Ячейка магнитной оперативной памяти с двойным переходом для применений троичной ассоциативной памяти

Авторы патента:

G11C11/00 - Цифровые запоминающие устройства, отличающиеся применением различных электрических или магнитных элементов памяти; элементы памяти для них (G11C 14/00- G11C 21/00 имеют преимущество)

Владельцы патента RU 2572464:

КРОКУС ТЕКНОЛОДЖИ СА (FR)

Использование: для использования в качестве троичной ассоциативной памяти. Сущность изобретения заключается в том, что ячейка магнитной оперативной памяти (MRAM) включает в себя первый туннельный барьерный слой, заключенный между слоем мягкого ферромагнетика, имеющим свободную намагниченность, и первым слоем твердого ферромагнетика, имеющим первую намагниченность хранения; второй туннельный барьерный слой, заключенный между слоем мягкого ферромагнетика и вторым слоем твердого ферромагнетика, имеющим вторую намагниченность хранения; причем первая намагниченность хранения является свободно ориентируемой при первом высоком заранее определенном температурном пороге, и вторая намагниченность хранения является свободно ориентируемой при втором заранее определенном высоком температурном пороге; при этом первый высокий заранее определенный температурный порог выше второго заранее определенного высокого температурного порога. Технический результат: обеспечение возможности использования ячейки MRAM в качестве троичной ассоциативной памяти (TCAM) при уменьшенном размере ячейки. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 2 ил., 2 табл.

Область техники

Настоящее изобретение относится к ячейке магнитной оперативной памяти (MRAM) с двойным магнитным туннельным переходом для использования в качестве троичной ассоциативной памяти.

Уровень техники

TCAM (троичная ассоциативная память) - важный класс устройств памяти, широко используемый для сетей интернет. Эти элементы работают на сопоставлении входных данных с сохраненными адресными данными. Одним признаком таких элементов является то, что они требуют хранения трех отдельных состояний 1, 0 и "безразличное состояние". Стандартное исполнение такого устройства требует очень большого количества транзисторов для того, чтобы обеспечить такие функции, и это приводит к чрезвычайно большим размерам кристалла.

Типичное исполнение ячейки TCAM статической оперативной памяти (SRAM) состоит из троичной памяти, содержащей две ячейки SRAM, которые объединяют от десяти до двенадцати транзисторов. Оно также имеет логическую схему сравнения, которая, в основном, является логическим элементом исключающего ИЛИ-НЕ (XNOR), использующим четыре дополнительных проходных транзистора. Отсюда очень большие, от четырнадцати до шестнадцати транзисторов, размеры ячеек, отсюда же дорогостоящее устройство. Обычные ячейки TCAM часто представляют собой две стандартные ячейки SRAM с четырьмя или более транзисторами, сконструированными, чтобы выполнять функцию исключающего НЕ (EOR).

В отличие от интегральной схемы RAM (оперативной памяти), которая имеет простые ячейки хранения, каждый индивидуальный бит памяти в полностью параллельной TCAM имеет свою собственную связанную схему сравнения для того, чтобы обнаруживать соответствие между битом сохраненных данных и битом входных данных. Микросхемы TCAM, таким образом, значительно меньше по емкости запоминающего устройства, чем стандартные интегральные схемы памяти. Кроме того, выходные сигналы совпадения от каждой ячейки в слове данных могут быть объединены, чтобы получить полный сигнал совпадения слова данных. Связанная дополнительная схема дополнительно увеличивает физический размер микросхемы TCAM. Кроме того, CAM (ассоциативная память) и TCAM так, как они выполняются сегодня (с использованием элементов SRAM), в действительности энергозависимы, что означает, что данные теряются, когда питание отключается. В результате, каждая схема сравнения нуждается в том, чтобы быть активной в каждом периоде тактовых импульсов, что приводит к большому рассеянию мощности. С большой стоимостью, большой мощностью и с присущей ей энергозависимостью TCAM используется только в специализированных применениях, где скорость поиска не может быть достигнута использованием менее затратного метода.

Развивающаяся технология памяти и высокоскоростные поисково-емкие применения требуют троичной ассоциативной памяти с большими размерами слова, которые страдают из-за низких скоростей поиска в силу большой емкости ячейки.

Сущность изобретения

Настоящее описание относится к ячейке магнитной оперативной памяти (MRAM), включающей в себя слой мягкого ферромагнетика, имеющий намагниченность, которая может быть свободно ориентирована; первый слой твердого ферромагнетика, имеющий первую намагниченность хранения; первый туннельный барьерный слой, заключенный между слоем мягкого ферромагнетика и первым слоем твердого ферромагнетика; второй слой твердого ферромагнетика, имеющий вторую намагниченность хранения; и второй туннельный барьерный слой, заключенный между слоем мягкого ферромагнетика и вторым слоем твердого ферромагнетика; где первая намагниченность хранения может быть свободно ориентирована при первом высоком заранее определенном температурном пороге и вторая намагниченность хранения может быть свободно ориентирована при втором заранее определенном высоком температурном пороге; при этом первый высокий заранее определенный температурный порог выше второго заранее определенного высокого температурного порога.

В варианте осуществления изобретения магнитный элемент может дополнительно включать в себя первый антиферромагнитный слой, закрепляющий первую намагниченность хранения ниже первого высокого заранее определенного температурного порога, и второй антиферромагнитный слой, закрепляющий вторую намагниченность хранения ниже второго заранее определенного высокого температурного порога.

В другом варианте осуществления изобретения первый слой твердого ферромагнетика может иметь произведение сопротивление-площадь первого перехода и второй слой твердого ферромагнетика может иметь произведение сопротивление-площадь второго перехода, которое по существу равно произведению сопротивление-площадь первого перехода.

Настоящее описание также относится к способу записи в ячейку MRAM, включающему в себя:

нагрев магнитного элемента до температуры выше первого заранее определенного высокого температурного порога;

приложение магнитного поля записи в первом направлении так, чтобы сориентировать первую намагниченность хранения и вторую намагниченность хранения в соответствии с магнитным полем записи.

В варианте осуществления изобретения упомянутое магнитное поле записи может быть приложено в первом направлении для сохранения первых данных или во втором направлении для сохранения вторых данных.

В другом варианте осуществления изобретения способ может дополнительно включать в себя охлаждение магнитного элемента (2) ниже второго заранее определенного высокого температурного порога.

В еще одном варианте осуществления изобретения способ может дополнительно включать в себя:

охлаждение магнитного элемента до промежуточной температуры, заключенной ниже первого заранее определенного высокого температурного порога и выше второго заранее определенного высокого температурного порога;

приложение магнитного поля записи во втором направлении, противоположном первому направлению, так, чтобы сориентировать вторую намагниченность хранения во втором направлении вдоль магнитного поля записи для сохранения третьих данных; и

охлаждение магнитного элемента ниже второго заранее определенного высокого температурного порога.

Также описан способ считывания ячейки MRAM, включающий в себя:

измерение значения начального сопротивления магнитного элемента с сохраненными данными;

передачу первых данных поиска на слой считывания и определение соответствия между первыми данными поиска и сохраненными данными; и

передачу вторых данных поиска на слой считывания и определение соответствия между вторыми данными поиска и сохраненными данными.

Ячейка MRAM, описанная здесь, может использоваться как троичная ассоциативная память. Ячейка MRAM может хранить три различных уровня состояния 1, 0 и "Х" (безразличное состояние) и может использоваться как устройство соответствия, позволяющее, таким образом, исполнение ячейки TCAM с существенно уменьшенным размером ячейки и ценой.

Краткое описание чертежей

Изобретение будет понято лучше при помощи описания варианта осуществления, данного путем примера и проиллюстрированного чертежами, на которых:

Фиг.1 показывает вид ячейки магнитной оперативной памяти (MRAM), включающей в себя первый слой хранения, второй слой хранения и слой считывания согласно варианту осуществления изобретения; и

Фиг.2а-с иллюстрируют ориентацию намагниченности первого и второго слоя хранения и слоя считывания.

Подробное описание возможных вариантов осуществления

В варианте осуществления изобретения, показанном на Фиг.1, ячейка 1 магнитной оперативной памяти (MRAM) включает в себя магнитный элемент 2, который выполнен из двойного магнитного туннельного перехода, включающего в себя первый туннельный барьерный слой 22, имеющий произведение RA₁ сопротивление-площадь первого перехода, и первый слой твердого ферромагнетика, или первый слой 23 хранения, имеющий первую намагниченность 230 хранения. Магнитный элемент 2 дополнительно включает в себя второй туннельный барьерный слой 24, имеющий произведение RA₂ сопротивление-площадь второго перехода, и второй слой твердого ферромагнетика, или второй слой 25 хранения, имеющий вторую намагниченность 250 хранения. Слой мягкого ферромагнетика, или слой 21 считывания, имеющий намагниченность 210 считывания, которая может быть свободно ориентирована, заключается между первым и вторым туннельным барьерным слоем 22, 24.

На примере Фиг.1 магнитный элемент 2 дополнительно включает в себя первый антиферромагнитный слой 20 и второй антиферромагнитный слой 26. Первый антиферромагнитный слой 20 приспособлен для обменного взаимодействия с первым слоем 23 хранения так, что первая намагниченность 230 хранения может быть свободно ориентирована при первом высоком температурном пороге Tw1 и закреплена ниже этой температуры. Второй антиферромагнитный слой 26 приспособлен для обменного взаимодействия со вторым слоем 25 хранения так, что вторая намагниченность 250 хранения может быть свободно ориентирована при втором высоком температурном пороге Tw2 и закреплена ниже этой температуры. В варианте осуществления изобретения первый заранее определенный высокий температурный порог Tw1 больше, чем второй заранее определенный высокий температурный порог Tw2.

На иллюстративном примере первый слой 23 хранения может быть выполнен из сплава на основе NiFe/CoFeB и первый антиферромагнитный слой 20 может быть выполнен из сплава на основе IrMn. Второй слой 25 хранения может быть выполнен из сплава на основе CoFeB/NiFe и второй антиферромагнитный слой 26 может быть выполнен из сплава на основе FeMn. Слой 21 считывания предпочтительно выполнен из сплава на основе CoFeB.

В варианте осуществления изобретения произведение RA₁ сопротивление-площадь первого перехода по существу равно произведению RA₂сопротивление-площадь второго перехода. Первое туннельное магнитосопротивление TMR₁ первого туннельного барьерного слоя 22, первого слоя 23 хранения и слоя 21 считывания будет тогда по существу таким же, как второе туннельное магнитосопротивление TMR₂ второго туннельного барьерного слоя 24, второго слоя 25 хранения и слоя 21 считывания. Первый и второй туннельные барьерные слои 22, 24 предпочтительно выполнены из MgO, где оба произведения RA₁, RA₂сопротивление-площадь первого и второго перехода, по существу, равны 20 Ом×мкм².

Ячейка 1 MRAM может дополнительно включать в себя линию тока (не представлена) в электрическом взаимодействии с одним из концов магнитного элемента 2 и транзистор выбора (также не представлен) в электрическом взаимодействии с другим концом магнитного элемента 2.

В варианте осуществления изобретения ячейка 1 MRAM записывается с использованием термически выполняемой операции записи. В частности, передача первых данных записи ячейке 1 MRAM включает в себя следующие этапы:

нагрев магнитного элемента 2 до/при температуре выше первого заранее определенного высокого температурного порога Tw1 так, чтобы освободить первую и вторую намагниченности 230, 250 хранения;

приложение магнитного поля записи в первом направлении так, чтобы сориентировать как первую намагниченность 230 хранения, так и вторую намагниченность 250 хранения в первом направлении в соответствии с магнитным полем записи; и

охлаждение магнитного элемента 2 до температуры, которая ниже второго заранее определенного высокого температурного порога Tw2 так, чтобы первая и вторая намагниченность 230, 250 хранения закрепились в записанном состоянии с помощью первого и второго антиферромагнитного слоя 20, 26 соответственно.

После охлаждения и в отсутствие магнитного поля записи слой 21 считывания находится в равновесном состоянии и его намагниченность 210 считывания ориентирована антипараллельно первой и второй намагниченности 230, 250 хранения. Первые сохраненные данные "0" таким образом соответствуют магнитному элементу 2, имеющему первый уровень состояния. Ориентация первой намагниченности 230 хранения, второй намагниченности 250 хранения и намагниченности 210 считывания показана на Фиг.2a-c. На Фиг.2a-c первый и второй антиферромагнитный слои 20, 26 не представлены. В частности, Фиг.2а представляет ориентацию намагниченностей 230, 250 хранения и намагниченности 210 считывания для первых сохраненных данных "0".

В другом варианте осуществления изобретения вторые данные для записи могут быть переданы на магнитный элемент 1 путем выполнения этапа нагрева, описанного выше. Магнитное поле записи затем прикладывается вдоль второго направления, которое противоположно первому направлению, так, чтобы сориентировать как первую намагниченность 230 хранения, так и вторую намагниченность 250 хранения во втором направлении. После охлаждения до температуры ниже второго заранее определенного высокого температурного порога Tw2 и в отсутствие магнитного поля записи (равновесие) намагниченность 210 считывания ориентирована антипараллельно первой и второй намагниченности 230, 250 хранения. Вторые сохраненные данные "1" таким образом соответствуют магнитному элементу 2, имеющему второй уровень состояния (см. Фиг.2b).

В другом варианте осуществления изобретения передача третьих данных для записи выполняется следующим образом:

охлаждение магнитного элемента 2 до/при промежуточной температуре, которая заключена ниже первого заранее определенного высокого температурного порога Tw1 и выше второго заранее определенного высокого температурного порога Tw2 так, чтобы закрепить первую намагниченность 230 хранения с помощью первого антиферромагнитного слоя 20 так, что вторая намагниченность 250 хранения может быть свободно ориентирована;

приложение магнитного поля записи во втором направлении противоположно первому направлению так, чтобы сориентировать вторую намагниченность 250 хранения во втором направлении вдоль магнитного поля записи; и

охлаждение магнитного элемента 2 до температуры, которая ниже второго заранее определенного высокого температурного порога Tw2 так, чтобы первая и вторая намагниченности 230, 250 хранения закрепились в записанном состоянии с помощью первого и второго антиферромагнитного слоя 20, 26 соответственно.

В этой последней конфигурации намагниченность 210 считывания может быть ориентирована либо в первом, либо во втором направлении, то есть параллельно или антипараллельно первой или второй намагниченности 230, 250 хранения. Третьи сохраненные данные "Х" таким образом соответствуют магнитному элементу 2, имеющему третий уровень промежуточного состояния (см. Фиг.2с).

Нагрев магнитного элемента 2 может быть выполнен путем пропускания тока нагрева (не показан) в магнитном элементе 2 через линию тока. Охлаждение магнитного элемента 2 до промежуточного температурного порога может, таким образом, быть выполнено уменьшением силы тока нагрева, и охлаждение магнитного элемента 2 до низкого температурного порога может быть достигнуто путем блокирования тока нагрева. Приложение магнитного поля записи может быть выполнено путем пропускания тока намагничивания (не показан) в линии тока.

Согласно варианту осуществления изобретения операция считывания записанной ячейки 1 MRAM включает в себя:

измерение значения начального сопротивления R₀ магнитного элемента 2 с сохраненными данными;

передачу первых данных поиска "0" на слой 21 считывания и определение соответствия между первыми данными поиска и сохраненными данными; и

передачу вторых данных поиска "1" на слой 21 считывания и определение соответствия между вторыми данными поиска и сохраненными данными;

Измерение значения начального сопротивления R₀выполняется путем пропускания тока считывания в магнитном элементе 2 в отсутствие внешнего магнитного поля (в нулевом поле). Передача первых и вторых данных поиска "0", "1" включает в себя приложение магнитного поля считывания в первом и втором направлении соответственно так, чтобы сориентировать намагниченность считывания 210 вдоль направления магнитного поля считывания. Определение соответствия между первыми и вторыми данными поиска и сохраненными данными включает в себя измерение первого сопротивления R₁считывания и второго сопротивления R₂ считывания путем пропускания тока считывания в магнитном элементе 2, когда магнитное поле приложено в первом и втором направлении соответственно.

Операция считывания, описанная здесь, - это основанная на обращении к себе самой операция считывания в том смысле, что сопротивление магнитного элемента 2 измеряется для первых и вторых сохраненных данных "0", "1" (первое и второе сопротивление считывания), и использование опорной ячейки не требуется. Такая основанная на обращении к себе самой операция считывания была также описана в Европейской патентной заявке ЕР2276034 настоящим заявителем. Более того, операция считывания, описанная здесь, включает в себя определение соответствия между первыми и вторыми данными поиска и сохраненными данными, вместо просто считывания сохраненного значения "0" или "1", как в обычной операции считывания.

В случае первых сохраненных данных "0" начальное сопротивление R₀ имеет высокое значение (R_max1+R_max2), которое определяется первым высоким сопротивлением (R_max1) из-за антипараллельной ориентации намагниченности 210 считывания с первой намагниченностью 230 хранения и вторым высоким сопротивлением (R_max2) из-за антипараллельной ориентации намагниченности 210 считывания со второй намагниченностью 250 хранения (см. Таблицу 1). Передача первых данных поиска "0" ориентирует намагниченность 210 считывания антипараллельно первой и второй намагниченности 230, 250 хранения, и измеренное значение первого сопротивления R₁ считывания высокое (R_max1+R_max2). Передача вторых данных поиска "1" ориентирует намагниченность 210 считывания параллельно первой и второй намагниченности 230, 250 хранения, и измеренное значение второго сопротивления R₂ считывания низкое (R_min1+R_min2), где R_min1 - первое низкое сопротивление из-за параллельной ориентации намагниченности 210 считывания с первой намагниченностью 230 хранения, и R_min2 - второе низкое сопротивление из-за параллельной ориентации намагниченности 210 считывания со второй намагниченностью 250 хранения. Здесь, разность между R₂ и R₁ соответствует ΔR=(R_max1+R_max2)-(R_min1+R_min2).

В случае вторых сохраненных данных "1" начальное сопротивление R₀ имеет высокое значение (R_max1+R_max2). Передача первых данных поиска "0" ориентирует намагниченность 210 считывания параллельно первой и второй намагниченности 230, 250 хранения, и измеренное значение первого сопротивления R₁ считывания низкое (R_min1+R_min2). Передача вторых данных поиска "1" ориентирует намагниченность 210 считывания антипараллельно первой и второй намагниченности 230, 250 хранения, и измеренное значение второго сопротивления R₂ считывания высокое (R_max1+R_max2).

В случае третьих сохраненных данных "Х" начальное сопротивление R₀ имеет промежуточное значение (R_min1+R_max2). Передача первых данных поиска "0" ориентирует намагниченность 210 считывания параллельно первой намагниченности 230 хранения и антипараллельно второй намагниченности 250 хранения. Передача вторых данных поиска "1" ориентирует намагниченность 210 считывания антипараллельно первой намагниченности 230 хранения и параллельно второй намагниченности 250 хранения. Измеренное значение для как первого, так и второго сопротивления R₁, R₂ считывания соответствует промежуточному значению (R_min1+R_max2). То же самое значение первого и второго сопротивления R₁, R₂ считывания для двух данных поиска "0" и "1" соответствует уровню состояния "безразличное состояние" ячейки 1 MRAM, так как выход (сопротивление считывания) нечувствителен к состоянию входа (данные поиска). Таблица 1 представляет различные значения сопротивления, измеренные для начального сопротивления R₀ и первого, и второго сопротивления R₁, R₂ считывания.

Таблица 1
	Сохраненные данные	Сохраненные данные	Сохраненные данные
R₀ (нулевое поле)	R_max1+R_max2	R_max1+R_max2	R_min1+R_max2
R₁ (данные поиска)	R_max1+R_max2	R_min1+R_min2	R_min1+R_max2
R₂ (данные поиска)	R_min1+R_min2	R_max1+R_max2	R_min1+R_max2

Ячейка 1 MRAM, описанная здесь, может, таким образом, быть использована как троичная ассоциативная память. Ячейка 1 MRAM может хранить три различных уровня состояния "1", "0" и "Х" (безразличное состояние) и может использоваться как устройство соответствия, допускающее, таким образом, исполнение ячейки TCAM с существенно уменьшенным размером ячейки и ценой. Таблица 2 представляет соответствие между первыми и вторыми данными поиска и сохраненными данными. В частности, определение соответствия дополнительно включает в себя сравнение измеренных первого и второго сопротивления считывания (R₁, R₂) со значением начального сопротивления (R₀). Соответствие аналогично отсутствию изменений между значением начального сопротивления R₀ и значением первого и второго сопротивления R₁, R₂ считывания.

Таблица 2
	Сохраненные данные	Сохраненные данные	Сохраненные данные
Данные поиска "Х" (ноль	Нет изменения (соответствие)	Нет изменения (соответствие)	Нет изменения (соответствие)
Данные поиска	Нет изменения	R₂ уменьшается	Нет изменения
Данные поиска	R₂ уменьшается	Нет изменения	Нет изменения

Дополнительное преимущество ячейки 1 MRAM в том, что во время операции записи как первый, так и второй туннельный барьерный слой 22, 24 дают вклад в нагрев магнитного элемента 2 при первом и втором заранее определенном высоком температурном пороге Tw1, Tw2. Поэтому требуемая мощность при пропускании тока нагрева для нагрева магнитного элемента 2 может быть снижена примерно в √2 раз, если сравнивать с мощностью, требуемой в обычном туннельном магнитном переходе, включающем в себя единственный туннельный барьерный слой. Это приводит к увеличенной стойкости ячейки 1 MRAM к циклам изменения напряжения во время операции записи.

Кроме того, ячейка 1 MRAM, описанная здесь, позволяет сравнивать данные поиска типа "безразличное состояние". Это может быть выполнено вторым считыванием в нулевом поле. Очевидно, это приводит к отсутствию изменения сопротивления и, таким образом, приводит к безотносительному соответствию или записанному состоянию (данные поиска "Х").

Описание ссылочных позиций и символов

1 - ячейка магнитной оперативной памяти (MRAM)

2 - магнитный элемент

20 - первый антиферромагнитный слой

21 - слой считывания

22 - первый туннельный барьерный слой

23 - первый слой хранения

24 - второй туннельный барьер

25 - второй слой хранения

26 - второй антиферромагнитный слой

210 - намагниченность считывания

230 - первая намагниченность хранения

250 - вторая намагниченность хранения

ΔR - разность между R₁ и R₂

RA₁ - произведение сопротивление-площадь первого перехода

RA₂ - произведение сопротивление-площадь второго перехода

R_max1 - значение первого высокого сопротивления

R_max2 - значение второго высокого сопротивления

R_min1 - значение первого низкого сопротивления

R_min2 - значение второго низкого сопротивления

R₀ - начальное сопротивление

R₁ - первое сопротивление считывания

R₂ - второе сопротивление считывания

TMR₁ - первое туннельное магнитосопротивление

TMR₂ - второе туннельное магнитосопротивление

Tw1 - первый заранее определенный высокий температурный порог

Tw2 - второй заранее определенный высокий температурный порог

1. Ячейка магнитной оперативной памяти (MRAM) для использования в качестве троичной ассоциативной памяти, включающая в себя магнитный элемент, содержащий слой мягкого ферромагнетика, имеющий намагниченность, которая может быть свободно ориентирована; первый слой твердого ферромагнетика, имеющий первую намагниченность хранения; первый туннельный барьерный слой, заключенный между слоем мягкого ферромагнетика и первым слоем твердого ферромагнетика; второй слой твердого ферромагнетика, имеющий вторую намагниченность хранения; и второй туннельный барьерный слой, заключенный между слоем мягкого ферромагнетика и вторым слоем твердого ферромагнетика; причем первая намагниченность хранения является свободно ориентируемой при первом высоком заранее определенном температурном пороге, и вторая намагниченность хранения является свободно ориентируемой при втором заранее определенном высоком температурном пороге; при этом первый высокий заранее определенный температурный порог выше второго заранее определенного высокого температурного порога.

2. Ячейка магнитной оперативной памяти по п.1, в которой магнитный элемент дополнительно включает в себя первый антиферромагнитный слой, закрепляющий первую намагниченность хранения ниже первого высокого заранее определенного температурного порога, и второй антиферромагнитный слой, закрепляющий вторую намагниченность хранения ниже второго заранее определенного высокого температурного порога.

3. Ячейка магнитной оперативной памяти по п.1, в которой первый слой твердого ферромагнетика имеет произведение сопротивление-площадь первого перехода и второй слой твердого ферромагнетика имеет произведение сопротивление-площадь второго перехода, которое по существу равно произведению сопротивление-площадь первого перехода.

4. Ячейка магнитной оперативной памяти по п.1, в которой первый слой твердого ферромагнетика выполнен из сплава на основе NiFe/CoFeB и второй слой твердого ферромагнетика выполнен из сплава на основе CoFeB/NiFe.

5. Ячейка магнитной оперативной памяти по п.1, в которой первый антиферромагнитный слой выполнен из сплава на основе IrMn и второй антиферромагнитный слой выполнен из сплава на основе FeMn.

6. Ячейка магнитной оперативной памяти по п.1, в которой слой мягкого ферромагнетика предпочтительно выполнен из сплава на основе CoFeB.

7. Способ записи до трех различных данных записи в ячейку магнитной оперативной памяти, включающую в себя магнитный элемент, содержащий слой мягкого ферромагнетика, имеющий намагниченность, которая может быть свободно ориентирована; первый слой твердого ферромагнетика, имеющий первую намагниченность хранения; первый туннельный барьерный слой, заключенный между слоем мягкого ферромагнетика и первым слоем твердого ферромагнетика; второй слой твердого ферромагнетика, имеющий вторую намагниченность хранения; и второй туннельный барьерный слой, заключенный между слоем мягкого ферромагнетика и вторым слоем твердого ферромагнетика; причем первая намагниченность хранения является свободно ориентируемой при первом высоком заранее определенном температурном пороге и вторая намагниченность хранения является свободно ориентируемой при втором заранее определенном высоком температурном пороге; при этом первый высокий заранее определенный температурный порог выше второго заранее определенного высокого температурного порога;
способ, включающий в себя:
нагрев магнитного элемента до температуры выше первого заранее определенного высокого температурного порога; и
приложение магнитного поля записи так, чтобы сориентировать первую намагниченность хранения и вторую намагниченность хранения в соответствии с магнитным полем записи.

8. Способ по п.7, в котором упомянутое магнитное поле записи прикладывается в первом направлении для сохранения первых данных или во втором направлении для сохранения вторых данных.

9. Способ по п.8, дополнительно включающий в себя охлаждение магнитного элемента ниже второго заранее определенного высокого температурного порога.

10. Способ по п.7, в котором упомянутое магнитное поле записи прикладывается в первом направлении, и дополнительно включающий в себя:
охлаждение магнитного элемента до промежуточной температуры, заключенной ниже первого заранее определенного высокого температурного порога и выше второго заранее определенного высокого температурного порога;
приложение магнитного поля записи во втором направлении, противоположном первому направлению, так, чтобы сориентировать вторую намагниченность хранения во втором направлении в соответствии с магнитным полем записи для хранения третьих данных; и
охлаждение магнитного элемента ниже второго заранее определенного высокого температурного порога.

11. Способ считывания ячейки магнитной оперативной памяти, включающей в себя магнитный элемент, содержащий слой мягкого ферромагнетика, имеющий намагниченность, которая может быть свободно ориентирована; первый слой твердого ферромагнетика, имеющий первую намагниченность хранения; первый туннельный барьерный слой, заключенный между слоем мягкого ферромагнетика и первым слоем твердого ферромагнетика; второй слой твердого ферромагнетика, имеющий вторую намагниченность хранения; и второй туннельный барьерный слой, заключенный между слоем мягкого ферромагнетика и вторым слоем твердого ферромагнетика; причем первая намагниченность хранения является свободно ориентируемой при первом высоком заранее определенном температурном пороге и вторая намагниченность хранения является свободно ориентируемой при втором заранее определенном высоком температурном пороге; при этом первый высокий заранее определенный температурный порог выше второго заранее определенного высокого температурного порога;
способ, включающий в себя:
измерение значения начального сопротивления магнитного элемента с сохраненными данными;
передачу первых данных поиска на слой считывания и определение соответствия между первыми данными поиска и сохраненными данными; и
передачу вторых данных поиска на слой считывания и определение соответствия между вторыми данными поиска и сохраненными данными.

12. Способ по п.11, в котором измерение начального сопротивления включает в себя пропускание тока считывания в магнитном элементе в отсутствие внешнего магнитного поля.

13. Способ по п.11, в котором передача первых данных поиска включает в себя приложение магнитного поля считывания в первом направлении и передача вторых данных поиска включает в себя приложение магнитного поля считывания во втором направлении так, чтобы сориентировать намагниченность считывания в первом и втором направлении соответственно.

14. Способ по п.11, в котором определение соответствия между первыми и вторыми данными поиска и сохраненными данными включает в себя измерение первого сопротивления считывания и измерение второго сопротивления считывания путем пропускания тока считывания в магнитном элементе, когда магнитное поле приложено в первом и втором направлении соответственно.

15. Способ по п.11, в котором определение соответствия дополнительно включает в себя сравнение измеренного первого и второго сопротивления считывания со значением начального сопротивления.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении помехоустойчивости ОЗУ путем уменьшения емкостей паразитных конденсаторов между элементами устройства.

Многоразрядная ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства с улучшенным полем считываемости // 2556325

Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства (МОЗУ), содержит магнитный туннельный переход, содержащий туннельный барьерный слой между первым магнитным слоем, имеющим первое направление намагниченности, и вторым магнитным слоем, имеющим второе направление намагниченности, который является регулируемым от первого направления до второго направления таким образом, чтобы изменять сопротивление перехода магнитного туннельного перехода от первого до второго уровня сопротивления перехода.

Радиационно-стойкая библиотека элементов на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах // 2539869

Изобретение относится к области микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является создание радиационно-стойкой библиотеки элементов на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах с меньшей площадью элементов на кристалле и повышенным быстродействием.

Система и способ выборочного приложения отрицательного напряжения к шинам слов во время считывания из запоминающего устройства // 2450372

Нелинейная ячейка памяти // 2401467

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для аппаратной реализации оперативной памяти и, в частности, видеопамяти в системах вывода изображений.

Способ запоминания цифровой информации // 2331937

Изобретение относится к области цифровой вычислительной техники. .

Элемент памяти на планарном эффекте холла // 2320033

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в компьютерах нового поколения, информационных системах связи, интеллектуальных датчиках, биопаспортах, системах управления.

Носитель данных, устройство получения данных, устройство сохранения данных, способ получения данных и способ сохранения данных // 2267233

Изобретение относится к способам записи данных, связанных с другими данными. .

Ячейка памяти // 2224356

Изобретение относится к области импульсной техники и может быть использовано в устройствах вычислительной техники и систем управления. .

Ячейка памяти // 2222100

Ячейка памяти комплементарной металл-оксид-полупроводниковой структуры озу // 2580071

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в блоках многопортовых статических КМОП ОЗУ. Технический результат заключается в повышении надежности чтения данных из ячейки памяти при воздействии одиночной ядерной частицы в режиме, когда триггер ячейки памяти на основе двух групп транзисторов находится в неравновесном состоянии. Ячейка памяти комплементарной металл-оксид-полупроводниковой структуры ОЗУ, включающая триггер, состоящий из двух групп транзисторов, портов записи данных и портов чтения, размещенных на кристалле интегральной микросхемы, выходы портов записи данных соединены с соответствующими выводами двух групп транзисторов триггера, согласно изобретению ячейка снабжена двумя инверторами и двумя инверторами с третьим состоянием, при этом первые выводы первой и второй групп транзисторов триггера соединены с входом первого инвертора, вторые выводы первой и второй групп транзисторов триггера соединены с входом второго инвертора, третий вывод первой группы транзисторов триггера и третий вывод второй группы транзисторов триггера соединены, соответственно, с первыми входами первого и второго инверторов с третьим состоянием, выход первого инвертора соединен с вторым входом первого и третьим входом второго инверторов с третьим состоянием, выход второго инвертора соединен с третьим входом первого и вторым входом второго инверторов с третьим состоянием, выходы которых соединены с входами данных портов чтения. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 3 табл.

Записываемый магнитный элемент // 2580378

Изобретение относится к записываемому магнитному элементу. Элемент содержит пакет слоев с магнитным слоем записи из по меньшей мере одного магнитного материала, обладающего направлением намагниченности, которое перпендикулярно его плоскости, расположенным между первым и вторым наружными слоями, выполненными из первого и второго немагнитных материалов. Второй немагнитный материал является электропроводным. Записываемый магнитный элемент включает в себя устройство, заставляющее ток записи протекать через второй наружный слой и магнитный слой записи в направлении протекания тока, параллельном плоскости магнитного слоя записи, и устройство для приложения, при наличии упомянутого тока записи, магнитного поля записи вдоль направления магнитного поля, которое перпендикулярно плоскости магнитного слоя записи. При этом память записывается в одном направлении или другом направлении посредством воздействия на направление приложенного магнитного поля записи. Технический результат - обеспечение изменения направления намагниченности. 3 н. и 16 з.п. ф-лы, 13 ил.

Способ получения материала фазовой памяти // 2610058

Изобретение относится к получению халькогенидных ⋅полупроводниковых сплавов, используемых в устройствах энергонезависимой фазовой памяти. Предложен способ получения материала фазовой памяти, включающий измельчение и смешивание исходных компонентов, выбираемых из следующей пропорции:: 66,7 мол. % GeTe и 33,3 мол. % Sb2Te3, при этом в шихту добавляют олово (Sn) в количестве 0,5-3 мас. %, после чего подготовленную шихту помещают в кварцевую ампулу, которую затем откачивают до остаточного давления 10-5 мм рт.ст. и отпаивают, затем производят ступенчатый нагрев ампулы до температуры 500°C со скоростью 3-4°C в мин, выдерживают ампулу с материалом при температуре 500°C в течение 4-6 часов с последующим нагревом до температуры 750°C со скоростью 1-2°C в мин, при этом в процессе нагрева ампулу с материалом вращают вокруг своей меньшей оси со скоростью 1-2 оборота в минуту в течение 4 часов. Далее ампула остывает в выключенной печи с последующим отжигом синтезированного материала при температуре 500°C в течение 12 часов, после чего материал используется для получения материала фазовой памяти. Тонкие пленки материала фазовой памяти получали с помощью вакуум-термического испарения синтезированного материала. Во время осаждения тонких пленок остаточное давление в камере составляло 2⋅10-3 мм рт.ст., температура подложки не превышала 50°C, что позволяло получить тонкие пленки в аморфном состоянии. Изобретение обеспечивает получение материала фазовой памяти с увеличенным оптическим контрастом, что улучшает функциональные характеристики перезаписываемых оптических дисков. 2 ил.

Полупроводниковое запоминающее устройство // 2641478

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении количества сдвиговых регистров, используемых для запаздывания. Полупроводниковое запоминающее устройство, способное исполнять первый режим с первым запаздыванием и второй режим со вторым запаздыванием, большим, чем первое запаздывание, содержит блок контактных площадок, выполненный с возможностью принимать извне адрес и команду; первую схему задержки, выполненную с возможностью задерживать адрес на время, соответствующее первому запаздыванию; вторую схему задержки, включающую в себя сдвиговые регистры, соединенные последовательно и выполненные с возможностью задерживать адрес на время, соответствующее разнице между первым запаздыванием и вторым запаздыванием; и контроллер, выполненный с возможностью использовать первую схему задержки и вторую схему задержки при исполнении второго режима, причем первый режим и второй режим являются операциями записи или операциями считывания, и контроллер способен исполнять один из первого режима и второго режима. 11 з.п. ф-лы, 32 ил.

Полупроводниковое запоминающее устройство // 2643629

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении включения запоминающего устройства в состав системы без увеличения количества выводов или уменьшения скорости работы. Полупроводниковое запоминающее устройство содержит блоки памяти, каждый из которых включает в себя массив ячеек памяти; линии слов, соединенные со строками в каждом из блоков памяти; первую схему-защелку адреса, которая предназначена для полного адреса строки, определяющего одну из линий слов, причем полный адрес строки включает в себя первый адрес строки и второй адрес строки; и вторую схему-защелку адреса, которая предназначена для полного адреса столбца, определяющего один из столбцов блока памяти, при этом первая схема-защелка адреса принимает первую команду и вторую команду и включает в себя первую схему-защелку, которая предназначена для первого адреса строки, и вторую схему-защелку, которая предназначена для второго адреса строки; первая схема-защелка фиксирует первый адрес строки в ответ на первую команду, вторая схема-защелка фиксирует второй адрес строки в ответ на вторую команду, причем первая схема-защелка и вторая схема-защелка являются отдельными друг от друга, и вторая схема-защелка адреса принимает вторую команду и фиксирует адрес столбца в ответ на вторую команду. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 13 ил.

Логическая матрица на основе мемристорной коммутационной ячейки // 2643650

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники на основе перспективных материалов и устройств и направлено на создание устройства с высокой степенью интеграции элементов, выполняющего логические операции и содержащего матрицу высокоскоростных переключателей на основе электрически перепрограммируемых ячеек. Технический результат заключается в возможности перепрограммируемой коммутации, которая подходит для построения логики работы нейроморфного устройства и снижения энергопотребления. Это достигается путем использования в качестве переключающихся элементов мемристоров, обладающих небольшим размером и высокой скоростью переключения, и адресных низковольтных МОП транзисторов, включенных комплементарно. Разделение цепей записи и считывания позволяет осуществлять многократное программирование логического устройства. Наличие в ячейке адресных транзисторов позволяет минимизировать токи утечки и взаимовлияние ячеек при их объединении в матрицу, что уменьшает энергопотребление. 4 ил.

Обновление данных, сохраненных в перекрестной энергонезависимой памяти // 2644120

Группа изобретений относится к запоминающим устройствам и может быть использована для обновления ячеек памяти. Техническим результатом является повышение надежности перекрестной энергонезависимой памяти. Контроллер памяти для обновления значения напряжения ячейки памяти содержит логическую схему чтения, выполненную для чтения значения напряжения ячейки памяти в перекрестной энергонезависимой памяти, содержащей множество ячеек памяти, при этом во множестве ячеек памяти значения напряжения соответственно установлены равными первому пороговому напряжению или второму пороговому напряжению; и логическую схему записи, соединенную с логической схемой чтения и выполненную для обновления значения напряжения первой одной или более ячеек из множества ячеек памяти, которое установлено равным второму пороговому напряжению, без изменения значения напряжения второй одной или более ячеек из множества ячеек памяти, которое установлено равным первому пороговому напряжению. 3 н. и 14 з.п. ф-лы, 6 ил.