Способ изготовления устройства для дозирования лекарства
Изобретение относится к способу изготовления устройства для дозирования лекарства. Способ обработки компонента устройства для дозирования лекарства имеет по меньшей мере одну поверхность, входящую в контакт с лекарством в процессе хранения или применения устройства, и включает следующие этапы: получение указанного компонента и покрытие по меньшей мере одной из поверхностей методом плазменного осаждения для снижения осаждения лекарства на поверхность или разрушения лекарства, при котором по меньшей мере часть процесса плазменного осаждения осуществляют под контролем смещения постоянным током при фиксированном постоянном токе смещения для поддержания постоянной эмиссии электронов и постоянной плотности плазмы, причем на этапе плазменного осаждения компонент заземляют. Способ изготовления устройства для дозирования лекарства включает обработку компонента устройства способом, приведенным выше, получение других компонентов устройства и сборку компонентов. Технический результат: повышение эксплуатационных характеристик устройства. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 2 ил.
ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ
Настоящее изобретение относится к способам изготовления устройств для дозирования лекарств и к способам обработки компонента таких устройств, в частности, но не исключительно, речь идет об устройствах для дозирования под давлением.
ПРЕДШЕСТВУЮЩИЙ УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
Хорошо известны способы ингаляционного введения лекарств при помощи устройств для дозирования под давлением, которые дозируют лекарство в жидкости-носителе, обычно в виде аэрозоля. Такие устройства часто называют дозирующими ингаляторами под давлением (pMDIs - от англ. «pressurized metered dose inhaler») и широко применяют для лечения астмы и хронической обструктивной болезни легких (COPD - от англ. «chronic obstructive pulmonary disease»).
Одна из проблем, связанных с дозирующими устройствами такого типа, состоит в абсорбции действующего вещества лекарства внутренними поверхностями устройства. Это, в свою очередь, может привести к потере эффективности и/или неравномерному дозированию в течение срока годности устройства. В некоторых случаях может произойти агрегация частиц лекарственного средства, если действующее вещество присутствует в виде суспензии частиц. Один из подходов, предпринятых для снижения поверхностной абсорбции действующего вещества лекарственного средства, состоит в изменении поверхностных свойств устройства, и обычно такое изменение осуществляют путем нанесения распылением покрытия из низкоэнергетического полимера. Однако этот процесс может быть трудноосуществимым, и часто полученные поверхностные покрытия имеют нестабильное качество.
Известно, например из патентных документов ЕР0642992, ЕР1066073 и WO2008/146024, что различные внутренние поверхности устройств pMDI могут иметь покрытия, осажденные методом плазменной полимеризации. Плазменная полимеризация весьма целесообразна, поскольку является низкотемпературной технологией. Однако авторы настоящего изобретения также обнаружили, что технология плазменной полимеризации из предшествующего уровня техники имеет недостатки, и что создание практического коммерческого способа, экономичного в применении и позволяющего получить покрытия, обладающие приемлемыми физическими и химическими свойствами, требует разработки новых и улучшенных технологий. В качестве примеров недостатков можно привести неравномерное осаждение покрытия, продолжительность осаждения полимеризованного слоя и эксплуатационные характеристики покрытия при применении в дозирующем устройстве. Еще один недостаток состоит в том, что после плазменной полимеризации покрытие обычно оставляют/выдерживают от одного до семи дней, чтобы обеспечить переориентацию активных ненасыщенных областей на поверхности плазменного покрытия, созданных как часть процесса плазменной полимеризации. Помимо замедления процесса изготовления из-за необходимости значительного периода выдерживания до получения возможности применения продукта, авторы настоящего изобретения обнаружили, что в течение периода выдерживания нежелательные соединения, такие как вода, гидроксильные группы и соединения, присутствующие в атмосфере, могут абсорбироваться поверхностью, покрытой плазменным методом (остаточные активные области), и/или вступать с ней в реакцию.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Настоящее изобретение, представленное по меньшей мере некоторыми из вариантов его осуществления, направлено на решение описанных проблем и требований.
В соответствии с первым аспектом настоящего изобретения предложен способ обработки компонента устройства для дозирования лекарств, который имеет одну или более поверхностей, входящих в контакт с лекарством при хранении или применении устройства, включающий следующие этапы:
- получение указанных компонентов, и
- покрытие по меньшей мере одной из поверхностей путем плазменного осаждения таким образом, что осаждение лекарства на поверхность или разрушение лекарства снижается, причем по меньшей мере часть процесса плазменного осаждения осуществляют под контролем смещения постоянным током (под контролем DC bias).
Предпочтительно плазменное осаждение включает плазменную полимеризацию по меньшей мере одного мономера. Альтернативно, методом плазменного осаждения может быть нанесено неорганическое покрытие.
Таким образом, может быть обеспечен высокоэффективный способ плазменной полимеризации, позволяющий получить равномерное покрытие при оптимальной скорости осаждения.
Контроль смещения постоянным током можно осуществлять, используя напряжение постоянного тока смещения в диапазоне от 50 до 800 В, предпочтительно от 50 до 500 В, наиболее предпочтительно от 50 до 350 В.
Предпочтительно в процессе плазменного осаждения, такого как плазменная полимеризация мономера, металлические компоненты заземляют. Авторы настоящего изобретения обнаружили, что, если вместо этого поддерживать компонент под высокочастотным (ВЧ) потенциалом, полученная плазма может быть слишком интенсивной, вызывая удаление покрытия. Это является частной проблемой вариантов осуществления изобретения, в которых компонентом является корпус емкости. Плазменную полимеризацию можно осуществлять и другим способом, при котором допускается плавающий потенциал компонента. Такой подход является менее предпочтительным для вариантов осуществления изобретения, в которых компонент является металлическим, поскольку в соответствии с этими вариантами осуществления заряд легко рассеивается, и притяжение покрывающих соединений значительно снижается, что может привести к получению слабосвязанного и пористого покрытия. Для компонентов, выполненных из изоляционных материалов, таких как полимеры, плавающий потенциал допустим.
В соответствии с вариантами осуществления настоящего изобретения, в которых компонентом является корпус емкости, предпочтительным на этапе плазменного осаждения является приложение ВЧ-потенциала к электроду, расположенному в корпусе емкости. Эта конфигурация может обеспечить получение особенно равномерных покрытий на всей внутренней поверхности корпуса емкости.
Предпочтительно этап плазменного осаждения осуществляют по существу в отсутствии кислорода. Было обнаружено, что присутствие кислорода оказывает вредное воздействие на полимеризованное покрытие и может также оказывать вредное воздействие на некоторые лекарства. Предпочтительно содержание кислорода в покрытии, полученном путем плазменного осаждения, измеренное методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS - от англ. «Х-Ray Photoelectron Spectroscopy), составляет менее 10 ат. %, предпочтительно менее 5 ат. %, наиболее предпочтительно менее 2 ат. %, если сам мономер или другой прекурсор не содержат кислорода.
Первоначально этап плазменного осаждения может осуществляться без контроля смещения постоянным током, который начинают через некоторое время после начала плазменного осаждения. Первоначально этап осаждения полимеризующей плазмы может осуществляться с применением прямого управления мощностью.
В процессе плазменной полимеризации мономера осуществляют подвод энергии к плазме. Предпочтительно этап плазменной полимеризации мономера завершают путем отключения подвода энергии к плазме при сохранении подачи мономера, таким образом, что плазма исчезает в результате истощения источника электронов, и, тем самым, обеспечивается поверхностная закалка покрытия. Таким образом, после отключения подвода энергии плазма может медленно исчезать по мере рекомбинации электронов в емкостном резервуаре. Вследствие этого образуется частично ионизированная плазма пониженной интенсивности, которая омывает поверхность. В конце концов, поверхность омывается чистым неионизированным мономером. В сочетании это дает неожиданный эффект «закрытия» ненасыщенных областей с образованием стабильной поверхности перед удалением компонента с места плазменной полимеризации (обычно из плазменной камеры). Это обеспечивает значительное преимущество, состоящее в устранении необходимости в периоде выдержки до получения возможности применения компонента. Подачу мономера можно продолжать от 5 секунд до 10 минут после выключения подачи энергии к плазме. Предпочтительно подачу мономера продолжают в течение от 30 до 60 секунд.
Мономер или мономеры могут быть одним или более углеводородов, фторированных углеводородов, силанов или силоксанов. Можно применять единственный мономер или смесь мономеров. Пригодные перфторуглеродные прекурсоры включают CnFn+2, где n лежит в диапазоне от 1 до 8, и химикаты HFA134a (1,1,1,2-тетрафторэтан) и HFA227 (1,1,1,2,3,3,3-гептафторпропан), обычно используемые в качестве пропеллентов в устройствах для дозирования лекарств. Возможно применение циклических перфторуглеродов, и в соответствии с особенно предпочтительным вариантом осуществления изобретения - C4F8. Возможно применение ненасыщенных перфторуглеродов.
В соответствии с вариантами осуществления изобретения, в которых прекурсором является углеводород, могут применяться алканы с формулой CnC2n+2, где n лежит в диапазоне от 1 до 12. Особенно предпочтительны метан и этан. Также предпочтительным является применение С3Н8, С4Н10 и С5Н12. В качестве прекурсора могут применяться алкены, алкины и циклические углеводороды.
Покрытие может иметь желаемую толщину. Характерная толщина покрытия составляет от 15 до 500 нм, предпочтительно от 15 до 125 нм. Однако можно обеспечить покрытия другой толщины, и толщины в диапазоне от 300 до 400 нм являются коммерчески привлекательными.
Перед этапом плазменной полимеризации мономера компонент может быть подвергнут этапу очистки. Предпочтительно на этапе очистки применяют плазменную очистку, и наиболее предпочтительно для создания плазмы применяют аргон. Важно, чтобы на любом этапе очистки отсутствовал кислород, поскольку окисление поверхности компонента может затруднить осуществление последующего этапа или этапов. Кроме того, кислород, абсорбируемый стенками обрабатывающего устройства, может ощелачивать и разъединять осажденное затем плазменное покрытие, делая последующий этап нанесения плазменного покрытия более трудным и невыгодным.
Поверхность компонента может быть поверхностно модифицирована перед этапом плазменной полимеризации мономера, причем поверхностную модификацию осуществляют на этапе плазменной обработки при помощи фтор- и/или углеродсодержащего прекурсора при условиях, включающих по существу отсутствие кислорода, вследствие чего после поверхностной модификации поверхность содержит по существу металлофторидные и/или металлокарбидные соединения. Этап поверхностной модификации осуществляют перед этапом плазменной полимеризации мономера и обычно после этапа очистки. Обычно более интенсивную плазму применяют на этапе поверхностной модификации для эффективного выделения из фтор- и/или углеродсодержащего прекурсора реакционноспособного фтора и/или углерода. Описанные выше перфторуглероды или углеводороды можно также применять на этапе поверхностной модификации. Особенно предпочтительными являются метан, этан и CF4, C2F6, C3F8 и C4F8. Поверхностная модификация и последующая плазменная полимеризация мономера могут образовать единый непрерывный процесс. В соответствии с одним из вариантов осуществления изобретения плазменную обработку исходно осуществляют с применением контроля смещения постоянным током или мощности прямого направления для осуществления поверхностной модификации, причем контроль смещения постоянным током поддерживают или начинают позже для осуществления этапа плазменной полимеризации мономера.
В соответствии со вторым аспектом изобретения предложен способ изготовления устройства для дозирования лекарства, включающий следующие этапы:
- обработка компонента устройства для дозирования способом в соответствии с первым аспектом настоящего изобретения;
- получение других компонентов устройства, и
- сборка компонентов для получения собранного устройства для дозирования лекарства.
В соответствии с третьим аспектом настоящего изобретения предлагается устройство для дозирования лекарства, включающее по меньшей мере один компонент, обработанный способом в соответствии с первым аспектом изобретения.
Компонент может иметь покрытие, полученное путем плазменного осаждения, содержание кислорода в котором, измеренное методом XPS, составляет менее 2 ат. %.
В соответствии с четвертым аспектом настоящего изобретения предлагается устройство для дозирования лекарства, включающее компонент, имеющий одну или более поверхностей, входящих в контакт с лекарством при хранении или применении устройства, в котором указанные поверхности имеют покрытие, нанесенное путем плазменного осаждения, содержание кислорода в котором, измеренное методом XPS, составляет менее 2 ат.%.
Описанное выше изобретение распространяется на любые комбинации признаков изобретения, которые будут изложены или установлены в приведенном ниже описании со ссылками на прилагаемые чертежи или в прилагаемой формуле изобретения.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ГРАФИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ
Ниже будут описаны способы и устройства для дозирования в соответствии с некоторыми вариантами осуществления настоящего изобретения со ссылками на прилагаемые чертежи.
На фиг.1 представлен поперечный разрез устройства для дозирования под давлением.
На фиг.2 представлена схема нанесения покрытия на корпус емкости.
На фиг.1 представлено устройство для дозирования под давлением, в целом обозначенное позицией 10, содержащее корпус 12, вмещающий устройство 14 под давлением, содержащее лекарство. Корпус 12 содержит цилиндрическую часть 12a с открытым концом, в которой расположено устройство 14 под давлением, содержащее лекарство, и канал 12b с открытым концом, служащий мундштуком. Корпус 12 содержит также внутреннюю стенку 12c, поддерживающую гнездо 12d, имеющее канал 12e, вмещающий шток клапана содержащего лекарство устройства под давлением. Канал 12е сообщается с отверстием 12f, которое, в свою очередь, сообщается с выходным каналом, образованным каналом 12b с открытым концом. Внутренняя стенка 12c имеет несколько образованных в ней отверстий 12g, что позволяет воздуху проходить из верхней части корпуса 12 в канал 12b с открытым концом.
Ниже конструкция и действие содержащего лекарство устройства 14 под давлением будут описаны более подробно. Устройство 14 содержит корпус 16 емкости, на который напрессован наконечник 18. На наконечнике 18 установлена система дозирующего клапана, в целом обозначенная позицией 20. Система 20 дозирующего клапана содержит шток 22 клапана, часть которого расположена в элементе 24 клапана. Шток 22 клапана и элемент 24 клапана расположены в корпусе 26 клапана, и шток 22 клапана может перемещаться в осевом направлении против действия пружины 28, которая смещает шток 22 клапана в закрытое положение по фиг.1.
Система 20 дозирующего клапана содержит также дозирующую камеру 30, образованную элементом 24 клапана и частью штока 22 клапана совместно с внутренним и наружным уплотнениями 32, 34. Внутреннее уплотнение 32 изолирует элемент 24 клапана от корпуса 26 клапана и отделяет дозирующую камеру 30 от полости 36 корпуса 26 клапана. Наружное уплотнение изолирует элемент 24 клапана и корпус 26 клапана от наконечника 18, а также изолирует дозирующую камеру 30 от внешней стороны содержащего лекарство устройства 14 под давлением.
Дополнительное уплотнение обеспечивается уплотнением 42 корпуса емкости, изолирующее корпус 16 емкости от наконечника 18 после его напрессовки. Корпус 26 клапана содержит множество прорезей 38, обеспечивающих сообщение полости 36 корпуса 26 клапана с полостью 40 корпуса 16 емкости. Шток 22 клапана содержит два канала 44, 46. Каждый из каналов 44, 46 содержит продольный канал и поперечный канал. Поперечный канал канала 44 штока клапана расположен таким образом, что при закрытом положении по фиг.1 содержащего лекарство устройства 14 под давлением дозирующая камера 30 сообщается с полостью 36 корпуса 26 клапана, и, таким образом, также сообщается с полостью 40 корпуса 16 емкости. Как будет подробно объяснено ниже, объем дозирующей камеры 30 соответствует объему содержащей лекарство жидкости, вводимого в качестве одной дозы. В закрытом положении по фиг.1 доза полностью содержится в дозирующей камере 30 и не может вытечь наружу из содержащего лекарство устройства 14 под давлением благодаря действию наружного уплотнения 34.
Для высвобождения дозы содержащей лекарство жидкости шток 22 клапана толкают против смещающего действия пружины 28 в полость 36 корпуса 26 клапана вплоть до прерывания сообщения канала 44 штока клапана с дозирующей камерой 30. Шток 22 клапана сконструирован таким образом, что в этом положении дозирования канал 46 штока клапана штока 22 клапана сообщается с дозирующей камерой 30, таким образом, обеспечивая прохождение дозы содержащей лекарство жидкости из дозирующей камеры 30 через шток 22 клапана. Затем доза проходит через канал 12е, отверстие 12f и канал 12b с открытым концом и выходит из устройства.
Затем, когда шток 22 клапана освобождается, смещающее действие пружины 28 вынуждает шток 22 клапана двигаться назад в положение по фиг.1. Таким образом, канал 46 штока клапана принимает положение, при котором дозирующая камера 30 изолирована от внешней среды, и канал 44 штока клапана принимает положение, в котором полость 36 корпуса 26 клапана сообщается с дозирующей камерой 30. За счет разницы давлений между относительно высоким давлением в полости 40 корпуса 16 емкости и относительно низким давлением дозирующей камеры 30 дозирующая камера 30 наполняется следующей дозой содержащей лекарство жидкости.
Устройство 10 для дозирования под давлением по фиг.1 является одним из примеров такого устройства, и известно множество других дозирующих устройств, в большей или меньшей степени отличающихся точным способом действия. Настоящее изобретение не относится к способу действия устройства по фиг.1 или любого другого устройства для дозирования под давлением. Изобретение предлагает устройства и компоненты для таких устройств, имеющие покрытия, уменьшающие потери лекарства на внутренние стенки устройства, и соответствующие способы изготовления таких устройств и компонентов. Устройство по фиг.1 представлено для простоты понимания применения настоящее изобретения. Специалисту в данной области техники ясно, что настоящее изобретение может быть применено к устройству для дозирования под давлением, имеющему конструкцию, отличающуюся от представленной на фиг.1, и также может быть применено к другим типам устройств для дозирования лекарства, помимо устройств для дозирования под давлением.
В соответствии с настоящим изобретением предложены способы осаждения покрытий, уменьшающих потери лекарства на внутренние поверхности устройства для дозирования под давлением при помощи обеспечения различных полимеризованных плазмой покрытий. На фиг.2 представлена схема осаждения полимеризованного плазменного покрытия на корпус 50 емкости. Корпус емкости заземляют, и удлиненный ВЧ-электрод 52 проходит в полости корпуса 50 емкости по существу вдоль продольной оси корпуса 50 емкости. Корпус 50 емкости расположен в плазменном реакторе 54, имеющем впуск 56 для подачи газа/мономера и выпуск для выпуска газов при помощи вакуумного насоса (не показан). Соответствующий мономер или мономеры подают в корпус 50 емкости через впуск 56 для подачи газа/мономера из соответствующего источника подачи (не показан), обычно содержащего один или более регуляторов массового расхода. Полимеризованное покрытие осаждают на внутренние поверхности корпуса 50 емкости путем создания и поддержания плазмы при затекании мономера или мономеров в корпус 50 емкости. Обычно к ВЧ-электроду 52 подводят высокочастотное напряжение с частотой 13,56 МГц, и плазму получают известными способами. Возможно применение других высоких частот, и предполагается, что частоты в диапазоне от 4 кГц до 20 МГц можно применять либо при непрерывном питании, либо в импульсном режиме. Плазма вызывает осаждение тонкого покрытия из полимеризованного мономера на внутренние поверхности корпуса 50 емкости. Было обнаружено, что возможно применение давления газа в диапазоне от 1×10-2 до 10 мбар. Плотность мощности может составлять от 0,1 до 2 Вт/см-2.
В соответствии с одним из предпочтительных вариантов осуществления изобретения энергию подают к ВЧ-электроду 52 для создания относительно интенсивной плазмы, чтобы обеспечить начальную поверхностную модификацию перед осаждением полимеризованного покрытия. Газ прекурсор может являться перфторуглеродом для получения фторированной поверхности, имеющей металлофторидные соединения, и последующего полимеризованного фторированным углеводородом покрытия, или углеводородным прекурсором, применяемым для получения модифицированной поверхности, имеющей металлокарбидные соединения, и последующего полимеризованного углеводородом покрытия. Представляется, что при характерных условиях способа содержание кислорода во внутренней поверхности корпуса 50 емкости, измеренное путем XPS через две минуты после начала обработки, падает с 40-44 ат. % до 8-10 ат. %. Задачей является доведение уровня кислорода до как можно более низких значений. В остальной части способа подвод энергии включают или поддерживают в режиме смещения постоянным током, и модифицированную поверхность покрывают полимеризованным плазмой слоем. В конфигурации по фиг. 2, с ВЧ-электродом 52, расположенным в заземленном корпусе 50 емкости, эффективное электрическое сопротивление емкости повышается по мере постепенного покрытия емкости. Вследствие этого, путь нормального электрона к заземленной емкости уменьшается по мере увеличения толщины покрытия. В способах плазменной полимеризации из предшествующего уровня техники для покрытия компонентов, например, корпусов емкостей, для устройств дозирования лекарства, обычно применяют прямое управление мощностью.
Однако при нормальном режиме прямого управления мощностью эмиссия электронов с источника напряжения снижается по мере протекания процесса, сам постоянный ток смещения уменьшается, и интенсивность плазмы падает, вследствие чего образуется слабое пористое покрытие. Напротив, в режиме контроля смещения постоянным током, постоянный ток смещения фиксирован, и поддерживается постоянная эмиссия электронов, которая, в свою очередь, поддерживает постоянную плотность плазмы. Это обеспечивает постоянную скорость осаждения и высококачественное равномерное покрытие, как в отношении поперечной протяженности покрытия, так и в отношении его глубины. Эта постоянная скорость покрытия может поддерживаться до получения желаемой толщины. Обычно желаемая толщина составляет от 15 до 200 нм, но изобретение не ограничено в этом отношении. Дополнительное преимущество контроля смещения постоянным током плазменной полимеризации покрытия проявляется в конце процесса. Для предшествующего уровня характерной является необходимость выдерживания компонентов с покрытием в течение от одного до семи дней, чтобы обеспечить насыщение активных ненасыщенных поверхностных областей покрытия. В способе, описанном в соответствии с фиг. 2, подвод энергии и режим смещения постоянным током могут быть просто отключены, и после этого подача газообразного мономера продолжается в течение некоторого времени, обычно составляющего от 5 секунд до 10 минут, предпочтительно от 30 секунд до 1 минуты. Интенсивность плазмы постепенно падает по мере использования электронов в емкостном резервуаре, обеспечивая очищение поверхности плазмой, содержащей относительно меньше несколько более ионизированных соединений, вплоть до промывания поверхности чистым неионизированным мономером. Следствием этого является завершение покрытия инертным полимером и мономером, что позволяет удалить компонент с покрытием из плазменного реактора 54 без необходимости последующего периода покоя для насыщения ненасыщенных областей.
Конфигурация по фиг. 2, в которой компонент, подлежащий обработке, заземляют, и применяют отдельный ВЧ-электрод, является предпочтительной конфигурацией для плазменной полимеризации полимерного покрытия. Эта конфигурация также пригодна для предшествующего этапа поверхностной модификации. Преимущество применения одной и той же конфигурации как для этапа поверхностной модификации, так и для последующего этапа плазменной полимеризации состоит в том, что два этапа могут осуществляться как часть одной непрерывной операции. Это особенно предпочтительно, поскольку газ может быть использован и в качестве прекурсора для этапа поверхностной модификации, и в качестве газообразного мономера для этапа плазменного покрытия. Если поверхность компонента преобразуют в металлофторидные соединения, прекурсором может являться CF4, C2F6, C3F8, C4F8, HFA134a и HFA277. Если при модификации поверхности компонентов желательно получение металлокарбидного слоя, предпочтительным является применение в качестве прекурсора/мономера метана или этана, но могут быть использованы углеводороды из ряда от CH4 до C6H14.
Компонент, обработанный в соответствии с настоящим изобретением, может быть подвергнут этапу предварительной очистки перед этапом осаждения полимера (этап очистки осуществляют также перед этапом поверхностной модификации, если применяют этап поверхностной модификации). Для предшествующего уровня техники обычно применение этапа предварительной очистки с использованием кислорода. Авторы настоящего изобретения обнаружили, что применение кислорода на этапе предварительной очистки или на любом другом этапе обработки компонента имеет значительные недостатки. Авторы настоящего изобретения обнаружили, что присутствие кислорода является вредным для образования осажденных покрытий и для их адгезии. Кислород, абсорбированный, например, стенками плазменного реактора и другими частями может выщелачивать и разъединять покрытие и/или мономер, что оказывает вредное воздействие на полимер и увеличивает время обработки. Таким образом, на любом этапе предварительной очистки кислород должен быть исключен. Особенно предпочтительным является этап предварительной очистки при помощи аргоновой плазмы для очистки компонента перед этапом поверхностной модификации.
Вариант осуществления, представленный на фиг.2, является способом обработки емкости, при котором емкость действует как заземляющий электрод. Было обнаружено, что это дает особенно хорошие результаты. Возможны другие конфигурации покрытия. Например, в других конфигурациях емкость может действовать как ВЧ-электрод. Однако с такими компонентами как емкости, содержащие по существу замкнутое пространство, эта конфигурация может являться нецелесообразной, поскольку может появиться эффект полого катода, при котором образуется высокоинтенсивная плазма. Интенсивность этой плазмы может являться настолько высокой, что любое полимеризованное покрытие будет удаляться плазмой со скоростью, сравнимой со скоростью осаждения. Для предшествующего уровня техники обычным является применение другой конфигурации, в которой емкость находится под плавающим потенциалом между двумя электродами.
Однако авторы настоящего изобретения обнаружили, что это имеет существенные недостатки, если компонент является металлическим, поскольку поверхностный заряд невозможно удержать, и он рассеивается. Вследствие этого, минимизируется притяжение соединений ионного покрытия, и слабосвязанные пористые покрытия получают при пониженных скоростях осаждения.
Рассмотренные алюминиевые корпуса емкостей, покрытые путем плазменной полимеризации ряда углеводородов и перфторуглеродов, обнаруживают углы смачивания (водяные капли 1 мкл) от 105° до 128°. XPS спектры готового покрытия показывают, что присутствующие соединения состоят главным образом из связей в высокоплотной матрице с содержанием кислорода в виде связей C-O и других кислородных функциональных группах, составляющем менее 2,0 ат.%. Незащищенного алюминия не обнаружено.
1. Способ обработки компонента устройства для дозирования лекарства, который имеет по меньшей мере одну поверхность, входящую в контакт с лекарством в процессе хранения или применения устройства, включающий следующие этапы:
- получение указанного компонента и
- покрытие по меньшей мере одной из поверхностей методом плазменного осаждения для снижения осаждения лекарства на поверхность или разрушения лекарства, при котором по меньшей мере часть процесса плазменного осаждения осуществляют под контролем смещения постоянным током при фиксированном постоянном токе смещения для поддержания постоянной эмиссии электронов и постоянной плотности плазмы, причем на этапе плазменного осаждения компонент заземляют.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что плазменное осаждение включает плазменную полимеризацию по меньшей мере одного мономера.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что методом плазменного осаждения получают неорганическое покрытие.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что контроль смещения постоянным током осуществляют, используя напряжение постоянного тока смещения в диапазоне от 50 до 800 В, предпочтительно от 50 до 500 В, наиболее предпочтительно от 50 до 350 В.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что компонентом является корпус емкости, и на этапе плазменного осаждения к электроду, расположенному в корпусе емкости, прикладывают высокочастотный потенциал.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что этап плазменного осаждения осуществляют по существу в отсутствии кислорода.
7. Способ по п. 6, отличающийся тем, что содержание кислорода в покрытии, полученном методом плазменного осаждения, измеренное методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, составляет менее 10 ат. %, предпочтительно менее 5 ат. %, наиболее предпочтительно менее 2 ат. %.
8. Способ по любому из пп. 1-7, отличающийся тем, что этап плазменного осаждения первоначально осуществляют без контроля смещения постоянным током, предпочтительно с применением прямого управления мощностью, а контроль смещения постоянным током начинают после начала плазменного осаждения.
9. Способ по п. 2, отличающийся тем, что на этапе плазменной полимеризации мономера осуществляют подачу энергии к плазме, и этап завершают путем отключения подаваемой к плазме энергии при сохранении подачи мономера, при этом в результате истощения источника электронов плазма исчезает и обеспечивается поверхностная закалка покрытия.
10. Способ по п. 2, отличающийся тем, что по меньшей мере один мономер представляет собой один или более углеводородов, фторированных углеводородов, силанов или силоксанов.
11. Способ по п. 10, отличающийся тем, что мономер является перфторуглеродом.
12. Способ по п. 10, отличающийся тем, что мономер является этаном или C4F8.
13. Способ изготовления устройства для дозирования лекарства, включающий следующие этапы:
обработку компонента устройства для дозирования способом по любому из пп. 1-12,
получение других компонентов устройства и
сборку компонентов с получением собранного устройства для дозирования лекарства.
14. Устройство для дозирования лекарства, содержащее по меньшей мере один компонент, который имеет по меньшей мере одну поверхность, входящую в контакт с лекарством в процессе хранения или применения устройства, отличающееся тем, что упомянутый компонент обработан способом по любому из пп. 1-12.
15. Устройство по п. 14, отличающееся тем, что упомянутый компонент имеет покрытие, полученное путем плазменного осаждения, содержание кислорода в котором, измеренное методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, составляет менее 2 ат. %.
