Полупроводниковое устройство и способ для его изготовления

Изобретение относится к полупроводниковым устройствам. В полупроводниковом устройстве, включающем в себя множество единичных ячеек, расположенных в ряд в одном направлении, и группу межсоединений, которая содержит первое межсоединение и второе межсоединение, второе межсоединение имеет модуль Юнга выше, чем модуль Юнга первого межсоединения, и расположено вдоль концевого участка в упомянутом одном направлении. Изобретение обеспечивает уменьшение разрушений полупроводникового устройства по причине короткого замыкания межсоединения при уменьшенной ширине концевого участка. 5 н. и 15 з.п. ф-лы, 4 ил.

 

Область техники, к которой относится изобретение

[0001] Настоящее изобретение относится к полупроводниковому устройству.

Описание предшествующего уровня техники

[0002] Известно устройство, включающее в себя множество размещенных в нем полупроводниковых устройств, обладающих эквивалентными функциями, реализующими единую функцию. Выложенный патент Японии № 2000-299764 раскрывает конфигурацию блока датчика изображения, включающего в себя множество размещенных в нем устройств фотоэлектрического преобразования.

Сущность изобретения

[0003] Настоящее раскрытие обеспечивает полупроводниковое устройство, включающее в себя множество единичных ячеек, расположенных в ряд в одном направлении, и группу межсоединений. Данная группа межсоединений включает в себя первое межсоединение и второе межсоединение, которое имеет модуль Юнга выше, чем модуль Юнга первого межсоединения, и которое расположено вдоль концевого участка в одном направлении данного полупроводникового устройства.

[0004] Настоящее раскрытие обеспечивает способ для изготовления полупроводникового устройства, включающего в себя множество единичных ячеек, расположенных в ряд в одном направлении, и группу межсоединений, которая включает в себя первое межсоединение и второе межсоединение, имеющее модуль Юнга выше, чем модуль Юнга первого межсоединения. Данный способ включает в себя этапы, на которых формируют множество единичных ячеек и множество групп межсоединений на полупроводниковой подложке и осуществляют резку полупроводниковой подложки вдоль второго межсоединения на, по меньшей мере, одной стороне.

[0005] Дополнительные признаки настоящего раскрытия станут очевидными из нижеследующего описания иллюстративных вариантов осуществления со ссылкой на прилагаемые чертежи.

Краткое описание чертежей

[0006] Фиг.1 представляет собой диаграмму, схематично иллюстрирующую конфигурацию блока датчика изображения в соответствии с первым вариантом осуществления;

[0007] фиг.2 представляет собой диаграмму эквивалентной схемы, иллюстрирующую конфигурацию устройства фотоэлектрического преобразования в соответствии с первым вариантом осуществления;

[0008] фиг.3A и фиг.3B представляют собой соответственно вид сверху и вид в разрезе, иллюстрирующие устройство фотоэлектрического преобразования в соответствии с первым вариантом осуществления; и

[0009] фиг.4 представляет собой вид сверху, иллюстрирующий устройство фотоэлектрического преобразования в соответствии со вторым вариантом осуществления.

Подробное описание вариантов осуществления

[0010] В обычных случаях, когда шаг между смежными устройствами фотоэлектрического преобразования больше, чем шаг между пикселями, включенными в каждое из устройств фотоэлектрического преобразования, ухудшается разрешающая способность на границах устройств фотоэлектрического преобразования. Таким образом, в каждом из устройств фотоэлектрического преобразования расстояние между пикселем, расположенным наиболее близко к концевому участку, и концевым участком предпочтительно уменьшается.

[0011] Однако поскольку на концевом участке каждого из устройств фотоэлектрического преобразования расположены различные межсоединения, когда величины ширины концевых участков уменьшаются, устройство фотоэлектрического преобразования может разрушаться по причине нагрева и механического напряжения, возникающих при осуществлении разделения на кристаллы устройств фотоэлектрического преобразования.

[0012] Далее в настоящем документе описываются варианты осуществления, которые уменьшают случаи возникновения разрушения полупроводникового устройства по причине короткого замыкания межсоединения, даже когда ширина концевого участка полупроводникового устройства уменьшена.

Первый вариант осуществления

[0013] Первый вариант осуществления настоящего раскрытия будет описан со ссылкой на сопроводительные чертежи. В нижеследующем описании данного варианта осуществления в качестве примера полупроводникового устройства взято устройство фотоэлектрического преобразования.

[0014] Фиг.1 представляет собой диаграмму, схематично иллюстрирующую конфигурацию блока IU датчика изображения, включающего в себя множество устройств 101 фотоэлектрического преобразования, размещенных в линию. Блоки датчика изображения используются для устройств считывания изображения, таких как факсимильные устройства, планшетные сканеры и фотокопировальные устройства.

[0015] Устройства 101 фотоэлектрического преобразования размещены в направлении X, то есть в одном направлении, так что пиксели 102, включенные в устройство 101 фотоэлектрического преобразования, размещены в одном направлении. Каждое из устройств 101 фотоэлектрического преобразования включает в себя множество пикселей 102, схему 103 обработки сигналов, периферийную схему 104, а также группу межсоединений, включающую в себя межсоединение 105 и межсоединение 106. Схема 103 обработки сигналов включает в себя усилитель, схему выборки и хранения, а также схему развертки, имеет функцию обработки сигналов, подаваемых от пикселей 102, и имеет столбцовые схемы, соответствующие пикселям 102. Другими словами, предположив, что один из пикселей 102 и соответствующая одна из столбцовых схем CC составляют единичную ячейку, единичные ячейки размещены в линию в одном направлении (направлении X). Периферийная схема 104, служащая в качестве блока генерирования сигналов, генерирует сигналы управления, осуществляющие управление работой пикселей 102 и схемы 103 обработки сигналов, а также генерирует напряжения смещения. Сигналы управления и напряжения смещения, сгенерированные посредством периферийной схемы 104, подаются на пиксели 102 и схему 103 обработки сигналов через межсоединение 105 и межсоединение 106. Следует отметить, что хотя на фиг.1 каждое из межсоединения 105 и межсоединения 106 обозначено посредством одиночного межсоединения, каждое из межсоединения 105 и межсоединения 106 может представлять собой группу межсоединений, включающую в себя множество межсоединений. Следует отметить, что на фиг.1 межсоединения между пикселями 102 и схема 103 обработки сигналов опущены.

[0016] По мере того, как расстояние A между пикселями смежных двух устройств 101 фотоэлектрического преобразования становится больше, ухудшается разрешающая способность, поскольку область, соответствующая расстоянию A, не включает в себя пиксели. Таким образом, расстояние B между пикселем 102, размещенным наиболее близко к концевому участку каждого из устройств 101 фотоэлектрического преобразования, и концевым участком предпочтительно уменьшается. В данном варианте осуществления, предположив, что шаг между единичными ячейками в одном направлении составляет d, расстояние B между концевым участком одной из единичных ячеек, расположенной наиболее близко к концевому участку соответствующего одного из устройств 101 фотоэлектрического преобразования в данном одном направлении, и концевым участком составляет d/2 или менее.

[0017] Фиг.2 представляет собой диаграмму, подробно иллюстрирующую эквивалентную схему пикселей 102 и схему 103 обработки сигналов. Каждый из пикселей 102 включает в себя элемент 201 фотоэлектрического преобразования, МОП транзистор 202 сброса, МОП транзистор 203 усиления, нагрузочный МОП транзистор 204, МОП транзистор 205 выборки и хранения, а также емкость 206. Катод элемента 201 фотоэлектрического преобразования соединен с источником питания через МОП транзистор 202 сброса и соединен с управляющим электродом МОП транзистора 203 усиления. МОП транзистор 203 усиления и нагрузочный МОП транзистор 204 последовательно размещены между источником питания и напряжением земли. Когда нагрузочный МОП транзистор 204 включен, МОП транзистор 203 усиления и нагрузочный МОП транзистор 204 работают в качестве схемы истокового повторителя. МОП транзистор 205 выборки и хранения и емкость 206 функционируют в качестве участка удержания сигнала, который удерживает сигналы, выходящие из МОП транзистора 203 усиления.

[0018] На фиг.2 проиллюстрирована конфигурация схемы 103 обработки сигналов, включающая в себя усилители и схемы выборки и хранения в отдельных столбцах. Емкость 206 соединена с инвертирующим входным контактом инвертирующего усилителя 208 через входную емкость 207. Между данным инвертирующим входным контактом и выходным контактом инвертирующего усилителя 208 параллельно размещены МОП транзистор 209 и емкость 210 обратной связи. Сигнал, сохраненный в емкости 206, усиливается посредством коэффициента усиления, определяемого посредством отношения значения емкости для входной емкости 207 к значению емкости для емкости 210 обратной связи. Входная емкость 207, инвертирующий усилитель 208 и МОП транзистор 209 конфигурируют схему CDS (двойной коррелированной выборки), уменьшающую шумы, вызываемые пикселями 102. Выходной контакт инвертирующего усилителя 208 соединен с объемом 213 удерживания через МОП транзистор 211, а также соединен с объемом 214 удерживания через МОП транзистор 212. Объем 213 удерживания соединен с сигнальной линией 218 через МОП транзистор 215, а объем 214 удерживания соединен с сигнальной линией 219 через МОП транзистор 216. Управление МОП транзистором 215 и МОП транзистором 216 осуществляется посредством сигналов управления, подаваемых от схемы 220 развертки через линию 217. Объем 213 удерживания и объем 214 удерживания по отдельности сохраняют составляющие шумов и сигналы, в которых составляющие сигнала накладываются на составляющие шумов. Составляющие шумов могут быть уменьшены посредством получения значения вычитания между составляющими шумов и сигналами в схеме на более позднем этапе.

[0019] В данном варианте осуществления сигналы и смещения для осуществления управления работой отдельных МОП транзисторов, включенные в пиксели 102, а также схема 103 обработки сигналов, кроме МОП транзистора 215 и МОП транзистора 216, управляемых посредством схемы 220 развертки, подаются от периферийной схемы 104 через межсоединения с 222 по 229. Межсоединения с 222 по 229 соответствуют межсоединению 105 и межсоединению 106, проиллюстрированным на фиг.1.

[0020] Получение устройств 101 фотоэлектрического преобразования осуществляется посредством вырезания устройств 101 фотоэлектрического преобразования, сформированных на полупроводниковой пластине, по линии резки кристалла, проиллюстрированной на фиг.2. Примеры способа разделения на кристаллы включают в себя способ для выполнения резки механическим способом с использованием диска для разделения на кристаллы, именуемый как резка диском, а также способ для резки полупроводниковой подложки посредством плавления полупроводниковой подложки путем облучения лазерным пучком, именуемый как лазерная резка. Изоляционный элемент, расположенный между межсоединениями, размещенными рядом с линией резки кристалла, может расширяться посредством нагрева, сгенерированного по причине резки, и, вследствие этого, может быть вызвано механическое напряжение и в результате может быть образована трещина.

[0021] Более того, по причине механического напряжения, вызванного посредством расширенного изоляционного элемента, может происходить «выдавливание» межсоединений посредством трещины. Участок межсоединения, выдавленный трещиной, также именуется как «ус» или «бугорок», и данное явление обладает вероятностью быть образованным, когда межсоединения, в основном, изготовлены из алюминия или меди. Когда на фиг.2 посредством трещины происходит выдавливание межсоединений с 222 по 229, может происходить короткое замыкание смежных межсоединений.

[0022] Таким образом, каждое из устройств 101 фотоэлектрического преобразования в соответствии с данным вариантом осуществления включает в себя первые межсоединения, в основном, изготовленные из металла, и вторые межсоединения, имеющие эффективные модули Юнга выше, чем модули первых межсоединений, и в качестве вторых межсоединений определены, по меньшей мере, участки межсоединений с 222 по 229. Посредством этого может быть уменьшено расстояние B между концевым участком каждого из устройств 101 фотоэлектрического преобразования, размещенных в направлении, в котором единичные ячейки размещены повторяющимся образом (направлении X), и соответствующей одной из единичных ячеек, расположенной наиболее близко к концевому участку. Это происходит потому, что вторые межсоединения имеют относительно высокие модули Юнга, и, таким образом, даже в ситуации, когда изоляционный элемент, расположенный между межсоединениями, подвергается расширению по причине осуществления разделения на кристаллы, межсоединения предохраняются от того, чтобы подвергнуться выдавливанию посредством трещины. Вследствие этого осуществляется предохранение смежных межсоединений от короткого замыкания. Следовательно, в соответствии с данным вариантом осуществления расстояние B может быть уменьшено, в то время как устройства 101 фотоэлектрического преобразования предохранены от разрушения во время разделения на кристаллы. В блоке IU датчика изображения, включающем в себя размещенные в нем устройства 101 фотоэлектрического преобразования, может быть уменьшен шаг между устройствами 101 фотоэлектрического преобразования, и может подавляться ухудшение разрешающей способности на границах между устройствами 101 фотоэлектрического преобразования.

[0023] Следует отметить, что эффективные модули Юнга определяются посредством материалов, образующих межсоединения. Предполагается, что межсоединение образованы посредством материалов A, B и C, и модули Юнга материалов A, B и C составляют соответственно a, b и c. Более того, предполагается, что показатели соотношения компонентов для материалов A, B и C составляют x, y и z [в %] соответственно. В этом случае эффективный модуль Юнга Y этого межсоединения представляется посредством нижеследующего уравнения:

Y [в %]=(axx+bxy+cxz)/100(1)

[0024] Если межсоединение образовано посредством элементов, отличных от данных трех материалов, получение эффективного модуля Юнга осуществляется схожим образом. Следует отметить, что характеристики межсоединений определяются, в основном, в зависимости от материала, который обладает соотношением компонентов, равным 70 [в %] или более.

[0025] Более того, основной материал межсоединения соответствует материалу, имеющему наиболее высокий показатель в соотношении компонентов среди материалов, образующих данное межсоединение. Первые межсоединения включают в себя алюминий, медь, титан, вольфрам и тому подобное, а обычным основным материалом первых межсоединений является алюминий, медь или сплав алюминия и меди. Основным материалом вторых межсоединений, имеющих модули Юнга выше, чем модули Юнга этих материалов, является, например, поликристаллический кремний или поликристаллический кремний со слоем силицида. Когда основной материал обладает соотношением компонентов, равным 70 [в %] или более, характеристики межсоединений оцениваются легко. Соответствующим образом, когда модули Юнга двух типов межсоединения, каждый из которых включает в себя основной материал, обладающий соотношением компонентов, равным 70 [в %] или более, сравниваются друг с другом, друг с другом сравниваются модули Юнга основных элементов.

[0026] В обычных случаях материалы, имеющие высокие модули Юнга, также имеют высокие температуры плавления. Когда в качестве второго межсоединения используется материал, имеющий высокий модуль Юнга и высокую температуру плавления, дополнительно предупреждается генерирование «усов» и «бугорков».

[0027] Фиг.3A представляет собой вид сверху одного из устройств 101 фотоэлектрического преобразования. Компоненты, являющиеся общими для фиг.1 и фиг.2, обозначены посредством тех же самых ссылочных позиций. Межсоединение 222, проиллюстрированное на фиг.2, включает в себя частичное межсоединение 222m1 и частичное межсоединение 222m2, а также частичное межсоединение 222p. Частичное межсоединение 222p имеет, на фиг.3A, область, проходящую в направлении Y, то есть область, проходящую по линии резки кристалла, пересекающуюся с данным одним направлением. Частичное межсоединение 222m1 и частичное межсоединение 222m2 имеют, на фиг. 3A, области, проходящие в направлении X, то есть области, проходящие по линии резки кристалла в данном одном направлении. Далее иллюстрируется случай, когда направлениие X и направление Y являются перпендикулярными друг другу. Частичное межсоединение 222p, а также частичное межсоединение 222m1 и частичное межсоединение 222m2 соединены друг с другом через разъемы 301, обозначенные посредством черных прямоугольников.

[0028] Частичное межсоединение 222p имеет эффективный модуль Юнга выше, чем модули частичного межсоединения 222m1 и частичного межсоединения 222m2. В частности, данное отношение удовлетворяется, когда материалы, образующие частичное межсоединение 222m1 и частичное межсоединение 222m2, включают в себя алюминий, медь или сплав алюминия и меди с соотношением компонентов, равным 70 [в %] или более, а материал, образующий частичное межсоединение 222p, включает в себя поликристаллический кремний с соотношением компонентов, равным 70% или более. Частичное межсоединение 222p, служащее в качестве второго межсоединения, почти не деформируется по сравнению с частичным межсоединением 222m1 и частичным межсоединением 222m2, служащими в качестве первых межсоединений. Таким образом, при описанной выше конфигурации, даже в ситуации, когда возникает механическое напряжение, когда устройство 101 фотоэлектрического преобразования подвергается разделению на кристаллы, подавляется возможность образования «бугорков» и «усов».

[0029] Когда основными материалами частичного межсоединения 222m1, частичных межсоединений с 223m1 по 228m1, частичного межсоединения 222m2, а также частичных межсоединений с 223m2 по 229m2 являются металлы, поскольку эти частичные межсоединения используются для обычной подачи сигналов и смещений на множество единичных ячеек, полное сопротивление может быть уменьшено. В обычных случаях, поскольку стороны каждого из устройств 101 фотоэлектрического преобразования, проходящие в направлении X, в котором в повторяющимся образом размещаются единичные ячейки, являются более длинными, чем стороны, проходящие в направлении Y, пересекающемся с направлением X, основные материалы частичных межсоединений, проходящих в направлении X, предпочтительно изготовлены из металла, так чтобы достигалось низкое полное сопротивление. В частности, в каждом из устройств 101 фотоэлектрического преобразования в соответствии с данным вариантом осуществления, когда в качестве основного материала используется металл, межсоединения, проходящие поперек единичных ячеек, могут изготавливаться тонкими. Соответствующим образом, для подавления снижения количества светового излучения, падающего на элемент 201 фотоэлектрического преобразования, предпочтительным для основного материала является металл. С другой стороны, поскольку межсоединения, проходящие вдоль сторон в направлении Y, являются относительно короткими, даже когда основными материалами является поликристаллический кремний, имеющий полное сопротивление больше, чем полное сопротивление металла, величины задержки сигналов подавляются как можно меньше. Когда основным материалом частичного межсоединения 222p является поликристаллический кремний со слоем силицида, достигается малое полное сопротивление по сравнению с поликристаллическим кремнием.

[0030] Как и в ситуации с межсоединением 222, когда каждое из межсоединений с 223 по 229 включает в себя множество частичных межсоединений, дополнительно снижается возможность образования «бугорков» и «усов». Однако, по меньшей мере, одно из межсоединений с 222 по 229 предпочтительно включает в себя первые и вторые межсоединения. В данном варианте осуществления частичное межсоединение 222p, а также частичные межсоединения с 223p по 229p проходят параллельно в качестве областей, сформированных, по меньшей мере, на концевых участках, в направлении X вдоль концевых участков.

[0031] Следует отметить, что не является обязательным, чтобы межсоединения с 222p по 229p полностью представляли собой вторые межсоединения, но вторым межсоединениям могут соответствовать только участки, расположенные на концевых участках в направлении X и находящиеся по линии резки кристалла. В частности, на фиг.3A, хотя межсоединения с 222p по 229p имеют U-образные формы, области, соответствующие прямым линиям, проходящие по линии реза кристалла в направление Y, предпочтительно имеют эффективные модули Юнга выше, чем модули частичных межсоединений с 222m1 по 228m1, а также частичных межсоединений с 222m2 по 229m2.

[0032] Фиг.3B представляет собой вид в разрезе, соответствующий сечению поверхности IIIB, проиллюстрированной на фиг.3A. На кремнии 401 расположен защитный слой 402 оксида, а частичные межсоединения с 222p по 225p расположены на защитном слое 402 оксида. Частичные межсоединения с 222p по 225p электрически изолированы посредством изоляционной пленки 403 между межсоединений. Межсоединение 404 сформировано на изоляционной пленке 403 между межсоединений, а на межсоединении 404 расположена защитная пленка 405.

[0033] Межсоединение 404, не проиллюстрированное на фиг.3A, может быть изготовлено из металла в качестве основного материала. Это происходит по причине того, что, как очевидно из фиг.3B, поскольку межсоединение 404 является более широким, чем частичные межсоединения с 222p по 225p, даже когда во время разделения на кристаллы возникает нагрев или механическое напряжение, происходит рассеяние эффектов нагрева или механического напряжения, и соответственно вероятность образования «усов» и «бугорков» является низкой.

[0034] Ранее в настоящем документе была описана конфигурация межсоединений из двух слоев, то есть слоя, включающего в себя межсоединения с 222 по 225, и слоя, включающего в себя межсоединение 404. Однако количество слоев межсоединений этим не ограничивается, и использоваться может один слой, или могут использоваться межсоединения из трех или более слоев. Когда используются межсоединения из некоторого количества слоев, если, по меньшей мере, один из слоев, представляющий собой область, имеющую эффективный модуль Юнга выше, чем модули первых межсоединений, расположен по линии резки кристалла в направлении Y, возможность генерирования «усов» и «бугорков» может уменьшаться. Другими словами, когда на полупроводниковой подложке расположено множество устройств фотоэлектрического преобразования, и данные устройства фотоэлектрического преобразования вырезаются из полупроводниковой подложки по линии резки кристалла, проходящей вдоль вторых межсоединений на, по меньшей мере, одной стороне, в полученных устройствах фотоэлектрического преобразования вероятность возникновения «усов» и «бугорков» может снижаться.

Второй вариант осуществления

[0035] Второй вариант осуществления настоящего раскрытия будет описан со ссылкой на сопроводительные чертежи. В данном варианте осуществления также в качестве примера взято устройство фотоэлектрического преобразования.

[0036] Фиг.4 представляет собой диаграмму, иллюстрирующую устройство 101' фотоэлектрического преобразования в соответствии со вторым вариантом осуществления. Компоненты те же самые, что и компоненты устройств 101 фотоэлектрического преобразования в соответствии с первым вариантом осуществления, обозначены посредством ссылочных позиций, тех же самых, что и ссылочные позиции по первому варианту осуществления. В данном варианте осуществления также межсоединения с 222 по 229 включают в себя первые межсоединения и вторые межсоединения. Вторые межсоединения, проходящие вдоль концевого участка в одном направлении (направлении X), имеют эффективные модули Юнга выше, чем модули первых межсоединений.

[0037] Второй вариант осуществления отличается от первого варианта осуществления тем, что вместо частичных межсоединений 223p, 224p, 226p, 227p и 228p располагаются частичные межсоединения 223p', 224p', 226p', 227p' и 228p'. Частичные межсоединения 223p', 224p', 226p', 227p' и 228p' имеют площади поперечного сечения больше, чем площади поперечного сечения частичных межсоединений 222p, 225p и 229p.

[0038] Из напряжений смещения и сигналов управления, передаваемых через межсоединения, напряжения смещения не сильно варьируются в течение всего периода, отличного от времени сразу после того, как на устройство 101' фотоэлектрического преобразования подается питание. С другой стороны, сигналы управления варьируются значительно по сравнению с напряжениями смещения, так чтобы осуществлять управление проводимостью МОП транзисторов, и более того, во многих случаях существует широкий диапазон вариаций от напряжения источника питания до напряжения земли.

[0039] Поскольку варьирование сигналов управления осуществляется с высокой скоростью, МОП транзисторы могут работать на высокой скорости. В частности, может улучшаться скорость работы устройства 101' фотоэлектрического преобразования. Соответствующим образом межсоединения, проводящие сигналы управления, предпочтительно имеют низкое полное сопротивление. Таким образом, в данном варианте осуществления площади поперечного сечения частичных межсоединений 223p', 224p', 226p', 227p' и 228p', проводящих сигналы управления, устанавливаются больших размеров, чем площади поперечного сечения частичных межсоединений 222p, 225p и 229p, осуществляющих подачу напряжений смещения.

[0040] В обычных случаях, когда некоторое количество вторых межсоединений, проводящих сигналы, имеющих, по меньшей мере, большие амплитуды или большие частоты, имеет площади поперечного сечения больше, чем площади поперечного сечения других вторых межсоединений, устройство 101' фотоэлектрического преобразования может работать на высокой скорости.

[0041] Чем больше становятся площади поперечного сечения частичных межсоединений 223p', 224p', 226p', 227p' и 228p', тем больше становятся паразитные емкости частичных межсоединений 223p', 224p', 226p', 227p' и 228p', и, вследствие этого, увеличивается полное сопротивление. Однако частичные межсоединения 223p', 224p', 226p', 227p' и 228p' проходят по коротким сторонам устройства 101' фотоэлектрического преобразования, и, таким образом, отрицательный эффект от увеличения полного сопротивления, вызванного увеличением паразитных емкостей, является малым. С другой стороны, уменьшение полного сопротивления по причине увеличения площади поперечного сечения является в значительной степени эффективным, и соответственно полное сопротивление может быть в целом уменьшено.

[0042] В соответствии со вторым вариантом осуществления, как и в ситуации с первым вариантом осуществления, может подавляться разрушение устройства 101' фотоэлектрического преобразования во время разделения на кристаллы. Более того, поскольку некоторое количество вторых межсоединений, проводящих сигналы управления, имеет площади поперечного сечения больше, чем площади поперечного сечения других вторых межсоединений, проводящих напряжения смещения, реализуется высокоскоростная работа устройства 101' фотоэлектрического преобразования.

Другие варианты осуществления

[0043] В изложенных выше вариантах осуществления, в качестве примера полупроводникового устройства взято устройство фотоэлектрического преобразования, и был описан блок датчика изображения, включающий в себя множество размещенных в нем устройств фотоэлектрического преобразования. Однако настоящий способ этим не ограничивается. Например, каждая из единичных ячеек может вместо элемента фотоэлектрического преобразования иметь выпускное отверстие. Когда такие полупроводниковые устройства расположены в ряд, может быть сконфигурирована струйная печатающая головка струйного принтера, включенная в записывающие устройства. В такой струйной печатающей головке может подавляться непропечатка на участках границы печати, когда шаг между смежными полупроводниковыми устройствами является уменьшенным.

[0044] В то время как настоящее изобретение было описано со ссылкой на иллюстративные варианты осуществления, следует понимать, что данное изобретение не ограничивается раскрытыми иллюстративными вариантами осуществления. Объем нижеследующей формулы изобретения должен соответствовать наиболее широкой интерпретации, так чтобы охватывать все такие модификации, а также эквивалентные структуры и функции.

1. Полупроводниковое устройство, включающее в себя множество единичных ячеек, расположенных в ряд в одном направлении, и группу межсоединений, причем упомянутая группа межсоединений содержит:
первое межсоединение; и
второе межсоединение, имеющее модуль Юнга выше, чем модуль Юнга первого межсоединения, и расположенное вдоль концевого участка в упомянутом одном направлении упомянутого полупроводникового устройства.

2. Полупроводниковое устройство по п.1,
в котором единичные ячейки расположены в ряд в упомянутом одном направлении с шагом d, и
в котором расстояние между одной из единичных ячеек, расположенной наиболее близко к концевому участку, и концевым участком составляет d/2 или менее.

3. Полупроводниковое устройство по п.1,
в котором температура плавления второго межсоединения выше, чем температура плавления первого межсоединения.

4. Полупроводниковое устройство по п.1,
в котором второе межсоединение электрически соединено с множеством единичных ячеек.

5. Полупроводниковое устройство по п.4,
в котором основной материал первого межсоединения выбран из группы, состоящей из алюминия, меди, а также сплава алюминия и меди, и
в котором второе межсоединение соединено с множеством единичных ячеек через первое межсоединение.

6. Полупроводниковое устройство по п.5,
в котором площадь поперечного сечения второго межсоединения больше, чем площадь поперечного сечения первого межсоединения.

7. Полупроводниковое устройство по п.1,
в котором полупроводниковое устройство включает в себя множество первых межсоединений и множество вторых межсоединений.

8. Полупроводниковое устройство по п.7,
в котором площади поперечного сечения вторых межсоединений отличаются друг от друга, и
в котором одно из вторых межсоединений, которое проводит сигнал, имеющий, по меньшей мере, одно из большей амплитуды и большой частоты, имеет площадь поперечного сечения больше, чем площадь поперечного сечения другого одного из других вторых межсоединений.

9. Полупроводниковое устройство по п.7,
в котором вторые межсоединения расположены параллельно друг к другу вдоль концевого участка.

10. Полупроводниковое устройство по п.1,
в котором второе межсоединение проводит к единичным ячейкам напряжение смещения или сигнал управления, используемый для осуществления управления работой единичных ячеек.

11. Полупроводниковое устройство по п.1,
в котором основным материалом второго межсоединения является поликристаллический кремний или поликристаллический кремний со слоем силицида.

12. Полупроводниковое устройство по п.1,
в котором упомянутое одно направление является перпендикулярным направлению вдоль концевого участка.

13. Полупроводниковое устройство по п.1,
в котором межсоединение, имеющее площадь поперечного сечения больше, чем площадь поперечного сечения второго межсоединения, расположено в слое, отличном от слоя, включающего в себя второе межсоединение.

14. Полупроводниковое устройство по п.1,
в котором каждая из единичных ячеек включает в себя элемент фотоэлектрического преобразования.

15. Блок датчика изображения, включающий в себя множество полупроводниковых устройств по п.14,
в котором множество полупроводниковых устройств расположены в ряд в одном направлении.

16. Устройство считывания изображения, включающее в себя блок датчика изображения по п.15.

17. Полупроводниковое устройство по любому одному из пп.1- 13,
в котором каждая из единичных ячеек включает в себя выпускное отверстие для выпуска жидких капель.

18. Записывающее устройство, включающее в себя множество полупроводниковых устройств по п.17, которые расположены в ряд в одном направлении.

19. Способ для изготовления полупроводникового устройства, которое включает в себя множество единичных ячеек, которые расположены в ряд в одном направлении, и группу межсоединений, которая включает в себя первое межсоединение и второе межсоединение, имеющее модуль Юнга выше, чем модуль Юнга первого межсоединения, причем упомянутый способ содержит этапы, на которых:
формируют множество единичных ячеек и множество групп межсоединений на полупроводниковой подложке; и
осуществляют резку полупроводниковой подложки вдоль второго межсоединения на, по меньшей мере, одной стороне.

20. Способ для изготовления полупроводникового устройства по п.19,
в котором резку полупроводниковой подложки осуществляют посредством лазерной резки или резки диском.