Способ коммутации гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей

Авторы патента:

H01L31/18 - способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей (не предназначенные специально для этих приборов H01L 21/00)

Владельцы патента RU 2623820:

Общество с ограниченной ответственностью "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике", ООО "НТЦ ТПТ" (RU)
Общество с ограниченной ответственностью "Хевел", ООО "Хевел" (RU)

Изобретение относится к способам коммутации ячеек фотоэлектрических преобразователей на основе кристаллического кремния, в частности к способу контактирования контактных шин к пластинам фотоэлектрических преобразователей с применением адгезивов и ультразвуковой пайки. Способ коммутации гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей включает присоединение контактных шин к гетероструктурным фотоэлектрическим преобразователям, при этом перед присоединением между контактными шинами и поверхностью фотоэлектрических преобразователей наносят диэлектрический адгезив, присоединение контактных шин к фотоэлектрическим преобразователям осуществляют ультразвуковой сваркой путем продавливания контактных шин через слой адгезива до элементов контактной сетки фотоэлектрических преобразователей и выполняют процесс сварки. Изобретение позволяет повысить прочность механического соединения при коммутации отдельных фотоэлектрических преобразователей в единую цепь, повысить надежность, снизить контактное сопротивление и повысить срок эксплуатации. 6 з.п. ф-лы, 6 ил., 4 пр.

Область техники, к которой относится изобретение

Уровень техники

В процессе производства солнечных модулей на основе кристаллического кремния возникает необходимость коммутации отдельных ячеек фотопреобразователей в единую цепь. При этом при коммутации гетероструктурных фотопреобразователей на основе кремния исключаются процессы с температурой выше 200°C, так как более высокие температуры приводят к повреждению структуры и снижению ее эффективности. В этом случае для контактирования используют процедуру пайки низкотемпературным припоем, ультразвуковую пайку или клейку с использованием адгезива на основе коллоидного серебра. Эти способы обладают рядом недостатков. Пайка низкотемпературным припоем и ультразвуковая пайка не обеспечивают адгезии к поверхности пластины и паяются только с элементами токосъемной сетки. Из-за этого данные процессы не обеспечивают прочного механического соединения. Приклеивание контактных шин с помощью адгезива на основе коллоидного серебра обеспечивает более высокое механическое соединение, но имеет плохие электрические параметры.

Из уровня техники известен способ соединения тонкопленочных солнечных модулей между собой электрическим контактом ([1] US 5580509(A), МПК H01L 31/0224, H01L 31/046, опубл. 03.12.1996). На подложку нанесен слой переднего электрода, например, из оксида цинка, легированный бором или алюминием, на который нанесен активный полупроводниковый слой из аморфного кремния. Слой заднего (тыльного) электрода нанесен на полупроводниковый слой. Для интегральной взаимосвязи, процесс осаждения сопровождается этапом структурирования для каждого из слоев.

Структурирующие линии ориентированы таким образом, что множество расположенных бок о бок полосообразных отдельных солнечных элементов, соединенных последовательно, производятся с соответствующими перекрывающими областями между передней и задней частями. Ток, генерируемый в гелиомодуле, может быть перехвачен и отводится от модуля, связываясь с двумя наружными, отдельными солнечными батареями. С этой целью на заднем контакте, параллельно структурирующим линиям, укладывают две контактные полоски. Контактные полоски могут быть прикреплены с помощью электропроводной пасты или с использованием ультразвуковой сварки. После механической фиксации контактных полосок, заднюю сторону модуля ламинируют, например, горячим расплавом клейкой фольги.

Недостатком аналога является то, что данный способ нельзя применить для гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей на основе аморфного и монокристаллического кремния, о которых идет речь в данной заявке.

Из уровня техники известен ультразвуковой сварочный аппарат для тонкопленочных солнечных элементов ([2] CN 204135551 (U), МПК B23K 20/10, опубл. 04.02.2015), который позволяет снизить остаточные напряжения и деформации, возникающие вследствие вибрации высокой частоты.

Из уровня техники известен способ сварки сборочной солнечной ячейки ([3] CN 103639586(A), МПК B23K 20/10, опубл. 19.03.2014), включающий размещение секций солнечных элементов на предварительно заданных позициях передней панели, подключение контактной ленты по направлению лент на концах секций ячеек в режиме доводки (притирки), чтобы получить заготовку. Далее заготовку располагают на рабочей площадке ультразвукового сварочного аппарата и приваривают впускные ленты к лентам секций, путем нажатия ультразвуковой головки, при этом задают ультразвуковую частоту волны, рабочую мощность, давление прессования и время прессования для сваривания контактной ленты к лентам секций.

Недостатком аналога является предварительное изготовление и подгонка матрицы ультразвуковой головки к заготовке, при этом недостатком чисто ультразвуковой сварки является то, что механическое соединение образуется только с контактной сеткой, которая выполняется, в большинстве своем, путем трафаретной печати серебряной пастой. В результате сама контактная сетка обладает плохими механическими характеристиками. Если припаяться к контактной сетке, то она при механической нагрузке разрушится, что приведет к нарушению электрического контакта.

Из уровня техники известен способ изготовления электродов для кристаллического кремния солнечного элемента (см. [4] CN 102969406 (A), МПК B23K 1/06, опубл. 13.03.2013), включающий сохранение пространства для передней шины электрода при обработке передней поверхности солнечного элемента и пространства для задней линии сетки электрода при обработке задней поверхности солнечного элемента; установку солнечной батареи на нагревательную вакуумную платформу; автоматическую подачу припоя (олова) посредством механизма подачи оловянной проволоки на ультразвуковую сварочную головку в определенном диапазоне температур; образование оловянного припоя на сохранившихся пространствах кремниевой пластины солнечного элемента и сварку связующей полосы (клеммы) на припой олова покрытия передней шины электрода и задней линии сетки электродов во время процедуры сборки аккумуляторной батареи.

Замена серебряного материала припоя на олово снижает стоимость производства, однако данный аналог содержит ряд недостатков. Температура плавления олова около 270°С. В процессе сборки солнечных модулей процедура пайки допускается низкотемпературными припоями (например, InSn или BiSn, или ПОС 61), но, ввиду особенностей процесса, ситуация аналогична той, которая возникает в процессе ультразвуковой сварки, о которой написано раньше - разрушение контактной сетки.

Из уровня техники известен способ подключения листов солнечных батарей (см. [5] CN 102122681 (А), МПК B23K 20/10, опубл. 13.07.2011), характеризующийся тем, что на задней стороне аккумуляторного листа расположен электрод, полученный из серебряной пасты; часть слоя пасты снимается таким образом, чтобы оголить алюминиевый слой металла, затем алюминиевый металлический слой соединяется с освещаемой поверхностью электрода другого листа через металлический подводящий провод, при этом соединение происходит за счет прижатия в ультразвуковом сварочном аппарате.

Недостатком данного аналога является вероятность повреждения слоев при снятии слоя серебряной пасты. Также в данном патенте говорится о температурах от 300 до 800°C, что не применимо для гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей на основе аморфного и кристаллического кремния. При более низких температурах сохраняется ситуация, описанная ранее, - разрушение элементов фотоэлектрического преобразователя, изготовленного из металлической пасты. На данном этапе развития техники, если контактная сетка получена из пасты (алюминиевой, серебряной или медной), она обладает плохими механическими свойствами (т.к. получается пористой). Поэтому, при монтаже непосредственно к контактной сетке, в том случае, когда к ней будет прикладываться механическая нагрузка, она может довольно легко разрушаться. Чтобы этого избежать и предложено заявленное изобретение с добавлением слоя адгезива, который даст нужные механические качества соединению (за счет того, что может крепиться непосредственно к пластине фотоэлектрического преобразователя (ФЭП)) и будет продавливаться при ультразвуковой сварке и не мешать электрическому соединению между контактной шиной и элементами контактной сетки.

Наиболее близким аналогом заявленного изобретения, взятого за прототип, является способ крепления шины (полосы, ленты) на BZO (бор легированный оксидом цинка) тонкой пленки солнечного модуля (см. [6] CN 102825379(A), МПК B23K 20/10, опубл. 19.12.2012). Фиксация шины к слою BZO осуществляется ультразвуковым способом. Способ включает в себя укладку на конвейер тонкопленочного солнечного модуля из аморфного кремния со слоем BZO, при помощи ультразвуковых волн с определенной частоты и мощности повреждают массив кристаллической решетки оксида цинка на поверхности слоя BZO, тем самым образую пробелы в кристаллической решетке оксида цинка. В образованные щели кристаллической решетки оксида цинка вваривают шины, при помощи ультразвуковых волн и определенного давления так, чтобы атомы металла присоединились к кристаллической решетке слоя BZO.

Недостатком прототипа является возможность повреждения тонкой пленки слоя BZO. Толщина слоев BZO (оксид цинка легированный бором) в тонкопленочных солнечных модулях составляет порядка 1-2 мкм, что позволяет осуществлять ультразвуковую сварку к данному слою. Суммарная толщина всех слоев, нанесенных на поверхность гетеропереходного ФЭП на основе аморфного и микрокристаллического кремния, составляет порядка 200 нм, в связи с этим ультразвуковая пайка непосредственно к ним повредит структуру и снизит характеристики ФЭП. Пайка к элементам контактной сетки обладает вышеперечисленными недостатками.

Сущность изобретения

Задачей заявленного изобретения является получение прочного механического соединения с низким контактным сопротивлением, без применения высокотемпературных процессов.

Техническим результатом является повышение прочности механического соединения при коммутации отдельных фотоэлектрических преобразователей в единую цепь, повышение надежности, снижение контактного сопротивления и повышение срока эксплуатации.

Поставленная задача решается, а технический результат достигается за счет применения ультразвуковой пайки совместно с адгезивом, а более конкретно за счет заявленного способа коммутации гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей, включающего присоединение контактных шин к контактным сеткам гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей, при этом перед присоединением, между контактными шинами и поверхностью контактных сеток фотоэлектрических преобразователей наносят адгезив, присоединение контактных шин к контактным сеткам фотоэлектрическим преобразователям осуществляют ультразвуковой сваркой путем продавливания контактных шин через слой адгезива до элементов контактной сетки фотоэлектрических преобразователей и выполняют процесс сварки.

Технический результат также достигается за счет того, что адгезив наносят на поверхность фотоэлектрических преобразователей, поверх которого укладывают контактные шины.

Технический результат также достигается за счет того, что адгезив наносится на поверхность контактной шины со стороны фотоэлектрических преобразователей.

Технический результат также достигается за счет того, что адгезив наносят сплошным слоем на всю поверхность гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей.

Технический результат также достигается за счет того, что адгезив наносят на поверхность гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей в местах присоединения контактных шин.

Технический результат также достигается за счет того, что ультразвуковую сварку осуществляют точечно, в местах расположения элементов токосъемной сетки.

Технический результат также достигается за счет того, что ультразвуковую сварку осуществляют передвижением ролика по всей поверхности контактных шин.

Краткое описание чертежей

Фиг. 1 - Гетероструктурный фотоэлектрический преобразователь на основе кристаллического кремния с продольными и поперечными элементами контактной сетки.

Фиг. 2 - Гетероструктурный фотоэлектрический преобразователь на основе кристаллического кремния только с поперечными элементами контактной сетки.

Фиг. 3 - Область нанесения адгезива пример 1.

Фиг. 4 - Область нанесения адгезива пример 2.

Фиг. 5 - Расположение контактных шин

Фиг. 6 - Контактирование сборки из нескольких ячеек.

На фигурах обозначены следующие позиции:

1 - кремниевая пластина; 2 - поперечные контактные сетки; 3 - продольные контактные сетки; 4 - область нанесения адгезива; 5 - контактные шины.

Осуществление изобретения

Солнечный модуль - прибор, вырабатывающий электрическую энергию путем преобразования оптического излучения и состоящий из нескольких ячеек фотоэлектрических преобразователей объединенных в общую электрическую цепь в общем корпусе.

Процесс коммутации гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей на основе кремния методом ультразвуковой сварки (пайки) с применением адгезива - это процесс объединения отдельных ячеек фотопреобразователей на основе кремния (выполненных на отдельных кремниевых пластинах) в общую электрическую цепь в процессе сборки солнечного модуля. В заявленных ячейках применяется ITO (индий-оловянный оксид).

Под отдельной ячейкой гетероструктурного фотоэлектрического преобразователя подразумевается кремниевая пластина со сформированной pin-структурой, необходимой для работы фотоэлектрического преобразователя, нанесенными токосъемными слоями (выполненными из прозрачных проводящих оксидов, таких как оксид индия, олова и прочих или металлов) и элементами контактной сетки. При этом продольные элементы контактной сетки могут отсутствовать, а поперечные присутствуют всегда (фигура 2).

Способ коммутации гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей выполняют присоединением контактных шин (5) к контактным сеткам (2) и (3) гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей, при этом перед присоединением, между контактными шинами и поверхностью контактных сеток фотоэлектрических преобразователей наносят адгезив (4), присоединение контактных шин к контактным сеткам фотоэлектрических преобразователей осуществляют ультразвуковой сваркой путем продавливания контактных шин через слой адгезива до элементов контактной сетки фотоэлектрических преобразователей и выполняют процесс сварки.

Под контактной сеткой подразумевается проводящая сетка, нанесенная на поверхность гетероструктурного фотоэлектрического преобразователя с целью уменьшения электрических потерь. Гетероструктурный фотоэлектрический преобразователь имеет контактной сетку с лицевой и тыльной сторон, при этом дизайн контактных сеток может отличаться. При этом продольные элементы контактной сетки (в случае их присутствия) выполняются более узкими, чем контактные шины. Это необходимо для достижения необходимой механической прочности в процессе приклеивания контактных шин адгезивом к поверхности фотопреобразователя, так как величина адгезии используемого адгезива к поверхности пластины выше, чем адгезия материала контактной сетки к поверхности пластины.

Под адгезивом понимается вещество, которое в данном процессе обеспечивает механическую прочность соединения (склеивание). Адгезив может быть в любом агрегатном состоянии и наносится различными методами. В качестве адгезивов могут выступать прозрачные лаки, полиимидные лаки и смолы, эпоксидные лаки и смолы, лаки и адгезивы на основе полиолефинов и прочие, наносимые на всю поверхность фотоэлектрического преобразователя. В таком случае они также выполняют защитную роль. При этом адгезив может быть диэлектрическим. Лаки, смолы и полимеры наносят различными способами, такими как, намазыванием, распылением в виде спрея или аэрозоля, наливным, в том числе с применением центрифугирования, погружением пластины ФЭП в адгезив и прочие.

Под контактными шинами подразумеваются элементы солнечного модуля, обеспечивающие электрическую коммутацию отдельных ячеек фотоэлектрического преобразователя в сборке. Контактные шины выполняются из меди с различным покрытием. Перед сваркой на поверхность контактных шин может наноситься флюс.

Процесс ультразвуковой сварки может проходить в атмосфере воздуха или в присутствии газового флюса. Параметры процесса могут варьироваться в зависимости от способа и материала, из которого изготовлены продольные и поперечные элементы контактной сетки гетероструктурного фотоэлектрического преобразователя.

Под ультразвуковой сваркой роликом понимается процесс так называемой непрерывной ультразвуковой сварки, когда головная часть сварочного аппарата выполнена в виде ролика, поворачивающегося в процессе сварки и образующего протяженный сварочный шов.

Под точечной ультразвуковой сваркой понимается процедура сварки, при которой головная часть сварочного аппарата выполнена в виде пресса и не поворачивается, а место сварки ограничено размером пресса. Протяженный сварочный шов при этом может достигаться за счет последовательного повторения процедуры сварки.

Пример 1 (пример монтажа контактных шин)

На ячейку фотоэлектрического преобразователя с нанесенной контактной сеткой (фигура 1 или 2) наносится адгезив (фигура 3). Адгезив наносится в местах последующего монтажа контактных шин. Количество необходимых контактных шин может варьироваться в зависимости от площади используемой ячейки. Далее на адгезив производится укладка контактных шин. После чего сборка подвергается процедуре ультразвуковой сварки роликом. В процессе ультразвуковой сварки происходит продавливание адгезива и образование контакта между контактной шиной и элементами контактной сетки (см. фигуру 1 и 2).

Пример 2 (пример монтажа контактных шин)

На ячейку фотоэлектрического преобразователя с нанесенной контактной сеткой (фигура 1 или 2) наносится адгезив (фигура 4). При этом адгезив наносится сплошным слоем на фронтальную и тыльную (лицевую и заднюю) стороны фотоэлектрического преобразователя. Дальнейшая процедура аналогична примеру 1.

Пример 3 (пример монтажа контактных шин)

1. На участок контактных шин равный длине фотоэлектрического преобразователя наносится адгезив. В случае различия сторон контактной шины, адгезив наносится на сторону, которая будет контактироваться с фотопреобразователем.

2. Производится монтаж контактных шин на фотопреобразователь. Для получения электрического соединения применяется точечная ультразвуковая сварка. При этом места воздействия ультразвуковой головкой выбираются таким образом, чтобы получить контакт с элементами контактной сетки (наличие продольных элементов контактной сетки, в данном случае, дает возможность для увеличения допусков).

Пример 4 (пример сборки цепочки из нескольких фотопреобразователей)

1. Адгезив наносится на контактные шины.

2. Производится монтаж контактных шин к тыльной стороне фотопреобразователя.

3. На лицевую сторону фотопреобразователя наносится адгезив и производится монтаж следующих контактных шин.

4. Далее полученная сборка подвергается двухсторонней ультразвуковой сварке роликом (при этом, ультразвуковой сварке подвергаются контактные шины, расположенные на тыльной и на лицевой сторонах фотопреобразователя).

5. На прикрепленные к фотопреобразователю контактные шины, соответствующие коммутационной схеме, наносится адгезив.

6. Процедура повторяется нужное количество раз начиная с пункта 2. Схематичное изображение вида с, боку приведено на фигуре 5.

Ультразвуковая сварка позволяет получить высококачественный электрический контакт между элементами контактной сетки и контактными шинами. Однако данное соединение будет обладать низкими механическими характеристиками (ввиду низких механических характеристик элементов контактной сетки). Применение в дополнении к ультразвуковой сварке адгезивов, позволяющих сформировать надежное механические соединение между контактной шиной и пластиной фотопреобразователя позволяет решить данную проблему без снижения электрических характеристик соединения.

1. Способ коммутации гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей, включающий присоединение контактных шин к контактным сеткам гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей, отличающийся тем, что

- перед присоединением между контактными шинами и поверхностью контактных сеток фотоэлектрических преобразователей наносят адгезив,

- присоединение контактных шин к контактным сеткам фотоэлектрических преобразователей осуществляют ультразвуковой сваркой путем продавливания контактных шин через слой адгезива до элементов контактной сетки фотоэлектрических преобразователей и выполняют процесс сварки для образования контакта.

2. Способ по. 1, отличающийся тем, что адгезив наносят на поверхность фотоэлектрических преобразователей, поверх которого укладывают контактные шины.

3. Способ по. 1, отличающийся тем, что адгезив наносится на поверхность контактной шины со стороны фотоэлектрических преобразователей.

4. Способ по. 2, отличающийся тем, что адгезив наносят сплошным слоем на всю поверхность гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей.

5. Способ по. 2, отличающийся тем, что адгезив наносят на поверхность гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей в местах присоединения контактных шин.

6. Способ по. 1, отличающийся тем, что ультразвуковую сварку осуществляют точечно в местах расположения элементов токосъемной сетки.

7. Способ по. 1, отличающийся тем, что ультразвуковую сварку осуществляют передвижением ролика по всей поверхности контактных шин.

Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания переизлучающих текстурированных покрытий для использования в тонкопленочных солнечных элементах.

Способ сборки кристаллов мфпу // 2619362

Изобретение относится к технологии сборки гибридных матричных фотоприемных устройств (МФПУ). Одной из основных операций при изготовлении МФПУ является сборка кристаллов в корпус с последующим соединением контактных площадок кристалла БИС с внешними выводами корпуса МФПУ.

Диод с p-n-переходом, имеющий регулируемую гетероструктуру, самопозиционирующуюся на hgcdte, для формирователя сигналов изображения в инфракрасной области спектра // 2618483

Изобретения могут быть использованы для формирователя сигналов изображения в инфракрасной области спектра. Гетероструктурный диод с p-n-переходом содержит подложку на основе HgCdTe, главным образом n-легированную, причем упомянутая подложка содержит первую часть (4), имеющую первую концентрацию кадмия, вторую часть (11), имеющую вторую концентрацию кадмия больше, чем первая концентрация кадмия, причем вторая часть(11) образует гетероструктуру с первой частью (4), р+-легированную зону (9) или р-легированную зону, расположенную в концентрированной части (11) и продолжающуюся в первую часть (4) и образующую p-n-переход (10) с n-легированным участком первой части (4), называемым базовой подложкой (1), при этом концентрированная часть (11) расположена только в р+-легированной зоне (9) и образует карман (12) по существу с постоянной концентрацией кадмия.

Интегральная схема быстродействующего матричного приемника оптических излучений // 2617881

Изобретение может быть использовано в современных системах дальнометрии, управления неподвижными и движущимися объектами, зондирования облачности, контроля рельефа местности и т.д.

Способ получения фоточувствительных химически осажденных пленок селенида свинца // 2617350

Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения, а именно – к технологии получения тонких фоточувствительных пленок селенида свинца, широко используемых в изделиях оптоэлектроники в ИК-диапазоне 1-5 мкм, лазерной и сенсорной технике.

Способ изготовления наногетероструктуры со сверхрешеткой // 2611692

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам создания наногетероструктур для фотопреобразующих и светоизлучающих устройств. Способ изготовления наногетероструктуры со сверхрешеткой включает выращивание на подложке GaSb газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений в потоке водорода сверхрешетки, состоящей из чередующихся слоев GaSb и InAs.

Фотоприемное устройство (варианты) и способ его изготовления // 2611552

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники, в частности к способам изготовления структур фотоэлектрических приемных устройств (ФПУ), предназначенных для преобразования светового излучения определенного спектрального диапазона в электрический сигнал.

Способ пассивации поверхности теллурида кадмия-ртути // 2611211

Изобретение относится к многоэлементным и матричным фотоприемникам (МФП) ИК-диапазона на основе теллурида кадмия-ртути, конкретно к технологии изготовления матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ).

Бета-вольтаический генератор электроэнергии и способ повышения его эффективности // 2610037

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к созданию компактных источников электроэнергии с использованием радиоактивных изотопов и полупроводниковых преобразователей.

Способ определения концентрации донорного фона в структурах cdxhg1-xte // 2609222

Способ определения концентрации донорного фона в CdxHg1-xTe принадлежит к характеризации материалов и структур оптоэлектроники, точнее к твердым растворам CdxHg1-xTe – основному материалу для изготовления фотодиодов инфракрасного диапазона спектра.

Способ получения фотокатализатора на основе полупроводниковой нано-гетероструктуры cds-wo3-tio2 // 2624620

Изобретение относится к способам получения тройных нано-гетероструктур из полупроводниковых материалов, характеризующихся различной шириной запрещенной зоны, и может быть использовано при разработке фотокатализаторов на основе нано-гетероструктурных материалов в фотоэлектрохимических и фотокаталитических устройствах для получения чистого водорода и кислорода, синтеза органических молекул. Техническим результатом заявленного изобретения является возможность получения фотокатализатора на основе тройной нано-гетероструктурной системы состава CdS-WO3-TiO2 с варьируемым распределением по составу компонентов, размерами частиц узкозонных полупроводников, диаметра и длины нанотрубок на подложке из титановой фольги, а также упрощение технологического процесса и снижение трудозатрат при получении данной системы высокой чистоты. Способ получения фотокатализатора на основе тройной нано-гетероструктурной системы состава CdS-WO3-TiO2 с формированием 3D-структур на основе диоксида титана осуществляется только электрохимическим методом в электролитах различного состава: при анодировании в процессе роста нанотрубок из диоксида титана на подложке из титановой фольги в электролите, который приготавливают из фторида аммония, дистиллированной воды и этиленгликоля, создаются включения второй фазы оксида вольфрама (VI) из металлического вольфрама, предварительно электрохимически восстановленного из раствора вольфрамата натрия в диметилформамиде и формамиде. Последующее одностадийное электрохимическое осаждение сульфида кадмия в полученную систему WO3-TiO2 осуществляется в водном растворе CdSO4 и Na2S2O4 при рН=7. Таким образом, путем варьирования условий проведения электрохимических процессов получают наноразмерную гетероструктурную систему CdS-WO3-TiO2 высокой степени чистоты с заданными параметрами, а именно, толщина слоя массива нанотрубок из диоксида титана, диаметр и длина нанотрубок из диоксида титана, размер частиц полупроводников оксида вольфрама (VI) и сульфида кадмия. 1 з.п. ф-лы, 6 ил., 2 пр.

Солнечная батарея и способ ее изготовления // 2626053

Согласно изобретению предложен способ изготовления солнечных батарей, содержащий этапы формирования пленки SiNx поверх второй главной поверхности полупроводниковой подложки n-типа; формирования диффузионного слоя p-типа поверх первой главной поверхности полупроводниковой подложки n-типа после стадии формирования пленки SiNx; и формирования поверх диффузионного слоя p-типа пассивирующей пленки, состоящей из пленки SiO2 или пленки оксида алюминия. Предложен второй вариант способа, в котором осуществляют формирование диффузионного слоя n-типа поверх второй главной поверхности полупроводниковой подложки p-типа; формирование пленки SiNx поверх диффузионного слоя n-типа; формирование текстуры только на первой главной поверхности полупроводниковой подложки p-типа после этапа формирования пленки SiNx и формирование поверх первой главной поверхности полупроводниковой подложки p-типа пассивирующей пленки, состоящей из пленки SiO2 или пленки оксида алюминия, после этапа формирования текстуры. Также предложены солнечные батареи, изготовленные описанными выше способами. Заявленные изобретения обеспечивают возможность повышения эффективности фотоэлектрического преобразования. 4 н. и 6 з.п. ф-лы, 1 табл., 7 ил.

Способ изготовления многоэлементного ик фотоприемника // 2628449

Изобретение относится к способу изготовления многоэлементных или матричных фотоприемников на основе антимонида индия. Многоэлементный фотоприемник на основе антимонида индия включает матрицу фоточувствительных элементов (МФЧЭ) с антиотражающим покрытием на освещаемой стороне фоточувствительных элементов (ФЧЭ), соединенных микроконтактами со схемой считывания. Предлагаемый способ включает пассивацию освещаемой поверхности ФЧЭ перед формированием антиотражающего покрытия, заключающуюся в том, что перед напылением антиотражающего покрытия с поверхности МФЧЭ ионным травлением удаляется слой собственного окисла без разгерметизации вакуумной камеры, что позволяет уменьшить скорость поверхностной рекомбинации фотогенерированных носителей тока и тем повысить квантовую эффективность и устранить захват носителей медленными состояниями. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности, улучшение однородности параметров матричных фотоприемников в серийном производстве за счет повышения квантовой эффективности фоточувствительных элементов. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

Структура фотопреобразователя на основе кристаллического кремния и линия по его производству // 2632267

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, а именно к структуре фотопреобразователей на основе монокристаллического или поликристаллического кремния и к линии по производству фотопреобразователей. Структура фотопреобразователя на основе кристаллического кремния включает: текстурированную поликристаллическую или монокристаллическую пластину кремния; пассивирующий слой в виде аморфного гидрогенизированного кремния, нанесенный на каждую сторону пластины кремния; р-слой; n-слой; контактные токосъемные слои в виде прозрачных проводящих оксидов; тыльный токосъемный слой в виде металлического непрозрачного проводящего слоя, при этом в качестве р-слоя и n-слоя применяют металлические оксиды соответственно р-типа и n-типа, при этом слои n-типа и р-типа, пассивирующий и токосъемный слои наносятся методом магнетронного распыления. В качестве металлического оксида n-типа используют оксид цинка (ZnO), или SnO2, Fe2О3, ТiO2, V2O7, МnО2, CdO, или другие металлические оксиды n-типа. В качестве металлического оксида р-типа используют МоО, или СоО, Сu2О, NiO, Сr2О3, или другие металлические оксиды р-типа. Линия по производству фотопреобразователя на основе кристаллического кремния, включающая последовательные операции, такие как: очистку и текстурирование пластин кристаллического кремния; нанесение пассивирующего слоя аморфного гидрогенизированного кремния на каждую сторону пластины кремния; нанесение р-слоя фотопреобразователя; нанесение n-слоя фотопреобразователя; нанесение контактных токосъемных слоев фотопреобразователя; нанесение тыльного токосъемного слоя; окончательная сборка, при этом выполняют последовательное магнетронное напыление пассивирующего слоя, р-слоя в виде металлического оксида р-типа, n-слоя в виде металлического оксида n-типа и токосъемных слоев методом магнетронного распыления. При этом может осуществляться магнетронное распыление кремниевой мишени в атмосфере силана и аргона с добавлением водорода. Изобретение позволяет повысить производительность, уменьшить габариты производственной линии, исключить необходимость переворота пластин кремния в процессе производства. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Способ изготовления матричного фчэ на основе gaas // 2633656

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводникового фотоприемника (ФП) и может быть использовано при создании матричных ФП различного назначения. Способ изготовления матричного ФЧЭ на основе GaAs, в котором согласно изобретению базовую область МФЧЭ после гибридизации с БИС мультиплексором утоньшают от 500 мкм до 20-40 мкм с помощью ХМП, включающего обработку пластины МФЧЭ вращающимся полировальником, утоньшение проводят сначала ХМП от толщины 500 мкм до 40-50 мкм полирующим составом, содержащим (10,0÷45,0) г/л водного раствора гипохлорита натрия и (0,5÷3,0) г/л водного раствора гидроокиси натрия, а затем проводят с помощью ХМП утоньшение базовой области до толщины 20-40 мкм в полирующем составе, содержащем в качестве комплексообразователя винную кислоту при концентрации 7,0÷70,0% об., окислителя - пероксид водорода при концентрации 7,0÷70,0% об., смазки - этиленгликоль при концентрации 5,0÷15,0% об., остальное - деионизованная вода. Изобретение обеспечивает плоскостность МФЧЭ не хуже 1 мкм с сохранением первоначальной геометрии. 2 пр.

Способ получения эпитаксиальных слоёв cdхhg(1-х) te из раствора на основе теллура // 2633901

Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев узкозонных полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения. Способ получения эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe из раствора на основе теллура включает выращивание эпитаксиального слоя CdxHg1-xTe (0,19<х<0,33) методом жидкофазной эпитаксии в запаянной кварцевой ампуле при температуре 500÷513°С на подложку Cd1-yZnyTe (0,02<y<0,06) с кристаллографической ориентацией поверхности (111)В±0,5°, расположенную горизонтально над слоем жидкой фазы высотой от 1 до 2 мм, в условиях принудительного охлаждения системы подложка/раствор на 6÷11°С, в зависимости от требуемой толщины эпитаксиального слоя, и предварительное растворение поверхностного слоя подложки в перегретом не более чем на 2° относительно температуры ликвидуса растворе на основе теллура, из которого проводится выращивание эпитаксиального слоя, при этом охлаждение системы проводят со скоростью снижения температуры 0,2÷0,5 град/мин, начиная с момента контакта подложки с перегретым раствором. Техническим результатом изобретения является воспроизводимое получение эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe диаметром до 50 мм без отклонения формы поверхности от формы поверхности подложки с высотой микрорельефа на поверхности эпитаксиального слоя не более 60 нм и разнотолщинностью эпитаксиального слоя по его площади не более 1 мкм при номинальном значении толщины в интервале от 10 до 20 мкм. 1 табл.

Способ изготовления солнечного элемента и изготовленный с помощью этого способа солнечный элемент // 2635834

Способ изготовления солнечного элемента включает в себя формирование с высокой производительностью просветляющей пленки, содержащей нитрид кремния, причем упомянутая просветляющая пленка обладает превосходным пассивирующим эффектом. В способе изготовления солнечного элемента согласно изобретению используется установка (100) усиленного непрямой плазмой химического осаждения из газовой фазы для формирования на полупроводниковой подложке (102) первой пленки нитрида кремния при перемещении полупроводниковой подложки (102) в камере (101) осаждения, с использованием потока плазмы от первой плазменной камеры (111), и дальнейшего формирования второй пленки нитрида кремния, которая имеет состав, отличный от упомянутой первой пленки нитрида кремния, с использованием потока плазмы от второй плазменной камеры (112), в которую были введены газообразный аммиак и газообразный силан при другом соотношении расходов, чем в первой плазменной камере (111). Установка (100) усиленного непрямой плазмой химического осаждения из газовой фазы снабжена камерой (101) осаждения; плазменными камерами (111, 112), имеющими участки (111а, 112а) возбуждения, которые возбуждают газообразный аммиак, и участки (111b, 112b) активации реакции, которые активируют возбужденный газообразный аммиак посредством введения туда газообразного силана; и регулятор (113) расхода, который регулирует соотношение расходов газообразного аммиака и газообразного силана для каждой из упомянутых плазменных камер (111, 112). Изобретение обеспечивает высокую производительность формирования просветляющей пленки и улучшенный просветляющий эффект. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 1 табл., 5 ил.

Способ изготовления солнечного элемента // 2636405

Настоящее изобретение относится к способу изготовления солнечного элемента, имеющего долговременную надежность и высокую эффективность, причем упомянутый способ включает в себя: этап нанесения пастообразного электродного вещества на просветляющую пленку, сформированную на стороне светопринимающей поверхности полупроводниковой подложки, имеющей по меньшей мере pn-переход, причем упомянутое электродное вещество содержит проводящий материал; и этап обжига электрода, включающий в себя локальную термообработку для подачи тепла так, что обжигают по меньшей мере часть проводящего материала посредством облучения лазерным лучом только участка с нанесенным электродным веществом, и термообработку всего объекта для нагревания полупроводниковой подложки целиком до температуры ниже 800°C. 4 з.п. ф-лы, 1 табл., 5 ил.

Способ изготовления фотодетектора с ограниченным диапазоном спектральной чувствительности на основе массива наностержней оксида цинка // 2641504

Изобретение относится к оптоэлектронным приборам, в частности к нанотехнологиям солнечно-слепых фотодетекторов ближнего ультрафиолетового излучения (БУФИ) на основе 1D наноструктурированного оксида цинка. Изобретение обеспечивает повышение спектральной чувствительности солнечно-слепого фотодетектора к БУФИ и снижение его времени отсечки τотс при смещающем напряжении U≤1 В, упрощение технологии изготовления такого фотодетектора, снижение ее энергозатратности и повышение уровня экологичности, исключение необходимости использования платины, золота, палладия, индия, графена в элементах конструкции указанного прибора. Данная задача решается за счет катодного импульсного электрохимического осаждения из водного нитратного электролита при 55-65°С в течение 60 минут на высокопроводящую прозрачную для БУФИ неподвижную подложку массива срастающихся у оснований наностержней ZnO со средней длиной 0.65 мкм и средним диаметром несросшихся участков вблизи верхних концов 0.30 мкм, последующей термовакуумной металлизации под углом к вертикали тонкопленочным алюминием через теневую алюминиевую маску верхних концов наностержней ZnO и высокопроводящей поверхности подложки за пределами их массива, формирования высокопроводящих эпоксидных контактных слоев поверх металлизированных областей, приклейки эпоксидным высокопроводящим клеем гибких медных проволочных выводов к контактным слоям и отжига этой конструкции на воздухе при 250°С длительностью 300 с. Данный способ изготовления фотодетектора прост в реализации и позволяет получить фотодетектор со спектральной чувствительностью около 532 при U=1 В в диапазоне длин волн 365-370 нм и с временем отсечки 42 секунды, а также практически полным отсутствием фоточувствительности при λ>380 нм. 6 з.п. ф-лы, 9 ил.

Способ изготовления фотопреобразователя // 2644992

Изобретение относится к технологии изготовления фотопреобразователя с повышенным коэффициентом полезного действия (КПД). Предложен способ изготовления фотопреобразователя путем формирования в pin-структуре i-слоя на основе арсенида индия InGaAs между слоями GaAs и AlGaAs на подложках GaAs, при давлении 4⋅10-7-10-8 Па, температуре 600-800°С и скорости роста 2 Å/с. Изобретение обеспечивает повышение КПД преобразования, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.