Способ изготовления полупроводникового прибора

Авторы патента:

Хасанов Асламбек Идрисович (RU)

Мустафаев Арслан Гасанович (RU)

Мустафаев Гасан Абакарович (RU)

H01L21/338 - с затвором в виде барьера Шотки

H01L21/265 - с внедрением ионов (трубки с ионным пучком для локальной обработки H01J 37/30)

Владельцы патента RU 2641617:

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" (RU)

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженным контактным сопротивлением. В способе изготовления полупроводникового прибора формируют на GaAs подложку области истока/стока n+ - типа внедрением ионов кремния в две стадии: первая стадия с энергией 40 кэВ, дозой 7*10¹³ см^-2, вторая стадия с энергией 100 кэВ, дозой 1*10¹⁴ см^-2 и проводят термообработку при температуре 800°С в атмосфере азота в течение 20 мин. Изобретение обеспечивает снижение сопротивления контактов, технологичность, улучшение параметров, повышение качества и увеличения процента выхода годных. 1 табл.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат.5373191 США, МКИ H01L 29/80] в котором с целью снижения паразитных сопротивлений металлический затвор формируется в углублении, ширина которого определяется шириной канавки в верхнем п+GaAs - слое и толщиной пристеночных изолирующих спейсеров. В таких структурах образуются механические напряжения, которые ухудшают электрофизические параметры приборов.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат.5296398 США, МКИ H01L 21/338] с пониженным сопротивлением истока. Структура с WSi - затвором на легированной канальной области покрывается слоем SiON, который травлением удаляется со стороны истока. Проводится имплантация с образованием глубокой области стока и мелкой стоковой области с относительно меньшим уровнем легирования и отделенным от электрода затвора участком канала.

Недостатками способа являются:

- повышенные значения контактного сопротивления;

- низкая технологичность;

- высокие значения токов утечек.

Задача, решаемая изобретением, снижение контактного сопротивления, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличения процента выхода годных.

Задача решается формированием областей истока/стока n+ - типа, внедрением ионов кремния в две стадии: первая стадия с энергией 40 кэВ, дозой 7*10¹³ см^-2, вторая стадия с энергией 100 кэВ, дозой 1*10¹⁴ см^-2, с последующей термообработкой при температуре 800°С в течение 20 мин в атмосфере азота.

Технология способа состоит в следующем: на GaAs подложку формировали области истока/стока n+ - типа внедрением ионов кремния в две стадии: первая стадия с энергией 40 кэВ, дозой 7*10¹³ см^-2, вторая стадия с энергией 100 кэВ, дозой 1*10¹⁴ см^-2, затем формируют слой диоксида кремния по стандартной технологии и проводят термообработку при температуре 800°С в атмосфере азота в течение 20 мин. Далее формируют полупроводниковые приборы по стандартной технологии.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.

Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин сформированных в оптимальном режиме увеличился на 20,8%.

Технический результат - снижение контактного сопротивления, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличения процента выхода годных.

Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.

Предлагаемый способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования областей истока/стока n+ - типа внедрением ионов кремния в две стадии: первая стадия с энергией 40 кэВ, дозой 7*10¹³ см^-2, вторая стадия с энергией 100 кэВ, дозой 1*10¹⁴ см^-2, с последующей термообработкой при температуре 800°С в течение 20 мин в атмосфере азота позволяет повысить процент выхода годных.

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку, процессы легирования, создание областей истока/стока, подзатворного диэлектрика, формирование контактов, отличающийся тем, что n+-области истока/стока формируют внедрением ионов кремния в две стадии: первая стадия с энергией 40 кэВ, дозой 7*10¹³ см^-2, вторая стадия с энергией 100 кэВ, дозой 1*10¹⁴ см^-2, с последующей термообработкой при температуре 800°C в течение 20 мин в атмосфере азота.

Изобретение относится к оксиду р-типа, оксидной композиции р-типа, способу получения оксида р-типа, полупроводниковому прибору, аппаратуре воспроизведения изображения и системе.

Способ изготовления полевого нанотранзистора с контактами шоттки с укороченным управляющим электродом нанометровой длины // 2504861

Использование: в области микро- и наноэлектроники. Сущность изобретения: способ изготовления полевого нанотранзистора с контактами Шоттки на истоке/стоке и с управляющим электродом нанометровой длины включает выделение на полупроводниковой подложке активной области прибора, нанесение на поверхность полупроводниковой подложки контактного слоя истока/стока, состоящего из двух слоев - первого (нижнего), более тонкого, чем второй, стойкого к плазмохимическому травлению (ПХТ), в котором создаются заостренные края контактов Шоттки истока/стока и второго (верхнего), травящегося ПХТ, для увеличения общей толщины контактного слоя, обеспечивающего малое сопротивление контактов истока/стока, затем осаждаются слои вспомогательного слоя, состоящего из слоя диэлектрика и слоя металла, в котором методами литографии, самоформирования, плазмохимического травления формируется нанометровая щель, через которую производится плазмохимическое травление материала второго (верхнего) слоя контактного слоя истока/стока, а для дальнейшего уменьшения длины управляющего электрода и изоляции его от контактов истока/стока в сформированную нанометровую щель осаждается диэлектрик с низким значением диэлектрической проницаемости, плазмохимическим травлением на боковых стенках щели формируются диэлектрические спейсеры и изотропным химическим травлением удаляется металл первого (нижнего) слоя контактного слоя на дне щели, с последующим осаждением в эту углубленную щель подзатворного диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости и материала управляющего электрода, и проводится формирование затвора, при этом одновременно с управляющим электродом формируется контактная площадка управляющего электрода, а после удаления вспомогательного слоя с незащищенных участков формируются контактные площадки для истока/стока.

Способ изготовления свч полевого транзистора с барьером шотки // 2465682

Изобретение относится к электронной технике. .

Способ изготовления полевых транзисторов с самосовмещенным затвором субмикронной длины // 2436186

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полевых транзисторов. .

Способ изготовления полупроводникового прибора с т-образным управляющим электродом // 2421848

Изобретение относится к технологии микро- и наноэлектроники. .

Способ изготовления свч полевого транзистора с барьером шотки // 2361319

Изобретение относится к электронной технике. .

Способ изготовления полевого транзистора с барьером шоттки // 2349987

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано для изготовления полевых транзисторов с барьером Шоттки. .

Способ изготовления полевого транзистора с затвором типа барьера шоттки // 2349986

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к способу изготовления полевых транзисторов с затвором типа барьера Шоттки, и может быть использовано для улучшения и стабилизации их параметров и отбраковки потенциально ненадежных приборов.

Способ изготовления мощных свч полевых транзисторов с барьером шоттки // 2227344

Способ изготовления полупроводникового прибора с т-образным управляющим электродом субмикронной длины // 2192069

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано при производстве как полупроводниковых приборов и интегральных схем, так и приборов функциональной микроэлектроники: магнитоэлектроники, оптоэлектроники, акустоэлектроники, ПЗС и др.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2633799

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки.

Способ изготовления полупроводниковой структуры // 2629655

Изобретение относиться к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковой структуры кремний на диэлектрике с низкой плотностью дефектов.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2626292

Способ получения полупроводникового карбидокремниевого элемента // 2613013

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии производства электронных приборов на карбиде кремния (SiC), например, МДП транзисторов с улучшенными рабочими характеристиками.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2606246

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с повышенной стабильностью параметров.

Дифракционная периодическая микроструктура на основе пористого кремния // 2597801

Изобретение относится к устройствам дифракционных периодических микроструктур для видимого диапазона, выполненным на основе пористого кремния. Техническим результатом изобретения является создание дифракционной периодической микроструктуры на основе пористого кремния с различными металлосодержащими наночастицами.

Способ легирования кремния // 2597389

Изобретение относится к технике, связанной с процессами ионно-плазменного легирования полупроводников и может быть использовано в производстве солнечных элементов, полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на основе кремния.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2594615

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления силицидных слоев с низким сопротивлением.

Способ изготовления дифракционной периодической микроструктуры на основе пористого кремния // 2593912

Способ изготовления дифракционной периодической микроструктуры на основе пористого кремния включает в себя формирование заданной дифракционной периодической микроструктуры с помощью имплантации ионами благородных или переходных металлов через поверхностную маску, с энергией 5-100 кэВ.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2591236

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными значениями контактного сопротивления.

Способ изготовления электрически изолированных резисторов микросхем // 2648295

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способу изготовления электрически изолированных резисторов микросхем на арсениде галлия с высокой термостабильностью. Технический результат заключается в увеличении термостабильности и повышении пробивного напряжения изолирующих слоев микросхем на арсениде галлия. Способ изготовления электрически изолированных резисторов микросхем, заключающийся в изготовлении контактных площадок на эпитаксиальных структурах арсенида галлия, проведении внедрения ионов гелия с энергией 30-150 кэВ и дозой 1,2-1,4 мкКл/см2 для формирования областей изоляции, нанесении маски фоторезиста с последующим формированием окон в фоторезистивной маске для повторного внедрения ионов гелия с энергией 30-150 кэВ и дозой 6-12 мкКл/см2. 10 ил, 1 табл.