Устройство химико-динамического травления германиевых подложек



Устройство химико-динамического травления германиевых подложек
Устройство химико-динамического травления германиевых подложек
Устройство химико-динамического травления германиевых подложек
Устройство химико-динамического травления германиевых подложек
Устройство химико-динамического травления германиевых подложек

Владельцы патента RU 2589517:

Публичное акционерное общество "Сатурн" (ПАО "Сатурн") (RU)
Акционерное общество "Ракетно-космический центр "Прогресс" (АО "РКЦ "Прогресс") (RU)

Изобретение относится к области электрического оборудования, в частности к устройствам химико-динамического травления. Технический результат, достигаемый в предлагаемом устройстве химико-динамического травления германиевых подложек, заключается в упрощении конструкции и улучшении однородности травления. В устройстве химико-динамического травления германиевых подложек, включающем платформу с реакционными сосудами, выполненную с возможностью совершения орбитального движения в горизонтальной плоскости, имеющую форму короба и снабженную цилиндрическими ванночками, в которых располагаются пластины подложкой вверх, а сами ванночки снабжены крышками-втулками, выполненными с возможностью ограничения толщины слоя травителя на поверхности пластин, при этом дно ванночек выполнено с возможностью его охлаждения проточной водой, крышка-втулка каждой ванночки выполнена в виде перемешивающего плоского диска круглой формы из полипропилена с определенной конфигурацией технологических отверстий и с возможностью скольжения по поверхности подложки в слое травителя за счет орбитального движения платформы, кроме того, перемешивающий диск снабжен фторопластовыми вставками и держателем. 5 ил., 1 табл.

 

Изобретение относится к области электрического оборудования, в частности к полупроводниковым приборам, а именно к устройствам химико-динамического травления.

Известно устройство химико-динамического травления полупроводниковых слоев Si, Si1-x, Gex и Ge, в котором на поверхность пластин в процессе вращения непрерывно подается раствор травителя. Посредством механической руки струю травителя сканируют по заданной траектории вдоль поверхности пластины, что позволяет добиться равномерности травления центральных и периферийных участков. В качестве травителя использован состав: HF÷H2O2 (30%)÷СН3СООН (99,8%)=1÷2÷3 с различным процентным содержанием HF: 50, 20, 10%.

Скорости травления слоя германия при этом составляют 4; 1,2; 0,11 мкм/мин соответственно. При высокой скорости вращения пластины более 600 об/мин однородность травления снижается и увеличивается непроизводительный расход травителя. Оптимальная скорость вращения составляет 200 об/мин, (см. Hollander В., Buca D., Mantl S., Hartmann J.M., Wet Chemical Etching of Si, Si1-x, Gex and Ge in HF÷H2O2÷CH3COOH, Journal of The Electrochemical Society, 157(6) H643-H646, 2010).

Недостаток данного устройства заключается в том, что в нем реализуется поштучная обработка пластин с непроизводительным расходом реактивов.

Признак, общий с предлагаемым устройством химико-динамического травления германиевых подложек, следующий: ограничение толщины слоя травителя над подложкой.

Известно устройство химико-динамического травления германиевых подложек (см. патент РФ №2520955, опубл. 27.06.2014 г.), включающее платформу с реакционными сосудами, выполненную с возможностью совершения орбитального движения в горизонтальной плоскости, причем платформа выполнена в виде короба и снабжена цилиндрическими ванночками, при этом на дно ванночек установлены диски вкладышей, на которых горизонтально расположены пластины подложкой вверх, кроме того, крышки-втулки ванночек выполнены с возможностью ограничения толщины слоя травителя на поверхности пластин, а дно ванночек выполнено с возможностью его охлаждения проточной водой.

Частота орбитального движения платформы с ванночками составляет 200 об/мин. Нижняя профилированная сторона крышки-втулки ограничивает толщину слоя травителя над поверхностью подложки. Чем меньше толщина слоя и скорость течения травителя над поверхностью подложки, тем меньше скорость травления в этой области, таким образом, задавая определенную конфигурацию нижней стороны крышки-втулки, выравнивают скорости травления центрального и периферийного участков пластины.

Недостаток устройства-прототипа заключается в сложности эксплуатации из-за того, что для многократной смены травителя в ванночках необходимо снимать и вновь устанавливать крышку-втулку, кроме того, возможно прикрепление газовых пузырьков к поверхности неподвижной втулки, ухудшающее однородность травления.

Признаки прототипа, общие с предлагаемым устройством химико-динамического травления германиевых подложек, следующие: 1) платформа с реакционными сосудами выполнена с возможностью совершения орбитального движения в горизонтальной плоскости и имеет форму короба; 2) платформа снабжена цилиндрическими ванночками; 3) в ванночках горизонтально расположены пластины подложкой вверх; 4) крышки-втулки ванночек выполнены с возможностью ограничения толщины слоя травителя на поверхности пластин; 5) дно ванночек выполнено с возможностью его охлаждения проточной водой.

Технический результат, достигаемый в предлагаемом устройстве химико-динамического травления германиевых подложек, заключается в упрощении конструкции и улучшении однородности травления.

Отличительные признаки предлагаемого устройства химико-динамического травления германиевых подложек, обуславливающие его соответствие критерию «новизна», следующие: каждая крышка-втулка выполнена в виде перемешивающего плоского диска круглой формы из полипропилена с определенной конфигурацией технологических отверстий и с возможностью скольжения по поверхности подложки в слое травителя за счет орбитального движения платформы, кроме того, перемешивающий диск снабжен фторопластовыми вставками и держателем.

Для подтверждения критерия «изобретательский уровень» был проведен анализ известных и отличительных признаков предлагаемого устройства по литературным источникам, в результате которого не обнаружено технических решений, содержащих совокупность известных и отличительных признаков предлагаемого устройства, дающих вышеуказанный технический результат. Поэтому, по мнению автора, предлагаемое устройство химико-динамического травления германиевых подложек соответствует критерию «изобретательский уровень».

Конкретный пример использования предлагаемого устройства химико-динамического травления германиевых подложек иллюстрирован фотографиями на фиг. 1, 2, 5 и чертежами на фиг. 3, 4.

На фиг. 1 представлен вид перемешивающего диска, на фиг. 2 представлен вид перемешивающего диска в ванночке для травления, на фиг. 3 представлен вид ванночки для травления в сборе с пластиной и перемешивающим диском на платформе устройства, на фиг. 4 представлен вид блока управления с платформой устройства химико-динамического травления германиевых подложек, на фиг. 5 представлен вид утоненной пластины толщиной 86,5 мкм в области интегрального диода фотопреобразователя.

Принцип действия устройства химико-динамического травления германиевых подложек показан на фиг. 3, 4, где: 1 - ванночка для травления; 2 - раствор травителя; 3 - полупроводниковая пластина с германиевой подложкой; 4 - проточная вода для обеспечения теплоотвода; 5 - платформа; 6 перемешивающий диск; 7 - технологическое отверстие в перемешивающем диске; 8 - фторопластовая вставка в перемешивающем диске; 9 - лепесток перемешивающего диска, закрывающий центральную часть подложки; 10 - держатель перемешивающего диска; 11 - блок управления.

Предлагаемое устройство химико-динамического травления германиевых подложек применено в технологии изготовления фотопреобразователей с трехкаскадной эпитаксиальной структурой GalnAs/GalnP/Ge на германиевой подложке с диаметром ⌀100 мм. Предварительно на эпитаксиальной стороне полупроводниковой пластины формируют лицевые контакты фотопреобразователя и встроенного диода, выполняют меза-изолирующее травление, наносят защитный слой фоторезиста ФП 2550. В цилиндрические ванночки 1 (с внутренним диаметром ⌀105 мм) заливают травитель 2 состава HF (50%)÷Н2O2 (30%)÷Н2O=1÷1÷4 в объеме 25 мл, при этом толщина слоя травителя 2 в ванночке 1 составляет ~2,9 мм. Пластины 3 укладывают на дно ванночек 1 германиевой подложкой вверх. Ванночки 1 омываются проточной водой 4 с температурой ~25°C для обеспечения теплоотвода. Платформа 5 с ванночками 1 совершает орбитальное круговое движение в горизонтальной плоскости с частотой 200 об/мин, радиусом 2,5 мм. На пластину 3 в ванночке 1 с травителем 2 укладывают перемешивающий плоский круглый диск 6 диаметром 0104 мм толщиной 6 мм из полипропилена, в котором сформированы технологические отверстия 7 определенной конфигурации, при этом в технологических отверстиях 7 перемешивающего диска 6 образуются локальные ванночки со слоем травителя 2 значительно большей толщины, чем на закрытых участках пластины 3. Перемешивающий диск 6 приводится во вращение вокруг своей оси и скользит по поверхности подложки 3 в слое травителя 2 за счет орбитального движения платформы 5. Скорость вращения перемешивающего диска 6 составляет ~2 об/мин. В технологических отверстиях 7 перемешивающего диска 6 травление протекает интенсивнее, чем на закрытых участках подложки 3 с меньшей толщиной слоя травителя 2, при этом за счет вращательного движения перемешивающего диска 6 на подложке 3 образуются круговые области равной толщины.

Форма и расположение технологических отверстий 7 подбирались экспериментально, при этом вновь создаваемыми технологическими отверстиями 7 в перемешивающем диске 6 увеличивалась скорость травления на более толстых участках подложки 3.

Перемешивающий диск 6 снабжен фторопластовыми вставками 8 и имеет лепесток 9, закрывающий центральную часть подложки, а также содержит держатель 10. Фторопластовые вставки 8 используются для утяжеления перемешивающего диска 6 и прижатия его к поверхности подложки 3, так как полипропилен легче воды (плотности используемых материалов: полипропилена ~0,9 г/см3, фторопласта ~2,2 г/см3). Фторопластовые вставки 8 выполнены из отрезков фторопластовых стержней, плотно вставленных в перемешивающий диск 6, симметрично относительно его центра.

Аналогичный результат утяжеления без фторопластовых вставок 8 достигается за счет увеличения толщины перемешивающего диска 6, но при этом снижается скорость его вращения. В случае всплытия полипропиленового перемешивающего диска 6 над подложкой 3 более чем на ~1 мм влияние технологических отверстий 7 ослабевает и однородность травления ухудшается. При изготовлении из фторопласта перемешивающий диск 6 не вращается. Центральная часть подложки 3 всегда закрыта лепестком 9 перемешивающего диска 6 для предотвращения образования в слое травителя 2 вихревого потока. В отсутствие перемешивающего диска 6 происходит волнообразное движение травителя 2 по закручивающейся к центру ванночки 1 спирали. Целесообразно применение перемешивающих дисков 6 с толщинами от 2 до 10 мм при толщинах слоя травителя 2 до погружения перемешивающих дисков 6 от 1,5 до 4 мм (что соответствует объемам травителя 2 от 13 до 35 мл).

Выбранный для использования диапазон толщин слоя травителя 2 оптимален для обеспечения контролируемости и воспроизводимости процесса травления.

Применение перемешивающих дисков 6 больших толщин нецелесообразно из-за непроизводительного расхода материала и громоздкости конструкции.

Перемешивающие диски 6 с меньшими толщинами соответствуют слоям травителя 2 с непроизводительно низкими скоростями травления. Перемешивающий диск 6 снабжен держателем 10 из полипропилена, что позволяет избежать всплеска травителя 2 при укладывании перемешивающего диска 6 в ванночку 1, а также для удобного извлечения перемешивающего диска 6 по окончании процесса травления.

Задание движения и остановка платформы 5 осуществляется с помощью блока управления 11.

Для используемых полупроводниковых пластин 3 с толщинами более 150 мкм утонение до 85÷90 мкм в конкретном примере выполняется за три цикла травления с двумя сменами израсходованного раствора на свежий без промывки деионизованной водой (см. табл. 1).

Выполнение 1-го цикла выравнивающего травления позволяет более производительно использовать устройство для одновременной обработки пластин 3 с разной исходной толщиной.

По окончании травления ванночки 1 промывают деионизованной водой, утоненные пластины 3 извлекают при помощи изогнутого полимерного шпателя. Далее удаляют фоторезистивный слой защиты, напыляют тыльный контакт фотопреобразователя на установке ВАК 761, отжигают контакты на установке ATVSR0 706, создают просветляющее покрытие ТiO2/Аl2О3 на установке ВАК 761 opt., вырезают фотопреобразователи на установке DFD6240. Вес изготовленного фотопреобразователя с габаритными размерами 40×80 мм составляет 1,65 г, толщина пластины 86,5 мкм.

Предложенное устройство химико-динамического травления германиевых подложек 3 обеспечивает равномерное травление по площади пластины благодаря определенной конфигурации корректирующих технологических отверстий 7 в перемешивающем диске 6. При вращательном скольжении перемешивающего диска 6 в слое травителя 2 по поверхности подложки 3 отсутствует зависание газовых пузырьков и образование микронеровностей. Отсутствует необходимость удаления диска 6 из ванночки 1 при неоднократной смене травителя 2 за счет упрощения конструкции.

Предлагаемое устройство экономично, для стравливания ~70 мкм германиевой подложки 3 расходуется ~12 мл компонентов травителя 2:HF и Н2O2.

Устройство химико-динамического травления германиевых подложек, включающее платформу с реакционными сосудами, выполненную с возможностью совершения орбитального движения в горизонтальной плоскости, имеющую форму короба и снабженную цилиндрическими ванночками, в которых располагаются пластины подложкой вверх, кроме того, ванночки снабжены крышками-втулками, выполненными с возможностью ограничения толщины слоя травителя на поверхности пластин, при этом дно ванночек выполнено с возможностью его охлаждения проточной водой, отличающееся тем, что крышка-втулка каждой ванночки выполнена в виде перемешивающего плоского диска круглой формы из полипропилена с определенной конфигурацией технологических отверстий и с возможностью скольжения по поверхности подложки в слое травителя за счет орбитального движения платформы, кроме того, перемешивающий диск снабжен фторопластовыми вставками и держателем.



 

Похожие патенты:

Изобретение направлено на новую полирующую композицию, которая особенно хорошо подходит для полирования подложек, имеющих структурированные или неструктурированные диэлектрические слои с низкой или ультранизкой диэлектрической постоянной.

Изобретение относится к технологии обработки поверхности полупроводниковых пластин, в частности к процессам очистки поверхности пластин между технологическими операциями, для изготовления солнечных элементов.

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Способ селективного реактивного ионного травления полупроводниковой гетероструктуры, имеющей, по меньшей мере, последовательность слоев GaAs/AlGaAs с заданными характеристиками, включает расположение полупроводниковой гетероструктуры на подложкодержателе в реакторе системы реактивного ионного травления с обеспечением контактирования слоя арсенида галлия с плазмой технологических газов, подачу в реактор технологических газов и последующее селективное реактивное ионное травление при заданных параметрах технологического режима. В способе используют полупроводниковую гетероструктуру, имеющую слой AlGaAs толщиной не менее 10 нм, с содержанием химических элементов AlxGa1-xAs при x, равном либо большем 0,22, в качестве технологических газов используют смесь трихлорида бора и гексафторида серы при соотношении (2:1)-(9:1) соответственно, селективное реактивное ионное травление осуществляют при давлении в реакторе 2-7 Па, мощности, подаваемой в разряд 15-50 Вт, температуре подложкодержателя 21-23°С, общем расходе технологических газов 15-25 мл/мин. Технический результат - повышение выхода годных путем повышения селективности, контролируемости, воспроизводимости, анизотропии и снижения неравномерности, плотности дефектов и загрязнений на поверхности полупроводниковой гетероструктуры.

Изобретение относится к электрохимии полупроводников и технологии полупроводниковых приборов. Сущность изобретения заключается в том, что поверхность полупроводникового электрода - арсенида галлия n-типа - перед электрохимическим нанесением металла подвергают дополнительной к стандартной химической обработке в растворах халькогенсодержащих соединений с последующей промывкой поверхности в прокипяченной дистиллированной воде.
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к обработке поверхности эпитаксиальных кремниевых пластин от различных видов загрязнений для формирования активных областей.

Использование: для изготовления иглы кантилевера сканирующего зондового микроскопа. Сущность изобретения заключается в том, что для изготовления иглы кантилевера используют хрупкую прозрачную подложку, которую заполняют оптически прозрачной жидкостью и в горизонтальном положении укладывают в пластическую массу, которую периодически замораживают и размораживают.

Изобретение относится к области обработки полупроводниковых материалов и может быть использовано в технологии изготовления приборов, в том числе матричных большого формата на основе арсенида галлия.

Изобретение относится к композициям, способам и системам, используемым во многих областях, включая в частности системы теплопереноса, например системы охлаждения, пенообразователи, пенные композиции, пены и изделия, включающие пены или изготовленные из пены, способы получения пен, в том числе и однокомпонентных, аэрозоли, пропелленты, очищающие композиции.

Изобретение относится к области обработки поверхности теллурида кадмия-ртути химическим полирующим травлением. Состав полирующего травителя для теллурида кадмия-ртути включает компоненты при следующем соотношении, в объемных долях: метанол (95%) - 5, этиленгликоль - 13, бромистоводородная кислота (47%) - 2, перекись водорода (30%) - 1.

Изобретение относится к области радиоэлектронной техники и микроэлектроники и может быть использовано для плазмохимической обработки подложек из поликора и ситалла.

Изобретение относится к изготовлению средств выявления примесей газов и определения концентрации газов в воздушной среде. Способ изготовления чувствительных элементов датчиков концентрации газа согласно изобретению включает нанесение диэлектрической пленки на лицевую сторону кремниевой подложки, формирование на пленке структуры чувствительных элементов и создание тонких диэлектрических мембран методом анизотропного травления кремниевой подложки с обратной стороны, проводимого в два этапа, первый до нанесения диэлектрической пленки, а второй после завершения всех операций формирования структуры чувствительных элементов с предварительной защитой от травителя лицевой стороны подложки, при этом первый этап травления проводят сначала в водном растворе смеси этилендиамина с пирокатехином, а затем в водном растворе гидроокиси калия, а второй этап проводят только в водном растворе смеси этилендиамина с пирокатехином. Изобретение обеспечивает возможность получения тонких (1-5 мкм) диэлектрических мембран по всей площади подложки одновременно и повышение выхода годных чувствительных элементов в процессе их изготовления. 4 ил.

Изобретение относится к области измерений температуры тонких поверхностных слоев, в частности пористого диэлектрического слоя в химической промышленности (катализ), при изготовлении оптических и химических сенсоров, а так же в процессе криогенного травления диэлектриков в технологии микроэлектроники. Заявлен бесконтактный способ измерения температуры пористого слоя, характеризующийся тем, что температура пористого слоя определяется по калибровочным графикам зависимости показателя преломления пористого слоя от температуры при постоянном давлении паров выбранных химических соединений, адсорбирующихся в пористом слое, рассчитанным на основе экспериментальных графиков зависимости показателя преломления пористого слоя от относительного давления летучих паров в этом слое при комнатной температуре. Технический результат - повышение точности получаемых результатов. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение используется в технологии химического утонения кремния при производстве формирователей видеосигналов для приборов с зарядовой связью, освещаемых с обратной стороны. Техническим результатом изобретения является обеспечение возможности многократного применения конструкции, а также возможности легко модифицировать размеры и расположение вытравливаемой области под индивидуальные параметры кристалла. Устройство крепления, позиционирования и маскирования кристаллов в технологии химического утонения кремния представляет собой собирающийся на головке установки травления сборно-разборный пакет, выполненный из двух наборов плоскопараллельных пластин, чередующихся между собой, один из которых выполнен из химически стойкой вакуумплотной алюмооксидной керамики, причем одна пластина из этого набора выполнена с окном по размерам кристалла прибора для обеспечения точного позиционирования кристалла, другая выполнена с окном по размерам, соответствующим области травления, и служит для уплотнения резиновой пластины - маски, второй набор пластин выполнен из резины на основе перфорированного каучука, химически стойкого к высокоагрессивным кислотам, причем одна из пластин этого набора выполнена с окном с размерами, соответствующими геометрии утонения кремния, и служит маской травления. 1 ил.

Изобретение относится к составам селективных полирующих травителей, используемых в процессах химического утонения эпитаксиальных кремниевых пластин при производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Технический результат заключается в достижении высокой стабильности процесса травления и высокого качества полированной поверхности создаваемой кремниевой мембраны. Состав селективного травителя для химических процессов утонения кремниевых пластин включает 1 объемную часть плавиковой кислоты, 3 объемных части азотной кислоты, N объемных частей уксусной кислоты, где N находится в диапазоне от 6 до 12 в зависимости от конкретных требований к скорости и селективности процесса травления, и 0,5÷1 части 0,1% раствора синтезированного фторпроизводного амфолитного комплекса ПАВ с катионактивными и анионактивными группами, выполненного на основе поверхностно-активных веществ вида RFSO2-N-R1R2R3-R4+A-, где А представляет собой анион галогена, и RFSO2-N-R1R2R3R4-К+, где К представляет собой катион (натрий, калий, аммоний), a RF - радикал, содержащий ионы фтора, причем в составе амфолитного комплекса катион- и анионактивные группы взяты в равных долях, а в качестве ПАВ используются флактониты А76 и К76. 2 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл.

Изобретение относится к радиоэлектронике, а точнее к технологии производства печатных плат. Сущность способа подготовки кристаллической или поликристаллической подложки под металлизацию заключается в том, что кристаллическую или поликристаллическую подложку стандартным образом шлифуют, на подложку наносят фоторезист, который затем засвечивают и травят, фоторезист покрывают маской и активным металлом для снятия заряда, создают внедренные дислокации, для чего выбранный металл обрабатывают потоком ионов от ионного ускорителя и после активации подложки маску и активный металл смывают жидким веществом, не реагирующим с активирующим металлом. Техническим результатом изобретения является расширение арсенала технических средств для подготовки кристаллических или поликристаллических подложек под металлизацию. 1 ил.

Изобретение относится к оборудованию для производства полупроводниковых приборов и может быть использовано для операции обезжиривания и отмывки пластин. Технический результат выражается в снижении себестоимости и трудоемкости процесса отмывки за счет того, что установка для отмывки пластин выполнена в виде камеры, состоящей из верхнего и нижнего отсеков, соединенных патрубком, нижний отсек камеры предназначен для растворителя, а в верхнем отсеке установлена кассета с обрабатываемыми пластинами, при этом дно верхнего отсека выполнено наклонным, в нижней точке наклонного дна расположен вход в сливной патрубок, выход которого размещен в нижнем отсеке камеры, а верхняя часть сливного патрубка расположена на уровне верхнего края пластин в кассете, камера снабжена патрубком-холодильником, расположенным в верхнем отсеке, и нагревательным элементом, расположенным под нижним отсеком. Установка позволяет проводить отмывку пластин поочередно в парах органического растворителя и в жидкости, обеспечивая замкнутый циклический процесс, отличающийся высокой технологичностью, поскольку не требует участия оператора, и высокой экономичностью, т.к. одной загрузки растворителя хватает на обезжиривание большого количества пластин. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области обработки поверхности теллурида кадмия-ртути ориентации (310) химическим селективным травлением. Cостав для селективного травления теллурида кадмия-ртути содержит ингредиенты при следующем соотношении, в объемных долях: 25%-ный водный раствор оксида хрома (VI) (CrO3) – 24, концентрированная соляная кислота (HCl) – 1, 5%-ный раствор лимонной кислоты – 8. Предложенный состав обеспечивает селективное травление теллурида кадмия-ртути с образованием треугольных ямок травления. 2 ил.

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для изготовления функциональных элементов наноэлектроники. Техническим результатом является возможность совмещения острия зонда с выполняемой на нем наноструктурой на предопределенных расстояниях 0-50 нм от оконечности острия. Способ изготовления элементов с наноструктурами для локальных зондовых систем включает нанесение на подложку из монокристаллического кремния с ориентацией {100}, по меньшей мере, одного слоя маскирующего покрытия, в котором формируют рисунок шаблона с выделением, по меньшей мере, трех областей, размещенных по взаимно перпендикулярным осям, совпадающим с двумя перпендикулярными кристаллографическими осями <110> подложки, задающих направление разлома подложки на соответствующее количество элементов и образующих на поверхности маскирующего покрытия каждого элемента вблизи точки пересечения указанных осей площадки для размещения наноструктуры, проведение жидкостного травления подложки через сформированный в маскирующем покрытии рисунок шаблона до проявления фигур травления в теле подложки в форме треугольных канавок, образованных пересечением плоскостей {111} подложки, формирование наноструктур на упомянутых площадках литографическими методами и разделение подложки на указанные элементы по линиям, образованным канавками. 8 з.п. ф-лы, 6 ил.
Изобретение относится к области микроэлектроники и может найти применение при формировании оксидных слоев в технологии МДП-приборов. Электролит для анодного окисления полупроводниковых соединений на основе AIIIBV включает ортофосфорную кислоту и глицерин. Дополнительно электролит содержит уксусную кислоту при следующем соотношении компонентов, мас.%: Ортофосфорная кислота 1-20 Уксусная кислота 46-57 Глицерин Остальное Электролит позволяет проводить анодное окисление поверхности полупроводников AIIIBV с сохранением целостности защитной маски из фоторезиста.
Использование: для создания металлстимулированным травлением полупроводниковых структур с развитой поверхностью. Сущность изобретения заключается в том, что способ формирования нитей кремния металлстимулированным травлением с использованием серебра заключается в выращивании слоя пористых кремниевых нанонитей химическим травлением монокристаллического кремния с кристаллографической ориентацией поверхности пластины (100) р-типа проводимости в местах, покрытых серебром, в растворе, содержащем плавиковую кислоту, перекись водорода, с дальнейшим промыванием в 65%-ном растворе азотной кислоты для удаления частиц серебра и продуктов реакции, удельное сопротивление пластин как р-, так и n-типа проводимости находится в диапазоне от 10 мΩ·см до 12 Ω·см, раствор для травления содержит деионизованную воду, объем которой составляет 1/10 часть раствора для травления HF:H2O2:H2O с соотношением компонентов 25:10:4 соответственно, и серебро с концентрацией в растворе от 2,9·10-4 до 26·10-4 моль/л. Технический результат: обеспечение возможности улучшения качества слоев пористых нанонитей кремния.
© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности 2016-07-10 2016-07-10T01:37:03
Наверх