Детектор заряженных частиц с тонким сцинтиллятором

Изобретение относится к области детекторов заряженных частиц на основе твердотельных органических сцинтилляторов. Детектор заряженных частиц с тонким сцинтиллятором в виде пластины содержит полупроводниковый фотосенсор в качестве преобразователя инициированных заряженными частицами световых вспышек в электрические импульсы, при этом сколь угодно тонкая полностью отполированная пластина сцинтиллятора выполнена в виде равностороннего многоугольника с числом углов не менее четырех оптически и механически соединена с прозрачной для сцинтилляций полностью отполированной подложкой, имеющей форму и коэффициент преломления света такие же, как у сцинтиллятора, а суммарная толщина сэндвича, образованного из сцинтиллятора и подложки, равна поперечнику чувствительной поверхности полупроводникового фотосенсора, оптически и механически присоединенного к сэндвичу в одном из его углов, который выполнен сточенным и отполированным для получения контактной площадки с размерами чувствительной области полупроводникового фотосенсора, при этом все поверхности сэндвича, кроме тыльной и с прикрепленным полупроводниковым фотосенсором, покрыты зеркальным отражателем, а тыльная поверхность покрыта диффузным отражателем. Технический результат - повышение эффективности сбора света на чувствительной поверхности фотосенсора. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

 

Настоящее изобретение относится к области сцинтилляционных детекторов ионизирующих излучений, точнее к детекторам заряженных частиц на основе твердотельных органических сцинтилляторов.

Твердотельные органические (кристаллические и пластиковые) сцинтилляторы обладают рядом свойств, делающих их основным рабочим веществом α- и β-детекторов:

1) низкий эффективный атомный номер обусловливает минимальное обратное рассеяние заряженных частиц и минимальные их радиационные потери (тормозное излучение); благодаря этому аппаратурный (измеренный) энергетический спектр минимально отличается от физического - почти вся энергия частиц расходуется на ионизацию вещества пластика и, соответственно, на конверсию в световые импульсы;

2) сцинтиллятор может быть изготовлен достаточно тонким для нечувствительности к гамма-излучению при сохранении высокой эффективности детектирования α- и β-частиц - таким образом можно раздельно измерять α-, и β-, и γ-излучение в смешанных радиационных полях;

3) пластиковые сцинтилляторы легко поддаются механической обработке, и в процессе изготовления им могут быть приданы достаточно произвольные формы и размеры.

Для преобразования инициированных заряженными частицами сцинтилляционных вспышек в электрические сигналы требуется фотосенсор. До недавнего времени безальтернативным фотосенсором был вакуумный фотоумножитель (Photomultiplier Tube - PMT). Главная проблема съема света с тонкого пластикового сцинтиллятора большой площади с помощью PMT - несоответствие размеров фотокатода и сцинтиллятора, приводящее к потерям части фотонов сцинтилляционных вспышек и, как следствие, к уменьшению амплитуд электрических сигналов на аноде PMT.

Известно несколько приемов для снятия этого противоречия. Большинство из них подробно описаны в монографии [Акимов Ю.К. Фотонные методы регистрации излучений. Дубна: ОИЯИ, 2014 г., 323 с.]:

- сочленение тонкой сцинтилляционной пластины с фотокатодом PMT с помощью световода из хорошо отполированного оргстекла или стекловолокна в виде рыбьего хвоста (фиг. 1);

- тоже самое, но световод в виде веера;

- применение волоконной оптики (пучок световодов окружает сцинтилляционную пластину по периметру или проложен в специальной канавке в виде змейки по лицевой и/или тыльной поверхности сцинтилляционной пластины).

Существуют и иные, более сложные решения. Общий их недостаток состоит в больших потерях света и, следовательно, в увеличении нижнего предела энергий регистрируемых β-частиц, громоздкости и сложности конструкции детектора (обычно стоимость световода превышает стоимость сцинтиллятора, с которым он применяется). Применение α- и β-детекторов в технологических установках атомной промышленности и атомных электростанций (в т.ч. для контроля поверхностной загрязненности оборудования и персонала) требует высокой степени устойчивости к механическим и электромагнитным воздействиям. Понятно, как трудно удовлетворить этим требованиям с детекторами, содержащими вакуумные PMT и хрупкие световоды.

Целый ряд проблем создания α- и β-детекторов для применения в атомной промышленности снимается при замене вакуумных PMT на кремниевые фотосенсоры [Акимов Ю.К. Фотонные методы регистрации излучений. Дубна: ОИЯИ, 2014 г., 323 с.]. К числу их относятся: кремниевые фотодиоды (PhD), кремниевые дрейфовые детекторы (SDD), лавинные фотодиоды (APD) и кремниевые фотоумножители (SiPM). В двух последних случаях кремниевые фотосенсоры обладают внутренним усилением. Для APD усиление составляет величину 50÷200 (в зависимости от режимов эксплуатации), а для SiPM усиление может быть на уровне усиления вакуумных фотоумножителей. SiPM наиболее привлекательны в качестве фотосенсора для применения со сцинтилляторами. SiPM представляют собой кремниевые сэндвичи - слои, образующие pn-переходы, на которые подано обратное смещение. Размеры чувствительной к свету поверхности от 1×1 до 6×6 mm. Толщина сэндвича ≈5 µm. Каждый такой сэндвич содержит в себе несколько тысяч микропикселей - миниатюрных счетчиков Гейгера-Мюллера с гасящими разряд резисторами. Размер одного микропикселя от 10×10 до 50×50 µm. Фотон света, с вероятностью 40÷70% (отношение чувствительной и общей площадей фотосенсора - FF) попавший на микропиксель с вероятностью 25÷75% (квантовая эффективность - QE) вызывает появление электрон-дырочной пары. Далее, с вероятностью 70÷90% (PG), двигаясь в электрическом поле с высокой напряженностью, фотоэлектрон рождает лавину электронов с числом носителей 105÷106 (это вполне соответствует усилению вакуумных фотоумножителей). Величина, равная FF×QE×PG, называется фотодетекторной эффективностью кремниевого фотоумножителя (PDE). PDE для SiPM имеет тот же смысл, что QE для PMT. Процесс образования лавины занимает около 1 ns. Возникающий лавинный ток, как и в счетчике Гейгера-Мюллера, протекает через гасящий резистор, напряжение падает, и лавинный процесс прекращается. На нагрузке образуется сигнал стандартной амплитуды. Линейная зависимость между засветкой SiPM, сцинтилляционной вспышкой и величиной выходного тока достигается за счет большого числа микропикселей, подключенных к общей нагрузке, но при условии, что число фотонов света во вспышке существенно ниже, чем число микропикселей.

Целый ряд преимуществ кремниевых фотоумножителей перед вакуумными фотоумножителями (PMT) делают их очень перспективными для создания сцинтилляционных детекторов ионизирующих излучений. Это нечувствительность к магнитному полю; малые габариты и масса; низкое значение рабочего напряжения (25÷75 V против 1000÷2000 V, необходимых для PMT); более широкий, чем для PMT, спектральный диапазон чувствительности к свету (от фиолетового до оранжевого).

Известны детекторы заряженных частиц, где в качестве конвертора световых вспышек в тонком пластиковом сцинтилляторе в электрические импульсы применяются кремниевые фотоумножители. В подавляющем большинстве для этого используются световоды (простые или спектросмещающие), уложенные в специальные канавки в виде змейки на тыльной стороне сцинтилляционной пластины (фиг. 2) [V. Andreev et al. A high-granularity scintillator calorimeter readout with silicon photomultipliers. Nucl. Instrum. and Meth. in Physics Research, V. A540 (2005) p. 368-380], [M.Y. Kim et al. Beam test performance of SiPM-based detectors for cosmic-ray experiments. Nucl. Instrum. and Meth. in Physics Research, V. A703 (2013) p. 177-182], [P. Buzhan et al. Silicon photomultiplier and its possible applications. Nucl. Instrum. and Meth. in Physics Research V. A504 (2003) р. 48-52]. Недостатком таких детекторов являются:

- сложность, а следовательно и дороговизна конструкции;

- значительные потери света на границах «сцинтиллятор-световод-SiPM» и в самом световоде из-за большой его длины.

Возможен съем световых вспышек на SiPM без применения световодов, но для обеспечения слабой зависимости амплитуды электрического сигнала от места взаимодействия заряженной частицы со сцинтиллятором необходимо большое число SiPM, установленных с тыльной стороны тонкой сцинтилляционной пластины. Это неприемлемо по экономическим соображениям.

Известен сцинтилляционный детектор [F. Simon, С. Soldner. Uniformity studies of scintillator tiles directly coupled to SiPMs for imaging calorimetry. Nucl. Instrum. and Meth. in Physics Research V. A620 (2010) p. 196-201] заряженных частиц с одним SiPM, находящимся в оптическом контакте со сцинтилляционной пластиной (является прототипом). Детектор представляет собой (фиг. 3) пластину сцинтиллятора размером 30×30×5 mm, в боковой грани которой сделана полость для размещения в ней кремниевого фотоумножителя размером 1×1 mm. Все стенки полости кроме одной, к которой примыкает SiPM, выполнены шероховатыми для получения диффузного рассеяния света, а соприкасающаяся с фотосенсором отполирована. Вся сцинтилляционная пластина обернута в алюминиевую фольгу для получения зеркального отражения света. Пластина сканировалась с шагом 0,5 mm коллимированным пучком β-частиц и для каждой позиции пучка измерялась средняя амплитуда электрических импульсов на выходе SiPM.

Достигнутая максимальная неоднородность светосбора в зависимости от места взаимодействия β-частиц со сцинтилляционным пластиком составила 35%. Неоднородность светосбора не превышала 20% в 98,9% позиций пучка, 10% - в 97,1% позиций, 5% - в 87,9% позиций.

Для сравнения были проведены измерения с SiPM просто приклеенным к боковой поверхности (без помещения в полость). Неоднородность светосбора не превысила 20% в 90,7% позиций пучка, 10% - в 80,85 позиций, 5% - в 57,4% позиций. Таким образом показано, что размещение фотосенсора в полости с диффузно отражающими стенками снижает зависимость амплитуды электрического сигнала на выходе SiPM от места взаимодействия β-частиц со сцинтилляционной пластиной.

Был исследован детектор с пластиной толщиной 3 mm. SiPM был помещен в аналогичную полость. Уменьшение толщины сцинтилляционного пластика привело к увеличению неоднородности светосбора: неоднородность светосбора не превысила 20% в 98,0% позиций пучка, 10% - в 94,0 позиций, 5% - в 82,5% позиций. Совершенно очевидно, что дальнейшее уменьшение толщины сцинтиллятора приведет к еще большему возрастанию неоднородности светосбора.

Недостатками детектора-прототипа являются следующие:

1. При такой конструкции невозможно применение тонкого пластического сцинтиллятора толщиной 1 mm и менее, что актуально для достижения нечувствительности детектора к гамма-фону.

2. Пластический сцинтиллятор в виде тонкой пластины, в которой сделана полость для помещения в нее SiPM, и при этом боковые поверхности ее шероховатые, а фронтальная - полированная, достаточно трудоемок в изготовлении и нетехнологичен.

Задачей изобретения является создание нечувствительного к гамма-излучению высокоэффективного детектора короткопробежных заряженных частиц с высокой однородностью светосбора по чувствительной поверхности.

Указанная задача решается тем, что рабочее вещество детектора представляет собой сэндвич из сколь угодно тонкой сцинтиллирующей пластиковой пластины и оптически прозрачной в полосе высвечивания пластика подложки с общей толщиной, равной поперечнику чувствительной области кремниевого фотоумножителя, который оптически и механически сочленяется с контактной площадкой сэндвича, имеющей площадь равную площади кремниевого фотоумножителя и созданной на месте одного из углов сэндвича с рабочей и тыльной сторонами в виде равностороннего многоугольника с числом сторон от четырех до бесконечности, при этом все свободные поверхности сэндвича, кроме тыльной, покрыты зеркальным отражателем, а тыльная сторона - диффузным.

Реализация детектора показана на фиг. 4, где приведена одна из возможных конструкций. Она содержит детектирующую среду в виде сэндвича из сколь угодно тонкого сцинтиллирующего пластика 1 и нанесенного на его тыльную сторону по всей ее площади оптически прозрачного в полосе высвечивания пластика несцинтиллирующего материала 2, например специально подобранного оргстекла, имеющего коэффициент преломления, равный коэффициенту преломления сцинтиллятора. Толщина образованного из сцинтилляционной пластины и несцинтиллирующего, оптически прозрачного материала сэндвича выбирается равной поперечнику чувствительной поверхности кремниевого фотоумножителя 3. Детектирующий сэндвич имеет форму равностороннего многоугольника с числом сторон не менее 4-х (вплоть до окружности). Один угол сэндвича сточен до получения площадки с размерами, равными размерам чувствительной области SiPM. Площадка отполирована и с ней оптически и механически сопряжен кремниевый фотоумножитель 3. Все свободные поверхности сэндвича, кроме тыльной (со стороны несцинтиллирующего пластика), покрыты зеркальным отражателем 4, а упомянутая тыльная поверхность покрыта диффузным отражателем 5.

Создание такой конструкции продиктовано стремлением одинаково хорошо собирать на небольшой относительно поверхности пластика чувствительной поверхности кремниевого фотоумножителя световые вспышки, возникающие в любой точке сцинтиллятора.

Прозрачная несцинтиллирующая подложка под пластиком в сэндвиче призвана задействовать всю чувствительную поверхность кремниевого фотосенсора в сборе света.

Известно [Акимов Ю.К. Фотонные методы регистрации излучений. Дубна: ОИЯИ, 2014 г., 323 с.], что при форме сцинтиллятора, сильно отличающейся от куба, наилучшие условия для сбора света на одной из граней сцинтиллятора создаются при наличии зеркального отражателя вокруг кристалла. Однако могут возникать ситуации, когда некоторые фотоны света, претерпевая множество отражений, могут до своего поглощения в сцинтилляторе так и не достигнуть фотосенсора. Диффузный отражатель способствует исключению движения фотонов света по одному и тому же пути и тем самым повышает вероятность попадания на фотосенсор до своего поглощения.

Размещение кремниевого фотоумножителя именно в одном из углов сэндвича, а не на одной из граней, также увеличивает эффективность светосбора, поскольку этим минимизируется число граней детектирующей среды, перпендикулярных чувствительной поверхности фотосенсора. Это согласно следствиям закона Ламберта условие максимального светосбора [V.P. Semynozhenko et al. Recent progress in the development of CsI(Tl) crystal-Si-photodiode spectrometric detection assemblies. Nucl. Instrum. and Meth. in Physics Research V. A 537 (2005) p. 383-388].

Увеличение числа боковых сторон детектирующего сэндвича также способствует улучшению светосбора.

Принятые меры при прочих равных условиях обеспечивают гораздо более эффективный светосбор, чем в детекторе-прототипе.

Технический результат применения заявляемого детектора заряженных частиц с тонким сцинтиллятором состоит в том, что появляется возможность эффективного сбора света со сколь угодно тонких сцинтилляционных пластиковых пластин, имеющих площадь рабочей поверхности, многократно превышающую площадь чувствительной поверхности кремниевого фотоумножителя, и тем самым обеспечить низкий энергетических порог регистрации короткопробежных заряженных частиц.

1. Детектор заряженных частиц с тонким сцинтиллятором в виде пластины, содержащий полупроводниковый фотосенсор в качестве преобразователя инициированных заряженными частицами световых вспышек в электрические импульсы, отличающийся тем, что сколь угодно тонкая полностью отполированная пластина сцинтиллятора выполнена в виде равностороннего многоугольника с числом углов не менее четырех оптически и механически соединена с прозрачной для сцинтилляций полностью отполированной подложкой, имеющей форму и коэффициент преломления света такие же, как у сцинтиллятора, а суммарная толщина сэндвича, образованного из сцинтиллятора и подложки, равна поперечнику чувствительной поверхности полупроводникового фотосенсора, оптически и механически присоединенного к сэндвичу в одном из его углов, который выполнен сточенным и отполированным для получения контактной площадки с размерами чувствительной области полупроводникового фотосенсора, при этом все поверхности сэндвича, кроме тыльной и с прикрепленным полупроводниковым фотосенсором, покрыты зеркальным отражателем, а тыльная поверхность покрыта диффузным отражателем.

2. Детектор по п. 1, отличающийся тем, что в качестве полупроводникового фотосенсора применен кремниевый фотоумножитель.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к детектору излучения для детектирования фотонов высокой энергии. Детектор излучения для детектирования излучения высокой энергии содержит: сцинтилляторную группу с двумя сцинтилляторными элементами для преобразования первичных фотонов падающего излучения во вторичные фотоны согласно характеристическому спектру испускания, причем верхний из сцинтилляторных элементов расположен наверху, а нижний из сцинтилляторных элементов расположен внизу детектора излучения; два органических фотодетектора для преобразования упомянутых вторичных фотонов в электрические сигналы, причем упомянутые фотодетекторы обладают различными спектрами поглощения без перекрытия и могут быть считаны по отдельности, при этом упомянутые фотодетекторы расположены под верхним сцинтилляторным элементом и над нижним сцинтилляторным элементом соответственно.

Изобретение относится к области ядерного приборостроения и может быть использовано при радиационном мониторинге в качестве носимого средства поиска источника гамма-излучения.

Изобретение может быть использовано в медицине и технике при изготовлении рентгеновских устройств с энергией излучения более 20 кэВ для диагностики и дефектоскопии.

Изобретение относится к области детектирования частиц ионизирующего излучения. Сцинтилляционный радиационно-стойкий детектор представляет собой рабочий объем с зеркально или диффузно отражающими стенками, внутри которого плотно к стенкам размещен полистирольный сцинтиллятор в виде пластины с канавками на фронтальной поверхности или отверстиями в пластине, через которые проходят спектросмещающие волокна, один или оба торца которых пристыкованы к фоточувствительным поверхностям фотоприемников, расположенных внутри или вне рабочего объема, при этом сцинтиллятор и спектросмещающие волокна, размещенные в рабочем объеме детектора, содержат соответственно сцинтилляционные и спектросмещающие добавки, высвечивающие в области длин волн более 550 нм.

Изобретение относится к области регистрации ионизирующих излучений и может быть использовано при создании радиационных детекторов, применяемых в геофизической аппаратуре нейтрон-гамма и гамма-гамма каротажа.

Изобретение относится к области регистрации ионизирующих излучений. Спектрометрический позиционно-чувствительный детектор содержит сцинтиллятор, состоящий из трех вложенных друг в друга наборов сцинтиллирующих элементов, расположенных параллельно оси устройства, внешний и средний наборы образованы сцинтиллирующими волокнами из материала, обеспечивающего регистрацию тепловых нейтронов, а сцинтиллирующие элементы внутреннего набора образуют цилиндр и выполнены в форме одинаковых по размеру угловых секторов и обеспечивают регистрацию гамма-излучения, количество угловых секторов составляет два и более, каждый угловой сектор снабжен спектросмещающим волокном, проходящим через центр углового сектора параллельно оси устройства, сцинтиллирующие элементы среднего набора помещены внутрь нейтронного замедлителя трубчатой формы, заполняющего пространство между внешним и внутренним наборами, на внешней поверхности нейтронного замедлителя расположен экран, поглощающий тепловые нейтроны, сцинтиллирующие элементы всех наборов и спектросмещающие волокна внутреннего набора снабжены светоотражающими оболочками, на поверхность сцинтиллирующих элементов нанесено светонепроницаемое покрытие, противоположные торцы каждого сцинтиллирующего элемента внешнего и среднего наборов, а также противоположные торцы каждого спектросмещающего волокна внутреннего набора соединены посредством оптических соединителей с двумя волоконными световодами, находящимися с противоположной стороны в оптическом контакте с двумя матричными фотоприемниками, число фоточувствительных элементов в каждом из которых равно или больше числа сцинтиллирующих элементов.

Изобретение относится к пикселированному детектору. Пикселированное детекторное устройство содержит матрицу детекторов, имеющую множество детекторных пикселей; и матрицу кристаллов, имеющую множество сцинтилляторных кристаллов и расположенную в геометрическом соответствии с матрицей детекторов; при этом упомянутые детекторные пиксели и упомянутые сцинтилляторные кристаллы сдвинуты в по меньшей мере одном измерении по отношению друг к другу на, по существу, половину размера сцинтилляторных кристаллов.

Способ по изобретению заключается в создании прочных тонких, механических поддерживающих структур для электромагнитного калориметра. Такими структурами являются ячеистые структуры из пропитанной эпоксидным связующим ткани из углеродного волокна. Техническим результатом, достигаемым при использовании способа по изобретению, является возможность изготовления механической структуры из углеродного волокна с высокой прочностью и точностью по толщине тонких стенок 20 мкм и плоскостности.

Изобретение относится к детектирующему устройству для фотонов или ионизирующих частиц. Детектирующее устройство для фотонов или ионизирующих частиц содержит детектирующую систему с несколькими детектирующими блоками, каждый из которых включает сцинтиллятор, соединенный со считывающей поверхностью считывателя электрического заряда, при этом сцинтиллятор выполнен с возможностью генерации ячейковых зарядов на считывающей поверхности при улавливании фотонов или ионизирующих частиц; коллиматор, присоединенный к сцинтиллятору напротив считывателя электрического заряда, выполненный с возможностью пропускания фотонов или ионизирующих частиц, имеющих направление движения, совпадающее с продольной осью коллиматора, и остановки фотонов или ионизирующих частиц (Р'), имеющих направление движения, отличающееся от направления продольной оси коллиматора; и несколько детектирующих систем, равномерно отстоящих друг от друга вокруг центральной оси детектирующей сборки, при этом детектирующее устройство сформировано в виде стопки из нескольких детектирующих сборок, каждая из которых повернута на угол вокруг центральной оси детектирующей сборки относительно соседней детектирующей сборки или соседних детектирующих сборок.

Изобретение может быть использовано в детекторах ионизирующего излучения в виде электромагнитных волн низких энергий, гамма-, рентгеновского излучения, космических лучей и частиц.

Изобретение относится к формированию спектрального изображения. Способ изготовления устройства формирования изображений содержит этапы, на которых осуществляют получение подложки фотодатчиков, имеющей две противоположные основные поверхности, при этом одна из двух противоположных основных поверхностей, которая перпендикулярна поступающему излучению, включает в себя множество рядов фотодатчиков из множества фоточувствительных элементов, причем электронные схемы обработки данных смонтированы на подложку фотодатчиков и полученная подложка фотодатчиков имеет толщину, равную или большую чем сто микрон; оптическое соединение матрицы сцинтилляторов с подложкой фотодатчиков, причем матрица сцинтилляторов включает в себя множество дополнительных рядов сцинтилляторов из множества дополнительных сцинтилляционных элементов, и каждый дополнительный ряд сцинтилляторов оптически соединен с одним из рядов фотодатчиков, и, по меньшей мере, один дополнительный сцинтилляционный элемент оптически соединен с одним из фоточувствительных элементов, при этом матрица сцинтилляторов включает в себя первую поверхность с углублением и вторую поверхность в углублении для электронных схем обработки данных и уменьшение толщины подложки фотодатчиков, которая оптически соединена со сцинтиллятором, производя уменьшенную по толщине подложку фотодатчиков, которая оптически соединена со сцинтиллятором и которая имеет толщину порядка менее ста микрон. Технический результат - повышение разрешающей способности устройства формирования изображений. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к устройству для обнаружения рентгеновского излучения. Аппарат для обнаружения излучения содержит принимающий излучение блок, включающий в себя: первый сцинтиллятор для генерации первого света сцинтилляции в зависимости от излучения, где первый свет сцинтилляции имеет первый характер поведения во времени, второй сцинтиллятор для генерации второго света сцинтилляции в зависимости от излучения, где второй свет сцинтилляции имеет второй характер поведения во времени, который отличается от первого характера поведения во времени, блок обнаружения света сцинтилляции для обнаружения первого света сцинтилляции и второго света сцинтилляции и для генерации общего сигнала обнаружения света, который указывает первый свет сцинтилляции и второй свет сцинтилляции, блок определения обнаруживаемых значений для определения первого обнаруживаемого значения и второго обнаруживаемого значения, причем блок определения обнаруживаемых значений выполнен с возможностью: определения первого обнаруживаемого значения посредством применения первого процесса определения к общему сигналу обнаружения света, причем первый процесс определения включает в себя частотную фильтрацию общего сигнала обнаружения света посредством использования первого частотного фильтра, тем самым генерируя первый фильтрованный общий сигнал обнаружения света, и определения первого обнаруживаемого значения в зависимости от первого фильтрованного общего сигнала обнаружения света, определения второго обнаруживаемого значения посредством применения второго процесса определения к общему сигналу обнаружения света, причем второй процесс определения отличается от первого процесса определения. Технический результат - упрощение конструкции устройства. 6 н. и 9 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к сцинтиллятору для использования в радиационном детекторе. Сцинтиллятор для высокотемпературных условий содержит кристалл типа кольквириита формулы LiM1M2X6, где M1 выбирают из щелочноземельных элементов Mg, Ca, Sr и Ba; M2 выбирают из Al, Ga и Sc; X - галоген. Примером кристалла является кольквириит типа LiCaAlF6. Кристалл может содержать элемент из группы лантаноидов, такой как Ce или Eu. Описываются также радиационный детектор, содержащий указанный сцинтиллятор и фотодетектор, и способ обнаружения излучения с его использованием. Изобретение обеспечивает сцинтиллятор с хорошими фотоэмиссионными характеристиками в высокотемпературных условиях, позволяющими его использовать для обнаружения нейтронов и измерения излучения в высокотемпературных условиях. 3 н. и 5 з.п. ф-лы, 11 ил., 2 пр.

Изобретение относится к сцинтиллятору для использования в радиационном детекторе. Сцинтиллятор для высокотемпературных условий содержит кристалл типа кольквириита формулы LiM1M2X6, где M1 выбирают из щелочноземельных элементов Mg, Ca, Sr и Ba; M2 выбирают из Al, Ga и Sc; X - галоген. Примером кристалла является кольквириит типа LiCaAlF6. Кристалл может содержать элемент из группы лантаноидов, такой как Ce или Eu. Описываются также радиационный детектор, содержащий указанный сцинтиллятор и фотодетектор, и способ обнаружения излучения с его использованием. Изобретение обеспечивает сцинтиллятор с хорошими фотоэмиссионными характеристиками в высокотемпературных условиях, позволяющими его использовать для обнаружения нейтронов и измерения излучения в высокотемпературных условиях. 3 н. и 5 з.п. ф-лы, 11 ил., 2 пр.

Изобретение относится к области детектирования слабых радиационных сигналов с помощью сцинтилляционных счетчиков и может быть преимущественно использовано в детекторах обнаружения бета-загрязнений. Тонкий сцинтилляционный счетчик для обнаружения бета загрязнений содержит протяженную сцинтилляционную пластину с пристыкованным к ее торцу фотоумножителем с протяженным фотокатодом, при этом фотоумножитель состоит из протяженной цилиндрической стеклянной колбы, фотокатода, сформированного на внутренней поверхности цилиндрической колбы, расположенных внутри колбы протяженной динодной системы, состоящей из ряда протяженных динодов, и анода, причем отношение длины фотокатода к ширине динодной системы превышает 10. Технический результат - повышение эффективности регистрации частиц. 2 з.п ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к детектору излучения, используемому в устройствах визуализации медицинской радиологии. Детектор излучения включает в себя трехмерный многослойный сцинтиллятор, который включает в себя множество блоков сцинтиллятора, упорядоченных в матрицу трехмерным образом так, чтобы сформировать призму, в которой вложенные слои, имеющие показатель преломления, отличный от показателя преломления блоков сцинтиллятора, и/или имеющие характеристику поглощения или рассеяния света, излученного блоками сцинтиллятора, расположены на граничных поверхностях между множеством блоков сцинтиллятора, причем эти граничные поверхности проходят в направлении, перпендикулярном направлению высоты призмы, и светоизолирующие слои, которые изолируют передачу света, излученного сцинтиллятором, расположены на, по меньшей мере, некоторых граничных поверхностях, проходящих в направлении, параллельном направлению высоты призмы, и блок определения позиции, который определяет позицию излучения света в направлении высоты призмы на основе отношения величин энергии света, падающего на упомянутые два элемента приема света, образующих пару. Технический результат - повышение позиционного разрешения детектора излучения в направлении глубины сцинтиллятора. 4 з.п. ф-лы, 1 табл., 15 ил.

Изобретение относится к области компьютерной томографии (КТ). Система визуализации содержит источник излучения и матрицу чувствительных к излучению детекторов, включающую в себя матрицу сцинтилляторов и матрицу фотодатчиков, оптически связанную с матрицей сцинтилляторов, причем матрица сцинтилляторов включает в себя Gd2O2S:Pr,Tb,Се, причем количество Tb3+ равно или меньше, чем пятьдесят мольных частей на миллион. Технический результат - повышение световыхода сцинтиллятора. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 9 ил., 1 табл.

Изобретение относится к сцинтилляторному блоку, который может быть использован в рентгеновской детекторной матрице для компьютерной томографии (СТ). Сцинтилляторный блок содержит матрицу пикселей сцинтиллятора, причем каждый из пикселей сцинтиллятора имеет верхнюю поверхность, нижнюю поверхность и боковые поверхности и причем пиксели сцинтиллятора размещены так, что боковые поверхности соседних пикселей сцинтиллятора обращены друг к другу, и поглощающую рентгеновские лучи оболочку, содержащую электрически изолирующий, сильно поглощающий рентгеновские лучи материал, причем сильно поглощающий рентгеновские лучи материал имеет атомное число больше чем 50; причем поглощающая рентгеновские лучи оболочка размещена на нижней поверхности пикселей сцинтиллятора; поглощающая рентгеновские лучи оболочка содержит частицы сильно поглощающего рентгеновские лучи материала, причем частицы включены в связующий материал; 90% частиц имеют размер между 1 и 50 мкм; и поглощающая рентгеновские лучи оболочка покрывает по меньшей мере 80% нижней поверхности каждого из пикселей сцинтиллятора. Технический результат - повышение помехозащищенности электронной схемы сцинтилляторного блока. 3 н. и 9 з.п. ф-лы, 2 ил.

Использование: для регистрации рассеянного рентгеновского излучения при контроле объекта посредством рентгеновского излучения. Сущность изобретения заключается в том, что не разбитый на пиксели объем сцинтилляционной среды преобразует энергию падающего проникающего излучения в сцинтилляционный свет, извлекаемый из области извлечения сцинтилляционного света посредством множества оптических волноводов, выровненных по существу параллельно друг другу в области извлечения сцинтилляционного света, примыкающей к не разбитому на пиксели объему сцинтилляционной среды, для направления света, извлеченного из сцинтилляционного света, и регистрации фотонов, направленных указанным множеством волноводов, с возможностью генерирования сигнала, характеризующего падающий поток рентгеновского излучения. Технический результат: обеспечение возможности эффективного извлечения, сбора и регистрации сцинтилляционного света. 5 н. и 14 з.п. ф-лы, 34 ил.
Изобретение относится к области регистрации ионизирующих излучений и может быть использовано для изготовления недорогих сцинтилляционных детекторов в самом широком диапазоне габаритных размеров и толщин. Заявлен способ изготовления пластмассовых сцинтилляторов на основе полистирольных гранул, заключающийся в сушке и опудривании гранул сцинтилляционными добавками с последующим плавлением опудренных гранул, причем плавление гранул проводится в помещенных в вакуумную печь открытых формах, определяющих форму сцинтилляционных изделий, при вакуумировании и последующем заполнении рабочего объема печи инертным газом. Все поверхности сцинтилляторов, изготовленных по заявляемому способу, за исключением открытой поверхности, являются слепками поверхностей материала форм плавления - полированной нержавеющей стали, то есть зеркальными. Открытая поверхность при выполнении технического регламента также получается зеркальной и в большинстве случаев не требует дополнительной механической обработки. Технический результат – возможность получения сцинтилляционных полос значительной толщины, не требующих дополнительной механической обработки. 1 з.п. ф-лы, 2 пр.
Наверх