Способ нанесения покрытия плазменным напылением в динамическом вакууме

Изобретение относится к способу нанесения покрытий плазменным напылением в динамическом вакууме и может найти применение в плазмометаллургии, авиационной и ракетно-космической промышленности. Направляют поток плазмы с напыляемым порошком на поверхность вращающейся детали, находящейся в области пониженного давления. Откачивают натекающий газ для поддержания динамического вакуума. Обдувают вращающуюся деталь охлаждающим газом со стороны, противоположной подаче потока плазмы. Обдув охлаждающим газом осуществляют, не смешивая потоки охлаждающего газа и плазмы. Обдув осуществляют с расстояния менее половины диаметра вращающейся детали, а полное давление охлаждающего газа обеспечивают меньшим или равным полному давлению плазмы. Технический результат изобретения заключаются в получении напыляемого покрытия в аморфном состоянии, что, в свою очередь, позволяет наносить на детали покрытия большей толщины. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.

 

Изобретение относится к области обработки материалов, в частности для нанесения покрытий, и может найти применение в плазмометаллургии, авиационной и ракетно-космической промышленности.

Известен способ плазменного напыления в разреженной контролируемой атмосфере (ПНРКА) или, что то же самое, нанесения покрытий в динамическом вакууме [1]. Этот процесс напыления происходит в вакуумной камере, в которую, с одной стороны, из плазмотрона поступает плазма с напыляемым веществом, а с другой - постоянно ведется откачка вакуумными насосами газа, натекающего в камеру (Фиг. 1 и Фиг. 2). На этих фигурах введены следующие обозначения: 1 - плазмотрон, из которого истекает плазма с частицами напыляемого вещества; 2 - висячий скачок уплотнения, возникающий в недорасширенной струе плазмы, истекающей в разреженную атмосферу; 3 - деталь, на поверхность которой наносится покрытие; 4 - держатель, вращающий деталь.

Недостатком данного способа является то, что во время плазменного напыления возможен сильный перегрев детали, на которую наносится покрытие. В результате этого не удается получить покрытие требуемой толщины. Происходящая при этом кристаллизация напыляемого вещества в покрытии не позволяет улучшить его рабочие характеристики. Это объясняется тем, что по сравнению с напылением в атмосфере в разреженной среде имеется менее интенсивный теплообмен с окружающей газовой средой вследствие ее пониженной плотности. Помимо этого перегреву детали при напылении на нее покрытий также способствует медленное падение температуры торможения вдоль струи, натекающей в разреженное пространство, по сравнению со струей, истекающей в атмосферу. Обе эти причины делают крайне затруднительным использование данного способа напыления на тонкостенные детали ракетно-космической и авиационной техники, особенно с использованием требуемых для напыления в этих случаях высокотемпературных материалов (оксид циркония, карбид титана и т.д.).

Задачей, на решение которой направлено предлагаемое изобретение, является устранение вышеуказанных недостатков.

Технический результат предлагаемого изобретения заключается в получении напыляемого покрытия в аморфном состоянии, что, в свою очередь, позволяет наносить на детали покрытия большей толщины. Помимо этого, изобретение позволяет исключить перегрев детали и, таким образом, давать возможность наносить покрытие на тонкостенные детали и детали из легкоплавких материалов.

Для решения поставленной задачи и обеспечения технических результатов предлагается способ нанесения покрытия плазменным напылением в динамическом вакууме, заключающийся в том, что направляют поток плазмы с напыляемым порошком на поверхность вращающейся детали, находящейся в области пониженного давления, и откачивают натекающий в нее газ для поддержания динамического вакуума. Обдувают вращающуюся деталь охлаждающим газом со стороны, противоположной подаче потока плазмы, при этом обдув охлаждающим газом осуществляют, не смешивая потоки охлаждающего газа и плазмы. Кроме того, обдув вращающейся детали может быть осуществлен с расстояния менее половины диаметра вращающейся детали, а полное давление охлаждающего газа может быть меньше или равно полному давлению плазмы. Полное давление охлаждающего газа - это давление газа в системе охлаждения, а полное давление плазмы - давление в плазмотроне.

Изобретение поясняется следующими фигурами:

Фиг. 1 - Схема устройства для нанесения покрытия для осуществления способа по прототипу;

Фиг. 2 - Схема устройства для нанесения покрытия для осуществления способа по прототипу в поперечном сечении;

Фиг. 3 - Схема устройства для нанесения покрытия для осуществления способа по предлагаемому изобретению;

Фиг. 4 - Схема устройства для нанесения покрытия для осуществления способа по предлагаемому изобретению в поперечном сечении;

Фиг. 5 - Фотография устройства для осуществления заявленного способа в процессе нанесения покрытия.

Предлагаемый способ осуществляется с помощью устройства, приведенного на схеме (Фиг. 3). В вакуумную камеру помещают плазмотрон 1, из него истекает плазма, в которую добавляют порошок материала, для нанесения покрытия. Струя плазмы, содержащая расплавленные частицы порошка, истекает в область динамического вакуума. В недорасширенной струе плазмы при этом возникает висячий скачок уплотнения 2, внутри которого реализуется сверхзвуковое течение, совпадающее с истечением струи в вакуум.

Для осуществления предлагаемого способа предлагается, в отличие от прототипа, введение еще одной газовой магистрали 6, по которой вводится охлаждаемый газ в камеру для нанесения покрытия, и системы отверстий или щелей 5, предназначенных для обдува охлаждаемым газом напыляемого покрытия и самой детали 3 (Фиг. 3). Система откачки должна обеспечивать в этом случае не только откачку газа плазмы, но и газа, который охлаждает деталь. Схема устройства для нанесения покрытия по предлагаемому способу в поперечном сечении приведена на фигуре 4.

Из рассмотрения фигуры 4 видно, что верхняя часть детали 3 обтекается плазмой с напыляемыми частицами вещества, а нижняя, затененная от плазмы часть детали 3, установленной на вращающемся держателе, обдувается охлаждающим газом, который за счет конвективного теплообмена отводит тепло от детали 3, которое затем вместе с охлаждающим газом уносится из камеры через систему откачки. Между двумя сталкивающимися потоками - плазмой и охлаждающим газом (Фиг. 4) существует разделяющая их так называемая «поверхность тангенциального разрыва» 7, с обеих сторон от которой статические давления в обоих течениях равны друг другу, а тангенциальные составляющие скорости не равны друг другу.

Взаимодействие двух струй газа, истекающих в область с пониженным давлением и направленных друг к другу в случае наличия плохообтекаемого тела (детали) на общей оси между ними, является устойчивым и происходит без пульсаций. Из газовой динамики известно, что при обтекании такого тела газом за ним образуется вихревой след, по которому, в данном случае, высоконапорный охлаждающий газ достигает детали, практически не взаимодействуя с течением плазмы. Взаимодействие двух течений наблюдается только в периферийных зонах с образованием поверхности тангенциального разрыва.

Все это приводит к тому, что процессы напыления и охлаждения детали 3 происходят независимо друг от друга.

Следует отметить, что при вращении детали 3 на каждом обороте та часть ее поверхности, на которую нанесено покрытие, практически мгновенно попадает под действие струй охлаждающего газа. Из-за этого не успевает проходить кристаллизация расплавленного вещества в покрытии, и материал покрытия приобретет аморфную фазу, которая улучшает его эксплуатационные характеристики.

Предлагаемый способ нанесения покрытий в динамическом вакууме осуществляется следующим образом. Устанавливают деталь 3 на держатель 4 внутри камеры для нанесения покрытия (не показана). Включают подачу охлаждающего и плазмообразующего газов, подают напряжение на мотор (не показан) держателя 4, подают напряжение на плазмотрон 1. Производят нанесение покрытия на деталь 3, при одновременном ее охлаждении. Отводят через систему откачки отработанный газ плазмы и охлаждающий газ.

Данный способ прошел испытания в вакуумной камере при напылении порошков ΖrO2 и TiC на внешнюю поверхность нескольких тонкостенных элементов камеры сгорания ЖРД с толщиной стенки ~1 мм из меди M1. Фотография устройства для осуществления заявляемого способа в процессе напыления покрытия приведена на Фиг. 5. В проведенных экспериментальных исследованиях были нанесены покрытия толщиной 200-300 мкм с высокими физико-механическими характеристиками без разрушения и снижения прочности тонкостенных элементов камеры сгорания ЖРД.

Источник информации

1. В.В. Кудинов, Г.В. Бобров, Нанесение покрытий напылением. Теория, технология и оборудование. - М. «Металлургия», 1992, стр. 144-148.

1. Способ нанесения покрытия плазменным напылением в динамическом вакууме, включающий направление потока плазмы с напыляемым порошком на поверхность вращающейся детали, находящейся в области пониженного давления, и откачку натекающего газа для поддержания динамического вакуума, отличающийся тем, что вращающуюся деталь в вакуумной камере обдувают охлаждающим газом со стороны, противоположной подаче потока плазмы, при этом обдув охлаждающим газом осуществляют, не смешивая потоки охлаждающего газа и плазмы.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что обдув осуществляют с расстояния менее половины диаметра вращающейся детали.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что полное давление охлаждающего газа обеспечивают меньшим или равным полному давлению плазмы.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способу формирования тонкопленочного защитного покрытия на базисах съемных зубных протезов, обтураторах и компонентах челюстно-лицевых протезов и может найти применение в стоматологии.

Изобретение относится к плазменной технологии, а именно к способам получения ферромагнитных пленок из нанокластеров силицидов на поверхности кремниевой подложки методом локализованного газового разряда Ar и может быть использовано при получении базовых элементов спинтроники.

Изобретение относится к способу вакуумно-дугового нанесения покрытий и может быть использовано для получения газопоглотительных покрытий. .

Изобретение относится к способу очистки поверхности материала с покрытием из органического вещества. .

Изобретение относится к установке для нанесения защитных покрытий и может найти применение для получения защитных покрытий на изделиях авиационной техники. .
Изобретение относится к области металлургии, в частности к способу ремонта поверхностных дефектов деталей машин, и может найти применение при ремонте деталей машин из высоколегированных жаропрочных сталей и сплавов, имеющих эксплуатационные дефекты: забоины, раковины, локальные износы трущихся поверхностей.

Изобретение относится к области нанесения декоративных покрытий на изделия из стекла, керамики, фарфора и т.п. .

Изобретение относится к плазменной технологии производства изделий микроэлектроники и может быть использовано для процесса металлизации структур с субмикронными размерами элементов.
Изобретение относится к области осаждения диэлектрических пленок с включениями кристаллической фазы на металлические поверхности с малым радиусом кривизны и может найти применение при изготовлении различных инструментов, в частности, для использования в медицине.

Изобретение относится к технике напыления тонких пленок. Вакуумная установка напыления пленок содержит основную вакуумную камеру с зоной обработки подложек и вакуумную камеру абляции, герметично соединенную с основной вакуумной камерой в зоне обработки подложек посредством выходного патрубка, оснащенного внутри или на торце выдвижной заслонкой для разделения в закрытом ее положении вакуумной камеры абляции и основной вакуумной камеры.

Изобретение относится к плазменной технике, а именно к устройствам для плазменного осаждения пленок, и может быть использовано для изготовления тонкопленочных солнечных элементов, фоточувствительных материалов для оптических сенсоров и тонкопленочных транзисторов большеразмерных дисплеев, для нанесения защитных покрытий.

Изобретение относится к способу изготовления устройства для дозирования лекарства. Способ обработки компонента устройства для дозирования лекарства имеет по меньшей мере одну поверхность, входящую в контакт с лекарством в процессе хранения или применения устройства, и включает следующие этапы: получение указанного компонента и покрытие по меньшей мере одной из поверхностей методом плазменного осаждения для снижения осаждения лекарства на поверхность или разрушения лекарства, при котором по меньшей мере часть процесса плазменного осаждения осуществляют под контролем смещения постоянным током при фиксированном постоянном токе смещения для поддержания постоянной эмиссии электронов и постоянной плотности плазмы, причем на этапе плазменного осаждения компонент заземляют.

Изобретение относится к устройству для дозирования лекарства. Устройство включает по меньшей мере один металлический компонент, имеющий по меньшей мере одну неметаллическую поверхность, которая находится в контакте с лекарством при хранении или применении устройства, причем эта неметаллическая поверхность имеет поверхность контакта с нижележащим металлическим компонентом, содержащую металлофторидные и/или металлокарбидные соединения, и содержание кислорода в поверхности контакта, измеренное методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, составляет менее чем приблизительно 15 ат.%.

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к получению композиционных катодов для ионно-плазменного синтеза многокомпонентных наноструктурных нитридных покрытий.

Изобретение относится к термической обработке турбинных лопаток, преимущественно выполненных из жаростойких сплавов на основе никеля. Способ включает нанесение защитного покрытия на поверхность отливок лопаток и их последующее горячее изостатическое прессование (ГИП).

Изобретение является способом и относится к технологии модификации поверхностных слоев изделий из металлических материалов. Изобретение может быть использовано для модификации поверхности металлообрабатывающего инструмента и деталей машин в инструментальной, сельскохозяйственной, автомобильной, металлургической промышленности и др.

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к технологии получения композиционных катодов для ионно-плазменного напыления многокомпонентных наноструктурных покрытий.

Изобретение относится к медицине, конкретно к ортопедической хирургии, и может быть использовано при изготовлении высоконагруженных внутрикостных имплантатов, а также мини-имплантатов.

Изобретение относится к области технологии сверхпроводящих тонких пленок и может найти применение в производстве сверхпроводящих лент на основе высокотемпературных сверхпроводников для сверхпроводящих кабелей передачи электрической энергии, работающих при температуре жидкого азота.

Изобретение относится к области ионно-плазменного распыления, в частности к ионно-лучевому распылению мишеней для получения тонкопленочных проводящих, полупроводниковых и диэлектрических покрытий на движущихся или вращающихся подложках большой площади. Устройство ионного распыления содержит размещенные в вакуумной камере протяженный вдоль продольной оси О источник ионов с замкнутым дрейфом электронов с вертикальной осью Z, систему подачи газа, протяженную мишень, подложкодержатель и источник постоянного напряжения. Источник ионов имеет электрически соединенные верхний и нижний магнитопроводы замкнутой формы с соответственно верхним и нижним полюсными наконечниками катода, которыми ограничена выходная щель О-образной формы с протяженными участками, параллельными продольной оси О, а также размещенные в ограниченном внутренними поверхностями верхнего и нижнего магнитопроводов объеме анод замкнутой формы и магнитную систему в виде группы равномерно размещенных на протяжении источника ионов постоянных магнитов, причем анод расположен напротив выходной щели. Источник постоянного напряжения выводом с положительным потенциалом соединен с анодом, а заземленным выводом с отрицательным потенциалом - с магнитопроводами и мишенью. Мишень и подложкодержатель противолежат друг другу и размещены со стороны нижнего и верхнего полюсных наконечников катода соответственно, причем подложкодержатель закреплен с возможностью движения. Мишень выполнена в виде цилиндра и закреплена с возможностью вращения вокруг своей оси, которая параллельна продольной оси источника ионов О и пересекает его вертикальную ось Z. Поверхности верхнего и нижнего полюсных наконечников катода и обращенная к ним поверхность анода выполнены параллельными друг другу с наклоном к мишени, либо поверхности верхнего и нижнего полюсных наконечников катода и обращенная к ним поверхность анода выполнены параллельными вертикальной оси Z, причем верхний полюсный наконечник катода выступает в сторону вертикальной оси Z относительно нижнего полюсного наконечника катода, при этом угол α между лежащими в одной плоскости и пересекающими поверхность мишени в общей точке средней линией выходной щели на ее протяженном участке и нормалью к поверхности мишени выбран из интервала 50÷70°. Технический результат - снижение расхода материала мишени при ее равномерном эффективном распылении. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 3 ил.
Наверх