Устройство зажигания для дуговых источников

Авторы патента:

КРАССНИТЦЕР Зигфрид (AT)

ХАГМАНН Юрг (CH)

ГШТЕЛЬ Оливер (LI)

H01J37/32 - газонаполненные разрядные приборы (нагрев за счет разряда H05B)

Владельцы патента RU 2516453:

ЭРЛИКОН ТРЕЙДИНГ АГ, ТРЮББАХ (CH)

Изобретение относится к устройству зажигания для зажигания разряда током большой силы электродугового испарителя в установке нанесения покрытий вакуумным напылением. Зажигание осуществляется посредством механического замыкания и размыкания контакта между катодом и анодом. Контакт устанавливается посредством пальца зажигания, перемещаемого по вынужденной траектории. С помощью вынужденной траектории палец зажигания посредством простого механического привода переводится в положение ожидания, защищенное от воздействия наносимого покрытия, и, кроме того, может использоваться для зажигания второй мишени. Технический результат - упрощение устройства.2 н. и 7 з.п. ф-лы, 6 ил.

Настоящее изобретение относится к устройству зажигания для зажигания разряда током большой силы электродугового испарителя в установке нанесения покрытий вакуумным напылением согласно родовому понятию пункта 1 формулы изобретения.

Вышеупомянутый электродуговой испаритель, также называемый дуговым или искровым источником, применяется для обработки деталей в глубоком вакууме, в особенности для плазменного травления и/или для нанесения покрытий.

Уровень техники

Устройства зажигания дуговых источников испарения могут, по существу, разделяться на 3 группы:

а) Механическое замыкание и размыкание контакта между катодом и анодом, причем ток ограничен дополнительным резистором типично до примерно 5 А. Такой механизм представлен на фиг.1. При этом за счет возвратно-поступательного движения конец запускающего пальца 7 приводится в контакт с катодом 5, и тем самым замыкается токовая цепь. На фиг.1 токовая цепь показана пунктиром. Генератор 3 находится в режиме холостого хода при напряжении холостого хода типично 60-120 В. Ток через запускающий палец 7 ограничивается резистором 9 до величины порядка примерно 5 А. За счет размыкания токовой цепи посредством, например, последующего возвратно-поступательного движения, при котором конец пальца удаляется от катода, вырабатывается искра на поверхности катода. Это является начальной плазмой, которая возобновляется посредством предельно динамического генератора 3. Соответствующий этому токовый контур показан пунктиром.

b) Зажигание дугового разряда посредством электрического пробоя

Это реализуется, например, с помощью устройства, показанного на фиг.2. При этом электрический пробой, выработанный с помощью высоковольтного импульса импульсного генератора 13, вырабатывает начальную искру на мишени 5. Созданная импульсным генератором токовая цепь показана пунктиром. Начальная искра возобновляется посредством дугового источника 3 питания. Соответствующий токовый контур показан пунктиром. Выходной каскад дугового источника питания должен, как правило, защищаться с помощью переключающей схемы 11 от высоковольтного импульса.

с) Зажигание через электропроводный мостик

Это реализуется, например, с помощью устройства, показанного на фиг.3. Во время работы дугового источника наносится покрытие на изолятор 17, который расположен между анодом и катодом 5. В случае нанесения проводящего слоя возникает резистивный мостик 15 от катода к аноду. Посредством высоковольтного импульса (до примерно 500 В), прикладываемого дуговым источником, через это сопротивление от анода к катоду проводится ток, который приводит к локальному расплавлению проводящего слоя 19. Тем самым зажигается дуговой разряд. Этот проводящий слой в процессе работы источника постоянно возобновляется. При первоначальном источнике чаще всего процесс инициализируется посредством дополнительно наносимого частичного серебряного слоя. Этот метод, в общем случае, не функционирует при напыленных изолирующих слоях.

До сих пор были описаны способы, которые только позволяют зажигать искру на катоде или на мишени. В уровне техники известно устройство, которое для запускающего пальца предусматривает дополнительно к возвратно-поступательному движению еще и вращательное движение. Посредством вращательного движения запускающий палец может от первой мишени переворачиваться к по меньшей мере одной другой мишени.

Такое устройство раскрыто в US 6998034. Здесь раскрыт запускающий палец для зажигания одного или более дуговых источников. В описанном устройстве осуществляется переход от мишени 1 к мишени N (например, до четырех мишеней) за счет поворотного и возвратно-поступательного движения. В общем случае недостатком является то, что при этом необходима затратная приводная система.

Поэтому было бы желательным предоставить устройство зажигания, применимое для множества мишеней, на основе механического размыкания и замыкания контакта, которое могло бы обойтись без затратного приводного механизма.

Поэтому задачей предложенного изобретения является предоставление устройства зажигания, которое может размещаться в группе механического размыкания и замыкания контакта, которое выполнено в расчете на множество мишеней и/или в котором применяемая для зажигания контактная часть во время процесса нанесения покрытия защищена от наносимого покрытия. Для этого запускающий палец выполнен подвижным таким образом, что перемещение конца пальца по существу возможно только по вынужденной траектории, причем вынужденная траектория касается и/или пересекает каждую из зажигаемых мишеней по меньшей мере в одной точке. Конец пальца является в этом случае применяемой для зажигания контактной частью. В соответствии с изобретением после зажигания он может проводиться вдоль вынужденной траектории в позицию ожидания на удалении от эффективного пространства мишени, так что он во время процесса нанесения покрытия, по существу, не покрывается. Так как конец пальца не подвергается действию покрытия, могут достигаться более длительные сроки службы. Кроме того, значительно повышается надежность зажигания. Это особенно имеет место для процессов, при которых наносится покрытие на изолирующие слои и, в особенности, слои оксида.

В первой форме выполнения запускающий палец монтируется на поворотной оси, причем поворотная ось размещена между мишенями с наклоном, так что при вращении поворотной оси конец пальца перемещается вдоль кругового сегмента, причем плоскость кругового сегмента пересекает плоскость, в которой размещены две мишени.

Во второй форме выполнения запускающий палец направляется линейно вдоль кулисы. Кулиса обуславливает опускание конца пальца на соответствующую мишень, а также подъем конца пальца от мишени.

Третья форма выполнения предложенного изобретения представляет комбинацию первой формы выполнения и второй формы выполнения. То есть палец вновь смонтирован на поворотной оси. Он смонтирован подвижным образом относительно этой поворотной оси таким образом, что он может вращаться вокруг оси, перпендикулярной к поворотной оси, и перпендикулярно к оси пальца. Это вращение вновь ограничено кулисой. Если поворотная ось поворачивается, то конец пальца перемещается соответственно заданному вращению и соответственно установке посредством кулисы.

Изобретение поясняется более подробно на примерах со ссылками на чертежи с помощью различных форм выполнения.

Фиг.4 показывает первую форму выполнения предложенного изобретения с частью вакуумной камеры 21, в которой предусмотрены две мишени 23, 25 по существу в одной первой плоскости. Кроме того, имеется устройство 27 зажигания с запускающим пальцем 29 и концом 31 пальца. Устройство зажигания содержит также вал 33, на котором жестко закреплен запускающий палец 29. В соответствии с изобретением ось вала 33 образует с нормалью к первой плоскости угол, не равный нулю, так что круговая дуга, на которой перемещается конец 31 пальца при вращении вала 33, лежит в плоскости, которая пересекает плоскость, определенную мишенью, в области мишени. Тем самым конец 31 пальца запускающего пальца 29 может посредством единственного поворотного движения перемещаться реверсивным образом от одной поверхности 23 мишени к другой поверхности 25 мишени.

Посредством наклонно расположенного вала 33 запускающий палец может только за счет поворотного движения установить контакт с поверхностью мишени. В показанной форме выполнения устройство зажигания является симметричным по своей функции и поэтому может применяться для 2 расположенных рядом друг с другом дуговых источников (мишеней). Особенно предпочтительным является то, что запускающий палец 29 после осуществленного зажигания может поворачиваться в зенит круговой дуги, в положение ожидания вне области мишени. За счет этого во время режима нанесения покрытия дуговых источников запускающий палец лишь незначительно загрязняется, что обеспечивает возможность длительного срока его службы без очистки. Другое преимущество этой формы выполнения заключается в том, что точки запуска, то есть точки, в которых конец 31 пальца касается поверхностей мишеней 23, 25, автоматически достигаются за счет отведения запускающего пальца. При изменении поверхностей мишеней, в частности, из-за эрозии мишени ввиду процесса нанесения покрытия за счет этого не требуется никакая юстировка расстояний или возвратно-поступательное движение.

Фиг.5 показывает вторую форму выполнения предложенного изобретения. При этом запускающий палец 501 устанавливается подвижным образом на шине 503 таким образом, что он может перемещаться вдоль шины. Кроме того, запускающий палец мог бы поворачиваться относительно шины 503, если бы не было кулисы 505, которая принуждает запускающий палец перемещаться по вынужденной траектории, когда он сдвигается вдоль шины 503. На фиг.5 показаны 3 мишени 507, 509, 511. Кулиса 505 выполнена таким образом, что при сдвиге запускающего пальца 501 вдоль шины 503 траектория запускающего пальца касается соответствующей поверхности мишени. Специалисту должно быть понятно, что эту форму выполнения можно распространить на любое число мишеней. Кроме того, является предпочтительным, что запускающий палец 501 после осуществленного зажигания может смещаться в положение ожидания вне области мишени.

Фиг.6 показывает другую форму выполнения предложенного изобретения, которая некоторым образом представляет комбинацию первой и второй форм выполнения. Упомянутая во второй форме выполнения кулиса при этом преобразована в цилиндрическую манжету 601. Запускающий палец 603 может вращаться вокруг оси параллельно оси цилиндра и, по существу, в центральной точке цилиндра. Запускающий палец направляется посредством кулисы манжеты по вынужденной траектории.

Изобретение описано с помощью примеров с несколькими мишенями. Вообще следует отметить, что аспект, согласно которому запускающий палец переводится в положение ожидания, защищенное от нанесения покрытия, также может предпочтительным образом использоваться, когда речь идет о том, чтобы с помощью запускающего пальца можно было выполнять зажигание только одной мишени.

Перечень обозначений

1 вакуумная камера

3 генератор

5 катод или мишень

7 запускающий палец

9 резистор

11 защитная переключающая схема

13 генератор импульсов

15 резистивный мост

17 изолятор

19 проводящий слой

21 часть вакуумной камеры

23 мишень

25 мишень

27 устройство зажигания

29 запускающий палец

31 конец пальца

33 вал

501 запускающий палец

503 шина

505 кулиса

507 мишень

509 мишень

511 мишень

601 манжета

603 запускающий палец

1. Дуговой источник с первой мишенью и второй мишенью, причем первая и вторая мишени расположены, по существу, в первой плоскости, и предусмотрено устройство зажигания для зажигания искры на первой мишени и на второй мишени, причем устройство зажигания содержит запускающий палец, установленный подвижно таким образом, что предусмотрены средства для перемещения конца пальца запускающего пальца к поверхности первой мишени и к поверхности второй мишени, причем средства для выполнения перемещения включают в себя привод из группы линейного привода или поворотного привода, отличающийся тем, что привод взаимодействует со средствами направления таким образом, что конец пальца в случае привода перемещается по вынужденной траектории, которая касается обеих мишеней и/или пересекает их.

2. Дуговой источник по п.1, отличающийся тем, что средства для выполнения перемещения включают в себя вал, ось которого наклонена относительно нормали к первой плоскости, и запускающий палец неподвижно закреплен на валу, при этом привод является поворотным приводом, который может приводить вал во вращение, а вынужденная траектория представляет собой круговую дугу, заканчивающуюся соответственно на первой и второй мишенях.

3. Дуговой источник по п.1, отличающийся тем, что средства для выполнения перемещения включают в себя вал и запускающий палец размещен на валу подвижным образом так, что высота запускающего пальца, определяемая вертикальной проекцией конца пальца на вал, является переменной, и средства направления выполнены как отстоящая радиально от вала кулиса, причем привод является поворотным приводом.

4. Дуговой источник по п.1, отличающийся тем, что средства для выполнения перемещения включают в себя шину, на которой запускающий палец установлен с возможностью линейного перемещения, и средства направления выполнены как кулиса.

5. Дуговой источник по п.4, отличающийся тем, что привод является линейным приводом.

6. Дуговой источник по п.4, отличающийся тем, что привод является поворотным приводом, с помощью которого шина может поворачиваться.

7. Устройство для обработки деталей в вакууме с дуговым источником по любому из пп.1-6.

8. Устройство по п.7, которое представляет собой установку для нанесения покрытия.

9. Устройство по п.8, которое представляет собой установку для плазменного травления.

Изобретение относится к способу эксплуатации источника дуги, причем электрический искровой разряд поджигается и управляется на поверхности мишени (5), и искровой разряд управляется одновременно постоянным током, которому сопоставлено постоянное напряжение DV, и вырабатываемым посредством периодически прикладываемого сигнала напряжения импульсным током.

Устройство для плазменной обработки больших площадей // 2507628

Устройство для плазменной обработки больших областей содержит, по меньшей мере, одну плоскую антенну (A), имеющую множество взаимосвязанных элементарных резонансных замкнутых контуров (M1, M2, M3), причем каждый из замкнутых контуров (M1, M2, M3) содержит, по меньшей мере, два электропроводных участка (1,2) цепи и, по меньшей мере, два конденсатора (5, 6).

Способ производства заготовок с травленной ионами поверхностью // 2504860

Изобретение относится к области обработки материалов посредством ионной бомбардировки. Обеспечены планетарные устройства (22) для перемещения для заготовок, установленные на вращающемся устройстве (19) внутри вакуумной камеры.

Способ обработки поверхности, по меньшей мере, одного конструктивного элемента посредством элементарных источников плазмы путем электронного циклотронного резонанса // 2504042

Изобретение относится к области плазменной обработки поверхности. Способ заключается в том, что придают конструктивному элементу или конструктивным элементам (1), по меньшей мере, одно вращательное движение относительно, по меньшей мере, одного ряда неподвижно расположенных в линию элементарных источников (2), причем ряд или ряды расположенных в линию элементарных источников (2) размещают параллельно оси конструктивного элемента или осям вращения конструктивных элементов.

Способ изготовления обработанной поверхности и вакуумные источники плазмы // 2479885

Изобретение относится к области плазменной обработки. .

Плазменная система // 2476953

Изобретение относится к системам для химического осаждения плазмой. .

Способ и устройство для модификации поверхностей // 2470407

Устройство для локального плазмохимического травления подложек // 2451114

Изобретение относится к устройствам локального травления тонких пленок микроэлектроники. .

Электродуговой источник и магнитное приспособление // 2448388

Изобретение относится к электродуговым источникам и может быть использовано для искрового напыления. .

Плазменная сопловая решетка для обеспечения генерирования однородной расширяющейся микроволновой плазмы // 2342734

Микроволновый плазменный реактор для производства синтетического алмазного материала // 2540399

Изобретение относится к области плазменной обработки материалов. Микроволновый плазменный реактор для производства синтетического алмазного материала с помощью химического осаждения из газовой фазы содержит: микроволновый генератор, сконфигурированный для генерации микроволн на частоте f; плазменную камеру, содержащую основание, верхнюю пластину и боковую стенку, простирающуюся от основания до верхней пластины, задавая объемный резонатор, для поддержания микроволновой резонансной моды, причем объемный резонатор имеет центральную вращательную ось симметрии, простирающуюся от основания до верхней пластины, и верхняя пластина установлена поперек центральной вращательной оси симметрии; конфигурацию микроволновой связи для подачи микроволн от микроволнового генератора в плазменную камеру; систему газового потока для подачи технологических газов в плазменную камеру и удаления их оттуда и держатель подложки, расположенный в плазменной камере и содержащий поддерживающую поверхность для поддержания подложки, на которую осаждается синтетический алмазный материал при ее использовании. Объемный резонатор сконфигурирован как имеющий высоту, измеряемую от основания до верхней пластины плазменной камеры, которая поддерживает резонансную моду TM011 между основанием и верхней пластиной на упомянутой частоте f, и объемный резонатор дополнительно сконфигурирован как имеющий диаметр, измеряемый на высоте меньшей, чем 50% высоты объемного резонатора, измеряемой от основания, который удовлетворяет условию того, что отношение высоты объемного резонатора к диаметру объемного резонатора находится в пределах от 0,3 до 1,0. 16 з.п. ф-лы, 3 ил.

Микроволновые плазменные реакторы и подложки для производства синтетического алмаза // 2543986

Микроволновый плазменный реактор для производства синтетического алмазного материала с помощью химического осаждения из газовой фазы содержит: микроволновый генератор, сконфигурированный для генерации микроволн на частоте f; плазменную камеру, содержащую основание, верхнюю пластину и боковую стенку, простирающуюся от упомянутого основания до упомянутой верхней пластины, задавая объемный резонатор для поддержания микроволновой резонансной моды между основанием и верхней пластиной; конфигурацию микроволновой связи для подачи микроволн от микроволнового генератора в плазменную камеру; систему газового потока для подачи технологических газов в плазменную камеру и удаления их оттуда; держатель подложки, расположенный в плазменной камере и содержащий поддерживающую поверхность для поддержания подложки; и подложку, расположенную на поддерживающей поверхности. Подложка имеет поверхность роста, на которую осаждается синтетический алмазный материал при ее использовании, причем размеры и местоположение подложки в пределах объемного резонатора выбираются для создания профиля локализованного осесимметричного электрического поля Ez поперек поверхности роста при ее использовании. Профиль локализованного осесимметричного электрического поля Ez содержит по существу плоский центральный участок, опоясанный кольцом большего электрического поля. Технический результат - повышение однородности и твердости алмазных продуктов. 18 з.п. ф-лы, 8 ил.

Модифицируемая конфигурация магнитов для электродуговых испарителей // 2550502

Изобретение относится к области газоразрядной техники, в частности к электродуговому испарителю для получения покрытий из твердых материалов на инструментах. Электродуговой испаритель снабжен предусмотренной на мишени системой магнитных полей для создания магнитных полей на поверхности мишени и над ней. Система магнитных полей включает в себя краевые постоянные магниты и по меньшей мере одну расположенную позади мишени кольцевую катушку, задаваемый витками внутренний диаметр которой предпочтительно меньше или равен, чем диаметр мишени, краевые постоянные магниты являются сдвигаемыми от мишени перпендикулярно поверхности мишени, и проекция краевых постоянных магнитов на поверхность мишени по сравнению с проекцией кольцевой катушки на поверхность мишени дальше удалена от центра поверхности мишени. Краевые постоянные магниты отодвигают от мишени соответственно возрастающей глубине эрозии мишени. Технический результат - повышение стабильности нанесения покрытия. 6 з.п. ф-лы, 18 ил.

Устройство для нанесения функциональных слоёв тонкоплёночных солнечных элементов на подложку путём осаждения в плазме низкочастотного индукционного разряда трансформаторного типа низкого давления // 2582077

Изобретение относится к плазменной технике, а именно к устройствам для плазменного осаждения пленок, и может быть использовано для изготовления тонкопленочных солнечных элементов, фоточувствительных материалов для оптических сенсоров и тонкопленочных транзисторов большеразмерных дисплеев, для нанесения защитных покрытий. Технический результат - обеспечение возможности осаждать однородные функциональные слои тонкопленочных солнечных элементов большой площади. Для нанесения функциональных слоев тонкопленочных солнечных элементов используют газоразрядное устройство на основе низкочастотного индукционного разряда трансформаторного типа. Устройство содержит разделенные газовыми шлюзами две и более реакционные камеры с подвижной лентообразной подложкой и разрядные камеры с магнитопроводами, выполненные таким образом, что в каждой реакционной камере горит четыре и более плазменных витка низкочастотного индукционного разряда трансформаторного типа, охватывая лентообразную подложку, генерируя ионы и радикалы в непосредственной близости от обрабатываемой поверхности подложки, и взаимно влияя друг на друга, приводя к выравниванию пространственного распределения плотности ионов и радикалов в реакционной камере и, соответственно, к осаждению однородных пленок. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Способ и устройство для производства ацетилена с использованием плазменной технологии // 2588258

Изобретение относится к способу производства ацетилена с использованием плазменной технологии. Способ характеризуется тем, что содержащий, по меньшей мере, один вид углеводорода газ, предпочтительно метан, подается в нетермическую плазму источника плазмы, при этом микроволновая мощность составляет, по меньшей мере, 3 кВт. Также изобретение относится к устройству. Использование предлагаемого изобретения позволяет повысить кпд и избирательность процесса, а также снизить тепловые потери. 2 н. и 18 з.п. ф-лы.

Искровое испарение углерода // 2594022

Изобретение относится к области катодного искрового испарения. Способ импульсного прерывистого искрового разряда осуществляют посредством разряда от конденсатора и током разряда управляют посредством периодического подключения конденсатора. Между импульсами имеются временные интервалы отключения, в течение которых не протекает ток искрового разряда. В течение импульса, то есть в течение временных интервалов подключения, подача зарядов при достижении порога тока приостанавливается и вновь включается, так что в пределах импульса происходит образование подымпульсов. Временные интервалы и подымпульсы в соответствии с изобретением выбираются таким образом, что при повторном подключении конденсатора искровой разряд без труда повторно зажигается. Технический результат - снижение напряжения искового разряда. 3 н. и 3 з.п. ф-лы, 10 ил.

Свч-плазмотрон // 2601290

Изобретение предназначено для использования в плазмохимических технологических процессах при конверсии тетрафторида кремния в моносилан для производства поликристаллического кремния высокой чистоты в микроэлектронной промышленности. Технический результат - увеличение выхода моносилана до 82-90% от теоретического в процессе плазменно-сорбционной конверсии SiF4 за счет использования в цилиндрической разрядной камере электромагнитной волны Н11. Мощность СВЧ-плазмотрона можно увеличивать путем прямого суммирования мощности прямоугольных волноводов с электромагнитной волны Н01, присоединяя их вдоль цилиндрической разрядной камеры под углом 90°. Одновременно увеличивается взрывобезопасность производства за счет полной диссоциации водорода в плазмотроне. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Способ ввода пучка электронов в среду с повышенным давлением // 2612267

Изобретение относится к способу ввода пучка электронов в среду с повышенным давлением, при котором подачу газа осуществляют через систему напуска в сопловой блок, состоящий из двух кольцевых сопел (внутреннего и внешнего, по оси внутреннего кольцевого сопла имеется отверстие для прохождения пучка электронов), при расширении из которого в среду с повышенным давлением в приосевой области течения формируется «зона спокойствия», параметры которой зависят только от параметров, определяющих работу внутреннего кольцевого сопла (в частности, его геометрии и расхода газа), являющаяся частью транспортного канала для ввода пучка электронов из объема электронной пушки в среду с повышенным давлением. При этом пучок электронов перед поступлением в среду с повышенным давлением пропускают через секцию откачки обратного потока, а расходы газа внутреннего и внешнего кольцевых сопел G1 и G2 поддерживают такими, чтобы соотношение G2/G1 находилось в диапазоне от 7 до 8. Предлагаемое изобретение позволяет упростить систему шлюзовых камер и уменьшить общее количество камер системы. 6 ил., 3 пр.

Устройство для плазменно-иммерсионной ионной имплантации при низком давлении // 2615161

Изобретение относится к области ионной имплантации с применением плазмы. Устройство для ионной имплантации содержит корпус, соединенный с насосным устройством; отрицательно поляризованный НТ держатель подложки PPS, размещенный в указанном корпусе; и плазмоподающее устройство АР, выполненное в форме цилиндрического тела, проходящего между начальным участком и замыкающим участком. Устройство содержит также главную камеру PR, снабженную ионизационной ячейкой ВС1, ANT1, причем главная камера PR снабжена газоподводящим отверстием, а конечный участок главной камеры снабжен средствами уменьшения напора для создания перепада давления относительно указанного тела. Кроме того, плазмоподающее устройство АР дополнительно содержит вспомогательную камеру AUX, размещенную вне конечного участка, при этом вспомогательная камера сообщается с корпусом ENV на замыкающем участке. Технический результат- повышение качества имплантации. 13 з.п. ф-лы, 4 ил.

Устройство и способ для плазменного нанесения покрытия на подложку, в частности, на прессовальный лист // 2615743

Изобретение относится к устройству (100…103) для плазменного нанесения покрытия на подложку (2), в частности прессовальный лист, и способу плазменного нанесения покрытия. Устройство содержит вакуумную камеру (3) и расположенный в ней электрод (400…409), который сегментирован, при этом каждый из электродных сегментов (500…512) имеет собственный соединительный вывод (6) для источника (700…702) электрической энергии. Размер электродного сегмента (500…512) выбран из условия обеспечения электрической энергии внутри электродного сегмента (500…512), не достаточной для электрического пробоя. При нанесении покрытия подложку (2) позиционируют напротив указанного электрода (400…409) и включают предназначенный электродному сегменту (500…512) электрода (400…409) источник (700…706) энергии. Вводят газ, который вызывает стимулированное плазмой химическое осаждение из газовой фазы на подложку (2). 6 н. и 19 з.п. ф-лы, 12 ил.