Высокочастотный туннельный диод

Авторы патента:


 

Еое-.,:с."-; =;я

О и и с А тГ т

ИЗОБРЕТЕН И 263044

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 22.1.1968 (№ 1211972/26 25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 04.11.1970. Бюллетень №

Дата опубликования описания 26Х.1970

Кл. 2lg, 11/02

Комитет ло делам изобретений и открытий пои Совете Министров

СССР

МПК Н 011

УДК 621.382.2 (088.8) Авторы изобретен,ия

П. Б. Константинов н В. И. Шапиро

Заявитель

ВЫСОКОЧАСТОТНЫИ ТУННЕЛЬНЫИ ДИОД

Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов с отрицательным сопротивлением.

Известны высокочастотные туннельные диоды, например, типа 1И102 5КК3.362.048 ТУ, у которых концентрация в р-сбла-ти р-п-перехода значительно превышает концентрацию носителей в п-области. Недостатком приборов такого типа является высокий коэффициент шум а.

Цель настоящего изобретения — создание

CBI1-туннельного диода с уменьшенным коэффициентом шума.

Сущность изобретения заключается в том. что при фиксированном значении приведенной

/n -1- р 1 т, з концентрации (), где

np ) и — концентрация донсрной примеси; р — концентрация акцепторной примеси, определяющей величину предельной частоты прибора, соотношение концентраций п и р изменяют таким образом, чтобы величина отриII,àòåëüíîãо сопротивления, а следовательно, и шумы диода уменьшались.

Форма вольтамперной характеристики, а следовательно, и величина отрицательного сопротивления диода зависят от величины вы,рождения с п и р стороны. Так как зависимость от концентрации положения уровня

Ферми для вырожденното материала п-типа более слабая, чем для материала р-типа, то, изготавливая туннельный диод с концентрацией fl-примеси, равной концентрации р-при5 меси или превышающей ее,,можно уменьшить отрицательное сопротивление диода и его,шумы, не меняя частотного предела диода.

Высокочастотный туннельный диод представляет собой .полупроводниковый прибор с

10 концентрацией легирующих примесей 10»вЂ”

10» ат/с,из, причем концентрация примеси в п-области близка к концентрации примеси в исходном материале р-типа или превышает ее.

Такого соотношения концентраций достигаюг

15 применением предельно низких температур вплавления, при которых исходный полупроводник еще растворяется в электродном материале, и высоких скоростей охлаждения при получении туннельного р-п-перехода.

Предмет изобретения

Высокочастотный туннельный диод, имеющий концентрацию легирующих примесей в вырожденных р и и областях 10» — 10- 1 ат/см, 25 отличающийся тем, что, с целью улучшения его шумовых характеристик при неизменном значении предельной частоты, концентрация примеси п-области близка к концентрации примеси в р-области или превышает ее.

Высокочастотный туннельный диод 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к туннельным приборам, а именно к функциональным элементам наноэлектроники и вычислительной техники, и может быть использовано для приборного и схемотехнического применения нанотехнологии, например для построения одноэлектронных логических схем, создания схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре

Изобретение относится к способам изготовления функциональных элементов наноэлектроники и вычислительной техники и может быть использовано для изготовления одноэлектронных логических схем, схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к функциональным элементам интегральных схем, и может быть использовано в генераторных схемах, а также в вычислительной, измерительной и усилительной технике

Изобретение относится к структурам на основе металл - диэлектрик - металл и может быть использовано в квантовых приборах и интегральных схемах

Способ определения вида и концентрации наночастиц в неорганических аморфных средах и композитах на основе полимеров может найти применение в электронике, радиотехнике, природоохранной, химической и нефтяной отраслях для контроля качества проведения технологических процессов и качества готовой продукции, например, при создании полимерных нанокомпозитов, функциональных электронных и радиотехнических элементов. Технической задачей является повышение точности определения концентрации наночастиц в аморфных средах любой природы путем уменьшения влияния фоновых токов на результат измерения. Поставленная задача решается тем, что создается измерительная ячейка, состоящая из двух инжекционных слоев проводящего материала и слоя исследуемого материала между ними, полученная измерительная ячейка помещается в низкотемпературную среду, в которой фоновые токи достигают своего минимального значения и не оказывают существенного влияния на результат измерения, затем измерительная ячейка включается в цепь и снимается вольт-амперная характеристика, по которой определяются значения резонансных потенциалов и соответствующие им значения резонансных токов, далее полученные значения резонансных потенциалов сравниваются с базой данных резонансных потенциалов известных наночастиц и осуществляется идентификация наночастиц в исследуемом материале, затем готовится эталонный образец материала с низкой концентрацией идентифицированных наночастиц, формируется измерительная ячейка, состоящая из двух инжекционных слоев проводящего материала и эталонного материала между ними, полученная эталонная измерительная ячейка помещается в низкотемпературную среду и включается в цепь, после чего снимается вольт-амперная характеристика, по которой определяются резонансные потенциалы и соответствующие им значения резонансных токов, на основании полученных значений резонансных токов в исследуемом и эталонном образцах, а также известного значения концентрации в эталонном образце рассчитывается концентрация наночастиц в исследуемом образце.
Наверх