Мультидифференциальный операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля



Мультидифференциальный операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля
Мультидифференциальный операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля
Мультидифференциальный операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля
Мультидифференциальный операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля
Мультидифференциальный операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля
Мультидифференциальный операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля

Владельцы патента RU 2568318:

федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) (RU)

Изобретение относится к прецизионным устройствам усиления сигналов различных сенсоров. Технический результат заключается в уменьшении абсолютного значения Uсм, а также его температурных и радиационных изменений, обусловленных дрейфом β транзисторов. Мультидифференциальный операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля содержит транзисторы, масштабирующий резистор, высокоимпедансный узел 4, третий 5 и четвертый 6 входные транзисторы, токовое зеркало 8, согласованное с первой 9 шиной источника питания, вспомогательный транзистор 18, эмиттером связанный со второй 12 шиной источника питания через четвертый 19 вспомогательный токостабилизирующий двухполюсник, а коллектор соединен с эмиттером четвертого 6 входного транзистора, причем базы третьего 16 и четвертого 18 вспомогательных транзисторов подключены к источнику напряжения смещения 20. Базы первого 11 и второго 14 вспомогательных транзисторов соединены с эмиттером третьего 16 вспомогательного транзистора. 6 ил.

 

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в измерительной технике в качестве прецизионного устройства усиления сигналов различных сенсоров.

В современной радиоэлектронной аппаратуре находят применение мультидифференциальные операционные усилители (МОУ) на биполярных транзисторах [1-12]. На их основе реализуется новый класс устройств преобразования и усиления сигналов [13-18].

В связи с особенностями архитектуры МОУ [13-18] в них подчеркивается влияние нестабильности коэффициента усиления по току базы транзисторов (β) на напряжение смещения нуля (Uсм), что отрицательно сказывается на прецизионности МОУ.

Наиболее близким по сущности к заявляемому техническому решению является классическая схема МОУ фиг. 1, представленная в Каталоге разработок Российско-Белорусского центра аналоговой микросхемотехники / редкол.: Н.Н. Прокопенко, С.Г. Крутчинский, Е.И. Старченко [и др.]; под ред. Н.Н. Прокопенко. - Шахты: ГОУ ВПО «ЮРГУЭС», 2010. - С.134. 1435-stat-2010-05, которая также присутствует в других источниках [15].

Существенный недостаток известного МОУ фиг. 1 состоит в том, что он имеет повышенное значение систематической составляющей напряжения смещения нуля (Uсм), зависящей от температурного и радиационного дрейфа коэффициента усиления по току базы (β) транзисторов.

Основная задача предлагаемого изобретения состоит в уменьшении абсолютного значения Uсм, а также его температурных и радиационных изменений, обусловленных дрейфом β транзисторов.

Поставленная задача достигается тем, что в мультидифференциальном операционном усилителе фиг. 1, содержащем первый 1, второй 2 входные транзисторы, между эмиттерами которых включен первый 3 масштабирующий резистор, высокоимпедансный узел 4, третий 5 и четвертый 6 входные транзисторы, между эмиттерами которых включен второй 7 масштабирующий резистор, токовое зеркало 8, согласованное с первой 9 шиной источника питания, вход которого связан с коллекторами первого 1 и третьего 5 входных транзисторов, а выход подключен ко входу буферного усилителя 10 и объединенным коллекторам второго 2 и четверного 6 входных транзисторов, первый 11 вспомогательный транзистор, эмиттер которого связан со второй 12 шиной источника питания через первый 13 вспомогательный токостабилизирующий двухполюсник, а коллектор соединен с эмиттером первого 1 входного транзистора, второй 14 вспомогательный транзистор, эмиттер которого связан со второй 12 шиной источника питания через второй 15 вспомогательный токостабилизирующий двухполюсник, а коллектор соединен с эмиттером второго 2 входного транзистора, причем базы первого 11 и второго 14 вспомогательных транзисторов соединены друг с другом, третий 16 вспомогательный транзистор, эмиттер которого связан со второй 12 шиной источника питания через третий 17 вспомогательный токостабилизирующий двухполюсник, а коллектор соединен с эмиттером третьего 5 входного транзистора, четвертый 18 вспомогательный транзистор, эмиттер которого связан со второй 12 шиной источника питания через четвертый 19 вспомогательный токостабилизирующий двухполюсник, а коллектор соединен с эмиттером четвертого 6 входного транзистора, причем, базы третьего 16 и четвертого 18 вспомогательных транзисторов подключены к источнику напряжения смещения 20, предусмотрены новые элементы и связи - базы первого 11 и второго 14 вспомогательных транзисторов соединены с эмиттером третьего 16 вспомогательного транзистора.

Схема усилителя-прототипа показана на чертеже фиг. 1. На чертеже фиг. 2 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с формулой изобретения.

На чертеже фиг. 3 приведена схема МОУ-прототипа фиг. 1 в среде PSpice на моделях интегральных транзисторов НПО «Интеграл» (г. Минск).

На чертеже фиг. 4 показана схема заявляемого МОУ фиг. 2 в среде PSpice на моделях интегральных транзисторов НПО «Интеграл» (г. Минск).

На чертеже фиг. 5 представлены зависимости напряжений смещения нуля МОУ фиг. 3 и фиг. 4 от температуры.

На чертеже фиг. 6 показаны зависимости напряжений смещения нуля заявляемого (фиг. 4) и известного (фиг. 3) МОУ от потока нейтронов (н/м2).

Мультидифференциальный операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля (фиг. 2) содержит первый 1, второй 2 входные транзисторы, между эмиттерами которых включен первый 3 масштабирующий резистор, высокоимпедансный узел 4, в котором происходит суммирование токов транзисторов схемы, третий 5 и четвертый 6 входные транзисторы, между эмиттерами которых включен второй 7 масштабирующий резистор, токовое зеркало 8, согласованное с первой 9 шиной источника питания, вход которого связан с коллекторами первого 1 и третьего 5 входных транзисторов, а выход подключен ко входу буферного усилителя 10 и объединенным коллекторам второго 2 и четверного 6 входных транзисторов, первый 11 вспомогательный транзистор, эмиттер которого связан со второй 12 шиной источника питания через первый 13 вспомогательный токостабилизирующий двухполюсник, а коллектор соединен с эмиттером первого 1 входного транзистора, второй 14 вспомогательный транзистор, эмиттер которого связан со второй 12 шиной источника питания через второй 15 вспомогательный токостабилизирующий двухполюсник, а коллектор соединен с эмиттером второго 2 входного транзистора, причем, базы первого 11 и второго 14 вспомогательных транзисторов соединены друг с другом, третий 16 вспомогательный транзистор, эмиттер которого связан со второй 12 шиной источника питания через третий 17 вспомогательный токостабилизирующий двухполюсник, а коллектор соединен с эмиттером третьего 5 входного транзистора, четвертый 18 вспомогательный транзистор, эмиттер которого связан со второй 12 шиной источника питания через четвертый 19 вспомогательный токостабилизирующий двухполюсник, а коллектор соединен с эмиттером четвертого 6 входного транзистора, причем базы третьего 16 и четвертого 18 вспомогательных транзисторов подключены к источнику напряжения смещения 20. Базы первого 11 и второго 14 вспомогательных транзисторов соединены с эмиттером третьего 16 вспомогательного транзистора. Входами 21 и 22 первого дифференциального каскада МОУ (транзисторы 1 и 2) являются базы соответствующих входных транзисторов. Входами 23 и 24 второго дифференциального каскада МОУ (транзисторы 5 и 6) являются базы соответствующих входных транзисторов 5 и 6. Выходом буферного усилителя 10 является узел 25, а его схема содержит (в частном случае) элементы 26, 27, 28. Двухполюсник 29 симметрирует статический режим МОУ и способствует дальнейшей минимизации Uсм.

Рассмотрим факторы, определяющие систематическую составляющую напряжения смещения нуля Uсм в схеме фиг. 2, т.е. зависящие от схемотехники МОУ.

Если токи токостабилизирующих двухполюсников 13, 15, 17, 19 одинаковы и равны некоторой величине Ι0, а двухполюсника 27 - величине 2I0, то токи эмиттеров и коллекторов транзисторов схемы:

где Iб.i.=Iэ.i/βi - ток базы n-p-n (Iб.р) транзисторов схемы при эмиттерном токе Iэ.i=I0;

βi - коэффициент усиления по току базы идентичных транзисторов схемы;

Iвх.8=Iвых.8 - входной и выходной токи токового зеркала 8.

Поэтому разность токов в узле «A» при его коротком замыкании на эквипотенциальную общую шину

где IБУ=2Iб.р - ток базы n-p-n транзистора 26 (входной ток буфера 10).

Таким образом, в заявляемом устройстве при выполнении условия (5) уменьшается систематическая составляющая Uсм, обусловленная конечной величиной β транзисторов и его радиационной (или температурной) зависимостью. Как следствие, это уменьшает Uсм, так как разностный ток Ip в узле «A» (4) создает Uсм, зависящее от крутизны S преобразования входного дифференциального напряжения uвх МОУ в выходной ток узла «A»:

где rэi - сопротивление эмиттерного перехода i-го входного транзистора 1, 2 (5, 6) входных дифференциальных каскадов. Поэтому для схемы фиг. 2 с учетом уравнения (5)

В МОУ-прототипе Ιρ≠0, поэтому здесь систематическая составляющая Uсм получается как минимум на порядок больше, чем в заявляемой схеме.

Компьютерное моделирование схем фиг. 3 и фиг. 4 подтверждает (фиг. 5, фиг. 6) данные теоретические выводы.

Несмотря на существенное уменьшение β транзисторов (на 70-90%) вследствие радиационных воздействий, а также низких температур предлагаемый МОУ и в этих условиях имеет меньшее напряжение смещения нуля, чем МОУ-прототип.

Замечательная особенность предлагаемой схемы - низкая чувствительность напряжения смещения нуля (Uсм) к одновременному изменению под действием температуры или радиации токов двухполюсников 13, 15, 17, 19, 27, устанавливающих статический режим транзисторов МОУ.

Включение двухполюсника 29 (фиг. 2) способствует симметрированию режимов работы входных дифференциальных каскадов (транзисторы 1, 2; 5, 6) по напряжению коллектор-база.

Амплитуда отрицательной полуволны выходного напряжения МОУ фиг. 2 определяется падением напряжения Е0 в статическом режиме на двухполюснике 28:

Однако для низковольтных применений допускается иметь Е0=0.

Таким образом, заявляемое устройство обладает существенными преимуществами в сравнении с прототипом по величине статической ошибки усиления сигналов постоянного тока и может использоваться в качестве IP-модулей современных систем на кристалле.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Патентная заявка US 2008/0186091 fig. 4

2. Патент US №5.148.721

3. Патент US №5.237.526

4. Патент US №5.729.161 fig. 2

5. Патентная заявка US 2008/0032648 fig. 3

6. Патент US №5.045.804 fig. 5

7. Патент WO 03/043281 fig. 6

8. Патентная заявка US 2003/0184377

9. Ав.св. СССР 543946

10. Патент US №3.916.215

11. Патент US №4.599.572 fig. 2

12. Патент RU 2513489

13. Прокопенко Н.Н., Будяков А.С., Хорунжий А.В. Нелинейные режимы в мультидифференциальных операционных усилителях // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2008. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2008. С. 340-343.

14. Прокопенко Н.Н., Манжула В.Г., Белич С.С. Мультидифференциальный операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля в условиях температурных и радиационных воздействий // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Информатика, Телекоммуникации. Управление. СПб: Изд-во СПбГПУ, 2010. №3 (101). - С. 204-206.

15. Крутчинский С.Г., Старченко Е.И. Мультидифференциальные усилители и прецизионная схемотехника // Электроника и связь, №21, том 9, 2004, Киев. - С.101-107.

16. Прокопенко Н.Н., Бутырлагин Н.В., Пахомов И.В. Основные параметры и уравнения базовых схем включения мультидифференциальных операционных усилителей с высокоимпедансным узлом // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014. Сборник трудов. Часть 3 /под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. - М.: ИППМ РАН, 2014. - С.111-116.

17. Prokopenko N.N., Dvornikov O.V., Butyrlagin N.V., Bugakova A.V. The main connection circuits of the radiation-hardened differential difference amplifier based on the bipolar and field effect technological process //2014 12th International conference on actual problems of electronic instrument engineering (APEIE - 2014) proceedings in 7 Volumes; Novosibirsk, October 2-4, 2014. - Novosibirsk: State Technical University. - Vol.1. - P. 29-34.

18. Прокопенко H.H., Будяков П.С., Бутырлагин H.B. Сверхвысокочастотные мультидифференциальные операционные усилители и основные схемы их включения (Circuit and connection design of microwave differential difference amplifiers) // 11-я Международная научно-техническая конференция «Актуальные проблемы электронного приборостроения»: Саратов, 25-26 сентября 2014 г.: материалы конф. в 2 т. - Саратов: Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А., 2014. - Т. 2. - С. 100-107.

Мультидифференциальный операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля, содержащий первый 1, второй 2 входные транзисторы, между эмиттерами которых включен первый 3 масштабирующий резистор, высокоимпедансный узел 4, третий 5 и четвертый 6 входные транзисторы, между эмиттерами которых включен второй 7 масштабирующий резистор, токовое зеркало 8, согласованное в первой 9 шиной источника питания, вход которого связан с коллекторами первого 1 и третьего 5 входных транзисторов, а выход подключен ко входу буферного усилителя 10 и объединенным коллекторам второго 2 и четвертого 6 входных транзисторов, первый 11 вспомогательный транзистор эмиттер которого связан со второй 12 шиной источника питания через первый 13 вспомогательный токостабилизирующий двухполюсник, а коллектор соединен с эмиттером первого 1 входного транзистора, второй 14 вспомогательный транзистор, эмиттер которого связан со второй 12 шиной источника питания через второй 15 вспомогательный токостабилизирующий двухполюсник, а коллектор соединен с эмиттером второго 2 входного транзистора, причем базы первого 11 и второго 14 вспомогательных транзисторов соединены друг с другом, третий 16 вспомогательный транзистор, эмиттер которого связан со второй 12 шиной источника питания через третий 17 вспомогательный токостабилизирующий двухполюсник, а коллектор соединен с эмиттером третьего 5 входного транзистора, четвертый 18 вспомогательный транзистор, эмиттер которого связан со второй 12 шиной источника питания через четвертый 19 вспомогательный токостабилизирующий двухполюсник, а коллектор соединен с эмиттером четвертого 6 входного транзистора, причем базы третьего 16 и четвертого 18 вспомогательных транзисторов подключены к источнику напряжения смещения 20, отличающийся тем, что базы первого 11 и второго 14 вспомогательных транзисторов соединены с эмиттером третьего 16 вспомогательного транзистора.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области усилителей аналоговых ВЧ и СВЧ сигналов. Техническим результатом является расширение диапазона рабочих частот цепи смещения статического уровня.

Изобретение относится к прецизионным устройствам усиления сигналов различных сенсоров. Технический результат заключается в создании радиационно стойкого симметричного мультидифференциального усилителя для биполярно-полевого технологического процесса с повышенным коэффициентом усиления входного дифференциального сигнала.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в расширении допустимого диапазона частот квазирезонанса f0, зависящего от численных значений сопротивления первого частотозадающего резистора.

Изобретение относится к области радиотехники и электроники и может быть использовано в качестве источника тока или высокоомной нагрузки усилителя в структуре аналоговых микросхем и блоков различного функционального назначения.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах фильтрации радиосигналов, телевидении, радиолокации и т.п. Техническим результатом является уменьшение общего энергопотребления за счет повышения добротности АЧХ ИУ и его коэффициента усиления по напряжению (K0) на частоте квазирезонанса f0.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении эквивалентной выходной емкости составного транзистора.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства для прецизионного усиления по мощности аналоговых сигналов, в структурах неинвертирующих усилителей и выходных каскадов различного функционального назначения, в том числе ВЧ- и СВЧ-диапазонов.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в радиоприемных устройствах, фазовых детекторах и модуляторах, а также в системах умножения частоты.

Изобретение относится к области радиотехники, а конкретно к управляемым избирательным усилителям. Технический результат заключается в расширение частотного диапазона избирательного усилителя.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения.

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в качестве прецизионного устройства усиления сигналов различных сенсоров. Технический результат заключается в уменьшении напряжения смещения нуля для повышения прецизионности операционного усилителя. Технический результат достигается за счет прецизионного операционного усилителя на основе радиационно стойкого биполярно-полевого технологического процесса, который содержит входной дифференциальный каскад (1), общая эмиттерная цепь которого согласована с первой (2) шиной источника питания, первый (3) токовый выход входного дифференциального каскада (1), эмиттер первого (4) выходного транзистора, первый (5) вспомогательный резистор, вторую (6) шину источника питания, второй (7) токовый выход входного дифференциального каскада (1), эмиттер второго (8) выходного транзистора, второй (9) вспомогательный резистор, первый (10) токостабилизирующий двухполюсник, второй (11) токостабилизирующий двухполюсник, выходной буферный усилитель (12). В схему введены первый (13) и второй (14) дополнительные полевые транзисторы с управляющим p-n переходом и дополнительное токовое зеркало (16). 8 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи. Технический результат заключается в расширении диапазона рабочих частот каскодного усилителя без ухудшения коэффициента усиления по напряжению. Устройство содержит входной преобразователь «напряжение-ток», токовый выход которого соединен с эмиттером выходного транзистора, источник напряжения смещения, подключенный к базе выходного транзистора, двухполюсник коллекторной нагрузки, включенный между шиной источника питания и выходом устройства, который связан с коллектором выходного транзистора. Выход устройства соединен со входом дополнительного усилителя тока через дополнительный корректирующий конденсатор, причем выход дополнительного усилителя тока подключен к эмиттеру выходного транзистора. 5 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в микросхемах СВЧ-фильтрации радиосигналов систем сотовой связи, спутникового телевидения, радиолокации и т.п. Техническим результатом является повышение добротности резонансной амплитудно-частотной характеристики избирательного усилителя при использовании низкодобротных планарных индуктивностей. В СВЧ избирательный усилитель на основе планарной индуктивности с низкой добротностью дополнительно введено токовое зеркало, согласованное со второй шиной источника питания, вход которого соединен со стоком второго полевого транзистора, а выход подключен к затвору второго полевого транзистора и выходу устройства. 14 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано также в измерительной технике в качестве прецизионного устройства усиления сигналов различных сенсоров. Технический результат: создание радиационно-стойкого симметричного (по входным цепям) операционного усилителя для биполярно-полевого технологического процесса с малым напряжением смещения нуля (Uсм). Прецизионный операционный усилитель для радиационно-стойкого биполярно-полевого технологического процесса имеет следующие особенности: в схему введены первый и второй дополнительные полевые транзисторы, объединенные истоки которых связаны с первой шиной источника питания через дополнительный токостабилизирующий двухполюсник и подключены к объединенным базам первого и второго выходных транзисторов, затвор первого дополнительного полевого транзистора соединен с коллектором второго выходного биполярного транзистора, затвор второго дополнительного полевого транзистора соединен с коллектором первого выходного биполярного транзистора, причем сток первого дополнительного полевого транзистора соединен с первым входом буферного усилителя, а сток второго дополнительного полевого транзистора соединен со вторым входом буферного усилителя. 5 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к области электроники и измерительной техники и может быть использовано в качестве устройства усиления сигналов различных датчиков, например, в мульдифференциальных операционных усилителях (МОУ), в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения, работающих в условиях воздействия радиации. Технический результат - создание радиационно-стойкого входного каскада мультидифференциального операционного усилителя для биполярно-полевого технологического процесса. Входной каскад МОУ содержит два входных полевых транзистора, масштабный резистор, два вспомогательных полевых транзистора, две шины источника питания, вспомогательный двухполюсник и цепь нагрузки. Истоки вспомогательных полевых транзисторов через дополнительный резистор связаны с первой шиной источника питания и объединены с базой дополнительного транзистора. Коллектор дополнительного транзистора связан с объединенными затворами вспомогательных полевых транзисторов, а его эмиттер соединен с источником опорного напряжения. 8 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых ВЧ и СВЧ сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, широкополосных усилителях). Технический результат: расширение диапазона рабочих частот КУ (повышение верхней граничной частоты fв) без ухудшения коэффициента усиления по напряжению в диапазоне средних частот. Каскодный усилитель с расширенным диапазоном рабочих частот содержит входной преобразователь «напряжение-ток», две шины источника питания, два выходных транзистора, резистор коллекторной нагрузки, дополнительный неинвертирующий усилитель напряжения и корректирующий конденсатор. 5 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в устройствах усиления широкополосных сигналов, в структуре аналоговых интерфейсов различного функционального назначения. Техническим результатом изобретения является обеспечение наибольшей и постоянной полосы пропускания решающего усилителя в широком диапазоне изменения его коэффициента передачи при работе как с активной, так и емкостной или активно емкостной со значительной долей реактивности нагрузкой. В способе обеспечивается управление коэффициентом передачи решающего усилителя при выполнении масштабного изменения сопротивления резисторов четырехполюсника цепи отрицательной обратной связи; преобразования входного напряжения в ток заряда корректирующего конденсатора, причем крутизна преобразования обратно пропорциональна изменению коэффициента передачи четырехполюсника отрицательной обратной связи; стабилизации фазового сдвига сигнала обратной связи дифференциального усилителя решающего усилителя. 10 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано также в измерительной технике в качестве прецизионного устройства усиления сигналов различных сенсоров с токовым выходом. Технический результат - обеспечение подавления синфазной составляющей входных дифференциальных токов устройства. Широкополосный преобразователь N-токовых входных сигналов в напряжение на основе операционного усилителя содержит входной дифференциальный каскад с расширенным диапазоном активной работы, источник питания, цепь активной нагрузки и дополнительный каскад преобразования входных токов на транзисторе по схеме с общей базой с N-токовыми входами. Дифференциальный каскад содержит общую эмиттерную цепь, неинвертирующий вход, инвертирующий вход, противофазные токовые выходы. 4 з.п. ф-лы, 16 ил.

Изобретение относится к области радиоэлектроники. Технический результат - повышение коэффициента усиления разомкнутого операционного усилителя. Биполярно-полевой операционный усилитель содержит входной дифференциальный каскад, общая истоковая цепь которого связана с первой шиной источника питания, первый и второй входы входного дифференциального каскада, первый токовый выход входного дифференциального каскада, связанный с эмиттером первого выходного транзистора и через первый токостабилизирующий двухполюсник соединенный со второй шиной источника питания, второй токовый выход входного дифференциального каскада, связанный с эмиттером второго выходного транзистора и через второй токостабилизирующий двухполюсник соединенный со второй шиной источника питания, источник опорного напряжения, связанный с базами первого и второго выходных транзисторов, токовое зеркало, согласованное с первой шиной источника питания, выход которого соединен с токовым выходом устройства. Коллекторы первого и второго выходных транзисторов соединены с первой шиной источника питания, первый токовый выход входного дифференциального каскада связан с эмиттером первого выходного транзистора через первый дополнительный резистор, второй токовый выход входного дифференциального каскада связан с эмиттером второго выходного транзистора через второй дополнительный резистор, причем источник опорного напряжения выполнен на основе дополнительного инвертирующего усилителя синфазного сигнала, выход которого через вспомогательный источник опорного тока связан с первой шиной источника питания, первый вход дополнительного инвертирующего усилителя синфазного сигнала соединен с первым токовым выходом входного дифференциального каскада и базой первого дополнительного транзистора, второй вход дополнительного инвертирующего усилителя синфазного сигнала соединен со вторым токовым выходом входного дифференциального каскада и базой второго дополнительного транзистора, коллектор первого дополнительного транзистора соединен со входом токового зеркала, коллектор второго дополнительного транзистора подключен к выходу токового зеркала и выходу устройства, а эмиттеры первого и второго дополнительных транзисторов связаны со второй шиной источника питания. 1 з.п. ф-лы, 11 ил.

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в качестве прецизионного устройства усиления сигналов. Технический результат: уменьшение статического тока, потребляемого ОУ от источников питания (без нагрузки), и уменьшение напряжения смещения нуля. Биполярно-полевой операционный усилитель на основе «перегнутого» каскода содержит входной дифференциальный каскад (1), первую (3) шину источника питания, первый (7) выходной транзистор, первый (8) токостабилизирующий резистор, вторую (9) шину источника питания, второй (11) выходной транзистор, второй (12) токостабилизирующий резистор, цепь динамической нагрузки (13), согласованную с первой (3) шиной источника питания, вход которой (14) подключен к коллектору первого (7) выходного транзистора, а также первый (17) прямосмещенный p-n-переход, второй (18) прямосмещенный p-n-переход, первый (19) и второй (20) дополнительные резисторы. 2 з.п. ф-лы, 8 ил.
© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности 2015-11-20 2015-11-19T21:03:43
Наверх