает минимизацию статического тока потребления, расширение области работоспособности и повышенную радиационную стойкость. 7 з.п. ф-лы, 10 ил., 2 табл.

Четырехконтактный элемент интегрального коммутатора // 2597677

Изобретение относится к области интегральной электроники, а именно - к элементам интегральных коммутаторов. Для увеличения быстродействия и расширения функциональных возможностей в четырехконтактный элемент интегрального коммутатора, содержащий полуизолирующую GaAs-подложку, области GaAs и AlGaAs-спейсера собственной проводимости, барьерную область AlGaAs второго типа проводимости, область GaAs второго типа проводимости, расположенную над ней и образующую с ней переход Шоттки управляющую металлическую шину, первую и вторую высоколегированные области второго типа проводимости, первую и вторую металлические шины, образующие с высоколегированными областями второго типа проводимости омические контакты, введены расположенные над областью GaAs второго типа проводимости и образующие с ней переходы Шоттки первая, вторая и третья дополнительные управляющие металлические шины, третья и четвертая высоколегированные области второго типа проводимости, третья и четвертая металлические шины, причем области GaAs, AlGaAs-спейсера собственной проводимости, барьерная область AlGaAs и область GaAs второго типа проводимости имеют форму восьмиугольника, а управляющие металлические шины имеют форму ломаной, состоящей из трех отрезков, с взаимным расположением смежных отрезков под углом 135°. 2 ил.

Кмоп кни интегральная микросхема с повышенной радиационной стойкостью (варианты) // 2601251

Изобретение относится к субмикронным КМОП КНИ ИМС, действующим в условиях воздействия больших доз радиационного облучения, характерных для длительной эксплуатации космических аппаратов в дальнем космосе. КМОП КНИ ИМС с повышенной радиационной стойкостью содержит систему-на-кристалле, выполняющую функции преобразования и/или хранения информации, и генератор отрицательного напряжения, включающий последовательно соединенные устройство управления и блок накачки заряда, выход которого является выходом генератора отрицательного напряжения и соединен с выводом подложки КМОП КНИ ИМС, устройство управления реализует по меньшей мере функцию формирования тактовых импульсов и имеет по меньшей мере один выход тактовых импульсов, выходы тактовых импульсов устройства управления соединены с соответствующими входами тактовых импульсов блока накачки заряда. Блок накачки заряда по первому варианту изобретения включает по меньшей мере два МОП транзистора и один конденсатор, причем все МОП транзисторы в составе блока накачки заряда являются P-канальными. По второму варианту изобретения блок накачки заряда включает по меньшей мере один конденсатор и по меньшей мере два латеральных биполярных диода, реализованные в едином КМОП КНИ технологическом процессе наряду с КМОП транзисторами. Изобретение обеспечивает расширение работоспособности субмикронных КМОП КНИ ИМС в область воздействия больших доз радиационного облучения за счет исключения радиационно-индуцированных токов утечки в транзисторах блока накачки заряда, и тем самым исключения отказов блока накачки заряда и КМОП КНИ ИМС в целом. 5 з.п. ф-лы, 6 ил.

Оксид р-типа, получение оксидной композиции р-типа, способ получения оксида р-типа, полупроводниковый прибор, индикаторное устройство, аппаратура воспроизведения изображения и система // 2556102

Изобретение относится к оксиду р-типа, оксидной композиции р-типа, способу получения оксида р-типа, полупроводниковому прибору, аппаратуре воспроизведения изображения и системе. Оксид р-типа является аморфным соединением и представлен следующей композиционной формулой: xAO∙yCu2O, где x обозначает долю молей AO и y обозначает долю молей Cu2O, x и y удовлетворяют следующим условиям: 0≤x<100 и x+y=100 и А является любым одним из Mg, Са, Sr и Ва или смесью, содержащей, по меньшей мере, два элемента, выбранные из группы, состоящей из Mg, Са, Sr и Ва. Оксид р-типа производится при относительно низкой температуре и в реальных условиях и способен проявлять отличные свойства, то есть достаточную удельную электропроводность. 7 н. и 4 з.п. ф-лы, 36 ил., 8 табл., 52 пр.