Переключающий тпт и способ его изготовления

Авторы патента:

ДУ Пэн (CN)

ЧЭНЬ Чэн-Хун (CN)

H01L29/786 - тонкопленочные транзисторы

H01L21/336 - с изолированным затвором

Владельцы патента RU 2634088:

ШЭНЬЧЖЭНЬ ЧАЙНА СТАР ОПТОЭЛЕКТРОНИКС ТЕКНОЛОДЖИ КО., ЛТД. (CN)

Настоящее изобретение предлагает переключающий тонкопленочный транзистор (ТПТ), который включает затвор, сток, исток, полупроводниковый слой и четвертый электрод, причем сток соединяется с первым сигналом, затвор соединяется с управляющим сигналом для управления включением или отключением ТПТ, исток выводит первый сигнал, когда ТПТ включается, четвертый электрод и затвор соответственно расположены на двух сторонах полупроводникового слоя, и четвертый электрод является проводящим и выборочно соединяется с напряжениями разного уровня, причем первый сигнал является контрольным сигналом, и исток соединен с проверяемой линией сканирования или линией данных. Изобретение обеспечивает уменьшение тока утечки в канале переключающего ТПТ, чтобы улучшить переключающую характеристику при отключении ТПТ. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 6 ил.

ПРЕДПОСЫЛКИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ

1. Область техники

Настоящее изобретение относится к технологии изготовления жидкокристаллических дисплеев (ЖК-дисплеев) и, более конкретно, к переключающему тонкопленочному транзистору (ТПТ) и к способу его изготовления.

2. Описание уровня техники

В области детектирования панели ЖК-дисплея существуют две общепринятые конструкции схем детектирования. Одна - это схема детектирования, непосредственно соединенная с линиями сканирования или линиями данных в области отображения панели, и после детектирования необходимо разрезать соединение между контрольной схемой и схемой в области отображения, используя лазер. Другая - это контрольная схема, соединенная с линией сигнала в области отображения посредством переключающего ТПТ. Сигнал подается в область отображения через переключающий ТПТ, когда на затвор переключающего ТПТ подается высокое напряжение, чтобы включить его. Напротив, поскольку переключающий ТПТ отключается, чтобы разорвать соединение между контрольной линией и линией сканирования или линией данных в ответ на низкое напряжение, подаваемое на затвор переключающего ТПТ, когда панель работает в нормальном режиме, процесс лазерной резки не применяется.

Известно, что переключающий ТПТ для схемы детектирования имеет три электрода, а именно затвор, сток и исток. Затвор ТПТ находится в режиме отрицательного смещения в долгосрочном плане, когда панель работает в нормальном режиме, и, поэтому, электрическая характеристика полупроводникового слоя ТПТ изменяется, чтобы увеличить ток утечки. На Фиг. 1 показана принципиальная схема известного переключающего ТПТ. Как показано на Фиг. 1, закорачивающая перемычка соединяет стоки 11 и 14 двух ТПТ. Истоки 12 и 15 двух ТПТ соответственно соединены с разными линиями сканирования (GL) или линиями данных (DL). Когда на два затвора 13 и 16 ТПТ подается низкое напряжение, эти два ТПТ отключаются. Если ток утечки протекает через эти два ТПТ и закорачивающую перемычку, возникает короткое замыкание между упомянутыми разными линиями сканирования или линиями данных, т.е. короткое замыкание между разными сигналами, которое ухудшает качество отображения.

РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Настоящее изобретение предлагает переключающий ТПТ и способ его изготовления для уменьшения тока утечки в канале переключающего ТПТ, чтобы улучшить переключающую характеристику при отключении ТПТ.

Согласно настоящему изобретению, переключающий тонкопленочный транзистор (ТПТ) имеет затвор, сток, исток, полупроводниковый слой и четвертый электрод. Сток соединен с первым сигналом. Затвор соединен с управляющим сигналом для управления включением или отключением ТПТ. Исток выводит первый сигнал, когда ТПТ включается. Четвертый электрод и затвор соответственно расположены на двух сторонах полупроводникового слоя. Четвертый электрод является проводящим и выборочно соединяется с напряжениями разного уровня.

В одном аспекте настоящего изобретения затвор и четвертый электрод соединяются с напряжением высокого уровня, когда ТПТ включается.

В еще одном аспекте настоящего изобретения уровень напряжения четвертого электрода идентичен уровню напряжения затвора.

В еще одном аспекте настоящего изобретения уровень напряжения четвертого электрода отличается от уровня напряжения затвора.

В еще одном аспекте настоящего изобретения переключающий ТПТ, кроме того, включает пассивирующий слой и подзатворный слой между затвором и полупроводниковым слоем. Сток и исток расположены между полупроводниковым слоем и пассивирующим слоем. Четвертый электрод расположен на пассивирующем слое. Когда переключающий ТПТ отключается, затвор соединяется с напряжением низкого уровня. Четвертый электрод соединяется с напряжением высокого уровня, чтобы отвести накопившиеся электроны со стороны затвора в полупроводниковом слое, и после этого соединяется с напряжением низкого уровня.

В еще одном аспекте настоящего изобретения уровень напряжения четвертого электрода идентичен уровню напряжения затвора, когда четвертый электрод соединен с напряжением низкого уровня.

В еще одном аспекте настоящего изобретения уровень напряжения четвертого электрода отличается от уровня напряжения затвора, когда четвертый электрод соединен с напряжением низкого уровня.

В еще одном аспекте настоящего изобретения переключающий ТПТ, кроме того, включает пассивирующий слой и подзатворный слой на затворе. Сток и исток расположены между подзатворным слоем и полупроводниковым слоем. Четвертый электрод расположен на полупроводниковом слое. Пассивирующий слой окружает четвертый электрод. Когда переключающий ТПТ отключается, затвор соединяется с напряжением низкого уровня, и четвертый электрод заземляется, чтобы отвести накопившиеся электроны со стороны затвора в полупроводниковом слое.

В еще одном аспекте настоящего изобретения первый сигнал является контрольным сигналом, и исток соединен с проверяемой линией сканирования или линией данных.

Согласно настоящему изобретению, способ изготовления переключающего ТПТ включает: формирование затвора, соединяющегося с управляющим сигналом, чтобы управлять включением и отключением переключающего ТПТ, и под-затворного слоя на подложке по очереди; формирование полупроводникового слоя на подзатворном слое; формирование стока, соединяющегося с первым сигналом, и истока на полупроводниковом слое, соответственно, и закрывание полупроводникового слоя пассивирующим слоем; и формирование четвертого электрода на пассивирующем слое, и четвертый электрод выборочно соединяется с напряжениями разного уровня.

Согласно настоящему изобретению, способ изготовления переключающего ТПТ включает: формирование затвора, соединяющегося с управляющим сигналом для управления включением или отключением ТПТ, и подзатворного слоя на подложке по очереди; формирование стока, соединяющегося с первым сигналом, и истока на подзатворном слое соответственно; формирование полупроводникового слоя на стоке и истоке в контакте с подзатворным слоем; формирование четвертого электрода на полупроводниковом слое и закрывание окружения четвертого электрода пассивирующим слоем, и четвертый электрод выборочно соединяется с напряжениями разного уровня.

Преимущество настоящего изобретения заключается в том, что в дополнение к затвору, стоку и истоку, обычным для известного переключающего ТПТ, в переключающий ТПТ добавлен четвертый электрод. Сток соединен с первым сигналом и затвор соединен с управляющим сигналом, чтобы управлять включением или отключением переключающего ТПТ. Первый сигнал выводится с истока, когда ТПТ включается. Четвертый электрод и затвор соответственно расположены на двух сторонах полупроводникового слоя. Четвертый электрод является проводящим и выборочно соединяется с разными уровнями напряжения, этим уменьшая ток утечки в канале, чтобы улучшить переключающую характеристику при отключении ТПТ.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

На Фиг. 1 показана принципиальная схема известного переключающего ТПТ.

На Фиг. 2 показан переключающий ТПТ согласно первому варианту осуществления настоящего изобретения.

На Фиг. 3 представлен вид в поперечном разрезе переключающего ТПТ согласно первому варианту осуществления настоящего изобретения.

На Фиг. 4 представлен вид в поперечном разрезе переключающего ТПТ согласно второму варианту осуществления настоящего изобретения.

На Фиг. 5 приведена блок-схема способа изготовления переключающего ТПТ, показанного на Фиг. 3.

На Фиг. 6 приведена блок-схема способа изготовления переключающего ТПТ, показанного на Фиг. 4.

ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ПРЕДПОЧТИТЕЛЬНЫХ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Обратимся к Фиг. 2. На Фиг. 2 показан переключающий ТПТ согласно первому варианту осуществления настоящего изобретения. Как видно на Фиг. 2, переключающий ТПТ 20 включает затвор G, сток D, исток S, полупроводниковый слой 23 между затвором G, стоком D и истоком S и четвертый электрод В. Сток D соединен с первым сигналом, затвор G соединен с управляющим сигналом, чтобы управлять включением или отключением переключающего ТПТ 20. Первый сигнал выводится с истока S, когда переключающий ТПТ 20 включается. Четвертый электрод В и затвор G соответственно расположены на двух сторонах полупроводникового слоя 23. Четвертый электрод В выборочно соединяется с напряжениями разного уровня. Затвор G, сток D, исток S и четвертый электрод В изготовлены из проводящего материала.

В настоящем изобретении переключающий ТПТ 20 может быть применен в разных схемах, таких как переключающий ТПТ, соединенный с электродом пикселя, контрольная схема или макетная плата ЖК-дисплея с активной матрицей. Предпочтительно, переключающий ТПТ 20 предназначен для использования в контрольной схеме. В это время первый сигнал, соединенный со стоком D, является контрольным сигналом, сток S соединен с проверяемой схемой, которой является линия данных DL или линия сканирования GL. В качестве примера, ниже приведено описание применения переключающего ТПТ в контрольной схеме.

В данном варианте осуществления затвор G и четвертый электрод В соединяются с напряжением высокого уровня, когда переключающий ТПТ 20 включается. В это время уровень напряжения четвертого электрода В или соответствует уровню напряжения затвора G, или отличается от него. Следует сказать, что разница между двумя уровнями напряжения имеет ограниченный интервал. Когда переключающий ТПТ 20 начинает отключаться, затвор G соединен с напряжением низкого уровня и четвертый электрод В выборочно соединяется с напряжениями разного уровня для отвода тока утечки со стороны затвора G в полупроводниковом слое 23. И затем четвертый электрод В также соединяется с напряжением низкого уровня. Уровень напряжения четвертого электрода В или соответствует уровню напряжения затвора G или отличается от него. Следует сказать, что разница между двумя уровнями напряжения имеет ограниченный интервал.

На Фиг. 3 представлен вид в поперечном разрезе переключающего ТПТ согласно первому варианту осуществления настоящего изобретения. Как показано на Фиг. 3, переключающий ТПТ 20 включает затвор G на базе 21, подзатворный слой 22 на затворе G и полупроводниковый слой 23 на подзатворном слое 22. Сток D и исток S выполнены на полупроводниковом слое 23 и разделены пассивирующим слоем 24. Пассивирующий слой 24 также закрывает всю поверхность. Четвертый электрод В расположен над зазором между стоком D и истоком S и заходит на сток D и исток S. Два слоя n+25 с повышенной концентрацией электронов расположены соответственно между стоком D и полупроводниковым слоем 23 и между истоком S и полупроводниковым слоем 23. Эти два слоя n+25 являются, соответственно, частью стока D или истока S и значительно уменьшают сопротивление канала, когда переключающий ТПТ 20 включается.

В данном варианте осуществления затвор расположен на одной стороне полупроводникового слоя, а сток и исток расположены на противоположной стороне полупроводникового слоя. Затвор G соединен с напряжением низкого уровня, и четвертый электрод В соединен с напряжением высокого уровня, чтобы отводить накопившиеся электроны со стороны затвора G в полупроводниковом слое 23 для уменьшения тока утечки, когда переключающий ТПТ 20 отключается. Напряжение низкого уровня четвертого электрода В или соответствует напряжению затвора G, или отличается от него. Следует сказать что разница между двумя уровнями напряжения имеет ограниченный интервал. Случай, когда переход с напряжения высокого уровня на напряжение низкого уровня, подаваемое на четвертый электрод В, подобен переходу с напряжения высокого уровня на напряжение низкого уровня, подаваемое на затвор G, когда переключающий ТПТ отключается. Поэтому происходит утечка электронов, накопившихся на стороне, удаленной от стороны затвора G в полупроводниковом слое 23, а также электронов, рядом со стороной затвора G в полупроводниковом слое 23.

На Фиг. 4 представлен вид в поперечном разрезе переключающего ТПТ согласно второму варианту осуществления настоящего изобретения. Как показано на Фиг. 4, переключающий ТПТ 30 включает затвор G на базе 31, подзатворный слой 32 на затворе G. Сток D и исток S расположены на подзатворном слое 32 и разделены полупроводниковым слоем 33. Полупроводниковый слой 33 также покрывает весь сток D и исток S. Четвертый электрод В расположен над зазором между стоком D и истоком S и заходит на сток D и исток S, но не закрывает весь сток D и исток S. Остальная поверхность покрыта пассивирующим слоем 34, окружающим четвертый электрод В, и между пассивирующим слоем 34 и четвертым электродом В есть определенный зазор. Два слоя 35 n+ с повышенной концентрацией электронов расположены, соответственно, между стоком D и полупроводниковым слоем 32 и между истоком S и полупроводниковым слоем 32. Эти два слоя n+35 являются, соответственно, частью стока D или истока S и значительно уменьшают сопротивление канала, когда переключающий ТПТ 30 включается. Затвор G, сток D, исток S и четвертый электрод В являются проводящими.

В данном варианте осуществления затвор G, сток D и исток S расположены, соответственно, на одной стороне полупроводникового слоя 33, и четвертый электрод В и затвор G расположены, соответственно, на двух сторонах полупроводникового слоя 33. Затвор G соединен с напряжением низкого уровня, и четвертый электрод В заземляется, чтобы отводить накопившиеся электроны со стороны затвора G в полупроводниковом слое 33 для уменьшения тока утечки, когда переключающий ТПТ 30 отключается. Когда четвертый электрод В соединен с напряжением низкого уровня, электроны на удалении от стороны затвора G в полупроводниковом слое 33, которая расположена рядом с четвертым электродом В, отводятся непосредственно через четвертый электрод В, поскольку четвертый электрод В непосредственно контактирует с полупроводниковым слоем 33. Уровень напряжения четвертого электрода В или соответствует уровню напряжения затвора G, или отличается от него. Обратите внимание, что разница между двумя уровнями напряжения имеет ограниченный интервал.

Теперь обратимся к Фиг. 5. На Фиг. 5 приведена блок-схема способа изготовления переключающего ТПТ, показанного на Фиг. 3. Как показано на Фиг. 5, способ изготовления переключающего ТПТ включает следующие этапы.

Этап S101: формирование затвора для соединения с управляющим сигналом, чтобы включать или отключать переключающий ТПТ, и подзатворного слоя на подложке по очереди.

Этап S102: формирование полупроводникового слоя на подзатворном слое.

Этап S103: формирование стока для соединения с первым сигналом и истока на полупроводниковом слое, соответственно, и закрывание пассивирующим слоем. Когда переключающий ТПТ используется в контрольной схеме, первый сигнал является контрольным сигналом, и сток соединяется с контрольной схемой. Контрольной схемой является линия данных или линия сканирования.

Этап S104: формирование четвертого электрода на пассивирующем слое, и четвертый электрод выборочно соединяется с напряжениями разного уровня.

В данном варианте осуществления затвор расположен на одной стороне полупроводникового слоя, а сток и исток расположены на противоположной стороне полупроводникового слоя. Четвертый электрод и затвор соединяются с высоким напряжением, когда ТПТ включается, и напряжение четвертого электрода или идентично напряжению затвора, или отличается от него. Затвор соединяется с низким напряжением и четвертый электрод соединяется с высоким напряжением, чтобы отвести накопившиеся электроны со стороны затвора в полупроводниковом слое для уменьшения тока утечки, когда переключающий ТПТ отключается. После этого четвертый электрод соединяется с низким напряжением, и напряжение четвертого электрода или идентично напряжению затвора, или отличается от него. Следует сказать что разница между двумя уровнями напряжения имеет ограниченный интервал.

Теперь обратимся к Фиг. 6. На Фиг. 6 приведена блок-схема способа изготовления переключающего ТПТ, показанного на Фиг. 4. Как показано на Фиг. 6, способ изготовления переключающего ТПТ включает следующие этапы.

Этап S201: формирование затвора для соединения с управляющим сигналом, чтобы управлять включением или отключением переключающего ТПТ, и подзатворного слоя на подложке по очереди.

Этап S202: формирование стока для соединения с первым сигналом и истока на подзатворном слое, соответственно. Когда переключающий ТПТ используется в контрольной схеме, первый сигнал является контрольным сигналом, и исток используется для соединения с проверяемой схемой. Контрольной схемой является линия данных или линия сканирования.

Этап S203: формирование полупроводникового слоя на стоке и истоке и обеспечение контакта с подзатворным слоем.

Этап S204: формирование четвертого электрода на полупроводниковом слое и закрывание окружения четвертого электрода пассивирующим слоем, и четвертый электрод выборочно соединяется с напряжениями разного уровня.

В данном варианте осуществления затвор, сток и исток расположены на одной стороне полупроводникового слоя. Четвертый электрод и затвор соединяются с высоким напряжением, когда ТПТ включается, и напряжение четвертого электрода или идентично напряжению затвора, или отличается от него. Затвор соединяется с низким напряжением и четвертый электрод заземляется, чтобы отводить электроны со стороны затвора в полупроводниковом слое для уменьшения тока утечки, когда переключающий ТПТ отключается. Напряжение четвертого электрода или идентично напряжению затвора, или отличается от него после отключения переключающего ТПТ. Следует сказать что разница между двумя уровнями напряжения имеет ограниченный интервал.

Суммируя вышесказанное, настоящее изобретение предлагает переключающий ТПТ, включающий затвор, сток, исток и четвертый электрод. Сток соединяется с первым сигналом, затвор соединяется с управляющим сигналом для управления включением или отключением ТПТ, и исток передает первый сигнал, когда ТПТ включается. Четвертый электрод и затвор расположены на двух сторонах истока и стока. Четвертый электрод является проводящим и выборочно соединяется с разными уровнями напряжения, этим уменьшая ток утечки в канале, чтобы улучшить переключающую характеристику при отключении ТПТ.

Специалисты в данной области техники легко поймут, что в устройство могут быть внесены многочисленные модификации и изменения, но без изменения объема изобретения. Соответственно, приведенное выше раскрытие должно истолковываться как ограниченное только объемом прилагаемой формулы изобретения.

1. Переключающий тонкопленочный транзистор (ТПТ), включающий затвор, сток, исток, полупроводниковый слой и четвертый электрод, причем сток соединяется с первым сигналом, затвор соединяется с управляющим сигналом для управления включением или отключением ТПТ, исток выводит первый сигнал, когда ТПТ включается, четвертый электрод и затвор соответственно расположены на двух сторонах полупроводникового слоя и четвертый электрод является проводящим и выборочно соединяется с напряжениями разного уровня, причем первый сигнал является контрольным сигналом и исток соединен с проверяемой линией сканирования или линией данных.

2. Переключающий ТПТ по п. 1, отличающийся тем, что затвор и четвертый электрод соединяются с напряжением высокого уровня, когда ТПТ включается.

3. Переключающий ТПТ по п. 2, отличающийся тем, что уровень напряжения четвертого электрода идентичен уровню напряжения затвора.

4. Переключающий ТПТ по п. 2, отличающийся тем, что уровень напряжения четвертого электрода отличается от уровня напряжения затвора.

5. Переключающий ТПТ по п. 1, кроме того, включающий пассивирующий слой и подзатворный слой между затвором и полупроводниковым слоем, причем сток и исток расположены между полупроводниковым слоем и пассивирующим слоем, четвертый электрод расположен на пассивирующем слое; когда переключающий ТПТ отключается, затвор соединяется с напряжением низкого уровня, четвертый электрод соединяется с напряжением высокого уровня, чтобы отвести накопившиеся электроны со стороны затвора в полупроводниковом слое, и после этого соединяется с напряжением низкого уровня.

6. Переключающий ТПТ по п. 5, отличающийся тем, что уровень напряжения четвертого электрода идентичен уровню напряжения затвора, когда четвертый электрод соединяется с напряжением низкого уровня.

7. Переключающий ТПТ по п. 5, отличающийся тем, что уровень напряжения четвертого электрода отличается от уровня напряжения затвора, когда четвертый электрод соединяется с напряжением низкого уровня.

8. Переключающий ТПТ по п. 1, кроме того, включающий пассивирующий слой и подзатворный слой на затворе, причем сток и исток расположены между подзатворным слоем и полупроводниковым слоем, четвертый электрод расположен на полупроводниковом слое, пассивирующий слой окружает четвертый электрод; когда переключающий ТПТ отключается, затвор соединяется с напряжением низкого уровня, и четвертый электрод заземляется, чтобы отвести накопившиеся электроны со стороны затвора в полупроводниковом слое.

9. Способ изготовления переключающего ТПТ, включающий:

формирование затвора, соединяющегося с управляющим сигналом, чтобы управлять включением и отключением переключающего ТПТ, и подзатворного слоя на подложке по очереди;

формирование полупроводникового слоя на подзатворном слое;

формирование стока, соединяющегося с первым сигналом, и истока на полупроводниковом слое и закрывание полупроводникового слоя пассивирующим слоем и

формирование четвертого электрода на пассивирующем слое, причем четвертый электрод выборочно соединяется с разными уровнями напряжения,

причем способ, кроме того, включает:

формирование затвора, соединяющегося с управляющим сигналом для управления включением или отключением ТПТ, и подзатворного слоя на подложке по очереди;

формирование стока, соединяющегося с первым сигналом, и истока на подзатворном слое;

формирование полупроводникового слоя на стоке и истоке в контакте с подзатворным слоем и

формирование четвертого электрода на полупроводниковом слое и закрывание окружения четвертого электрода пассивирующим слоем, причем четвертый электрод выборочно соединяется с разными уровнями напряжения.

Настоящее изобретение относится к тонкопленочному транзистору из низкотемпературного поликристаллического кремния, который обладает определенными электрическими характеристиками и надежностью, и к способу изготовления такого тонкопленочного транзистора.

Полевой транзистор и способ изготовления полевого транзистора // 2631405

Предоставлен полевой транзистор, содержащий электрод затвора, предназначенный для приложения напряжения затвора, электрод истока и электрод стока, оба из которых предназначены для вывода электрического тока, активный слой, образованный из оксидного полупроводника n-типа, предусмотренный в контакте с электродом истока и электродом стока, и изолирующий слой затвора, предусмотренный между электродом затвора и активным слоем, при этом работа выхода электрода истока и электрода стока составляет 4,90 эВ или более, а концентрация электронов - носителей заряда оксидного полупроводника n-типа составляет 4,0×1017 см-3 или более.

Полевой транзистор, элемент отображения, устройство отображения изображений и система // 2630708

Изобретение относится к полевому транзистору и устройству отображения изображений. Полевой транзистор включает в себя основу, пассивирующий слой, изолирующий слой затвора, сформированный между ними, электрод истока и электрод стока, которые формируются находящимися в контакте с изолирующим слоем затвора, слой полупроводника, который сформирован между по меньшей мере электродом истока и электродом стока и находится в контакте с изолирующим слоем затвора, электродом истока и электродом стока, а также электрод затвора, который находится в контакте с изолирующим слоем затвора и обращен к слою полупроводника через изолирующий слой затвора, при этом пассивирующий слой содержит первый пассивирующий слой, который содержит первый композитный оксид металла, содержащий Si и щелочноземельный металл, а также второй пассивирующий слой, который формируется находящимся в контакте с первым пассивирующим слоем и содержит второй композитный оксид металла, содержащий щелочноземельный металл и редкоземельный элемент.

Тонкопленочный транзистор, подложка матрицы и панель дисплея // 2627934

Изобретение относится к тонкопленочному транзистору, подложке матрицы и панели дисплея. Тонкопленочный транзистор ТПТ включает затвор, первый изолирующий слой, расположенный над затвором, второй изолирующий слой, расположенный над первым изолирующим слоем, полупроводниковый слой, исток и сток, расположенные между первым изолирующим слоем и вторым изолирующим слоем, слой омического контакта, расположенный между полупроводниковым слоем, истоком и стоком, причем слой омического контакта включает отверстие, проходящее через слой омического контакта посредством зазора между истоком и стоком, чтобы открыть полупроводниковый слой, и второй изолирующий слой соединяется с полупроводниковым слоем через это отверстие, и проводящий слой, расположенный над вторым изолирующим слоем.

Способ изготовления высокоэффективных и стабильных в электрическом отношении полупроводниковых слоев оксидов металлов, слои, изготовленные по этому способу, и их применение // 2601210

Настоящее изобретение касается способа изготовления полупроводникового ламината, включающего в себя первый и второй слои оксида металла, а также слой диэлектрика, причем первый слой оксида металла располагается между вторым слоем оксида металла и слоем диэлектрика и имеет толщину равную или менее 20 нм.

Оксид р-типа, получение оксидной композиции р-типа, способ получения оксида р-типа, полупроводниковый прибор, индикаторное устройство, аппаратура воспроизведения изображения и система // 2556102

Изобретение относится к оксиду р-типа, оксидной композиции р-типа, способу получения оксида р-типа, полупроводниковому прибору, аппаратуре воспроизведения изображения и системе.

Туннельный полевой транзистор на основе графена // 2554694

Изобретение относится к области наноэлектроники. В туннельном полевом транзисторе с изолированным затвором, содержащем электроды истока и стока, выполненные из монослойного графена и лежащие на изолирующей подложке в одной плоскости, а также затвор, выполненный из проводящего материала и расположенный над областями истока, туннельного перехода и стока, электроды истока и стока ориентированы друг к другу кристаллографически ровным краем типа зигзаг и разделены туннельно-прозрачным для носителей заряда вакуумным барьером.

Жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки, металлооксидная тонкая пленка, полевой транзистор и способ получения полевого транзистора // 2546725

Изобретение относится к металлооксидным тонким пленкам, используемым при изготовлении полевого транзистора. Жидкость для нанесения покрытия с образованием металлооксидной тонкой пленки включает неорганическое соединение индия, по меньшей мере одно из неорганического соединения магния и неорганического соединения цинка, простой гликолевый эфир и диол, причем диол выбран из по меньшей мере одного из диэтиленгликоля, 1,2-пропандиола и 1,3-бутандиола.

Полупроводниковое устройство и способ его изготовления // 2503085

Изобретение относится к полупроводниковым устройствам. Полупроводниковое устройство содержит тонкопленочный транзистор, содержащий шину затвора, первую изолирующую пленку, оксидно-полупроводниковый слой в форме островка, вторую изолирующую пленку, шину истока, электрод стока и пассивирующую пленку, а также контактную площадку, содержащую первый соединительный элемент, изготовленный из той же проводящей пленки, что и шина затвора, второй соединительный элемент, изготовленный из той же проводящей пленки, что и шина истока и электрод стока, и третий соединительный элемент, сформированный на втором соединительном элементе.

Полупроводниковое устройство // 2488191

Изобретение относится к полупроводниковому устройству со схемой защиты от электростатического разряда. .

Полевой транзистор и способ изготовления полевого транзистора // 2631405

Изготовление свободного от дефектов устройства на основе ребра в области поперечного эпитаксиального наращивания // 2626970

Изобретение относится к структурам электронных схем. Ребра электронного устройства сформированы путем эпитаксиального выращивания первого слоя материала поверх поверхности подложки на дне щели, сформированной между боковыми стенками областей узкощелевой изоляции (STI).

Способ изготовления силового полупроводникового транзистора // 2623845

Изобретение относится к области технологии микроэлектроники, в частности к технологии изготовления силовых полевых транзисторов с вертикально расположенным затвором.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2596861

Изобретение относиться к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов, с пониженными токами утечки.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2584273

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение токов утечек, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов.

Регулирование порогового напряжения за счет модификации диэлектрической многослойной затворной структуры // 2538356

Изобретение относится к полевым транзисторам, имеющим различные пороговые напряжения за счет модификации диэлектрической многослойной затворной структуры. Полупроводниковая структура содержит первый полевой транзистор, имеющий первую многослойную затворную структуру, которая включает в себя первый диэлектрик затвора, имеющий высокое значение диэлектрической постоянной, превышающее 4,0, участок металлического затвора, по меньшей мере один металлический участок и первый проводящий участок материала затвора, и второй полевой транзистор, имеющий вторую многослойную затворную структуру, которая включает в себя второй диэлектрик затвора, имеющий высокое значение диэлектрической постоянной, превышающее 4,0, по меньшей мере один диэлектрический металлооксидный участок и второй проводящий участок материала затвора, причем первый полевой транзистор и второй полевой транзистор имеют различные пороговые напряжения.

Способ изготовления мощных кремниевых свч ldmos транзисторов // 2535283

Изобретение относится к электронной технике. В способе изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов нанесенный на подзатворный диэлектрик поликремний покрывают тугоплавким металлом, высокотемпературным отжигом формируют полицид тугоплавкого металла на поверхности поликремния, методом фотолитографии создают из полицида тугоплавкого металла и расположенного под ним слоя поликремния полицидные затворные зубцы элементарных ячеек с прилегающими к ним со стороны истока ответвленными контактными площадками и используют их в качестве защитной маски при внедрении в подложку ионов бора, фосфора и мышьяка при формировании соответственно p-карманов, многоступенчатых слаболегированных n--областей стока и высоколегированных n+-областей стока и истока элементарных ячеек, а точечное шунтирование полицидных затворных зубцов ячеек металлическими шинами осуществляют через примыкающие к затворным зубцам полицидные ответвленные контактные площадки, причем в высокоомном эпитаксиальном p--слое подложки под ответвленными контактными площадками поликремниевых затворных зубцов формируют дополнительные локальные высоколегированные n+-области с более высокой степенью легирования по сравнению с p-карманами элементарных ячеек.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2531122

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области силовых полупроводниковых приборов, в частности к силовым БТИЗ и ДМОП транзисторам. В способе изготовления полупроводникового прибора на полупроводниковой подложке первого типа проводимости создают подзатворный диэлектрик, затворный электрод и межслойную изоляцию над затворным электродом, далее в окнах затворного электрода создают методами ионной имплантации и термической диффузии канальную и истоковую области второго и первого типа проводимости соответственно, вскрывают контакты металлического истока с истоковыми и канальными диффузионными областями, располагающимися в середине окон затворного электрода в слое кремния, на глубине, превышающей глубину истоковых областей, и контакты металлического электрода затвора через межслойный диэлектрик к поликремниевому электроду затвора с использованием единой фоторезистивной маски в едином технологическом плазмохимическом процессе травления окисла кремния и кремния путем подбора скорости травления окисла над затвором и скорости травления кремния.

Способ изготовления мощных кремниевых свч ldmos транзисторов с модернизированным затворным узлом элементарных ячеек // 2639579

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на создание рентабельного базового процесса изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов с диапазоном рабочих частот до 3,0…3,6 ГГц на более доступном и менее дорогостоящем технологическом оборудовании. Это достигается тем, что в известном способе изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов с модернизированным затворным узлом элементарных ячеек, включающем создание сквозных истоковых р+-перемычек элементарных транзисторных ячеек в высокоомном эпитаксиальном р--слое исходной кремниевой р-р+-подложки, выращивание подзатворного диэлектрика на лицевой поверхности подложки, нанесение на подзатворный диэлектрик слоя поликремния и легирование его фосфором, нанесение на поликремний тугоплавкого металла, формирование полицида тугоплавкого металла, создание из полицида тугоплавкого металла и расположенного под ним слоя поликремния методом фотолитографии полицидных электродов затвора элементарных ячеек в виде узких протяженных продольных зубцов прямоугольного сечения, создание в высокоомном р--слое подложки р-карманов, многоступенчатых слаболегироваиных n--областей стока и высоколегированных n+-областей стока и истока элементарных ячеек посредством внедрения в подложку соответственно ионов бора, фосфора и мышьяка при использовании в качестве защитной маски полицидных электродов затвора и слоев фоторезиста и последующего диффузионного перераспределения внедренных в подложку примесей, поэтапное осаждение многоуровневого межслойного диэлектрика на лицевую поверхность подложки и поэтапное вскрытие в нем контактных окон над высоколегированными р+-перемычками, высоколегированными n+-областями стока и истока и точечно над полицидными электродами затвора элементарных ячеек, формирование многоуровневых металлических электродов стока и шунтирующих шин затвора, а также заземленных на исток экранирующих электродов элементарных ячеек на лицевой поверхности подложки и общего металлического электрода истока транзисторной структуры на ее тыльной стороне, сначала создают узкие полицидные продольные зубцы затворного узла элементарных ячеек и используют их в качестве защитной маски при внедрении в подложку ионов бора, фосфора и мышьяка при формировании соответственно р-карманов, многоступенчатых слаболегированных n--областей стока и высоколегированных n+-областей стока и истока элементарных ячеек, а металлические проводники, точечно шунтирующие продольные полицидные затворные зубцы элементарных ячеек формируют одновременно с 1-ым уровнем шунтирующих шин затвора транзисторной структуры над сквозными истоковыми р+-перемычками в высокоомном эпитаксиальном р--слое подложки и из того же материала. 7 ил.