Пассивация поверхности кремниевых пластин методом магнетронного распыления



Владельцы патента RU 2614080:

Общество с ограниченной ответственностью "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе", ООО "НТЦ ТПТ" (RU)

Изобретение относится к пассивации поверхности пластин кремния. Пассивация поверхности кремниевых пластин включает очистку пластин кристаллического кремния, распыление кремния магнетроном с кремниевой мишенью. Процесс распыления кремниевой мишени выполняют в атмосфере аргона (Ar) с добавлением водорода (Н2), или в атмосфере аргона (Ar) с добавлением кремнийорганических соединений, или в атмосфере аргона (Ar) с добавлением водорода (Н2) и кремнийорганических соединений, с получением пассивирующего слоя аморфного гидрогенизированного кремния повышенного качества, для пассивации поверхности пластины и снижения скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда. В качестве кремнийорганического соединения используют по меньшей мере один химический реагент, выбранный из группы, состоящей из силана (SiH4), Si2H6, Si2H4, SiF4, Si2F6 и других соединений, содержащих кремний. Изобретение позволяет уменьшить дефекты и поверхностную рекомбинацию носителей заряда, повысить время жизни носителей заряда, повысить качество, технологичность и безопасность процесса пассивации. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

 

Область техники, к которой относится изобретение

Изобретение относится к пассивации поверхности пластин кремния (моно- или поликристаллических) (варианты) для увеличения времени жизни носителей заряда, при производстве солнечных модулей с использованием магнетрона с атмосферой аргона с добавлением водорода и кремнийорганических соединений.

Уровень техники

В настоящее время для пассивации поверхности кремниевых пластин при производстве солнечных модулей на основе гетероперехода (HJT технологии) используется метод плазмохимического осаждения из газовой фазы. Данный метод подразумевает осаждение пленки аморфного гидрогенизированного кремния путем разложения силана, разбавленного водородом, в высокочастотной плазме тлеющего разряда. При этом особенности процесса и конструкции реактора исключают возможность использования конвейерной линии и требуют переворота пластин для пассивации каждой стороны. Данные ограничения замедляют процесс производства и вызывают необходимость применения дополнительного оборудования, такого как переворотчик пластин.

Известен способ получения фотоэлектрического элемента с нанесением пассивационного слоя методом PECVD процесса (см. [1] патент США №5935344, МПК H01L 31/04, опубл. 10.08.1999), однако недостатком такого нанесения является низкая производительность и необходимость переворота пластин для нанесения пассивационного покрытия с каждой стороны, а в случае применения реакторов большой площади необходимо применение дополнительных приспособлений, таких как держатели подложек.

Известны способы формирования и получения кремниевых тонкопленочных модулей солнечного элемента (см. [2] патент РФ №2454751, МПК H01L 31/042, опубл. 27.06.2012; [3] патент РФ №2435874, МПК H01L 31/18, опубл. 10.12.2011), включающие использование горелки с высокочастотной индуктивно-связанной плазмой с индукционной катушкой; введение плазменного газа, выбранного из группы, состоящей из гелия, неона, аргона, водорода и их смесей; в упомянутую горелку с высокочастотной индуктивно-связанной плазмой для формирования плазмы внутри упомянутой катушки впрыскивание химического реагента, например, состоящего из SiCl4, SiH4, SiHCl3 и SiF4-соединений, содержащих кремний, в упомянутую горелку; и осаждение тонкопленочного слоя на поверхность кремниевой подложки при помощи горелки. Индуктивно-связанная плазма позволяет получить слои p-i-n- и n-i-p-типа.

Недостатками известных решений по сравнению с заявленным является использование индуктивно-связанной плазмы, что не позволяет получить пассивирующий слой аморфного гидрогенизированного кремния. При этом используют атмосферное давление, что может затруднить получение пассивирующих слоев. При использовании горелки подразумевается наличие факела (его температура будет выше 200°С), что приведет к созданию дефектов на поверхности пластины.

Сущность изобретения

Технической задачей является получение пассивирующего слоя в виде аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si:H).

Техническим результатом является уменьшение дефектов и поверхностной рекомбинации носителя заряда, повышение времени жизни носителей заряда, повышение качества, технологичности и безопасности процесса пассивации.

Для решения поставленной задачи и достижения заявленного результата предлагается пассивация поверхности кремниевых пластин, включающая очистку пластин кристаллического кремния, распыление кремния магнетроном с кремниевой мишенью, при этом процесс распыления кремниевой мишени выполняют в атмосфере аргона (Ar) с добавлением водорода (Н2), или в атмосфере аргона (Ar) с добавлением кремнийорганических соединений, или в атмосфере аргона (Ar) с добавлением водорода (Н2) и кремнийорганических соединений, с получением пассивирующего слоя аморфного гидрогенизированного кремния повышенного качества, для пассивации поверхности пластины и сниженной скоростью поверхностной рекомбинации носителей заряда. В качестве кремнийорганического соединения используют, по меньшей мере, один химический реагент, выбранный из группы, состоящей из силан (SiH4), Si2H6, Si2H4, SiF4, Si2F6 и других соединений, содержащих кремний.

Материал, получаемый методом магнетронного распыления кремниевой мишени, при введении водорода или кремнийорганических соединений - гидрогенизированный аморфный кремний (a-Si:H), причем являющийся пассивирующим слоем.

Краткое описание чертежей

Фиг. 1 - Структура с использованием метода магнетронного распыления для пассивации поверхности кристаллического кремния аморфным гидрогенизированным кремнием.

Позиции, указанные на фиг.1:

1 - пластина кристаллического кремния;

2 - пассивационный слой, выполненный методом магнетронного распыления кремниевой мишени в атмосфере аргона с добавлением водорода и(или) силана или других кремнийорганических соединений;

3 - p-слой;

4 - n-слой;

5 - токосъемные слои.

Осуществление изобретения

Обычным способом пассивации пластин кремния в процессе производства солнечных модулей являет PECVD способ. В процессе PECVD растут слои, сильно насыщенные водородом, что позволяет уменьшить количество дефектов в полученных слоях. Уменьшение количества дефектов происходит за счет пассивации оборванных связей кремния (которые и образуют дефекты) атомами водорода. Уменьшение дефектов снижает поверхностную рекомбинацию носителей заряда, что дает возможность применять материал для пассивации пластин кремния. При пассивации на оборванные поверхностные связи кремния (в кремниевой пластине) присоединяются атомы водорода. В результате происходит уменьшение поверхностной рекомбинации носителей заряда. Для стабилизации эффекта сверху на пассивированные связи осаждается слой аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si:H). При использовании магнетрона с инертной атмосферой (атмосферой аргона) не происходит пассивация связей, так как в атмосфере не содержится водород. Также получаемый слой аморфного кремния (a-Si) является весьма дефектным и не насыщенным водородом, что также не дает эффекта пассивации. Однако добавление в состав атмосферы водорода и(или) кремнийорганического соединения, например силана, как в заявленном решении, позволяет решить эту проблему, т.е. начинает происходить пассивация связей.

По первому варианту, при введении только водорода происходит реакция водорода и кремния в магнетронной плазме, а также разложение и ионизация молекул и атомов водорода. Образовавшиеся радикалы и ионы пассивируют поверхность кремниевых пластин, а образуемые слои аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si:H) обладают достаточным качеством для получения необходимого эффекта пассивации поверхности. Данная модификация технологии позволяет применять способ магнетронного распыления кремниевой мишени для получения пассивации поверхности кремниевой пластины при производстве гетероструктурных солнечных элементов. Применение технологии магнетронного распыления позволяет повысить скорость производства данных солнечных модулей за счет применения конвейерной линии и(или) двухсторонних магнетронов. Последнее исключает необходимость применения дополнительной процедуры и дополнительного оборудования (переворотчик пластин) в процессе производства солнечных модулей на основе гетероперехода.

По второму варианту, в случае введения кремнийорганических соединения, таких как силан, происходят его разложение и образование водорода и радикалов кремния с водородом. В данном варианте при использовании водородсодержащих кремниевых соединений в составе атмосферы магнетрона, водород может не применяться (причинно-следственная связь между признаками по второму варианту и техническим результатом аналогична первому варианту).

По третьему варианту, при введении водорода и кремнийорганических соединений, происходит разложение кремнийорганических соединений с образованием ионов водорода и кремнийорганических соединений, а также радикалов кремнийорганических соединений. В результате этого, а также наличия в составе атмосферы водорода, пленки аморфного кремния, получаемые в результате процесса, насыщены водородом (причинно-следственная связь между признаками по третьему варианту и техническим результатом аналогична первому варианту).

Сначала выполняют подготовительные процессы, включающие очистку пластин кристаллического кремния, шлюзование и загрузку пластин в магнетрон.

Пассивация производится с помощью магнетрона с кремниевой мишенью (магнетронное нанесение слоев, в том числе пассивирующего), причем процесс распыления кремниевой мишени производится в атмосфере аргона (Ar) и водорода (Н2). Также возможно добавление в состав атмосферы силана (SiH4) или других кремнийорганических соединений, например Si2H6, Si2H4, SiF4, Si2F6 и пр. В случае применения водородсодержащих кремниевых соединений, в составе атмосферы, водород может не применяться. Данное техническое решение позволяет получить пассивирующий слой гидрогенизированного аморфного кремния (a-Si:H).

Данный процесс позволяет эффективно применять процесс магнетронного распыления для пассивации поверхности кремниевых пластин. Пассивация кремниевых пластин необходима в процессе производства солнечных модулей на основе монокристаллического или поликристаллического кремния, для повышения времени жизни носителей заряда.

Применение магнетрона на данном этапе производства солнечных модулей позволяет применить конвейер. Также данная технология позволяет применение двухсторонних магнетронов, что позволяет исключить необходимость переворачивания пластин кремния, что необходимо в случае использования PECVD процесса. Данные возможности позволяют повысить производительность процесса и сделать его более технологичным и безопасным.

Процесс пассивации состоит из следующих операций:

1. Подготовка пластины, включая очистку;

2. Шлюзование пластины перед пассивацией и загрузка в магнетрон;

3. Магнетронное нанесение слоев гидрогенизированного аморфного кремния;

4. Шлюзование и выгрузка из магнетрона.

В случае применения одностороннего магнетрона производится переворачивание пластины и повторение пунктов 2-4.

Этапы подготовки пластин для пассивации и последующей их обработки могут варьироваться.

Пример

1. Удаление органических загрязнений с поверхности пластин путем отмывки пластин (моно) или поликристаллического кремния. Отмывка пластин может осуществляется в слабом растворе плавиковой (HF) и азотной (HNO3) кислот при температуре 70°С в течение 1-5 минут. После чего производится отмывка в деионизированной воде.

2. Удаление нарушенного слоя (слоя, возникающего в процессе резки пластин из слитка). Удаление нарушенного слоя может производиться путем выдержки в растворе едкого калия (KOH) при температуре 70°С. После чего производится очистка пластин путем отмычки в деионизированной воде.

3. Текстурирование пластин. Путем анизотропного травления на поверхности пластины формируется текстура, позволяющая изменить оптический дизайн фотопреобразователя с целью повысить конечные характеристики, такие как ток. В качестве травителя используется 15-30% раствор едкого калия (KOH) с добавлением текстурирующей добавки. В качестве добавки могут использоваться изопропиловый спирт (СН3СН(ОН)СН3), текстурирующая добавка промышленного производства или любая другая текстурирующая добавка, предназначенная для улучшения качества текстуры. После чего производится отмывка в деионизированной воде.

4. Выдержка в 5% растворе плавиковой кислоты в течение 60 секунд, для насыщения поверхности водородом и удаления остаточных загрязнений и ополаскивание в деионизированной воде. Данный этап необходим для повышения качества пассивации поверхности кремниевых пластин. При этом промежуток между данным этапом и нанесением пассивирующего слоя не должен превышать 1 часа, так как в случае значительного превышения этого времени качество пассивации поверхности снижается.

5. Сушка пластины (удаление жидкости с поверхности).

6. Нанесение пассивирующих слоев методом магнетронного распыления.

7. Формирование структуры (нанесение n- и p-слоев).

8. Нанесение токосъемных слоев.

В случае, если в атмосфере магнетрона нет содержания силана, водорода или другого кремнийорганического соединения, содержащего водород, с помощью магнетрона невозможно выполнить пассивацию.

При применении предложенного технического решения (введения в атмосферу аргона силана, водорода или другого кремнийорганического соединения) с помощью магнетрона можно получить слои аморфного кремния, необходимого для пассивации качества. Применение магнетрона позволяет применить конвейер и, в случае применения двухстороннего магнетрона, исключить необходимость переворота пластин. Уменьшение габаритов также является следствием применения магнетронов вместо PECVD реакторов (при применении PECVD реактора невозможно применение конвейера и в процессе необходимо переворачивать пластины (т.к. PECVD реакторы устроены таким образом, что пластины подложек должны быть расположены на одном из электродов)).

1. Пассивация поверхности кремниевых пластин, включающая очистку пластин кристаллического кремния, распыление кремния магнетроном с кремниевой мишенью, отличающаяся тем, что процесс распыления кремниевой мишени выполняют в атмосфере аргона (Ar) с добавлением водорода (H2), или в атмосфере аргона (Ar) с добавлением кремнийорганических соединений, или в атмосфере аргона (Ar) с добавлением водорода (H2) и кремнийорганических соединений, с получением пассивирующего слоя аморфного гидрогенизированного кремния повышенного качества, для пассивации поверхности пластины и снижения скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда.

2. Пассивация по п. 1, отличающаяся тем, что в качестве кремнийорганического соединения используют по меньшей мере один химический реагент, выбранный из группы, состоящей из силан (SiH4), Si2H6, Si2H4, SiF4, Si2F6 и других соединений, содержащих кремний.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области силовой микроэлектронной техники, а более конкретно к способам изготовления полупроводниковых p-i-n структур из соединений А3В5 методами жидкостной эпитаксии.

Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к установкам для выращивания наногетероэпитаксиальных структур методом жидкофазной эпитаксии, и может быть использовано при производстве материалов для полупроводниковых приборов.
Изобретение относится к способу получения тонких аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти и может быть использовано в качестве рабочего слоя в устройстве энергонезависимой фазовой памяти для электронной техники.

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых структур и может быть использовано при изготовлении кремниевых одно- или многослойных структур, используемых в технологии силовых приборов современной микроэлектроники.

Изобретение относится к технологии получения монокристаллического SiC - широкозонного полупроводникового материала, используемого для создания на его основе интегральных микросхем.

Изобретение относится к сублимационному выращиванию эпитаксиальных массивов самоорганизованных монокристаллических наноостровков кремния на сапфировых подложках и может быть использовано в качестве нанотехнологического процесса, характеризующегося повышенной стабильностью формирования однородных по размерам наноостровков кремния с пониженной степью дефектности их структуры.

Изобретение относится к области технологий осаждения полупроводниковых наночастиц халькогенидов свинца на прозрачные диэлектрические поверхности и может быть использовано при получении новых устройств на основе наносистем для микро- и оптоэлектроники, солнечных батарей, светодиодных ламп и других областей полупроводниковой техники.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с низкой плотностью дефектов.

Изобретение относится к технологии эпитаксии кремний-германиевой гетероструктуры, основанной на сочетании сублимации кремния с поверхности источника кремния, разогретого электрическим током, и осаждения германия из германа в одной вакуумной камере, и может быть использовано для производства полупроводниковых структур.

Изобретение относится к способу выращивания пленки нитрида галлия путем автосегрегации на поверхности подложки-полупроводника из арсенида галлия и может быть использовано при изготовлении светоизлучающих диодов, лазерных светодиодов, а также сверхвысокочастотных транзисторных приборов высокой мощности.

Изобретение относится к способу получения эпитаксиальной пленки дисилицида европия на кремниевой подложке и может быть использовано для создания контактов истока/стока в технологии производства полевых МОП транзисторов с барьером Шоттки (SB-MOSFET), а также для создания устройств спинтроники в качестве контакта-инжектора/детектора спин-поляризованных носителей. Способ заключается в осаждении атомарного потока европия с давлением PEu=(0,5÷5)×10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Si(001), нагретую до Ts=400±20°C, до формирования пленки дисилицида европия требуемой толщины. При достижении толщины пленки 100 Å и более, дальнейшее осаждение производится при Ts=560±20°C до формирования пленки дисилицида европия требуемой толщины. Техническим результатом изобретения является формирование эпитаксиальных пленок EuSi2 методом молекулярно-пучковой эпитаксии, что позволяет достичь необходимого в микроэлектронике качества контактов. 4 ил., 3 пр.

Изобретение относится к области формирования эпитаксиальных слоев кремния на изоляторе. Способ предназначен для изготовления эпитаксиальных слоев монокристаллического кремния n- и p-типа проводимости на диэлектрических подложках из материала с параметрами кристаллической решетки, близкими к параметрам кремния с помощью химической газофазной эпитаксии. В качестве материала подложки могут использоваться, в частности, лейкосапфир (корунд), шпинель, алмаз, кварц. Способ заключается в расположении подложки в реакторе, нагреве рабочей поверхности подложки до 900-1000°C, подаче потока реакционного газа, содержащего инертный газ-носитель и моносилан, наращивании кремния до образования начального сплошного слоя на рабочей поверхности подложки, добавлении к потоку реакционного газа потока галогенсодержащего реагента и формировании эпитаксиального слоя кремния требуемой толщины. Начальный сплошной слой кремния наращивают со скоростью от 3000 /мин до 6000 /мин. После формирования данного слоя на рабочей поверхности подложки расход потока реакционного газа уменьшают, снижая скорость роста на 500-2000 /мин. К потоку реакционного газа добавляют поток насыщенного пара галогенида кремния или газообразного галогенсилана, значение расхода которого задают таким образом, чтобы скорость роста кремниевого слоя вернулась к значениям 3000-6000 /мин. Технический результат изобретения - получение слоя кремния высокого качества и снижение себестоимости процесса изготовления. 3 ил., 1 пр.

Изобретение относится к способам получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов, а именно новой фазы дисилицида стронция, обладающего в контакте с кремнием низкой высотой барьера Шоттки, и может быть использовано для создания контактов истока/стока в технологии производства полевых транзисторов с барьером Шоттки. Способ выращивания эпитаксиальных пленок дисилицида стронция на кремниевой подложке методом молекулярно-лучевой эпитаксии заключается в осаждении атомарного потока стронция с давлением PSr=(0,5÷3)×10-8 Торр на предварительно очищенную и нагретую до Ts=500±20°С поверхность подложки кремния до формирования пленки дисилицида стронция требуемой толщины. Техническим результатом заявленного изобретения является создание технологии формирования эпитаксиальных пленок SrSi2 методом молекулярно-лучевой эпитаксии, ориентация которых определяется подложкой, что позволит выращивать пленки с различными заданными свойствами. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Группа изобретений относится к технологии вакуумной эпитаксии германия или германия и кремния, включающей применение вакуумного осаждения германия из газовой среды германа в качестве способа удаления естественно образовавшегося или сформированного защитного слоя диоксида кремния с рабочей поверхности химически очищенной кремниевой подложки на этапе - ее подготовительной вакуумной очистке перед вакуумным осаждением германия или германия и кремния на указанную подложку для получения соответствующей эпитаксиальной пленки. Технический результат изобретения - повышение эффективности подготовительной вакуумной очистки рабочей поверхности кремниевой подложки за счет обеспечения высокой степени удаления диоксида кремния при одновременном повышении технологичности сочетаемости указанного удаления с последующей вакуумной эпитаксией, а также расширение актуального технологического арсенала вакуумной эпитаксии, удовлетворяющего растущим требованиям высококачественного полупроводникового производства. Для достижения указанного технического результата предлагается применение вакуумного осаждения германия из газовой среды германа путем пиролиза последнего в присутствии источника тепла для указанного пиролиза в виде резистивного нагревательного элемента, изготовленного из тугоплавкого металла и расположенного над нагретой химически очищенной кремниевой подложкой, в качестве способа удаления диоксида кремния с рабочей поверхности указанной подложки в условиях ее нагрева до температуры, превышающей технологическую температуру этой подложки, поддерживаемую при последующей вакуумной эпитаксии полупроводникового материала на основе германия, на величину, подбираемую в зависимости от степени наличия диоксида кремния на рабочей поверхности химически очищенной кремниевой подложки. Техническим результатом способа изготовления монокристаллической пленки германия на кремниевой подложке является повышение качества получаемой монокристаллической пленки германия за счет высокотехнологичной подготовительной вакуумной очистки рабочей поверхности кремниевой подложки перед началом формирования указанной пленки. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам изготовления антимонида галлия с большим удельным электрическим сопротивлением, применяемым в производстве полупроводниковых приборов. В способе изготовления антимонида галлия с большим удельным электрическим сопротивлением, включающем выращивание антимонида галлия методом эпитаксии на подложке из антимонида галлия, при этом процесс выращивания антимонида галлия осуществляют методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений при температуре в диапазоне от 550 до 620°С при обеспечении превышения содержания атомов сурьмы по отношению к содержанию атомов галлия в газовой фазе в 20-50 раз. Техническим результатом изобретения является создание способа промышленного изготовления GaSb с большим удельным электрическим сопротивлением.

Использование: для создания массива упорядоченных ферромагнитных нанопроволок на ступенчатой поверхности Cu2Si с буферным слоем меди. Сущность изобретения заключается в том, что способ формирования массива ферромагнитных нанопроволок включает формирование упорядоченной ступенчатой структуры силицида меди Cu2Si в условиях сверхвысокого вакуума на предварительно подготовленной поверхности вицинального кремния Si(111), на поверхность подложки Cu2Si/Si(111) наносят буферный слой меди толщиной 2 нм с последующим формированием на его поверхности эпитаксиальных массивов ферромагнитных нанопроволок с заданными геометрическими параметрами осаждением ферромагнитных металлов под малыми углами наклона в интервале (10°÷30°) к плоскости ступенчатой подложки с медным буферным слоем. Технический результат: обеспечение возможности эффективного формирования массива упорядоченных ферромагнитных нанопроволок. 5 з.п. ф-лы, 5 ил., 4 пр.

Использование: для создания массива упорядоченных ферромагнитных нанопроволок на ступенчатой поверхности Cu2Si с буферным слоем меди. Сущность изобретения заключается в том, что в условиях сверхвысокого вакуума на предварительно сформированной ступенчатой поверхности силицида меди формируют ровные монокристаллические нанопроволоки заданной ширины осаждением металла под малыми углами наклона в интервале 10°÷30° к плоскости подложки при толщине покрытия металла, равной 20 нм. Технический результат: обеспечение возможности создания массива упорядоченных металлических нанопроволок с заданной геометрией и блочной монокристаллической структурой. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относиться к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления приборов с гетероструктурой с пониженной дефектностью. В способе изготовления полупроводникового прибора гетеропереход база-коллектор формируют выращиванием n-слоя Si толщиной 400 нм при температуре 1000°С со скоростью роста 2,5 нм/с, с концентрацией мышьяка As (3-5)*1016 см-3, с последующим выращиванием p-слоя SiGe толщиной 50 нм со скоростью роста 0,5 нм/с при температуре 625°С, с концентрацией бора В (2-4)*1016 см-3, давлении 3*10-7 Па. Изобретение обеспечивает снижение плотности дефектов, улучшение параметров и надежности, повышение процента выхода годных приборов. 1 табл.
Изобретение относится к способу получения тонких пленок, в частности к получению аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти, и может быть использовано в качестве рабочего слоя в приборах записи информации. Осуществляют нанесение слоя халькогенидного материала системы тройных теллуридов германия и сурьмы Ge-Sb-Те методом вакуумно-термического испарения взрывного типа. В качестве халькогенидного материала используют смесь стехиометрических составов GeSb2Te4 и Ge2Sb2Te5 при соотношении 1:1, механически активированную перед нанесением слоя указанного халькогенидного материала. Перед нанесением слоя указанного халькогенидного материала в предварительно откаченную до давления 3,5⋅10-6 Па вакуумную камеру помещают обезжиренную, подвергнутую термическому окислению со сформированным подслоем оксида кремния кремниевую подложку, затем на поверхность подслоя оксида кремния методом вакуумно-термического испарения наносят нижний алюминиевый слой. Нанесение слоя указанного халькогенидного материала методом вакуумно-термического испарения взрывного типа проводят при давлении в рабочем объеме 10-6 Па, температуре подложки 30°С, температуре испарителя 600°С и скорости испарения шихты 1-2 нм/с. Обеспечивается разработка экономичного способа получения аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Ge-Sb-Te, обладающих повышенной стабильностью характеристик, информационным быстродействием и невысокой потребляемой мощностью. 1 пр.

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам получения методом жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур. При реализации способа используют герметичную ростовую камеру с раствором-расплавом, в которой закрепляют попарно группу подложек. При этом применяют стационарную камеру роста с переменной шириной ростового канала по высоте с определенным углом отклонения от вертикали ϕ. Технический результат, достигаемый при реализации разработанного способа, состоит в обеспечении компенсации нежелательного массопереноса основного кристаллообразующего компонента - мышьяка в вертикальном направлении, что приводит к повышению однородности толщины эпитаксиальных слоев по площади структуры и, соответственно, основных технических или электрофизических характеристик получаемых эпитаксиальных структур. 1 з.п. ф-лы, 2 ил., 2 пр., 2 табл.
© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности 2015-12-16 2017-03-28T23:16:37
Наверх