Способ определения длительности времени плазмохимического травления поверхности полупроводниковых пластин для субмикронных технологий



Владельцы патента RU 2535228:

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет" (RU)

Изобретение относится к области микроэлектроники. Технический результат направлен на повышение достоверности определения типа и количества загрязняющих примесей на поверхности полупроводниковых пластин после плазмохимического травления и определения оптимального значения длительности времени травления. В способе определения длительности времени плазмохимического травления поверхности полупроводниковых пластин для удаления пленок с немаскированных поверхностей и получения чистой поверхности осуществляется травление нескольких пластин в течение разных длительностей времени, определяются количества остаточных и загрязняющих примесей на поверхностях пластин и определяется длительность времени травления по времени травления пластины с минимальным количеством загрязняющих примесей на поверхности, при этом определение количества остаточных и загрязняющих примесей на поверхностях пластин производится зондированием поверхностей ионными пучками гелия и неона с энергиями 1-5 кэВ, плотностью тока пучка менее 100 мкА/см2 и регистрацией энергетического спектра отраженных ионов под углом рассеяния более 90° и по энергиям и величинам максимумов в спектре определяется соответственно тип и количество загрязняющих примесей. 1 ил.

 

Предлагаемое изобретение относится к области нано- и микроэлектроники и аналитического приборостроения и может быть использовано при определении режимов технологических операций плазмохимического травления и других технологических операций обработки полупроводниковых пластин в производстве изделий микро- и наноэлектроники, а также в производстве чистых материалов и технологических сред.

Известен способ определения длительности времени плазмохимического травления поверхности полупроводниковых пластин для получения чистой поверхности, заключающийся в травлении пластин и в определении длительности времени травления по наибольшему проценту выхода годных изделий и по возможно более длительному времени травления пластины [Технология СБИС: В 2-кн. Кн. 1. Пер. с англ. / Под ред. С. Зи. - М.: Мир, 1986. 404 с].

Длительность времени плазмохимического травления

полупроводниковых пластин в технологии производства изделий микроэлектроники определяют по времени распыления слоя немаскированного резиста, или диэлектрика и металлической пленки, или определенного слоя полупроводника (например, оксида кремния, нитрида кремния), предположительно содержащего загрязнения, затем по выходу годных изделий корректируют это время в сторону его увеличения или уменьшения. При этом предполагается, что с увеличением времени травления количество поверхностных загрязнений уменьшается. При удалении металлических, диэлектрических пленок или слоя фоторезиста необходимо их удалять по всей поверхности немаскированных площадок. Так как при режимах распыления пленки полупроводник не распыляется, то длительность распыления в сторону увеличения времени должно обеспечивать лучшее качество удаления пленки. Недостатком известного способа является отсутствие прямых контролируемых параметров, характеризующих чистоту поверхности пластины. Процент выхода годных изделий, используемый в качестве критерия правильности выбираемого режима, зависит от большого числа других режимов и однозначно не характеризует качество удаления пленок.

Наиболее близким к предлагаемому изобретению является способ определения длительности времени плазмохимического травления поверхности полупроводниковых пластин для удаления пленок с немаскированных поверхностей и получения чистой поверхности, заключающийся в травлении пластин, в определении типа и количества остаточных и загрязняющих примесей на поверхности пластин и в определении длительности времени травления (Технология СБИС: В 2-кн. Кн. 2. Пер. с англ. / Под ред. С. Зи. - М.: Мир, 1986. 453 с.(Могаб К., Фрейзер Д., Фичтнер У., Паррильо Л., Маркус Л., Стейдел К., Бертрем У.)

Известный способ осуществляется с использованием оже-электронного спектрометра для определения элементного состава поверхности и количества загрязняющих примесей на поверхности пластин. Недостатком известного способа является недостаточная чувствительность метода оже-спектроскопии к загрязнениям во внешнем моноатомном слое поверхности пластин. При сведениях в литературе о толщине анализируемого слоя 3-5 Å реальная глубина выхода оже-электронов в полупроводниках превышает 10 Å. При этом из-за энергетической зависимости сечения ионизации атомов вероятность возбуждения атомов первого слоя меньше, чем нижележащих слоев. В целом, чувствительность (предел обнаружения) загрязняющих примесей метода оже-спектроскопии оказывется недостаточной для контроля чистоты операции плазмохимического травления.

Технический результат направлен на повышение достоверности определения типа и количества загрязняющих примесей на поверхности полупроводниковых пластин после плазмохимического травления и определения оптимального значения длительности времени травления.

Технический результат достигается тем, что в способе определения длительности времени плазмохимического травления поверхности полупроводниковых пластин для удаления пленок с немаскированных поверхностей и получения чистой поверхности, заключающемся в травлении пластин, в определении типа и количества остаточных и загрязняющих примесей на поверхности пластин и в определении длительности времени травления, при этом осуществляется травление нескольких пластин в течение разных длительностей времени, определяются количества остаточных и загрязняющих примесей на поверхностях пластин и определяется длительность времени травления по времени травления пластины с минимальным количеством загрязняющих примесей на поверхности, при этом определение количества остаточных и загрязняющих примесей на поверхностях пластин производится зондированием поверхностей ионными пучками гелия и неона с энергиями 1-5 кэВ, плотностью тока пучка менее 100 мкА/см2 и регистрацией энергетического спектра отраженных ионов под углом рассеяния более 90° и по энергиям и величинам максимумов в спектре определяется соответственно тип и количество загрязняющих примесей.

На рисунке приведены структура пленок на поверхности кремниевой пластины (а) и спектры рассеянных ионов (б) поверхности пленок на кремнии после операции плазмохимического травления (1) и после удаления монослойной пленки атомов фтора (2).

Сущность предлагаемого способа определения длительности времени плазмохимического травления поверхности полупроводниковых пластин для получения чистой поверхности заключается в обнаружении неизвестного ранее процесса накопления технологических загрязнений на поверхности обрабатываемых пластин на финишной стадии травления, когда появляются чистые участки поверхности подложки. Экспериментальными исследованиями на промышленных технологических операциях травления показано, что в процессе травления плазма загрязняется технологическими загрязнениями, в частности атомами деталей, окружающих обрабатываемую пластину. Эти и другие технологические загрязнения адсорбируются на поверхности пластины. Загрязнения с поверхности пленки (например, резиста) удаляются вместе с резистом. На очищенной поверхности подложки, в частности кремния, загрязняющие примеси адсорбируются с большой энергией связи и плазмой удаляются плохо. В зависимости от чистоты технологического оборудования и сред скорость распыления может оказаться меньше скорости адсорбции, и загрязняющие примеси после очистки поверхности подложки от пленки (резиста) будут накапливаться на поверхности пластины. Так как плазма положку не распыляет, то при чистом оборудовании время травления не ограничивается - чем дольше производится травление, тем меньше остаточных загрязнений от удаляемой пленки. Однако любое технологическое оборудование имеет некоторый уровень фоновых загрязнений, которые могут селективно накапливаться на поверхности очищенной пластины. Это предположение было подтверждено экспериментально. Поэтому существует оптимум времени травления, при котором суммарное количество поверхностных загрязнений минимально. Оно соответствует времени травления, при котором количество накапливающиеся технологических загрязнений не превышает количество остаточные загрязнения от удаляемой пленки.

С уменьшением топологической нормы, особенно меньше 2 мкм, и при переходе на наноразмерные структуры существенно повысились требования к минимальной концентрации загрязнений в целом. Поэтому суммарное количество поверхностных загрязнений должно удовлетворять еще этому требованию, которое можно определять в оптимуме времени травления.

Тип и количество поверхностных загрязнений определяется методом спектроскопии обратно рассеянных ионов низких энергий, позволяющим анализировать элементный состав одного внешнего моноатомного слоя поверхности. Такой спектрометр разработан с участием авторов предлагаемого изобретения. Аналитические возможности спектрометра: диапазон анализируемых элементов - все (кроме H и He); толщина анализируемого слоя 1 монослой атомов; диаметр зондирующего ионного пучка - 0.1-1 мм; предел обнаружения - 10+11 ат/см2. Экспериментально установлено, что режимы анализа состава внешнего монослоя применительно к реализации ока пучка менее 100 мкА/см2 и регистрацией энергетического спектра отраженных ионов под углом рассеяния более 90°.

Так как прямой анализ поверхности вскрытых окон на операциях с литографией невозможен из-за большого диаметра зондирующего пучка спектрометра, то контрольно-измерительные операции производятся на тест-площадках, имеющихся или специально создаваемых на поверхности обрабатываемой пластины. Для демонстрации аналитических возможностей спектрометра на рисунке приведены структура пленок на поверхности кремниевой пластины (а) и спектры поверхности до и после ионной бомбардировки. На поверхности кремниевой пластины нанесена пленка окиси кремния SiO2, на которую нанесена пленка нитрида кремния S3N4. Для получения заданного рисунка на поверхность S3N4 была нанесена пленка фоторезиста. После плазмохимического травления фоторезиста с пленкой S3N4 необходимо получить чистую поверхность окиси кремния. Анализ поверхности кремниевых пластин показал, что после плазмохимического травления в HF6 с целью создания заданной топологии внешний монослой на поверхности SiO2 полностью состоит из атомов фтора. После удаления пленки атомов фтора ионной бомбардировкой пучком ионов неона плотностью тока 10-4 А/см2 в течение 100 сек на поверхности кремния обнаружились загрязняющие примеси углерода. График спектра 1 демонстрирует монослойную чувствительность на примере пленки фтора. Под пленкой фтора элементы не видны, а второй и третий слои фтора не могут присутствовать из-за малой энергии связи - газовые атомы одного типа не образуют полиатомные пленки. В результате исследований определены режимы регистрации спектров. Зондирование анализируемой поверхности производится ионными пучками гелия и неона с энергиями 1-5 кэВ с плотностью тока пучка менее 100 мкА/см2. Энергетический спектр отраженных от анализируемой поверхности ионов регистрируется под углом рассеяния более 90о.

Сопоставительный анализ с прототипом и экспериментальные исследования показали, что на поверхности пластин после снятия резиста (пленки) происходит накопление технологических примесей на поверхности и существует оптимальное время травления для получения наиболее чистой поверхности пластины. Для анализа поверхностных загрязнений наиболее чувствительным является спектрометр обратно рассеянных ионов низких энергий с толщиной анализируемого слоя в 1 монослой, что осуществляется при зондировании поверхностей ионными пучками гелия и неона с энергиями 1-5 кэВ с плотностью тока пучка менее 100 мкА/см2 и регистрацией энергетического спектра отраженных ионов под углом рассеяния более 90°. В сравнении с прототипом вводится оптимум времени травления, что предотвращает бесконтрольное загрязнение поверхности подложки после снятия резиста (пленки). Чувствительность контрольного оборудования в сравнении с прототипом лучше более чем на порядок.

Способ определения длительности времени плазмохимического травления поверхности полупроводниковых пластин для удаления пленок с немаскированных поверхностей и получения чистой поверхности, заключающийся в травлении пластин, в определении типа и количества остаточных и загрязняющих примесей на поверхности пластин и в определении длительности времени травления, отличающийся тем, что осуществляется травление нескольких пластин в течение разных длительностей времени, определяются количества остаточных и загрязняющих примесей на поверхностях пластин и определяется длительность времени травления по времени травления пластины с минимальным количеством загрязняющих примесей на поверхности, при этом определение количества остаточных и загрязняющих примесей на поверхностях пластин производится зондированием поверхностей ионными пучками гелия и неона с энергиями 1-5 кэВ, плотностью тока пучка менее 100 мкА/см2 и регистрацией энергетического спектра отраженных ионов под углом рассеяния более 90о и по энергиям и величинам максимумов в спектре определяется соответственно тип и количество загрязняющих примесей.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к процессам обработки поверхности подложек для выявления дефектов линий скольжения.

Изобретение относится к области исследования материалов с помощью оптических средств, а также к технологии изготовления полупроводниковых приборов - для контроля водорода в материале при создании приборов и структур.

Способ включает воздействие на кристалл исходного импульсного поляризованного немонохроматического излучения коротковолнового инфракрасного диапазона для получения исходного импульсного поляризованного излучения коротковолнового инфракрасного диапазона и импульсного поляризованного излучения гармоники видимого диапазона, выделение импульсного поляризованного излучения гармоники видимого диапазона, преобразование его в электрический сигнал, получение зависимости амплитуды электрического сигнала от длины волны импульсного поляризованного монохроматического излучения второй и суммарной гармоник, определение из нее длины волны 90-градусного синхронизма, по значению которого определяют мольное содержание Li2O в монокристалле LiNbO3.

Изобретение относится к контрольно-испытательному оборудованию изделий электронной техники, а именно к устройствам для сортировки на группы по вольт-амперным характеристикам (ВАХ) фотопреобразователей (ФП) в спутниках, и может быть использовано при производстве фотоэлектрических панелей.
Изобретение относится к различным технологическим процессам, а именно к контролю электрических свойств алмазных пластин на промежуточных стадиях технологического процесса изготовления алмазных детекторов ионизирующих излучений.

Изобретение относится к тестированию матричных БИС считывания и может быть использовано для определения координат скрытых дефектов типа утечек сток-исток, которые невозможно обнаружить до стыковки кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов.

Изобретение относится к устройствам, используемым для климатических испытаний полупроводниковых приборов при одновременном измерении их электрических параметров.

Изобретение относится к способу выявления наличия дефектов в светодиодной структуре. Способ контроля качества светодиодной структуры заключается в регистрации излучения светодиодной структуры, обработке излучения для получения характеристик светодиодной структуры, на основе которых судят о качестве светодиодной структуры, при этом для каждой светодиодной структуры из партии изделий регистрируют спектр электролюминесценции, проводят построение зарегистрированного спектра в полулогарифмическом масштабе, разделяют коротковолновую область полученного спектра на участки, которые аппроксимируют определенной зависимостью, и выбирают аппроксимированные участки с максимальным и минимальным наклоном, определяют максимальную и минимальную температуры светодиодной структуры на выбранных участках, вычисляют среднее значение разницы температур, проводят сравнение значения разницы температур для каждой светодиодной структуры со средним, если значение разницы температур больше среднего, делают вывод о низком качестве структуры.

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике. Технический результат - расширение функциональных возможностей одновременного определения электропроводности и толщины полупроводниковых пластин и электропроводности и толщины тонких полупроводниковых эпитаксиальных слоев в структурах «полупроводниковый слой - полупроводниковая подложка».

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к неразрушающим методам контроля структурного совершенства эпитаксиальных слоев кремния, выращенных на диэлектрических подложках, и может быть использовано в технологии микроэлектроники для контроля качества эпитаксиальных слоев кремния в структурах «кремний на сапфире» (КНС).

Изобретение относится к нанотехнологии и может применяться при изготовлении планарных двухэлектродных резистивных элементов запоминающих устройств. Способ получения резистивного элемента памяти включает в себя создание проводящих электродов на непроводящей подложке, напыление в зазор между электродами металлической пленки и последующий термический отжиг пленки. Во время напыления и термического отжига пленки контролируется ее сопротивление, причем напыление останавливают при уменьшении сопротивления до сотен кОм, а отжиг прекращают при резком увеличении сопротивления более чем в 106 раз. Способ обеспечивает четкий контроль готовности изделия во время его изготовления без контроля фактора покрытия, а также позволяет упростить процесс изготовления и увеличить производительность. 4 ил.
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к способам отбраковки мощных светодиодов на основе InGaN/GaN, излучающих в видимом диапазоне длин волн. Способ отбраковки мощных светодиодов на основе InGaN/GaN включает проведение измерений при комнатной температуре в любой последовательности падений напряжения в прямом и обратном направлениях и плотностей тока на светодиодах, отбраковку по определенным критериям, последующее проведение старения светодиодов при определенных условиях, повторное проведение упомянутых измерений при первоначальных условиях, кроме одного, с окончательной отбраковкой ненадежных светодиодов. Изобретение обеспечивает повышение точности отбраковки и расширение области применения светодиодов за счет обеспечения отбраковки ненадежных светодиодов со сроком службы меньше 50000 часов любых производителей без долговременных испытаний.

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники, в частности к модификации электрофизических свойств полупроводниковых транзисторных структур. Способ включает определение критериальных параметров приборов, облучение в пассивном режиме ограниченной выборки однотипных полупроводниковых приборов слабым ИЭМП с варьируемыми параметрами, включая амплитуду импульса, его длительность и частоту следования, обработку экспериментальных данных статистическими методами путем сравнения критериальных параметров полупроводниковых приборов до и после облучения ИЭМП, по результатам которой выявляют положительный эффект модификации и производят повторное облучение необработанных полупроводниковых приборных структур при оптимальных для этого типа приборных структур режимах генерации ИЭМП. При этом в качестве критериального параметра выбирают значение интегрального параметра - коэффициента усиления в схеме с общим эмиттером биполярного транзистора - h21E, а сравнение результатов измерений проводят с использованием двухсвязной доверительной S-области, по результатам которого выносят заключение о степени влияния ИЭМП. Технический результат заключается в повышении точности количественной оценки направленной модификации полупроводниковых приборных структур с использованием ИЭМП. 1 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к испытательной технике, применяемой при прочностных испытаниях (в частности, к испытаниям на прочность электронных плат (ЭП) при изготовлении). Устройство содержит силовой каркас, включающий крепления для установки ЭП и опорные стойки, на которых фиксируется нажимной механизм, измерительный щуп и индикатор. Силовой каркас выполнен из четырех опорных стоек, соединенных стержнями по периметру, причем к двум противоположным стержням крепятся поперечины с установленными на них креплениями для ЭП, с возможностью перемещения ЭП вдоль параллельных стержней и вдоль поперечен. Над ЭП на опорные стойки размещен кондуктор, выполненный из кольца с верхней и нижней сетками, в ячейки которых установлены инденторы до упора в поверхность платы. Над кондуктором на опорные стойки закреплен нажимной механизм, состоящий из крестовины с плитой, а измерительный щуп и индикатор зафиксированы в подвесной узел на поперечинах под ЭП. Количество точек установки инденторов определяется по формулам. Технический результат: разработка простого нагрузочного устройства для испытаний на механические воздействия ЭП. 1 з.п. ф-лы, 7 ил.

Использование: для климатических испытаний готовых полупроводниковых приборов при одновременном измерении их электрических параметров. Сущность изобретения заключается в том, что термокамера содержит корпус, в котором размещена рабочая камера, вентилятор, узел очистки рециркуляционного воздуха, установленный в нагнетательном патрубке и выполненный в виде соосно соединенных суживающегося диффузора с винтообразными канавками на внутренней поверхности и расширяющегося сопла, в котором размещено осушивающее устройство в виде емкости, вентилятор снабжен приводом с регулятором скорости вращения, соединенным с выходами регулятора температуры и регулятора давления, и датчиками температуры и давления, подсоединенными соответственно к регулятору температуры и давления, каждый из которых содержит блок сравнения и блок задания, выпрямитель, который на входе подключен к регулятору скорости в виде блока порошковых электромагнитных муфт привода вентилятора, при этом на внутренней поверхности расширяющегося сопла выполнены винтообразные канавки, узел очистки рециркуляционного воздуха снабжен сеткой, выполненной из биметалла, установленной после внутренней круговой канавки на входе в суживающийся диффузор и соединенной с накопителем загрязнений, при этом на наружной поверхности корпуса расположен тонковолокнистый базальтовый материал, выполненный в виде витых пучков по высоте корпуса. Технический результат: обеспечение возможности поддержания оптимального температурного режима для испытаний электронных изделий при длительной эксплуатации. 5 ил.

Изобретение относится к вопросам проектирования схемотехники и топологии интегральных схем и может быть использовано для коррекции топологии БИС, гибридных тонко- и толстопленочных микросхем, а также совмещенных ГИС. Кроме того, предложенный способ может быть использован также и для восстановления целостности металлизированных шин, создания новых межсоединений и контактных площадок для контроля тестовых структур. Задачей изобретения является снижение стоимости выполнения операции коррекции топологии при минимизации времени на ее проведение. В способе коррекции топологии БИС формирование новых связей между элементами или узлами схемы для осуществления коррекции топологии кристалла производят с помощью индиевых перемычек. Формирование индиевой перемычки между выбранными металлизированными шинами проводят механическим способом с помощью электродов с плоским основанием. 1 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к электронной технике, к области производства и эксплуатации интегральных схем, может быть использовано для проведения комплекса мероприятий по подготовке образцов изделий радиоэлектронной аппаратуры, к проведению испытаний на стойкость, к воздействию ионизирующего излучения космического пространства. Способ декорпусирования интегральных микросхем для последующего проведения испытаний характеризуется тем, что проводят технологическую подготовку испытуемых изделий из выборки партий произвольных функциональных классов, включающую визуальный контроль на отсутствие механических повреждений, идентификацию изделия путем определения типа корпуса и его внутреннего строения, характеристик кристалла, его геометрических размеров, наличия и толщины защитных покрытий, слоев металлизации, электрических характеристик, компонентного состава корпуса, полученные данные используют для определения области, направления, глубины, профиля проводимого далее утонения корпуса, и/или декорпусирования, осуществляемого плазмохимическим, или плазменным, или химическим травлением, с подбором шаблона из химически стойкой резины с окном, определяющим требуемую зону декорпусирования, или механическим или лазерным методами, или их совокупностью, с последующей промывкой испытуемого изделия в ультразвуковой ванне растворителями и выходным визуальным, функциональным, параметрическим контролем его. Изобретение позволяет проводить декорпусирование кристалла электронных микросхем с сохранением их работоспособности. 8 з.п. ф-лы, 4 табл., 1 пр.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для проведения ускоренных испытаний и получения сравнительной оценки надежности металлической разводки при производстве интегральных схем. Изобретение обеспечивает уменьшение времени испытаний тестовых структур, что позволяет увеличить размер выборки при испытаниях и повысить достоверность получаемой информации. В способе оценки надежности металлических проводников интегральных схем, состоящем в проведении ускоренных испытаний металлических проводников при постоянной температуре за счет саморазогрева протекающим током, определяют скорость нарастания сопротивления металлических проводников в зависимости от времени в пологой области, при этом в дальнейшем испытания до наступления отказа металлических проводников не проводятся. 3 табл., 9 ил.

Изобретение относится к области инновационных технологий и может быть использовано для определения параметров кристаллов силленитов, определяющих эффективность перспективных технических систем, и их экспресс-характеризации методами диэлектрической спектроскопии. При соответствующей стартовой подготовке образцов и выборе частоты регистрации, основанном на информации о частотных спектрах, могут быть определены ключевые параметры примесных центров в кристаллах силленитов. Изобретение обеспечивает возможность оценки параметров, характеризующих оптоэлектронные свойства силленитов, по результатам измерений частотных зависимостей проводимости, комплексной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь при разных температурах. 4 ил.

Использование: для определения времени межуровневой релаксации электрона в полупроводниковых квантовых точках. Сущность изобретения заключается в том, что предлагаемый способ проводят в следующем порядке: измеряют спектры фоточувствительности в области поглощения квантовых точек диодных структур при различных температурах и/или напряжениях смещения на диодных структурах, по которым строят температурные и/или полевые зависимости фоточувствительности диодных структур, для всех величин температуры диодных структур и/или напряженности электрического поля в слое квантовых точек - параметров измерения указанной выше фоточувствительности и предполагаемого интервала величин времени межуровневой релаксации электрона τ32 получают температурные и/или полевые зависимости квантовой эффективности эмиссии η0 электронно-дырочных пар, после чего сравнивают логарифмы полученных величин квантовой эффективности эмиссии η0 и η1 с логарифмами построенных величин нормированной фоточувствительности диодных структур в области основного и первого возбужденного оптических переходов в квантовых точках во всем диапазоне указанных параметров измерения для каждой величины времени межуровневой релаксации электрона τ32 с выбранным шагом изменения этой величины в пределах предполагаемого интервала и по величине времени межуровневой релаксации электрона τ32, соответствующей минимальному расхождению сравниваемых величин, судят об искомом времени межуровневой релаксации электрона. Технический результат: обеспечение возможности создания эффективного косвенного способа определения времени межуровневой релаксации электрона в полупроводниковых квантовых точках. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.
© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности 2014-12-10 2014-12-10T13:05:54
Наверх