Способ повышения качества туннельного перехода в структуре солнечных элементов

Авторы патента:

H01L31/18 - способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей (не предназначенные специально для этих приборов H01L 21/00)

H01L31/0687 - Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов (H01L 51/00 имеет преимущество; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, кроме приборов, содержащих чувствительные к излучению компоненты, в комбинации с одним или несколькими электрическими источниками света H01L 27/00; кровельные покрытия с приспособлениями для размещения и использования устройств для накопления или концентрирования энергии E04D 13/18; получение тепловой энергии с

Владельцы патента RU 2604476:

ЗЕ БОИНГ КОМПАНИ (US)

Способ формирования туннельного перехода (112) в структуре (100) солнечных элементов, предусматривающий попеременное осаждение вещества Группы III и вещества Группы V на структуре (100) солнечных элементов и управление отношением при осаждении указанного вещества Группы III и указанного вещества Группы V. Также предложено фотоэлектрическое устройство, включающее подложку (102); первый солнечный элемент (108), расположенный над подложкой (102); контакт (116), расположенный над первым солнечным элементом (108); туннельный переход (112), образованный между первым солнечным элементом (108) и контактом (116), и в котором туннельный переход (112) изготовлен методом эпитаксии со стимулированной миграцией (МЕЕ); буферный слой (106), расположенный между указанной подложкой (102) и указанным первым солнечным элементом (108); и слой (104) зарождения, расположенный между указанным буферным слоем (106) и указанной подложкой (102). Изобретение обеспечивает улучшение качества материала туннельного перехода, что обеспечивает высокую кристаллическую чистоту солнечных элементов над туннельным переходом, которая в свою очередь обеспечивает повышение эффективности преобразования солнечного излучения. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 4 ил.

Предшествующий уровень техники

Варианты осуществления настоящего изобретения в целом относятся к структурам солнечных элементов с множеством переходов, а более конкретно к способу повышения качества туннельных переходов в структурах солнечных элементов с множеством переходов.

Солнечные фотоэлектрические устройства - это устройства, способные преобразовывать энергию солнечных лучей в полезную электрическую энергию. Солнечная энергия, получаемая с помощью фотоэлектрических устройств, является основным источником энергии для многих космических аппаратов. Солнечные фотоэлектрические устройства также становятся привлекательной альтернативой для выработки электроэнергии для бытового, коммерческого и промышленного использования, поскольку солнечная энергия является экологически чистой и возобновляемой.

В структурах солнечных элементов с множеством переходов, предназначенных для применения в фотоэлектрическом концентраторе, туннельные переходы между отдельными солнечными элементами могут играть важную роль в определении эффективности структуры солнечных элементов. Один из способов повышения эффективности солнечных элементов может заключаться в повышении качества материала туннельного перехода и, следовательно, качества слоев, выращенных на туннельном переходе, и одновременно увеличить туннельный ток от туннельных переходов. Кроме того, туннельный переход должен быть достаточно прозрачным, чтобы через него мог проходить свет к расположенным ниже солнечным элементам.

Таким образом, было бы желательным обеспечить систему и способ, преодолевающие вышеуказанные проблемы.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Способ формирования туннельного перехода в структуре солнечных элементов предусматривает осаждение вещества Группы III и осаждения вещества Группы V после указанного осаждения вещества Группы III.

Способ формирования туннельного перехода в структуре солнечных элементов предусматривающий попеременное осаждение вещества Группы III и вещества Группы V на структуре солнечных элементов.

Фотоэлектрическое устройство имеет подложку. Первый солнечный элемент расположен над подложкой. Контакт располагается над первым солнечным элементом. Туннельный переход образован между первым солнечным элементом и контактом. Туннельный переход получают путем эпитаксии со стимулированной миграцией (MEE-migration enhanced epitaxial).

Признаки, функции и преимущества могут быть достигнуты независимо один от другого в различных вариантах осуществления данного изобретения или могут быть объединены в других вариантах осуществления изобретения.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

Варианты осуществления настоящего изобретения будут более понятны из подробного описания и прилагаемых чертежей, на которых:

Фиг. 1 - упрощенная блок-схема структуры солнечного элемента, в которой для формирования туннельного перехода может использоваться способ эпитаксии со стимулированной миграцией;

Фиг. 2 - временной график последовательности потоков при эпитаксии со стимулированной миграцией в ходе формирования туннельного перехода;

Фиг. 3 - блок-схема последовательности потоков при эпитаксии со стимулированной миграцией в ходе формирования туннельного перехода;

Фиг. 4 - световая вольт-амперная (LIV) характеристика GaInP туннельного перехода, выращенного способом эпитаксии со стимулированной миграцией при высокой температуре (НТ), и выращенного способом обычной эпитаксии при той же температуре GaInP туннельного перехода (TuJn) в тестовой структуре.

ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ

Рассмотрим Фиг. 1, на которой изображена структура 100 из множества солнечных элементов (далее - структура 100 солнечных элементов). Структура 100 солнечных элементов может иметь подложку 102. Подложка 102 может быть выполнена из различных материалов. В соответствии с одним вариантом осуществления изобретения могут использоваться арсенид галлия (GaAs), германий (Ge) или другие подходящие вещества. Приведенный выше список веществ не должен рассматриваться как окончательный. При использовании подложки из германия (Ge) на подложку 102 может быть нанесен слой 104 зарождения (слой нуклеации). На подложке 102 или над слоем 104 зарождения может быть выполнен буферный слой 106. Солнечный элемент 108, например Солнечный Элемент 1, может быть сформирован на буферном слое 106. Солнечный элемент 108 может быть выполнен из слоя эмиттера n+ и слоя базы p-типа. В соответствии с одним вариантом осуществления изобретения галлий (Ga), индий (In), фосфор (P) могут использоваться для изготовления солнечного элемента 108. Однако упомянутое не следует рассматривать в ограничивающем смысле.

Туннельный переход 112 может быть образован между солнечным элементом 108 и другим солнечным элементом 114, например Солнечным Элементом 2. Туннельный переход 112 может использоваться для соединения солнечного элемента 114 с солнечным элементом 108. Солнечный элемент 114 может быть аналогичен солнечному элементу 108. Солнечный элемент 114 может быть выполнен из слоя эмиттера n+ и слоя базы p-типа. В соответствии с одним вариантом осуществления изобретения галлий (Ga), индий (In), фосфор (P) могут использоваться для изготовления солнечного элемента 114. Однако упомянутое не следует рассматривать в ограничивающем смысле. Верхний слой 116 может быть сформирован на солнечном элементе 114. Верхний слой 116 служит контактом для структуры 100 солнечных элементов. Хотя на Фиг. 1 изображены только солнечные элементы 108 и 114, однако могут использоваться дополнительные солнечные элементы и туннельные переходы.

Качество туннельного перехода 112 может иметь решающее значение для поддержания высокой кристаллической чистоты солнечного элемента 114 над туннельным переходом 112. При обеспечении высокого качества туннельного перехода 112 можно получить больший ток туннельного перехода. Это может повысить эффективность структуры 100 солнечных элементов.

В настоящее время в существующих высокоэффективных солнечных элементах с множеством переходов для достижения высокой концентрации легирующей примеси, особенно при использовании материалов с широкой запрещенной зоной, таких как GaInP, могут применяться пониженные температуры. Рассмотрим теперь Фиг. 2 и 3, иллюстрирующие способ, который может повысить качество туннельного перехода 112. Способ может использовать метод эпитаксии со стимулированной миграцией (МЕЕ) для формирования туннельного перехода 112.

МЕЕ является методом осаждения монокристаллов. В способе МЕЕ могут альтернативно использоваться атомы группы III и группы V, таким образом атомы группы III имеют большую длину диффузии на поверхности перед реакцией с атомами группы V, благодаря чему достигается более высокое качество кристаллов. При формировании туннельного перехода 112 могут использоваться различные сочетания элементов Группы III и Группы V, перечисленные в периодической таблице. Различные сочетания могут быть выбраны на основе постоянной решетки и требований к запрещенной зоне. Элементы Группы III могут включать, без ограничения перечисленным: бор (B), алюминий (Al), галлий (Ga), индий (In) и таллий (Tl). Элементы Группы V могут включать (без ограничения перечисленным): азот (N), фосфор (P), мышьяк (As), сурьму (Sb) и висмут (Bi).

Миграция поверхностных атомов вдоль поверхности может играть важную роль для выращивания высококачественных слоев и атомарно-плоских гетеропереходов. В МЕЕ используется модуляция Группы III и Группы V во время эпитаксии, которая может улучшить миграцию атомов Группы III на поверхности подложки и, следовательно, повысить качество. Как показано на Фиг. 2 и 3, происходит попеременное нанесение веществ Группы III и Группы V. Таким образом, вещество Группы III может вначале наноситься на слой TuJn 112. Это может позволить веществу Группы III диффундировать в течение более длительного времени, что может обеспечить более высокое качество кристалла. После нанесения вещества Группы III может наноситься вещество Группы V. Попеременное (альтернативное) нанесение веществ Группы III и Группы V продолжается до завершения формирования туннельного перехода 112. При нанесении веществ Группы III и Группы V могут применяться различные временные интервалы, в зависимости от используемых веществ. Чередующиеся промежутки времени могут составлять от 1 до 1000 секунд или более.

МЕЕ может обеспечить возможность управления соотношением V/III и улучшить легирование, в частности, такими легирующими примесями, как теллур (Te), сера (S), углерод (C) и т.д., которые занимают место атома группы V. МЕЕ может осуществляться при очень низком соотношении V/III. В частности, при обездвиживании атомов алкила на поверхности, вещество группы V не впрыскивается в камеру, поэтому мгновенное отношение V/III является очень низким, и концентрация легирующей примеси выше.

Рассмотрим Фиг. 4, на которой приведены световые вольт-амперные характеристики (LIV) для разных концентраций. На Фиг. 4 приведены световые вольт-амперные (LIV) характеристики туннельного перехода НТ GaInP, выращенного с использованием МЕЕ, и выращенного путем традиционной эпитаксии GaInP НТ туннельного перехода. Хотя кривые LIV выращенного методом МЕЕ НТ GaInP туннельного перехода получены в тестовой структуре, включающей один переход, очевидно, что туннельный переход МЕЕ НТ TuJn демонстрирует больший туннельный ток по сравнению с выращенным методом традиционной эпитаксии туннельным переходом TuJn.

В существующих высокоэффективных солнечных элементах с множеством переходов для достижения высокой концентрации легирующей примеси, особенно при использовании материалов с широкой запрещенной зоной, таких как GaInP, обычно применяются пониженные температуры. МЕЕ может использоваться как при высоко-, так и при низкотемпературном выращивании слоев туннельного перехода (TuJn) и может обеспечивать более высокое легирование и более высокое качество TuJn-слоев, в то время как при традиционном выращивании достижение высокого легирования связано с ухудшением качества, снижением максимального туннельного тока, а также ухудшением качества последующих слоев. Данное изобретение может повысить туннельный ток по сравнению с существующими значениями и, следовательно, увеличить эффективность.

В тексте настоящей заявки и на прилагаемых Фиг. 1-4 раскрыт способ формирования туннельного перехода 112 в структуре 100 солнечных элементов. Способ включает попеременное осаждение вещества Группы III и вещества Группы V на структуре 100 солнечных элементов. В одном варианте попеременное осаждение вещества Группы III и вещества Группы V включает осаждение вещества Группы III на структуре 100 солнечных элементов и осаждение вещества Группы V после осаждения вещества Группы III. Кроме этого, способ может предусматривать осаждение вещества Группы III на первый солнечный элемент 108, например Солнечный Элемент 1, структуры 100 солнечных элементов. В одном варианте осуществления способ может включать осаждение вещества Группы V на первый солнечный элемент 108 структуры 100 солнечных элементов. В еще одном альтернативном варианте способ может включать управление отношением при осаждении вещества Группы III и вещества Группы V. В одном варианте попеременное осаждение вещества Группы III может включать нанесение веществ Группы III и Группы V в течение около 1-1000 секунд. В одном альтернативном варианте вещества Группы III включают по меньшей мере один из следующих: бор (B), алюминий (Al), галлий (Ga), индий (In) и таллий (Tl). В еще одном примере вещества Группы V включают по меньшей мере один из следующих: азот (N), фосфор (P), мышьяк (As), сурьму (Sb) и висмут (Bi).

В тексте настоящей заявки и на прилагаемых Фиг. 1-4 раскрыто фотоэлектрическое устройство, содержащее подложку 102, первый солнечный элемент 108, например Солнечный Элемент 1, расположенный над подложкой 102, контакт 116, расположенный над первым солнечным элементом 108; и туннельный переход 112, сформированный между первым солнечным элементом 108 и контактом, отличающееся тем, что туннельный переход 112 образован методом эпитаксии со стимулированной миграцией (МЕЕ). В одном варианте осуществления туннельный переход 112 образован указанным способом МЕЕ при попеременном осаждении веществ Группы III и Группы V. В одном примере вещества Группы III включают по меньшей мере один из следующих: бор (B), алюминий (Al), галлий (Ga), индий (In) и таллий (Tl).

В одном варианте указанные вещества Группы V могут включать по меньшей мере один из следующих: азот (N), фосфор (P), мышьяк (As), сурьму (Sb) и висмут (Bi). Кроме того, фотоэлектрическое устройство может содержать буферный слой 106, расположенный между указанной подложкой 100 и первым солнечным элементом 108. Кроме того, фотоэлектрическое устройство может содержать слой зарождения 104, расположенный между указанным буферным слоем 106 и указанной подложкой 102. В одном варианте осуществления второй солнечный элемент 114, например Солнечный Элемент 2, расположен между указанным первым солнечным элементом 108 и указанным контактом 116.

Хотя варианты осуществления данного изобретения были описаны с использованием различных конкретных вариантов осуществления, специалистам в данной области техники будет понятно, что варианты осуществления изобретения могут быть реализованы на практике с изменениями, не выходя за рамки объема и сущности изобретения.

1. Способ формирования туннельного перехода (112) в структуре (100) солнечных элементов, содержащий
попеременное осаждение вещества Группы III и вещества Группы V на указанной структуре (100) солнечных элементов; и
управление отношением при осаждении указанного вещества Группы III и указанного вещества Группы V.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что попеременное осаждение вещества Группы III и вещества Группы V дополнительно содержит:
осаждение вещества Группы III на указанной структуре (100) солнечных элементов и
осаждение вещества Группы V после осаждения указанного вещества Группы III.

3. Способ по п. 1, дополнительно содержащий осаждение указанного вещества Группы III на первый солнечный элемент (108) указанной структуры (100) солнечных элементов.

4. Способ по п. 3, дополнительно содержащий осаждение указанного вещества Группы V на первый солнечный элемент (108) указанной структуры (100) солнечных элементов.

5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что попеременное осаждение указанного вещества Группы III и вещества Группы V содержит нанесение указанного вещества Группы III или указанного вещества Группы V в течение от около 1 до около 1000 с.

6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что указанные вещества Группы III включают по меньшей мере одно из следующих: бор (В), алюминий (Al), галлий (Ga), индий (In) и таллий (Tl).

7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что указанные вещества Группы V включают по меньшей мере одно из следующих: азот (N), фосфор (Р), мышьяк (As), сурьму (Sb) и висмут (Bi).

8. Фотоэлектрическое устройство, включающее:
подложку (102);
первый солнечный элемент (108), расположенный над подложкой (102);
контакт (116), расположенный над первым солнечным элементом (108);
туннельный переход (112), образованный между первым солнечным элементом (108) и контактом (116), и в котором туннельный переход (112) изготовлен методом эпитаксии со стимулированной миграцией (МЕЕ);
буферный слой (106), расположенный между указанной подложкой (102) и указанным первым солнечным элементом (108); и
слой (104) зарождения, расположенный между указанным буферным слоем (106) и указанной подложкой (102).

9. Фотоэлектрическое устройство по п. 8, отличающееся тем, что туннельный переход (112) образован указанным способом МЕЕ при попеременном осаждении веществ Группы III и Группы V.

10. Фотоэлектрическое устройство по п. 9, отличающееся тем, что вещества Группы III содержат по меньшей мере одно из следующих: бор (В), алюминий (Al), галлий (Ga), индий (In) и таллий (Tl).

11. Фотоэлектрическое устройство по п. 9, отличающееся тем, что указанные вещества Группы V содержат по меньшей мере один из следующих: азот (N), фосфор (Р), мышьяк (As), сурьму (Sb) и висмут (Bi).

12. Фотоэлектрическое устройство по п. 8, дополнительно содержащее второй солнечный элемент (114), расположенный между указанным первым солнечным элементом (108) и указанным контактом (116).

Изобретение относится к электронной технике, а именно к приборам, преобразующим энергию электромагнитного излучения в электрическую, в частности к кремниевым солнечным элементам и технологии их изготовления.

Способ получения светопоглощающей кремниевой структуры // 2600076

Изобретение относится к области солнечных фотоэлектрических преобразователей на основе монокристаллического кремния. Способ получения светопоглощающей кремниевой структуры включает нанесение на поверхность образца из монокристаллического кремния слоя ванадия толщиной от 50 нм до 80 нм, нагревание до температуры (430-440)°C в течение не менее 20 минут и выдержку в течение не менее 40 минут.

Способ изготовления диодов средневолнового ик диапазона спектра // 2599905

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для детектирования и испускания инфракрасного (ИК) излучения при комнатной температуре.

Способ получения фотоактивной многослойной гетероструктуры на основе микрокристаллического кремния // 2599769

Изобретение относится к технологии устройств нано- и микроэлектроники, нанофотоники. Сущность изобретения заключается в получении многослойной фотоактивной гетероструктуры на основе монолитно-стыкованных последовательно осажденных гидрогенизированных слоев микрокристаллического кремния µc-Si:H(i) и двуокиси кремния µc-SiO2(n), µc-SiO2(p) плазмохимическим осаждением с горячей нитью при температуре процесса, не превышающей 180°C, на подложки из боросиликатного стекла, на которые методом ВЧ-магнетронного осаждения наносится связующий слой толщиной не более 100 нм из прозрачного проводящего оксида, например ZnO, для улучшения адгезии и уменьшения плотности дефектов в микрокристаллической n-i-p гетероструктуре.

Планарный преобразователь ионизирующих излучений и способ его изготовления // 2599274

Изобретение относится к области преобразователей энергии оптических и радиационных излучений в электрическую энергию. Предложена конструкция планарного преобразователя ионизирующих излучений, содержащая слаболегированную полупроводниковую пластину n (p) типа проводимости, в которой расположена сильнолегированная n+ (p+) область, на поверхности которой расположен электропроводящий электрод катода (анода), на верхней поверхности пластины расположена сильнолегированная p+ (n+) область, образующая с полупроводниковой пластиной p-n-переход, на поверхности p+ (n+) области расположен слой изолирующего диэлектрика и электропроводящий электрод анода (катода), являющийся радиоактивным изотопом, при этом на верхней и нижней поверхностях слаболегированной полупроводниковой пластины n- (p-) типа проводимости расположены сильнолегированные соответственно верхняя и нижняя горизонтальные p+ (n+) области, образующие с пластиной p-n-переходы p-i-n-диода, при этом они соединены между собой вертикальной р+ (n+) кольцевой областью, при этом верхняя горизонтальная p+ (n+) область образует со слоем изолирующего диэлектрика и электропроводящим электродом катода (анода) МОП структуру накопительного конденсатора, на верхней поверхности пластины также расположена n+ (p+) контактная область к пластине n- (p-) типа проводимости, на верхней и нижней поверхности горизонтальных p+ (n+) областей расположены соответственно слои верхнего и нижнего диэлектрика, содержащие контактные окна соответственно к n+ (p+) контактной области и нижней горизонтальной p+ (n+) области, на поверхности верхнего и нижнего диэлектриков расположены соответственно верхний и нижний слои радиоактивного изотопа - металла, образующие омические контакты соответственно с n+ (p+) контактной областью и нижней горизонтальной p+ (n+) областью, являющиеся электродами катода (анода) и анода (катода) соответственно p-i-n-диода.

Способ изготовления многопереходного солнечного элемента // 2589464

Изобретение относится к солнечной энергетике и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Способ изготовления многопереходного солнечного элемента согласно изобретению включает последовательное формирование субэлемента из Ge с p-n переходом, первого туннельного диода, субэлемента Ga(In)As с p-n переходом, второго туннельного диода, субэлемента из GaInP с p-n переходом и контактного слоя из GaAs, нанесение тыльного омического контакта р-типа на тыльную сторону субэлемента из Ge и нанесение через первую маску первого омического контакта n-типа на контактный слой GaAs, удаление химическим травлением через вторую маску участков контактного слоя из GaAs, где отсутствует первый омический контакт, и нанесение на эти участки просветляющего покрытия, создание ступенчатой разделительной мезы путем травления через третью маску контактного слоя из GaAs и субэлемента из GaInP на глубину 0,2-0,4 мкм, осаждения через третью маску первого пассивирующего покрытия, вскрытия через четвертую маску первых окон в первом пассивирующем покрытии, осаждения второго омического контакта p-типа на вскрытые первые окна, травления через пятую маску, закрывающую второй омический контакт, субэлемента из GaInP и субэлемента из Ga(In)As до субэлемента из Ge, осаждения через пятую маску второго пассивирующего покрытия, вскрытия через шестую маску вторых окон во втором пассивирующем покрытии, осаждения третьего омического контакта n-типа на вскрытые вторые окна, травления через седьмую маску, закрывающую третий омический контакт, субэлемента из Ge на глубину 2-10 мкм и осаждения через седьмую маску третьего пассивирующего покрытия.

Способ формирования активной n-области солнечных элементов // 2586267

Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ формирования активной n- области солнечных элементов включает процесс образования фосфоросиликатного стекла на поверхности полупроводниковой пластины из газовой фазы, при этом в качестве источника диффузанта используется жидкий источник оксихлорид фосфора (POCl3) при следующем соотношении компонентов: азот N2=280 л/ч, кислород O2=300 л/ч, кислород O2=15 л/ч, азот через питатель N2=14 л/ч.

Способ обработки поверхности пластин для формирования солнечных элементов // 2586266

Изобретение относится к технологии обработки поверхности полупроводниковых пластин, в частности к процессам очистки поверхности пластин между технологическими операциями, для изготовления солнечных элементов.

Способ осаждения тонких пленок на поверхности подложек для изготовления солнечных элементов // 2586265

Изобретение относится к технологии изготовления солнечных элементов. Способ согласно изобретению заключается в том, что на поверхности подложки формируют тонкий слой пленки диоксида кремния за счет горения водорода и сухого кислорода в среде азота при расходе газов: N2=450 л/ч; H2=75 л/ч; O2=750±50 л/ч.

Полупроводниковый детектор с внутренним усилением на основе полуизолирующего арсенида галлия и способ его изготовления // 2586081

Изобретение относится к радиографии, в частности к системам цифрового изображения в рентгеновских и гамма-лучах с помощью многоканальных полупроводниковых детекторов на основе полуизолирующего арсенида галлия.

Солнечный элемент // 2590284

Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при конструировании солнечных элементов, которые используются в энергетике, космических и военных технологиях, горнодобывающей, нефтеперерабатывающей, химической отраслях промышленности и др.

Фотоэлектрическое устройство // 2587530

Изобретение может быть использовано для преобразования солнечной энергии в электроэнергию. Согласно изобретению предложено фотоэлектрическое устройство (1), содержащее солнечный концентратор (2), имеющий кольцеобразную форму, в свою очередь содержащий внешний проводник (3), расположенный вдоль внешней части кольца; внешнюю люминесцентную пластину (22), имеющую трапециевидный профиль и имеющую внешнюю периферийную приемную поверхность, выполненную с возможностью приема светового излучения, падающего и приходящего от проводника (3); внутреннюю люминесцентную пластину (21), расположенную вдоль внутренней части кольца и имеющую трапециевидный профиль; наноструктурный полупроводниковый слой (23), лежащий между двумя пластинами (21, 22) таким образом, что большие основания соответствующих трапециевидных профилей обращены к нему, причем упомянутый полупроводниковый слой (23) выполнен с возможностью приема излучения, переданного внешней и внутренней пластинами (21, 22), и реализации фотоэлектрического эффекта; средство (3, 5) передачи, выполненное с возможностью сбора и концентрации падающего светового излучения на упомянутой периферийной приемной поверхности.

Конструкция фотоэлектрического модуля космического базирования // 2584184

Изобретение относится к области гелиоэнергетики и касается конструкции фотоэлектрического модуля космического базирования. Фотоэлектрический модуль включает в себя нижнее защитное покрытие, на котором с помощью полимерной пленки закреплены кремниевые солнечные элементы с антиотражающим покрытием, и расположенное над лицевой поверхностью солнечных элементов верхнее защитное покрытие, которое скреплено с солнечными элементами промежуточной пленкой из оптически прозрачного полимерного материала.

Способ сборки фоточувствительного модуля на держатель // 2581439

Использование: для создания многоэлементных фотоприемников. Сущность изобретения заключается в том, что способ сборки матричного модуля на держатель содержит стадии нанесения криостойкого клея на тыльную поверхность растра матричного модуля и на держатель, ориентации матричного модуля относительно держателя, прижима матричного модуля к держателю, приклеивают матричный модуль на держатель с помощью приспособления типа «насадка» в виде цилиндрического колпака, плотно надеваемого на растр с помощью выступов на окружности основания и содержащего четыре выреза под метки совмещения, расположенные под углом 90° по отношению соседних меток друг к другу, предназначенных для ориентации матричного модуля относительно держателя с помощью инструментального микроскопа, кроме этого, содержащего дополнительно четыре выреза по углам фоточувствительного элемента, предназначенные для бездефектного надевания «насадки» на растр, а также содержащего в центре верха колпака метку в виде отверстия для ориентации и коническое углубление для прижима с помощью зондовой головки и возможности поворота «насадки» для совмещения меток, расположенных на растре и держателе.

Видеосистема на кристалле (варианты) // 2581423

Изобретение относится к устройствам регистрации видеоизображений. Видеосистема на кристалле содержит цветное фотоприемное устройство с функцией спектрального разделения светового потока в зависимости от глубины проникновения фотоэлектронов в кристалл.

Гетероструктура для полупрозрачного фотокатода // 2569041

Изобретение относится к области электровакуумной техники, в частности к полупроводниковым оптоэлектронным устройствам - фотокатодам, а именно к гетероструктуре для полупрозрачного фотокатода с активным слоем из арсенида галлия, фоточувствительного в видимом и ближнем инфракрасном диапазоне, и может быть использовано при изготовлении фоточувствительного элемента оптоэлектронных устройств: электронно-оптических преобразователей фотоумножителей, используемых в детекторах излучений.

8-алкил-2-(тиофен-2-ил)-8h-тиофен[2,3-b]индол замещенные2-цианоакриловые кислоты, способ их получения и используемые для этого новые промежуточные соединения // 2565072

Изобретение относится к 8-алкил-2-(тиофен-2-ил)-8H-тиофен[2,3-6]индол замещенным 2-цианоакриловым кислотам формулы (I) которые могут быть использованы как перспективные красители для сенсибилизации неорганических полупроводников в составе цветосенсибилизированных солнечных батарей, способу их получения, а так же промежуточным соединениям, которые используют для синтеза данных соединений.

Метод и устройство термофотоэлектрических преобразователей с микронным зазором (мртv) высокой степени с субмикронным зазором // 2563551

Настоящее изобретение относится к технологии термофотоэлектрических преобразователей с микронным зазором (MTPV) для твердотельных преобразований тепла в электричество.

Входной узел полупроводникового прибора // 2561312

Использование: для изготовления модульных (гибридных) оптико-электронных наблюдательных и регистрирующих приборов различных спектров действия, предназначенных для эксплуатации в условиях низкой освещенности.

Теплофотоэлектрический модуль с параболоцилиндрическим концентратором солнечного излучения // 2554674

Изобретение относится к гелиотехнике. Теплофотоэлектрический модуль с параболоцилиндрическим концентратором солнечного излучения состоит из параболоцилиндрического концентратора и линейчатого фотоэлектрического приемника (ФЭП), расположенного в фокальной области с равномерным распределением концентрированного излучения вдоль цилиндрической оси, при этом солнечный фотоэлектрический модуль содержит асимметричный концентратор параболоцилиндрического типа с зеркальной внутренней поверхностью отражения и линейчатый фотоэлектрический приемник, установленный в фокальной области с устройством протока теплоносителя; форма отражающей поверхности концентратора Х(Y) определяется предложенной системой уравнений, соответствующей условию равномерной освещенности поверхности фотоэлектрического приемника, выполненного в виде линейки шириной do из скоммутированных ФЭП и длиной h и расположенного под углом к миделю концентратора.

Каскадная солнечная батарея // 2606756

Изобретение относится к области электротехники, а именно к устройству каскадной солнечной батареи. Каскадная солнечная батарея выполнена с первой полупроводниковой солнечной батареей, причем в первой полупроводниковой солнечной батарее имеется р-n переход из первого материала с первой константой решетки, и со второй полупроводниковой солнечной батареей, причем во второй полупроводниковой солнечной батарее имеется р-n переход из второго материала со второй константой решетки, и причем первая константа решетки меньше, чем вторая константа решетки, и у каскадной солнечной батареи имеется метаморфный буфер, причем метаморфный буфер включает в себя последовательность из первого, нижнего слоя AlInGaAs или AlInGaP, и второго, среднего слоя AlInGaAs или AlInGaP, и третьего, верхнего слоя AlInGaAs или AlInGaP, и метаморфный буфер сформирован между первой полупроводниковой солнечной батареей и второй полупроводниковой солнечной батареей, и константа решетки метаморфного буфера изменяется по толщине (по координате толщины) метаморфного буфера, и причем между по меньшей мере двумя слоями метаморфного буфера константа решетки и содержание индия увеличивается, а содержание алюминия уменьшается. Снижение остаточного напряжения в солнечной батарее, а также повышение коэффициента ее полезного действия является техническим результатом изобретения. 14 з.п. ф-лы, 7 ил.