Сверхширокополосный генератор электромагнитных импульсов

Изобретение относится к технике генерации мощных сверхширокополосных (СШП) электромагнитных импульсов (ЭМИ) субнаносекундного диапазона длительностей и может быть использовано при разработке соответствующих генераторов для средств связи, радиолокации, навигации и радиоэлектронной борьбы. В генераторе в цепи питания между источником высоковольтного напряжения и высоковольтным фотодиодом установлен управляемый ключ, состоящий из импульсно-периодического источника света, фотокатода ключа и анода ключа, причем расстояние между фотокатодом ключа и анодом ключа исключает возможность электрического пробоя управляемого ключа при максимальном напряжении, приложенном к высоковольтному фотодиоду. Технический результат - повышение надежности работы за счет обеспечения работы СШП генератора ЭМИ с высокой частотой следования импульсов без катастрофического разрушения сетчатого анода при пробое высоковольтного фотодиода. 2 ил.

 

Изобретение относится к технике генерации мощных сверхширокополосных (СШП) электромагнитных импульсов (ЭМИ) субнаносекундного диапазона длительностей и может быть использовано при разработке соответствующих генераторов для средств связи, радиолокации и навигации.

Под сверхширокополосным электромагнитным излучением понимается излучение, спектральный состав которого определяется выражением где - центральная частота спектра излучения, - ширина спектра излучения.

Общая концепция построения СШП генератора основана на принципе формирования сверхкороткого (субнаносекундного) электрического импульса (СКИ) и его излучении в пространство с помощью широкополосной антенной системы. Обобщенная схема построения СШП генератора представлена на фиг. 1, где: Г - генератор, Л1, Л2, Л3 - линии передачи энергии, Р1, Р2 - ключи, А - антенная система.

Генератор Г заряжает высоковольтную линию передачи энергии Л1 до напряжения U. При замыкании ключа Р1 формирующая линия Л2 импульсно заряжается до напряжения U, после чего ключ Р1 размыкается. При замыкании ключа Р2 линия Л2 разряжается на антенну А через линию передачи Л3. Характерная длительность импульса излучения пропорциональна электрической длине линии Л2. Мощность излученного импульса пропорциональна напряжению в линии Л2 и волновому сопротивлению линий Л2 и Л3. Частота повторения импульсов зависит от мощности генератора Г и задается частотой срабатывания ключей.

По такой схеме построен, например, генератор СШП, описанный в [1] («Импульсная энергетика и электроника» / Месяц Г.А. - Наука, 2004, стр. 679). Генератор заряжал формирующую линию с волновым сопротивлением 50 Ом и емкостью 9 пФ до напряжения 420 кВ. В качестве ключа Р1 использовался полупроводниковый прерыватель, в качестве ключа Р2 - водородный разрядник с давлением до 100 атмосфер. В описанном генераторе были получены импульсы с амплитудой 200 кВ длительностью 0,4 нс и частотой следования импульсов 3,5 кГц.

Проблемой этого генератора СШП является недостаточно высокая частота следования его импульсов и низкая пиковая мощность излучения. Частота следования импульсов ограничивалась частотой работы водородного разрядника, которая связана временем восстановления его электрической прочности, а амплитуда импульса ограничивалась величиной электропрочности полупроводникового размыкателя. Кардинально повысить приведенные характеристики в данной схеме не представляется возможным. Другие типы известных газовых (или вакуумных) управляемых ключей обладают еще более низкими частотами работы.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому решению является сверхширокополосный генератор электромагнитных импульсов [2] (Патент на «Генератор электромагнитных импульсов» RU (11) 2175154 (13) С2, с приоритетом от 15 ноября 1999 года, авторы: Бессараб А.В., Дубинов А.Е., Лазарев Ю.Н. и др.), включающий в себя подключенный к источнику высоковольтного напряжения высоковольтный фотодиод, состоящий из фотокатода в виде параболоида вращения и подобного по форме фотокатоду сетчатого анода, эквидистантно отстоящего от поверхности фотокатода, причем в фотокатоде выполнено отверстие для ввода лазерного излучения от импульсно-периодического лазера в полость, образованную параболоидом анода, а в фокусе параболоида фотокатода размещено параболическое зеркало, обеспечивающее отражение лазерного излучения в направлении фотокатода.

Принцип действия прототипа генератора ЭМИ основан на следующей последовательности процессов:

генерация мощного импульса или последовательности импульсов света субнаносекундного диапазона длительности с помощью лазера;

преобразование лазерного луча в сферически расходящуюся волну света при отражении лазерного луча от параболического зеркала;

освещение фотокатода высоковольтного фотодиода этой волной с целью инициирования поверхностной волны фотоэмиссии электронов, бегущей по фотокатоду в направлении от его оси со скоростью ν>с;

ускорение электронов в промежутке «фотокатод-анод» высоковольтного фотодиода и их последующая инжекция сквозь сетчатый анод внутрь эквипотенциальной полости, охватываемой (образованной) анодом.

Реализация этой последовательности процессов приводит к тому, что внутри полости возбуждается бегущая вдоль анодной сетки также со сверхсветовой скоростью волна инжекции электронов в полупространство, которая является источником ЭМИ. Если пространственный заряд инжектированного в эту полость электронного пучка достаточно велик, то в пучке формируется бегущий со скоростью ν>с вдоль анода виртуальный катод, чем также вызывается генерация ЭМИ, причем узкая направленность излучения в обоих случаях обеспечивается как черенковским характером механизма с генерации излучения, так и оптическим свойством параболоида вращения, заключающимся в том, что волна, испущенная сферически симметричным источником из его фокуса, отразившись от поверхности параболоида с преобразованием типа волны или без него, имеет плоский фронт.

Главным недостатком прототипа является невозможность его работы с высокой частотой следования импульсов. Это связано с тем, что фотокатод и сетчатый анод высоковольтного фотодиода напрямую подключены к источнику высоковольтного напряжения. Перед первым импульсом импульсно-периодического лазера между фотокатодом и сетчатым анодом формируется высокая разность потенциалов с таким уровнем напряжения, при котором еще сохраняется электрическая прочность зазора «фотокатод-анод». После импульса лазера в высоковольтном фотодиоде формируется поток фотоэлектронов, которые ускоряются в диоде, пролетают сквозь сетчатый анод, тормозятся в эквипотенциальной полости и возвращаются в высоковольтный диод. Наличие электронов в высоковольтном диоде резко снижает величину электрической прочности зазора «фотокатод-анод», на этом принципе даже строятся высоковольтные разрядники с управлением электронным пучком [1, стр. 214]. Если фотокатод и сетчатый анод напрямую подключены к источнику высоковольтного напряжения, то резко увеличивается вероятность возникновения электрического пробоя высоковольтного диода, при котором вся энергия источника напряжения трансформируется в ток короткого замыкания, вызывая сильный разогрев и разрушение сетчатого анода.

Техническая задача заключается в предотвращении электрического пробоя высоковольтного фотодиода с формированием тока короткого замыкания.

Технический результат состоит в обеспечении работы СШП генератора ЭМИ с высокой частотой следования импульсов без катастрофического разрушения сетчатого анода при пробое высоковольтного фотодиода.

Технический результат достигается тем, что в отличие от известного сверхширокополосного генератора электромагнитных импульсов, включающего в себя подключенный к источнику высоковольтного напряжения высоковольтный фотодиод, состоящий из фотокатода в виде параболоида вращения и подобного по форме фотокатоду сетчатого анода, эквидистантно отстоящего от поверхности фотокатода, причем в фотокатоде выполнено отверстие для ввода лазерного излучения от импульсно-периодического лазера в полость, образованную параболоидом анода, а в фокусе параболоида фотокатода размещено параболическое зеркало, обеспечивающее отражение лазерного излучения в направлении фотокатода, согласно изобретению в предложенном генераторе в цепи питания между источником высоковольтного напряжения и высоковольтным фотодиодом установлен управляемый ключ, состоящий из импульсно-периодического источника света, фотокатода ключа и анода ключа, причем расстояние между фотокатодом ключа и анодом ключа исключает возможность электрического пробоя управляемого ключа при максимальном напряжении, приложенном к высоковольтному фотодиоду.

То есть технически задача решается, если в цепь питания между источником высоковольтного напряжения и высоковольтным фотодиодом установить управляемый ключ, который был бы замкнут в процессе формирования напряжения в высоковольтном фотодиоде и разомкнут перед облучением лазерным излучением поверхности высоковольтного фотокатода до тех пор, пока не восстановится электрическая прочность высоковольтного фотодиода. Это позволит избежать возникновения электрического пробоя в высоковольтном фотодиоде. В этом случае может быть обеспечен импульсно-периодический режим работы с частотой работы управляемого ключа, который является аналогом коммутатора Р1 на фиг. 1.

Для достижения технического результата - повышения частоты следования импульсов при высоких уровнях напряжения источника питания, предлагается схема сверхширокополосного генератора электромагнитных импульсов (фиг. 2), включающая в себя, как и в прототипе [2]:

высоковольтный фотодиод, состоящий из высоковольтного фотокатода (1) в виде параболоида вращения и подобного по форме фотокатоду сетчатого анода (2), эквидистантно отстоящего от поверхности фотокатода,

источник высоковольтного напряжения (3), подключенный к высоковольтному фотодиоду,

импульсно-периодический лазер (4), обеспечивающий формирование лазерного излучения,

полость, образованную параболоидом фотокатода с отверстием (5) для ввода лазерного излучения,

параболическое зеркало (6), размещенное в фокусе параболоида фотокатода и обеспечивающее отражение лазерного излучения в направлении фотокатода.

Отличие заключается в том, что в цепи питания между источником высоковольтного напряжения и высоковольтным фотодиодом установлен управляемый ключ (7), состоящий из импульсно-периодического источника света (8), фотокатода ключа (9) и анода ключа (10), причем электрическая прочность управляемого ключа исключает возможность его межэлектродного электрического пробоя при максимальном напряжении, приложенном к высоковольтному фотодиоду.

Управляемый ключ представляет собой высоковольтную вакуумную двухэлектродную систему, один из электродов которой является фотокатодом ключа. Конструктивно зазор между электродами ключа выбирается таким, чтобы заведомо обеспечить его электрическую прочность во всем диапазоне прикладываемых к нему напряжений от источника высоковольтного напряжения вне зависимости от наличия или отсутствия в нем тока фотоэлектронов. Для формирования тока фотоэлектронов может быть использован импульсно периодический источник света, например импульсно-периодический лазер.

На фиг. 1 представлена обобщенная схема построения СШП генератора.

На фиг. 2 представлена схема сверхширокополосного генератора электромагнитных импульсов, где на фиг. 2а изображен вариант схемы с питанием от источника высоковольтного напряжения с положительной полярностью, на фиг. 2б - с питанием от источника высоковольтного напряжения с отрицательной полярностью.

Реализация предлагаемого СШП генератора электромагнитных импульсов осуществлена на основе схемы, приведенной на фиг. 2, где 1 - фотокатод высоковольтного фотодиода (высоковольтный фотокатод), 2 - сетчатый анод высоковольтного фотодиода (сетчатый анод), 3 - источник высоковольтного напряжения, 4 - импульсно-периодический лазер, 5 - отверстие для ввода лазерного излучения, 6 - параболическое зеркало, 7 - управляемый ключ, 8 - импульсно-периодический источник света, 9 - фотокатод ключа, 10 - анод ключа. Схема имеет два варианта. На фиг. 2а приведен вариант схемы с питанием от источника высоковольтного напряжения с положительной полярностью, на фиг. 2б - с питанием от источника высоковольтного напряжения с отрицательной полярностью.

Предлагаемый СШП генератор ЭМИ для обоих вариантов действует следующим образом.

В начальный момент времени управляемый ключ 7 разомкнут и источник высоковольтного напряжения 3 сформировал напряжение U, следовательно, между электродами ключа разность потенциалов также равна величине U, а между высоковольтным фотокатодом 1 и сетчатым анодом 2 разность потенциалов отсутствует. При замыкании управляемого ключа 7 между высоковольтным фотокатодом 1 и сетчатым анодом 2 формируется разность потенциалов, которая в пределе не превышает величину U. При достижении требуемого напряжения в высоковольтном фотодиоде управляемый ключ 7 размыкается и запускается импульсно-периодический лазер 4, излучение от которого проходит через отверстие 5, падает на параболическое зеркало 6 и отражается от него, формируя сферическую волну света.

Далее процесс формирования СШП ЭМИ проходит точно так же, как и в прототипе [2]. Сферическая волна света освещает фотокатод, инициируя поверхностную волну фотоэмиссии электронов, бегущую по фотокатоду в направлении от его оси со скоростью ν>с. Фотоэлектроны ускоряются в зазоре «фотокатод-анод» и инжектируются сквозь сетчатый анод внутрь эквипотенциальной полости, охватываемой анодом. Тогда внутри полости возбуждается волна инжекции электронов в полупространство, бегущая вдоль анодной сетки также со сверхсветовой скоростью, которая является источником ЭМИ. Если пространственный заряд инжектированного в эту полость электронного пучка достаточно велик, то в пучке формируется бегущий со скоростью ν>с вдоль анода виртуальный катод, чем также вызывается генерация ЭМИ. Узкая направленность при излучении в обоих случаях обеспечивается как черенковским характером механизма генерации излучения, так и оптическим свойством параболоида вращения, заключающимся в том, что волна, испущенная сферически симметричным источником из его фокуса, отразившись от поверхности параболоида с преобразованием типа волны или без него, имеет плоский фронт.

Так как управляемый ключ в этот момент времени разомкнут, то после завершения процесса формирования СШП ЭМИ электрическая энергия от источника питания не поступает в высоковольтный фотодиод, что способствует быстрому восстановлению электрической прочности зазора «фотокатод-анод». После восстановления электропрочности цикл, начиная с момента замыкания ключа, повторяется.

Процесс управления ключа, то есть замыкания и размыкания, выполняется следующим образом.

При приложенном напряжении от источника высоковольтного напряжения между электродами ключа имеется разность потенциалов, причем, как в варианте на чертеже 2а, так и в варианте на чертеже 2б разность между потенциалами анода ключа 10 и фотокатода ключа 9 всегда положительная. При включении источника света 8, направленного на фотокатод ключа, с его поверхности эмитируются фотоэлектроны, которые ускоряются электрическим полем и пролетают анод-катодный зазор, формируя фотоэмиссионный электрический ток Iфэ. Ток будет течь до тех пор, пока потенциалы анода ключа 10 и фотокатода ключа 9 не будут выровнены либо пока не будет выключен импульсно-периодический источник света. Таким образом, если не добиваться полного выравнивания потенциалов анода ключа и фотокатода ключа, то замыкание и размыкание управляемого ключа эквивалентно включению и выключению источника света. Во избежание пробоя управляемого ключа его конструкция должна обладать высокой электрической прочностью, которую проще всего обеспечить величиной зазора между анодом ключа и фотокатодом ключа. Величина коммутируемого управляемым ключом тока Iфэ определяется площадью фотокатода ключа, эффективностью фотоэмиссии из материала фотокатода, а также интенсивностью источника света.

Для оценки возможной реализации импульсно-периодического режима с высокой частотой следования рассмотрим схему работы СШП генератора ЭМИ со следующими параметрами. Напряжение источника высоковольтного напряжения U=+500 кВ. Площадь фотокатода ключа 100 см2, зазор между анодом ключа и фотокатодом ключа 50 см. При эффективности фотоэмиссии на уровне 10 А/см2 ток фотоэмиссии составит величину Iфэ=1 кА. Для определенности примем площадь параболического высоковольтного фотокатода равной S=1 м2, а зазор между высоковольтным фотокатодом и сетчатым анодом примем равным d=1 см. Рассматривая систему параболического фотокатода и сетчатого анода как емкость, оценим ее величину С=εε0S/d≈1 нФ. Заряд, необходимый для зарядки емкости С до напряжения U, должен быть равен заряду, протекающему через ключ, то есть произведению тока фотоэмиссии на время зарядки t. Следовательно, время зарядки емкости оценивается как величина t=CU/Iфэ≈500 нс. Приняв (с запасом), что время восстановления электропрочности высоковольтного фотодиода составит такую же величину, получим, что период включения СШП генератора ЭМИ составляет 1 мкс, или допустимая частота следования импульсов составит величину 1 МГц. Даже если рассмотреть более экстремальные условия, например - увеличение площади высоковольтного параболического фотокатода на порядок, или наоборот, снизив требования на эффективность фотоэмиссии на фотокатоде ключа на порядок, в любом случае частота повторения значительно, почти на два порядка будет превосходить реализованные частоты повторения известных мощных СШП генераторов ЭМИ.

Таким образом, технический результат, обеспечение работы СШП генератора ЭМИ с высокой частотой следования импульсов без катастрофического разрушения сетчатого анода при пробое высоковольтного фотодиода, может быть реализован.

Сверхширокополосный генератор электромагнитных импульсов, включающий в себя высоковольтный фотодиод, состоящий из фотокатода в виде параболоида вращения и подобного по форме фотокатоду сетчатого анода, эквидистантно отстоящего от поверхности фотокатода, подключенный к источнику высоковольтного напряжения, причем в фотокатоде выполнено отверстие для ввода лазерного излучения от импульсно-периодического лазера в полость, образованную параболоидом анода, а в фокусе параболоида фотокатода размещено параболическое зеркало, обеспечивающее отражение лазерного излучения в направлении фотокатода, отличающийся тем, что в цепи питания между источником высоковольтного напряжения и высоковольтным фотодиодом установлен управляемый ключ, состоящий из импульсно-периодического источника света, фотокатода ключа и анода ключа, причем расстояние между фотокатодом ключа и анодом ключа исключает возможность электрического пробоя управляемого ключа при максимальном напряжении, приложенном к высоковольтному фотодиоду.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной технике, а именно к электровакуумным двухрезонаторным генераторам СВЧ клистронного типа с двухзазорным первым резонатором. Первый резонатор обеспечивает самовозбуждение генератора в режиме автогенерации на противофазном виде колебаний и достаточно эффективное группирование электронов.

Способ генерации электромагнитного излучения СВЧ диапазона относится к технике СВЧ и может быть использован при разработке генераторов мощных широкополосных электромагнитных импульсов в сантиметровом, миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн.

Изобретение относится к радиотехнике и электронике сверхвысоких частот и может быть использовано в установках ускорителей заряженных частиц, в СВЧ устройствах, а именно установках СВЧ нагрева, радиолокационных станциях, СВЧ фильтрации радиосигналов, для увеличения функциональных возможностей усилителей СВЧ сигнала с электронными потоками.

Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к электровакуумным приборам СВЧ, и может быть использовано, например, в радиолокации, радиопротиводействии и в других областях техники.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в электровакуумных приборах, в частности в магнетронах непрерывного или импульсного действия, работающих в широком диапазоне длин волн.

Изобретение относится к технологии производства электровакуумных приборов, а именно к изготовлению высокочастотного пакета замедляющих систем спирального типа для ламп бегущей волны.

Изобретение относится к области электронный СВЧ техники. Электронный СВЧ прибор большой мощности пролетного типа, использующий магнитную систему для формирования и транспортировки электронного пучка, содержит вакуумный корпус, выполненный из материала с низкой электропроводностью.

Изобретение относится к области электротехники, а конкретно к способу электропитания многолучевых клистронов горизонтального исполнения. Соединительный модуль содержит разделительный трансформатор коаксиального типа с незамкнутым магнитопроводом, на первичную обмотку (1) которого снаружи и со стороны крепления ее к корпусу СМ (3) установлены медные магнитные экраны (10), вторичную обмотку (2), закрепленную на высоковольтный разъем (4), который в свою очередь установлен на заднюю стенку корпуса СМ, трансформатор тока (5), высоковольтный делитель напряжения (7), верхнее плечо которого выполнено в виде конструктивной емкости, водяную систему охлаждения (6), расположенную в расширительном объеме корпуса СМ, блок датчиков контроля (8) и узел наполнения и слива масла (9).

Изобретение относится к электронной технике, а именно к электровакуумным приборам клистронного типа, содержащим один двухзазорный резонатор, и предназначено для генерации большой мощности СВЧ.

Изобретение относится к области плазменной релятивистской СВЧ-электроники и может найти применение при создании источников широкополосного электромагнитного СВЧ-излучения, используемого в импульсной СВЧ-энергетике, радиофизических исследованиях, экспериментальной физике, в технологических процессах обработки материалов.

Изобретение относится к области плазменной техники и может быть использовано для выделения пучков электронов из плазмы рабочей среды, создания электрических генераторов на основе энергии электронных пучков, электрореактивных двигателей, электронно-лучевых и ионно-лучевых приборов. Усилитель-концентратор пучка электронов (УКЭ) содержит корпус (1) с внутренней осевой суживающейся полостью, имеющей форму усеченного конуса, на поверхность которой нанесена кремниевая решетка (2) с верхним алмазным слоем (3). В большем отверстии осевой полости установлена многослойная электронная мембрана, основой которой является динамически устойчивая высокотемпературная вольфрамовая пластина (4), имеющая сложную форму: внешняя высокотемпературная поверхность выполнена плоской, а внутренняя низкотемпературная поверхность имеет вогнутую полусферическую форму для фокусирования электронов в пучок. Пластина (4) изготовлена из сплава с пористостью до 85% и диаметром пор 10-3-10-4 мкм. На внешнюю высокотемпературную поверхность вольфрамовой пластины (4) нанесен слой из нанокомпозитного графена (5) с нанопорами (11), а на внутреннюю низкотемпературную - слой из оксида алюминия (7) с нанопорами (8). Корпус снабжен аксиальными анодами (12), (13), установленными со стороны входного и выходного отверстий и служащими для подачи ускоряющих потенциалов, обеспечивающих, соответственно, электрический вывод электронов из потока плазмы и управление энергией электронов и их концентрацией в пучке, входящем в УКЭ, и управление концентрацией, силой тока и энергией электронов пучка, выходящего из УКЭ. Технический результат - обеспечение температурной и динамической устойчивости, повышение эффективности и КПД преобразования энергии потока плазмы в электрическую мощность. 1 ил.

Оротрон // 2634304
Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к конструкции источника высокочастотных электромагнитных колебаний коротковолновой части миллиметрового и субмиллиметрового диапазона волн. Технический результат - увеличение КПД открытого резонатора оротрона и, как следствие, увеличение КПД оротрона нагрузке. В оротроне, содержащем электронную пушку, коллектор, открытый резонатор, образованный двумя зеркалами, одно из которых выполнено плоским и закреплено неподвижно, а другое зеркало выполнено фокусирующим и установлено с возможностью перемещения в направлении, перпендикулярном плоскому зеркалу, периодическую структуру, расположенную на плоском зеркале и покрывающую всю его поверхность, вывод энергии электромагнитных колебаний, ввести дополнительно прямоугольную плоскопараллельную металлическую пластину, на одной из поверхностей которой выполнен продольный выступ в виде прямоугольного параллелепипеда с плоскостью симметрии, общей с пластиной, а его поверхность, параллельная поверхности пластины, выполнена полированной, и металлический швеллер, между полками которого расположен упомянутый выступ. Стенка выступа выполнена в виде периодической структуры, а полки имеют высоту, равную высоте выступа и плотно прилегают к его боковым поверхностям, а на концах переходят в плоские участки, параллельные стенке швеллера. Рассмотрены различные варианты выполнения оротрона как с однорядной периодической структурой, так и с двухрядной периодической структурой, как пример возможности использования в предложенной конструкции и многорядной периодической структуры. 3 н.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к области электронных приборов СВЧ, в частности к лампам бегущей волны. Лампа бегущей волны с вводом и выводом энергии, содержащими передающие линии волноводного типа, с пространством взаимодействия в виде замедляющей системы, содержащей спираль, опорные диэлектрические стержни и металлический экран, с локальным поглотителем, выполненным на основе резистивной пленки, размещенной на опорных диэлектрических стержнях. Резистивная пленка поглотителя наносится так, что отсутствует на поверхности диэлектрических стержней, касающейся спирали, и на части поверхности боковых сторон и присутствует на оставшейся части боковых сторон диэлектрических стержней. Таким способом достигается то, что затухание, вносимое поглотителем на нижних частотах, больше, чем на верхних частотах. Перепад затухания определяется, прежде всего, зазором между резистивной пленкой и спиралью. Подобрав величину зазора, можно добиться того, что уменьшение КПД за счет введения поглотителя будет минимальным, а вносимое затухание - достаточным для обеспечения устойчивости к самовозбуждению. Оптимальный зазор составляет от 0,3 до 0,6 высоты диэлектрического стержня для разных конструкций ЛБВ. Технический результат - улучшение выходных характеристик ЛБВ при обеспечении устойчивости к самовозбуждению, в том числе на частоте отсечки волноводов.1 з.п. ф-лы, 7 ил.
Наверх