Способ определения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем

Авторы патента:

Тетенькин Ярослав Геннадьевич (RU)

Юдин Виктор Васильевич (RU)

Сергеев Вячеслав Андреевич (RU)

G01R31/28 - испытание электронных схем, например с помощью прибора для каскадной проверки прохождения сигнала (испытание на короткое замыкание, обрыв, утечку или неправильное соединение G01R 31/02; контрольные вычислительные устройства G06F 11/00; статические запоминающие устройства для контроля работы накопителей G11C 29/00)

Владельцы патента RU 2569922:

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" (RU)

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем и может быть использовано для контроля качества и оценки температурных запасов цифровых интегральных микросхем на выходном и входном контроле. Сущность: нечетное число (n>1) логических элементов контролируемой микросхемы соединяют по схеме кольцевого генератора. Замыкая цепь обратной связи кольцевого генератора на некоторое время цикла измерения, включают режим генерации высокочастотных импульсов, что приводит к нагреву микросхемы. В качестве температурочувствительного параметра измеряют частоту следования импульсов кольцевого генератора в начале f_нач и в конце f_кон цикла измерения. Измеряют средний ток, потребляемый микросхемой от источника питания. Определяют тепловое сопротивление переход-корпус по формуле:

где Δf=f_нач-f_кон - изменение частоты следования импульсов кольцевого генератора; - средний ток, потребляемый контролируемой микросхемой за время цикла измерения; Е_пит - напряжение питания микросхемы, К_f - температурный коэффициент частоты следования импульсов кольцевого генератора. Технический результат: уменьшение погрешности измерения. 2 ил.

Известен способ определения теплового сопротивления цифровых интегральных микросхем (ЦИС), заключающийся в нагреве контролируемой микросхемы путем переключения нескольких логических элементов (ЛЭ) последовательностью импульсов, частоту следования которых изменяют (модулируют) по гармоническому закону с известной амплитудой и периодом, превышающим на порядок тепловую постоянную времени переход-корпус данного типа микросхем, в измерении амплитуды изменения температурочувствительного параметра (ТЧП) на частоте модуляции и определении теплового сопротивления как отношения амплитуды изменения ТЧП к амплитуде переменной составляющей греющей мощности и температурному коэффициенту ТЧП (см. А.с. №1310754, Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем // Сергеев В.А., Афанасьев Г.Ф., Романов Б.Н., Юдин В.В. Опубл. 15.08.87. Бюл. №18). В известном способе амплитуда переменной составляющей греющей мощности определяется как произведение крутизны зависимости потребляемой мощности от частоты переключения ЛЭ на амплитуду частотной модуляции, а в качестве ТЧП используется напряжение логической единицы одного из ЛЭ ЦИС, логическое состояние которого не изменяется. Недостатком известного способа является большая погрешность измерения, обусловленная наличием паразитной электрической составляющей ТЧП из-за падения напряжения на сопротивлениях токоведущий металлизации контролируемой ЦИС при протекании тока, потребляемого ЦИС.

Наиболее близким к заявленному изобретению по совокупности признаков является способ определения теплового импеданса цифровых интегральных микросхем, заключающийся в нагреве микросхемы путем переключения нескольких ЛЭ последовательностью высокочастотных импульсов, частоту следования которых изменяют (модулируют) периодической последовательностью прямоугольных импульсов с заданной частотой и скважностью 2, в измерении амплитуды тока, потребляемого микросхемой, и амплитуды изменения ТЧП и определении модуля теплового импеданса ЦИС на частоте модуляции как отношения амплитуды изменения ТЧП к амплитуде изменения греющего тока на частоте модуляции, напряжению питания микросхемы и известному температурному коэффициенту ТЧП (см. Патент РФ №2463618, Способ определения теплового импеданса КМОП цифровых интегральных микросхем // Сергеев В.А., Ламзин В.А., Юдин В.В. Опубл. 10.10.2012 г.). В качестве ТЧП в известном способе также используется напряжение логической единицы одного из ЛЭ микросхемы, логическое состояние которого не изменяется. Недостатком известного способа является большая погрешность измерения, обусловленная наличием паразитной электрической составляющей ТЧП из-за электрических выбросов при переключении ЛЭ из режима нагрева в режим измерения, а также наличием паразитной электрической составляющей ТЧП из-за падения напряжения на сопротивлениях токоведущий металлизации контролируемой ЦИС при протекании тока, потребляемого ЦИС.

Технический результат - уменьшение погрешности измерения теплового сопротивления цифровых интегральных микросхем.

Технический результат достигается тем, что в известном способе определения теплового сопротивления переход корпус цифровых интегральных микросхем, заключающемся в нагреве контролируемой микросхемы путем переключения нескольких логических элементов микросхемы высокочастотными импульсами, в измерении среднего тока, потребляемого микросхемой от источника питания, и изменения температурочувствительного параметра, отличие состоит в том, что нечетное число (n>1) логических элементов контролируемой микросхемы соединяют по схеме кольцевого генератора, замыкая цепь обратной связи кольцевого генератора, на некоторое время цикла измерения включают режим генерации, в качестве температурочувствительного параметра измеряют частоту следования импульсов кольцевого генератора в начале f_нач и в конце f_кон цикла измерения и определяют тепловое сопротивление переход-корпус по формуле:

Сущность изобретения заключается в исключении паразитной электрической составляющей ТЧП, обусловленной электрическими выбросами при переключении ЦИС из режима нагрева в режим измерения и падением напряжения на токоведущей металлизации при протекании тока потребляемого микросхемой путем использования в качестве ТЧП не напряжения логической единицы на выходе отдельного ЛЭ - датчика температуры, а временного параметра ЦИС - частоты следования импульсов кольцевого генератора, созданного из ЛЭ ЦИС (см., например, Рабаи Ж.М., Чандараксан А., Николич Б. Цифровые интегральные схемы. Методология проектирования. - М.: Вильямс. Второе издание, 2007. Стр 58-60).

Сущность изобретения поясняется эпюрами сигналов, приведенными на фиг. 1. Кольцевой генератор, созданный из нечетного числа ЛЭ контролируемой ЦИС, включается, например, путем замыкания цепи обратной связи на некоторое время Т_Ц цикла измерения (см. фиг. 1а), в несколько раз превышающее тепловую постоянную времени переход-корпус данного типа микросхем. Длительность периода следования Т_к генерируемых импульсов (фиг. 1б) определяется временем задержки распространения сигнала τ_зад ЛЭ микросхемы Т_к=2τ_задn, где n=(2m-1) - количество ЛЭ в кольцевом генераторе при m=2, 3,… В режиме генерирования мощность потребляемая ЦИС от источника питания пропорциональна частоте генерируемых импульсов и существенно возрастает по сравнению со статическим режимом. В результате ЛЭ ЦИС в режиме генерирования будут заметно разогреваться. Известно, что время задержки распространения сигнала ЦИС с ростом температуры увеличивается, а частота колебаний кольцевого генератора соответственно уменьшается. Относительное увеличение ξ времени задержки распространения сигнала ЛЭ ЦИС при увеличении температуры составляет примерно ξ=0,3%/град (см., например, Зельдин Е.А. Цифровые интегральные микросхемы в информационно-измерительной аппаратуре. - Л.: Энергоатомиздат, 1986, стр. 75). При ξ<<1 коэфффициент относительного температурного изменения частоты генерации практически равен (с обратным знаком) коэффициенту относительного температурного изменения времени задержки распространения сигнала, то есть при увеличении температуры ЛЭ на Δθ частота генерации уменьшится Как правило, электрические и временные параметры ЛЭ, расположенные на одном кристалле, и их изменение при изменении температуры имеют небольшой разброс от элемента к элементу, так как изготовлены в едином технологическом процессе.

В приближении теплоэлектрической аналогии (см., например, Закс Д.И. Параметры теплового режима полупроводниковых микросхем. - М.: Радио и связь, 1983. - 128 с.) изменение температуры Δθ_п(t) перехода определяется уравнением

где h(t-t′) - отклик температуры перехода на единичный δ-подобный импульс мощности в момент времени t′, P(t′) изменение потребляемой греющей мощности в процессе нагрева. В приближении двухэлементной теплоэлектрической модели

где R_Tп-к, τ_Tп-к - тепловое сопротивление и тепловая постоянная времени переход-корпус, а R_Tк-с τ_Тк-с - тепловое сопротивление и тепловая постоянная времени корпус-среда соответственно.

Относительное изменение греющей мощности, очевидно, будет равно относительному изменению частоты, то есть будет изменяться с тем же относительным коэффициентом ξ: , где P₀≡Р(0) - мощность, потребляемая микросхемой в начале нагрева. Решение уравнения (1) с точностью до членов порядка (ξ·Δθ_п)² имеет вид

где Δθ°(t) решение (1) в отсутствие температурной зависимости греющей мощности, то есть при P(t′)=P₀≡P(0)=const:

Для подавляющего большинства типов современных серийных ЦИС выполняется условие τ_Tп-к<<<τ_Тк-с и при выборе времени нагрева микросхемы из условия τ_Tп-к<<Т_Ц<<τ_Тк-c вторым слагаемым в правой части (4) можно пренебречь и после подстановки (4) в (3) получим:

И по окончании цикла измерения изменение температуры с точностью до членов порядка ехр(-Т_Ц/τ_Tп-к) будет равно

откуда с учетом малости получим выражение для R_Tп-к:

Величина в знаменателе выражения в правой части (7) есть не что иное, как средняя мощность, потребляемая ЦИС за время нагрева. Определить величину при известном напряжении источника питания можно, измерив средний ток, потребляемый ЦИС из источника питания: за время нагрева. Средний ток потребления можно определить, измерив цифровым вольтметром с внешним запуском напряжение U_R на токосъемном резисторе R в цепи питания микросхемы в момент t=0 и t=Т_Ц: . Изменение температуры за время нагрева определяется по уходу частоты колебаний кольцевого генератора , где К_f - температурный коэффициент частоты следования импульсов кольцевого генератора. Окончательно формула для определения теплового сопротивления переход-корпус запишется в виде:

На фиг. 2 представлена структурная схема устройства, реализующего способ определения теплового сопротивления переход-корпус ЦИС.

Устройство содержит контролируемую микросхему 1, источник 2 питания контролируемой микросхемы, формирователь 3 импульса цикла измерения, низкоомный токосъемный резистор R 4, схему 2И-НЕ 5, цифровой частотомер 6, цифровой вольтметр 7, формирователь 8 строб-импульсов, триггер 9, цифровой коммутатор 10, первый счетчик 11, второй счетчик 12, вычислитель 13.

Устройство работает следующим образом. В исходном состоянии первый счетчик 11 и второй счетчик 12 обнулены. Формирователь импульсов 3 формирует импульс цикла измерения Т_Ц (фиг. 1а), который поступает на вход первого логического элемента ЛЭ1 2И-НЕ кольцевого генератора контролируемой микросхемы 1 и на вход внешнего запуска цифрового вольтметра 7 и формирователь импульсов счета 8. Кольцевой генератор на логических элементах ЛЭ1-ЛЭn начинает генерировать высокочастотные импульсы с частотой следования f_к (фиг. 1б). Импульсы, генерируемые кольцевым генератором, поступают на первый вход схемы 2И-НЕ 5, используемой для исключения влияния цифрового частотомера 6 на частоту генерации. Падение напряжения на токосъемном сопротивлении R4, пропорциональное току потребления ЦИС в моменты времени t=0 и t=T_Ц, регистрируется вольтметром 7. Информационный выход цифрового вольтметра 7 шиной данных соединен со входом вычислителя 13. Второй формирователь 8 импульсов формирует два строб-импульса длительностью Т_с (фиг. 1б) в начале и конце цикла измерения Т_Ц. Строб-импульсы поступают на второй вход схемы 2И-НЕ 5. За время действия первого строб-импульса частотомер 6 определяет частоту кольцевого генератора в начале нагрева f_нач. За время действия второго строб-импульса частотомер 6 определяет частоту кольцевого генератора в конце цикла измерения f_кон. Строб-импульсы управляют триггером 9, который при поступлении первого строб-импульса разрешает передачу информации через цифровой коммутатор 10 на первый счетчик импульсов 11, а при приходе второго строб-импульса - передачу информации на второй счетчик импульсов 12. На вычислитель 13 поступает информация с цифрового вольтметра 7 о величине тока потребления ЦИС в начале и конце цикла измерения, с источника питания 2 - о величине напряжения питания контролируемой микросхемы и со счетчиков 11 и 12 - о величине частоты импульсов следования кольцевого генератора в начале f_нач и в конце f_кон цикла измерения Т_Ц. Величина теплового сопротивления переход-корпус ЦИС вычисляется вычислителем 13 по формуле (8).

При измерении частоты электронно-счетным частотомером погрешность измерения (см., например, Винокуров В.И., Каплин С.И., Петелин И.Г. Электрорадиоизмерения: Учеб. пособие для радиотехнич. спец. Вузов / Под ред. В.И. Винокурова. - 2-е изд. перераб. и доп. - М.: Высш. шк, 1986. Стр. 148-151) определяется нестабильностью кварцевого опорного генератора, которой можно пренебречь, и погрешностью дискретизации, которая равна:

где f_к - частота кольцевого генератора; Т_с - время счета частоты f_к.

Кроме этого, в предложенном варианте устройства, реализующего способ, будет существенной методическая погрешность, обусловленная изменением частоты из-за нагрева контролируемой микросхемы за время счета Т_с (см. фиг. 1г) в начале цикла измерения. Приращение температуры Δθ_с за время счета Т_с и по окончании цикли нагрева Δθ_Ц будут иметь вид

При выполнении неравенства Т_с<<τ_T<<Т_Ц относительная методическая погрешность измерения частоты δ_T за время счета Т_с будет равна

Из (9) и (11) следует, что суммарная погрешность измерения частоты за время счета Т_с в начале цикла измерения будет минимальной при . При f_к≈10⁷ Гц и τ_T≈10^-2 с Т_с≈30 мкс и суммарная погрешность измерения частоты в начале нагрева не будет превышать 1%.

Способ определения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем, заключающийся в нагреве контролируемой микросхемы путем переключения нескольких логических элементов микросхемы высокочастотными импульсами, в измерении среднего тока, потребляемого микросхемой от источника питания, и изменения температурочувствительного параметра, отличающийся тем, что нечетное число (n>1) логических элементов контролируемой микросхемы соединяют по схеме кольцевого генератора, замыкая цепь обратной связи кольцевого генератора на некоторое время цикла измерения, включают режим генерации, в качестве температурочувствительного параметра измеряют частоту следования импульсов кольцевого генератора в начале f_нач и в конце f_кон цикла измерения и определяют тепловое сопротивление переход-корпус по формуле

где Δf=f_нач-f_кон - изменение частоты следования импульсов кольцевого генератора; - средний ток, потребляемый контролируемой микросхемой за время цикла измерения; Е_пит - напряжение питания микросхемы, K_f - температурный коэффициент частоты следования импульсов кольцевого генератора.

Использование: для контроля качества цифровых интегральных микросхем КМОП логическими элементами и оценки их температурных запасов. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает подачу напряжения на контролируемую микросхему, переключение логического состояния греющего логического элемента последовательностью периодических импульсов, измерение изменения температурочувствительного параметра, определение теплового сопротивления, при этом греющий логический элемент переключается высокочувствительными импульсами, а в качестве температурочувствительного параметра используют длительность периода следования низкочастотных импульсов, генерируемых мультивибратором, и мультивибратор состоит из логического элемента контролируемой микросхемы и логического элемента образцовой микросхемы, работающей вместе с пассивными элементами мультивибратора при неизменной температуре.

Способ измерения параметров элементов многоэлементных нерезонансных линейных двухполюсников // 2561336

Изобретение относится к технике измерения параметров элементов электрических цепей и может быть использовано для измерения параметров элементов многоэлементных двухполюсников, в том числе параметров элементов эквивалентных схем замещения полупроводниковых приборов.

Устройство автоматического бесконтактного контроля технического состояния диодного выпрямителя // 2549221

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой устройство для определения исправности полупроводниковых диодов и может быть использовано для автоматического бесконтактного контроля технического состояния мостовых диодных выпрямителей.

Устройство анализа результатов тестирования для поиска неисправных блоков // 2540805

Изобретение относится к области тестирования дискретных объектов большой размерности. Техническим результатом является повышение глубины локализации неисправностей.

Способ определения стойкости к дугообразованию элементов радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов // 2539964

Изобретение относится к технике испытаний и может быть использовано при наземной экспериментальной отработке радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов в диапазоне давлений окружающей среды от атмосферного до соответствующего глубокому вакууму.

Способ испытания на коррозионную стойкость интегральных схем // 2527669

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам испытаний интегральных схем (ИС) на коррозионную стойкость. Сущность: перед испытанием ИС проводят проверку внешнего вида, электрических параметров и проверку герметичности, нагревают до температуры плюс 125°С со скоростью не более 100°С/мин, выдерживают при этой температуре 1 ч, резко охлаждают до минус 55°С со скоростью не более 100°С/мин, выдерживают при данной температуре 0,5 ч, плавно нагревают до плюс 2°С в течение 1 ч.

Способ и устройство для измерения переходных тепловых характеристик светоизлучающих диодов // 2523731

Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано для измерения температуры активной области светоизлучающих диодов. Заявлен cпособ измерения переходных тепловых характеристик светоизлучающих диодов (СИД), при котором инжекционный ток подают в виде последовательности импульсов нарастающей длительности с периодом между импульсами, достаточными для остывания активной области и не менее времени считывания сигнала с выхода фотоприемной линейки.

Способ определения теплового импеданса сверхбольших интегральных схем - микропроцессоров и микроконтроллеров // 2521789

Способ предназначен для использования на выходном и входном контроле качества сверхбольших интегральных схем (СБИС) - микропроцессоров и микроконтроллеров - и оценки их температурных запасов.

Способ контроля работоспособности многоточечной измерительной системы с входной коммутацией датчиков // 2515738

Изобретение относится к измерительной технике и может применяться для исследования измерительных характеристик и контроля точности работы измерительного устройства многоточечных измерительных систем с входной коммутацией датчиков.

Способ определения теплового импеданса цифровых кмоп интегральных микросхем // 2504793

Изобретение предназначено для использования на выходном и входном контроле качества цифровых КМОП интегральных микросхем и оценки их температурных запасов. Сущность: на входы одного или нескольких логических элементов контролируемой микросхемы подают последовательность высокочастотных переключающих греющих импульсов частотой Fгр, модулированных последовательностью прямоугольных видеоимпульсов с постоянным периодом следования Тсл, длительность τр которых изменяется по гармоническому закону с частотой ΩМ.

Способ анализа устройства // 2570093

Использование: для выяснения причин отказов устройства или для оценки качества процесса производства внутренней части электронного устройства. Сущность изобретения заключается в том, что способ, в котором выполняют анализ образца электронного устройства посредством замера некоторого свойства в нескольких точках указанного образца и подвергают, до выполнения анализа, указанные несколько точек, по меньшей мере, одной обработке, увеличивающей различие указанного свойства, по меньшей мере, в двух элементах образца электронного устройства, представляющих собой, по меньшей мере, два слоя пакета слоев, включенного в электронное устройство, при этом указанная обработка включает резку пакета слоев таким образом, что создается различие морфологии в поверхности среза, по меньшей мере, между двумя из указанных слоев пакета. Технический результат: обеспечение возможности облегчения исследования качества электронного устройства. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Интегральная схема с программируемым логическим анализатором с расширенными возможностями анализа и отладки и способ // 2579814

Изобретение относится к встроенному логическому анализатору и, в частности, к программируемому встроенному логическому анализатору для анализа электронной схемы. Устройство для тестирования и отладки электронной схемы, содержащее логический анализатор, имеющий первый вход, принимающий множество сигналов, и выход для обеспечения индикации обнаружения, с помощью логического анализатора, по меньшей мере одного запускающего события; и блок со встроенным самотестированием (BIST), имеющий первый вход для приема одного или более сигналов, появляющихся на первом входе логического анализатора, второй вход, соединенный с выходом логического анализатора для избирательного задействования блока BIST, причем блок BIST генерирует и поддерживает сигнатуру на основании первого и второго его входов. Технический результат заключается в расширении функциональных возможностей. 3 н. и 16 з.п. ф-лы, 17 ил.

Способ определения стойкости полупроводниковых приборов свч к воздействию ионизирующих излучений // 2602416

Использование: для отбраковки полупроводниковых приборов. Сущность изобретения заключается в подаче на каждый прибор из группы однотипных приборов неизменные напряжения питания, приложении последовательности циклов ионизирующего излучения, доза которого накапливается в каждом цикле с тем, чтобы получить вызванное ею приращение интегрального низкочастотного шума прибора над шумами его исходного состояния, анализе приращений интегрального шума с ростом накопленной дозы, определении приращения интегрального шума, достигнутого к моменту окончания М-го цикла, с которого начинают уверенно фиксироваться изменения рабочего тока прибора, выбраковке приборов тех типов, у которых среднее значение приращения интегрального шума на единицу дозы, достигнутое к моменту окончания М-го цикла, оказывается больше, чем у приборов других типов. Технический результат: обеспечение возможности повышения достоверности определения стойкости полупроводниковых приборов к проникающим ионизирующим излучениям. 2 ил.

Способ определения стойкости к радиационным и температурным воздействиям наноэлектронного резонансно-туннельного диода (ртд) на основе многослойных algaas (алюминий, галлий, арсеникум) полупроводниковых гетероструктур // 2606174

Использование: для определения стойкости к радиационным и температурным воздействиям наноэлектронного резонансно-туннельного диода. Сущность изобретения заключается в том, что способ определения стойкости к радиационным и температурным воздействиям наноэлектронного резонансно-туннельного диода (РТД) на основе многослойных AlGaAs (алюминий, галлий, арсеникум) полупроводниковых гетероструктур заключается в последовательном приложении циклов радиационных воздействий на партию РТД, доза которых постепенно накапливается в каждом цикле, и температурных воздействий, время воздействия которых постепенно увеличивается, с тем, чтобы получить вызванное ими изменение вольт-амперной характеристики (ВАХ) в рабочей области не менее чем на порядок больше погрешности измерения, в определении количества циклов радиационных и температурных воздействий путем установления ВАХ, соответствующей параметрическому отказу для конкретного применения РТД, в построении семейства ВАХ, в определении на основе анализа кинетики ВАХ скорости деградации РТД и в определении стойкости к радиационным и температурным воздействиям РТД на основе полученной скорости деградации РТД. Технический результат: обеспечение возможности определения стойкости к радиационным и температурным воздействиям наноэлектронного резонансно-туннельного диода. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Способ измерения переходной тепловой характеристики цифровых интегральных схем // 2613481

Использование: для контроля тепловых свойств цифровых интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что способ заключается в разогреве цифровой интегральной схемы ступенчатой электрической греющей мощностью известной величины и в измерении в определенные моменты времени в процессе разогрева цифровой интегральной схемы температурочувствительного параметра с известным температурным коэффициентом, по изменению которого рассчитывают приращение температуры активной области цифровой интегральной схемы, с целью упрощения способа и уменьшения погрешности измерения переходной тепловой характеристики для задания электрической греющей мощности нечетное число (n>1) логических элементов контролируемой цифровой интегральной схемы соединяют по схеме кольцевого генератора, подключают его к источнику питания, в заданные моменты времени ti измеряют мгновенную мощность, потребляемую цифровой интегральной схемой от источника питания, и частоту колебаний кольцевого генератора, а значение переходной тепловой характеристики в момент времени t находят по формуле: где и - частота колебаний кольцевого генератора в моменты времени t0=0 и ti соответственно, - температурный коэффициент частоты колебаний кольцевого генератора, Рср(ti)=[Р(0)+P(ti)]/2 - средняя мощность, потребляемая цифровой интегральной схемой за время от начала нагрева t0=0 до момента времени ti, а P(0) и P(ti) - мгновенная мощность, потребляемая цифровой интегральной схемой в моменты времени t0=0 и ti соответственно. Технический результат: обеспечение возможности упрощения способа и уменьшения погрешности измерения тепловой переходной характеристики цифровых интегральных схем. 2 ил.

Устройство для определения нагрузочной способности микросхем // 2613568

Изобретение относится к области микроминиатюризации и технологии радиоэлектронной аппаратуры и может быть использовано для контроля параметров микросхем при их производстве. Технический результат: повышение точности и достоверности определения нагрузочной способности микросхем. Сущность: устройство содержит генератор прямоугольного напряжения 1, испытуемую микросхему 2, рабочую микросхему 3, вольтметр 4, элементы нагрузки 5-1…5-k, коммутатор 6, элемент И 7, компаратор 8, счетчик импульсов 9, источник опорного напряжения 10. В устройстве последовательно соединены генератор прямоугольного напряжения 1, рабочая микросхема 3, элемент И 7 и счетчик импульсов 9, а также источник опорного напряжения 10 и компаратор 8. Входная клемма испытуемой микросхемы 2 также подключена к выходу генератора прямоугольного напряжения 1. Сигнальные входы вольтметра 4 и коммутатора 6 объединены и подключены к выходной клемме испытуемой микросхемы 2. Управляющие входы вольтметра 4 и коммутатора 6 объединены и также подключены к выходу рабочей микросхемы 3. Выход вольтметра 4 связан со вторым входом компаратора 8, выход которого подключен ко второму входу элемента И 7. Каждый из выходов коммутатора 6 подключен к входу одноименного элемента нагрузки 5-1…5-k. 1 ил.

Устройство для определения нагрузочной способности микросхем // 2613573

Устройство для определения нагрузочной способности микросхем относится к области микроминиатюризации и технологии радиоэлектронной аппаратуры и может быть использовано для контроля параметров микросхем при их производстве. Технический результат заключатся в повышении точности и достоверности определения нагрузочной способности микросхем. Устройство для определения нагрузочной способности микросхем содержит генератор прямоугольного напряжения 1, испытуемую микросхему 2, вольтметр 3, элементы нагрузки 4-1…4-k, коммутатор 5, элемент И 6, компаратор 7, счетчик импульсов 8 и источник опорного напряжения 9. 1 ил.

Устройство бесконтактного контроля исправности электротехнических объектов переменного тока // 2617731

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для бесконтактного непрерывного контроля исправности электротехнических объектов переменного тока. Устройство содержит: датчик напряженности внешнего магнитного поля, размещенного вблизи объекта контроля, выход которого связан с входом усилителя; узкополосный фильтр, настроенный на частоту 2ω (ω - частота питающего объект переменного напряжения), выход которого подключен к входам двух компараторов логического блока, имеющих различные уровни срабатывания. При этом к выходу компаратора, имеющего меньший уровень срабатывания, подключены входы логических элементов И-НЕ и И. Ко второму входу логического элемента И-НЕ подключены выход компаратора с большим уровнем срабатывания и второй индикатор блока индикации, а выход логического элемента И-НЕ подключен ко второму входу логического элемента И, к выходу которого подключен первый индикатор. Причем датчик напряженности выполнен в виде трех одинаковых ортогонально размещенных цилиндрических обмоток, начальные выводы которых соединены между собой и заземлены, а конечные выводы подключены соответственно к усилителям, каждый из которых соединен со своим квадратором, выходы которых соединены с входами суммирующего устройства, а выход суммирующего устройства подключен к устройству извлечения квадратного корня, соединенного с интегратором, выход которого, в свою очередь, подключен к входу полосового фильтра. Технический результат заключается в повышении надежности работы устройства. 2 ил.

Способ измерения электрических параметров и характеристик без демонтажа объекта исследования, а также устройства для его реализации // 2627281

Изобретения могут использоваться в электронной, космической, авиационной, военной и других отраслях промышленности. Способ измерения электрических параметров или характеристик объекта исследования, установленного в электронном устройстве или блоке без демонтажа объекта исследования с печатной платы, на которой он установлен, заключается в том, что посредством подключающего устройства измерительного оборудования или прибора подключают объект исследования - электрически соединяют его с таким оборудованием или прибором, согласно изобретению используют как минимум один специальный электронный компонент – Тест-ключ, который выполнен с возможностью замыкания и размыкания электрической цепи, подключенной к паре его выводов, при этом Тест-ключ электрически соединяют последовательно с объектом исследования, для чего его располагают непосредственно перед или за объектом исследования в соответствии с электрической схемой упомянутых устройства или блока, причем один из выводов пары электрически соединяют с заданным полюсом объекта исследования, в то время как другой - с тем местом или участком электрической цепи измеряемых устройства или блока, с которым этот полюс должен быть электрически соединен, при этом исключают соединение самого такого полюса с указанным местом посредством стационарно установленного проводника, причем обеспечивают возможность электрического соединения с таким полюсом подключающего устройства упомянутых оборудования или прибора, для чего обеспечивают возможность физического доступа извне к электрически соединенному с ним проводнику до, во время или после подключения объекта исследования к упомянутым оборудованию или прибору, но перед измерением, посредством управляющего состоянием Тест-ключа воздействия обеспечивают размыкание ключа, соответствующего упомянутому полюсу объекта исследования, за счет чего отключают объект исследования от электрической цепи упомянутых устройства или блока, после чего диагностируют объект исследования, электрически развязанный с электрической цепью упомянутых устройства или блока или с ее частью, причем не менее чем на время измерений или, по крайней мере, не менее чем на время тестирования объекта исследования упомянутым оборудованием или прибором поддерживают Тест-ключ в разомкнутом состоянии, тогда как по окончании измерений или тестирования объекта исследования непосредственно или отсрочено обеспечивают замыканием Тест-ключа подключение объекта исследования к указанной цепи для обеспечения возможности штатного функционирования диагностируемого устройства или блока. Технический результат, достигаемый при использовании изобретений, заключается в снижении затрат времени на проведение диагностики и настройки электронных устройств или блоков, что обеспечивается за счет снижения затрат времени на измерение распаянных на печатных платах объектов исследования и исключения деструктивного влияния на них процесса измерения в виду исключения необходимости их полного и частичного демонтажа с плат. 5 н. и 20 з.п. ф-лы, 3 ил.

Способ контроля и диагностики состояния сложных объектов // 2641322

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для бесконтактного автоматизированного контроля параметров и диагностики технического состояния объектов, функционирование которых состоит из периодически повторяющихся циклов. Способ контроля и диагностики состояния сложных объектов, функционирование которых состоит из периодически повторяющихся циклов, заключается в регистрации сигнала информационного параметра состояния объекта, создании из этого сигнала его искаженного заведомо известным методом образа (реплики), получении характеристической кривой путем подачи на вход X осциллографа сигнала информационного параметра состояния, а на вход У - его образа (реплики) и сравнении наблюдаемой характеристической кривой с предварительно созданным банком эталонных характеристических кривых дефектных состояний объекта и на основании совпадения этих кривых установлении наличия соответствующего дефекта. При этом внутри периода изменения информационного параметра стробоскопическим методом выделяется область, наиболее полно отражающая наличие имеющегося дефекта, которая при необходимости может перемещаться в пределах периода, а также изменяться по длительности, и для этой области формируется характеристическая кривая, которая сравнивается с предварительно созданными соответствующими характеристическими кривыми из банка эталонных характеристических кривых дефектных состояний объекта контроля. Предлагаемый способ позволяет реализовать возможность углубленного анализа состояния сложных объектов, процесс функционирования которых состоит из периодически повторяющихся циклов за счет повышения точности и достоверности результатов измерения и высокочувствительного алгоритма их обработки. 4 ил.