Способ измерения толщины тонкой пленки и картирования топографии ее поверхности с помощью интерферометра белого света

Изобретение относится к области метрологии тонких пленок, а именно к способу измерения толщины тонких прозрачных пленок бесконтактным способом с помощью интерферометра. При реализации способа измерения толщины тонкой пленки и картирования топографии ее поверхности с помощью интерферометра белого света подвергают воздействию белого света подложку с нанесенной измеряемой пленкой и измеряют набор коррелограмм. При этом предварительно подвергают воздействию белого света с ограниченной когерентностью подложку, не содержащую измеряемую пленку, и измеряют коррелограммы, после чего выделяют опорную коррелограмму. Кроме того, измерение набора коррелограмм осуществляют по каждому пикселю, которые аппроксимируют взвешенной суммой двух или более опорных коррелограмм, вычисляют набор толщин пленки и положений ее подложки, по результатам которого строятся карты топографии поверхности и толщины пленки. Технический результат - увеличение точности определения толщины тонких пленок и увеличение топографической разрешающей способности топографического картирования поверхности пленки. 3 з.п. ф-лы, 5 ил., 1 табл.

 

Способ измерения толщины тонкой пленки и картирования топографии ее поверхности с помощью интерферометра белого света

Данное изобретение относится к области метрологии тонких пленок, а именно к способу измерения толщины тонких прозрачных пленок бесконтактным способом с помощью оптических приборов.

Известна группа способов измерения толщин тонких пленок, которые широко применяются в промышленности на основе метода эллипсометрии, позволяющего одновременно измерять толщину и показатель преломления пленки (например, Fujiwara Н. Ellipsometry / Handbook of Optical Metrology: Principles and Applications, ed. Yoshizawa Т. - CRC Press: Boca Raton, 2015. - 706 pp.).

Однако этот метод имеет существенные ограничения в части его использования для пленок с высокой шероховатостью поверхности и необходимостью направления света на исследуемый образец под косыми углами.

Поэтому продолжают активно развиваться прочие методы измерения толщин тонких пленок, в первую очередь основанные на применении интерферометрии.

Известен способ бесконтактного непрерывного измерения толщины прозрачной пленки, основанный на направлении лучей света на пленку, их полном внутреннем отражении на границе раздела сред и последующей обработке отраженного света (Патент РФ №2506537). Источник света помещают над/под пленкой так, чтобы образованные лучи света были направлены под углами. Фиксируют изображение искаженного светового пятна, образованного на твердой поверхности под пленкой в результате полного внутреннего отражения света на границе раздела пленка-воздух, на видеокамеру в течение всего времени измерения, обрабатывают на компьютере, измеряют геометрические размеры светового пятна и определяют толщину пленки по формуле: , где h - толщина пленки; D - длина главной диагонали эллипса, аппроксимирующего область светового кольца; d - размер источника света на поверхности; n2 - коэффициент преломления воздуха; n1 - коэффициент преломления материала пленки.

Недостатком данного метода является необходимость оптического доступа к пленке со стороны подложки, что обеспечивает полное внутреннее отражение на поверхностях разделов с уменьшающимся показателем преломления. Кроме того, невозможно измерять толщины пленок из материалов, не прошедших калибровку.

Известен интерференционный метод измерения толщины тонких пленок с помощью устройства, которое содержит источник монохроматического излучения, держатель образца, вращающееся плоское зеркало и приемник излучения, который подсоединен к регистрирующему устройству (Патент РФ №2411448). Ось вращения плоского зеркала расположена на его отражающей поверхности. В устройство введены первое сферическое зеркало и второе сферическое зеркало. Первое сферическое зеркало установлено так, что точка, оптически сопряженная с точкой образца, в которой производятся измерения, находится на оси вращения плоского зеркала в месте падения на него излучения источника. Второе сферическое зеркало установлено с возможностью оптического сопряжения точки образца, в которой производятся измерения, и приемной площадки приемника при различных угловых положениях плоского зеркала.

Недостатком данного метода является избыточная сложность конструкции применяемого устройства.

Популярным является способ измерения толщины пленки и показателя преломления с помощью сканирующей интерферометрии белого света (ИБС, иначе - интерферометрии с ограниченной когерентностью). Данный способ используется для измерения двумерного распределения толщины и показателя преломления прозрачных диэлектрических тонкопленочных структур, применяемых в полупроводниковой электронике (Патент США № 6545763). В основе предложенного способа лежит формула Эйри для плоской волны, испытывающей многократные отражения от плоской прозрачной пленки (Born М. The reflection and transmission coefficients. A homogeneous dielectric film, Principles of Optics. / M. Born, E. Wolf.-Cambridge: Cambridge University Press, 1999. - Pp. 63-69), которая показывает зависимость комплексного коэффициента отражения от толщины пленки. В отсутствии пленки фаза интерферограммы (или, другими словами, в дальнейшем - коррелограммы) линейно зависит от волнового числа k с коэффициентом пропорциональности, равным удвоенному расстоянию отражающей поверхности от положения равенства оптических путей объектного и опорного пучков интерферометра. Дополнительный фазовый сдвиг, вызванный прозрачной пленкой, может быть однозначно разложен на линейную и нелинейную компоненту относительно k, причем нелинейная компонента характеризует именно толщину пленки. Поэтому способ называется методом нелинейного спектра фазы.

Недостатки данного способа определяются тем, что для упрощения анализа используется только часть информации, содержащейся в коррелограмме - а именно, в ее фазе. Информация, содержащаяся в амплитуде, теряется. Также, используемая в способе нелинейная составляющая фазы интерференционного сигнала подвержена значительным шумовым вариациям от точки к точке поверхности пленки (т.е. в направлениях x и y оптического поля объектива). В результате достоверное определение толщин пленки менее 300 нм требует значительного усреднения по пикселям оптического поля, что приводит к снижению латеральной разрешающей способности метода.

Наиболее близким к заявляемому является способ определения толщины пленки, основанный на сравнении измеренной коррелограммы с библиотекой моделированных теоретических коррелограмм (Патент США № 7106454). Зная полностью набор характеристик источника света интерферометра, а также оптических характеристик подложки и пленки, можно теоретически моделировать коррелограммы для любой толщины пленки:

где γ - масштабирующий фактор; F(k) - функция спектральной плотности источника излучения; θ - угол падения луча на поверхность; U(θ) - распределение интенсивности по углу падения; d - толщина пленки; h - высота поверхности в точке z - координате распределения интенсивности коррелограммы вдоль линии сканирования. Сравнение измеренной коррелограммы с вычисленными в соответствии с формулой (1) коррелограммами позволяет выявить вычисленную коррелограмму с наименьшими отклонениями от измеренной и определить соответствующую толщину слоя d.

Недостатком способа является сложность его реализации, сложность теоретического учета всех особенностей конкретного устройства и малая помехоустойчивость вследствие чрезмерного количества входящей информации.

Задачей заявляемого изобретения является разработка способа поточечного (на каждом пикселе) измерения толщины тонкой пленки, расположенной на подложке, с помощью сканирующей ИБС путем использования всей содержащейся в коррелограмме информации о толщине пленки без применения синтеза теоретических коррелограмм.

Техническим результатом изобретения является увеличение точности определения толщины тонких пленок и увеличения разрешающей способности топографического картирования пленки, расположенной на подложке, с помощью аппроксимации измеренной коррелограммы суммой членов, представляющих собой подвергнутую операциям масштабирования и сдвига опорную коррелограмму. Опорная коррелограмма определяется как коррелограмма, полученная во время измерения идентичной подложки, не содержащей измеряемую пленку.

Поставленная задача решается тем, что подложку, не содержащую измеряемую пленку, сначала подвергают воздействию белого света с ограниченной когерентностью с помощью интерферометра, измеряют коррелограммы, выделяют опорную коррелограмму; затем подвергают воздействию белого света подложку с нанесенной измеряемой пленкой, измеряют набор коррелограмм, по коррелограмме на каждом пикселе, которые аппроксимируют взвешенной суммой опорных коррелограмм, используя интерполяцию как измеренных коррелограмм из набора, так и опорной коррелограмм для повышения точности аппроксимации, а затем вычисляют набор толщин пленки и положений ее подложки, по результатам которого строятся карты топографии поверхности и толщины пленки.

В последнем случае опорные коррелограммы являются коррелограммами последовательных отражений луча от границ пленки. При этом для выполнения топографирования поверхность пленки разбивается на пиксели, на каждом из которых определяется коррелограмма. Таким образом, разрешающая способность оптической системы, включая регистрирующую камеру, определяет латеральную разрешающую способность метода.

Аппроксимацию коррелограмм, полученных при измерении подложки с нанесенной пленкой, выполняют с помощью взвешенной суммы опорных коррелограмм с варьируемыми значениями сдвига; при этом толщина пленки и ее положение в направлении сканирования являются параметрами аппроксимации. Значения этих параметров, при которых достигается наилучшая аппроксимация, принимаются как истинные значения толщины пленки и ее положения.

Для наиболее точной аппроксимации производится интерполяция как коррелограмм, измеренных на пленке, так и опорной коррелограммы. Интерполяцию коррелограмм выполняют путем расширения спектра гармониками высоких частот с нулевой амплитудой.

В основе способа лежит использование фундаментального утверждения, что суммарная коррелограмма нескольких лучей может быть получена как сумма отдельных коррелограмм каждого из лучей. В приложении к анализу коррелограмм в присутствии пленок это означает, что суммарная измеренная коррелограмма равна сумме коррелограмм волн, отраженных от поверхностей пленок, в простейшем случае - одной пленки. Причем это утверждение справедливо для пленок любой толщины, в том числе значительно менее длины когерентности интерферометра, что может быть показано следующим образом.

В рамках интерферометрического измерения рассматривается взаимодействие двух главных лучей, отраженных от поверхностей пленки (границы пленка-воздух и пленка-подложка); при этом изменениями, внесенными дальнейшими отражениями, можно пренебречь. Из формулы Френеля следует, что, например, в случае пленок SiO2, имеющихся на поверхности подложек из кремния, амплитуды последовательно отраженных волн соотносятся следующим образом: 1,0000:2,1818:0,1983:0,0180:0,0016 и т.д., что указывает на возможность пренебрежения всеми отраженными волнами кроме первых двух, так как последующие волны дают вклад менее 10%. Это справедливо для большинства практических ситуаций, в которых амплитуды волн более высокого порядка отражения сравнимы с уровнем шума.

Если x(t) - амплитуда электрического поля пучка излучения источника света в интерферометре на регистрирующем элементе фотоприемника интерферометра в зависимости от времени, то эта функция имеет конечное время когерентности и ее автокорреляционная функция K(τ) стремится к нулю с ростом сдвига во времени τ. С точностью до константы интенсивность коррелограммы I отражения от подложки, на которой не имеется измеряемой пленки, определяется выражением

где τ=Δz/c; Δz - разность длин оптических путей объектного и опорного пучков интерферометра, для простоты их интенсивности приняты равными; Т - продолжительность измерения регистрирующей системы так, что T>>τ.

В этом случае i и K(τ) не зависят от T, так как процесс является стационарным случайным процессом. Если принять в рассмотрение два отраженных пучка света со сдвигом во времени на 2d/c, который появляется в случае отражения от пленки оптической толщиной d, и обозначить их амплитуды, отнесенные к амплитуде падающего пучка, как α и β, то интенсивность коррелограммы, отраженной от пленки, записывается как

В этом выражении только последние два слагаемых зависят от τ. Таким образом, с учетом того, что формула (2) показывает эквивалентность частных (опорных) коррелограмм автокорреляционной функции K(τ), то с точностью до константы коррелограмма, определяемая формулой (3), равна сумме коррелограмм двух отдельно взятых отраженных лучей, умноженных на соответствующие коэффициенты Френеля α и β. Поэтому предлагаемый способ суммирования коррелограмм для определения толщины пленки заключается в измерении коррелограммы подложки, не имеющей нанесенную измеряемую пленку (или, иными словами, определении опорной коррелограммы), и последующем измерении коррелограммы той же подложки с нанесенной измеряемой пленкой, которую аппроксимируют суммой двух опорных коррелограмм, умноженных на коэффициенты Френеля α, β. Параметром аппроксимации является толщина пленки d.

Формула (3) соответствует случаю, когда верхняя поверхность пленки находится от фотоприемника интерферометра точно на таком же оптическом расстоянии, что и зеркало опорного плеча интерферометра. На практике эти расстояния не равны, а разность между ними h определяет положение поверхности пленки и является вторым параметром аппроксимации коррелограммы волны, отраженной от пленки, опорными коррелограммами.

Изобретение поясняется чертежами и таблицей. На фиг. 1 представлена блок-схема интерферометра для осуществления заявляемого способа путем измерения коррелограмм белого света; для примера использован интерферометр Миро. На фиг. 2 представлена процедура аппроксимации коррелограммы, полученной отражением от пленки взвешенными опорными коррелограммами. На фиг. 3 представлен пример спектральной интерполяции коррелограммы. На фиг. 4 представлен результат наилучшей аппроксимации коррелограммы, измеренной на пленке SiO2 толщиной 300 нм, выращенной на Si подложке, с использованием источника белого света. На фиг. 5 представлена функция ошибки аппроксимации в зависимости от параметра толщины пленки. В Табл. представлено процентное сравнение возможности попиксельного определения толщины заявляемым способом и методом нелинейного спектра фазы из прототипа.

Позициями на чертежах обозначены: 1 - образец пленки, толщина которой измеряется; 2 - светоделитель; 3 - зеркало опорного плеча интерферометра; 4 - поверхность пленки с выделенным оптическим полем интерферометра; 5 - оптическое поле пленки, разбитое на пиксели; 6 - опорные коррелограммы от поверхностей измеряемой пленки, взвешенные и смещенные в соответствии с ее толщиной и показателем преломления; 7 - сумма опорных коррелограмм.

Предлагаемый способ включает стандартные измерения на сканирующем интерферометре белого света, например типа Миро (в котором объектив включает в себя поз. 2 и 3, фиг. 1). Этот интерферометр используют для сканирования участка поверхности измеряемой пленки (поз. 1, 4, 5, фиг. 1). При сканировании фотоприемник прибора регистрирует в каждой точке сканирования zi распределение интенсивности света по плоскости x, y, параллельной поверхности измеряемой пленки. Записываемая интенсивность определяются интерференцией объектного и опорного пучков интерферометра. В случае отсутствия пленки объектный пучек отражается от поверхности подложки, а при наличии пленки - от обеих ее поверхностей, т.е. в этом случае он уже является результатом сложения пучков отражения. Длина оптического пути опорного пучка в приборе постоянна, а для объектного пучка она пропорциональна z. Разность фаз объектного и опорного пучков пропорциональна z, и фотоприемник регистрирует гармонический интерференционный сигнал при изменении z. Причем амплитуда интерференционного сигнала убывает с ростом z вследствие конечной длины когерентности излучения. То есть полученный затухающий квазигармонический сигнал имеет максимальную амплитуду при условии равенства оптических путей опорного и объектного пучков; амплитуда уменьшается с удалением по z от положения равенства оптических путей. Результирующее распределение интенсивности называется коррелограммой, которая иллюстрирована на фиг. 2. В ходе сканирования сохраняется полная информация об интенсивности света I во всех точках сканирования. Полученную трехмерную зависимость интенсивности от x, y и z интерпретируют как двумерное распределение коррелограмм I(z) по поверхности пленки или пространственный набор коррелограмм. При этом каждая коррелограмма соответствует отдельному пикселю оптического поля (поз. 5, фиг. 1).

Согласно данному способу на первом этапе производят измерение набора коррелограмм на образце подложки, не содержащем измеряемой пленки, и/или на лабораторном зеркале. Из набора эквивалентных коррелограмм выделяют опорную коррелограмму - или как наиболее типичную, или как усредненную по набору. Затем производят измерение на образце подложки, содержащем измеряемую пленку. При этом, наилучшее приближение дает положение обоих поверхностей пленки - на границе пленка/воздух и на границе пленка/подложка.

Вариант заявляемого способа использует определение двух (или, в общем случае, более), вместо одной, опорных коррелограмм. Такие две опорные коррелограммы содержат особенности отражения от обеих поверхностей пленки, и обеспечивают наиболее надежное определение ее геометрии. Чем больше толщина пленки по сравнению с длиной когерентности, тем больше разделение коррелограмм, поэтому две или более различных опорных коррелограммы могут быть получены измерением толстой пленки с оптической толщиной, значительно превышающей длину когерентности интерферометра.

Для каждой коррелограммы, измеренной во всех точках оптического поля, производят ее аппроксимацию суммой двух опорных коррелограмм, амплитуды которых умножают на коэффициенты отражения Френеля от соответствующих поверхностей пленки. Параметрами аппроксимации являются значения z-координат (максимумов) двух суммируемых коррелограм. Сумму взвешенных коррелограмм приводят в соответствие с амплитудой измеренной коррелограммы посредством масштабирования амплитуды суммы коррелограмм так, чтобы максимум получаемой суммы равнялся максимальному значению измеренной коррелограммы. Точность аппроксимации определяют либо вычислением коэффициента корреляции аппроксимирующей и аппроксимируемой коррелограмм, либо средним квадратом расстояния между этими коррелограммами.

Данную процедуру производят для всех точек оптического поля измеряемой пленки, что позволяет определить топографию обеих поверхностей пленки - z1(x, y) - граница пленка-воздух и z2(x, y) - граница пленка-подложка, или, другими словами, определить распределение толщины пленки d(x, y)=|z1(x, y)-z2(x, y)| и ее поверхности z(x, y)=z1(x, y). Полученные распределения значений координат дают топографические карты поверхности подложки и пленки с учетом коэффициента преломления материала пленки.

Так как современные интерферометры в целях экономии времени сканирования используют значительные интервалы между точками регистрации в направлении сканирования z, то перед проведением процедуры аппроксимации как опорную, так и измеренную коррелограммы интерполируют на значительно (например, десятикратно) более частую сетку. При этом производят спектрально адаптированную интерполяцию, при которой каждую спектральную гармонику дополняют промежуточными точками этой же гармоники. С точки зрения преобразования Фурье эта интерполяция заключается в расширении спектра сигнала в v раз. Таким образом, массив получаемых после дискретного преобразования Фурье значений амплитуд гармоник дополняют более высокочастотными гармониками с нулевыми амплитудами. Так как Δz=1/Δƒ, где Δƒ - используемая в преобразовании Фурье ширина спектра, то в результате такого расширения спектра шаг дискретизации, полученного при обратном преобразовании Фурье сигнала, сокращается в v раз по сравнению с первоначальным, и сигнал плавно интерполируется. Пример такой интерполяции дан на фиг. 3. Интерполяция характерна тем, что получаемый после нее сигнал имеет в спектральном диапазоне исходного сигнала в точности тот же спектр, что и последний.

Предлагаемый способ является эффективным и простым в использовании для определения толщины пленки по данным ИБС.

Пример реализации способа

Предложенный способ исследовали для измерения толщин пленок SiO2, нанесенных на подложку полированного кремния, путем применения одного из стандартных промышленных интерферометров белого света (Mirau, Breitmeier Messtechnik GmbH, Германия). Применяли объективы Nikon CF IC EPI Plan DI со следующими параметрами: увеличение - ×10, ×20, и ×40; числовые апертуры - 0,30; 0,40; 0,55; рабочие расстояния - 7,7; 4,7; 3,4 мм; площадь измерения - 0,66×0,89; 0,33×0,44; 0,13×0,17 мм2, соответственно. Для записи световых сигналов использовали ПЗС-матрицу с разрешением 518×692 пикселей. В интерферометре использовали светодиодный источник «белого» света с энергетическим спектром в диапазоне 8,5-12,8 мкм-1. Для получения «эталонных» значений толщин измеряемых пленок SiO2 пленки выращивались с использованием калиброванной процедуры окисления или измерялись независимыми методами в рамках стандартной эллипсометрии с точностью 10 нм. Измеряли пленки SiO2 на кремниевой подложке с толщинами в диапазоне 100-1000 нм. Во всех измерениях использовали минимальный шаг в сканируемом направлении z, равный 40 нм.

Процедура взвешенного сложения опорных коррелограмм иллюстрируется на фиг. 2. На части 6 фиг. 2 приведены две опорные коррелограммы, взвешенные с коэффициентами Френеля, соответствующими поверхностям отражения воздух/SiO2 (граница воздух-пленка) и SiO2/Si (граница воздух-подложка) и смещенными на толщину пленки, которая в данном примере составляла 670 нм. На части 7 фиг. 2 приведен результат суммирования - коррелограмма, использованная для аппроксимации измеренной коррелограммы.

На фиг. 4 показано как согласуются аппроксимирующая сумма и экспериментальная коррелограмма, полученная при измерении пленки SiO2/Si толщиной 300 нм, при наилучшей аппроксимации. Коррелограммы были интерполированы описанным способом спектральной интерполяции. Соответствие можно признать достаточным для практических применений.

Неточность аппроксимации при варьируемых значениях предполагаемой толщины пленки дает так называемую функцию ошибки. Пример такой функции ошибки в диапазоне аргумента, содержащем абсолютный минимум, представлен на фиг. 5. Важно отметить, что характерная шкала ширины пиков функции ошибки позволяет надежно определять положение минимума, а, следовательно, и толщину пленки с неопределенностью менее 1%. Действительно, как видно из фиг. 5, величина радиуса/кривизна пика функции в районе минимума обеспечивает его надежную локализацию с указанной точностью. Полученные данные измерений обрабатывались также методом нелинейного фазового спектра. При этом погрешность определения толщины без дополнительной калибровки для уменьшения погрешности составляла 4-5% (в зависимости от толщины пленки) и 2% после калибровки. Прототипный же метод теоретических коррелограмм оказался неприменимым для обработки данных этих измерений при толщинах пленки менее 300 нм, т.к. теоретическая опорная коррелограмма существенно отличается от измеренной.

Наиболее существенно преимущество заявляемого метода заключается в возможности попиксельного определения толщины пленки, в то время как популярный метод нелинейного спектра фазы требует усреднения по некоторому множеству пикселей, объем которого зависит от характеристик прибора и поверхности, для надежного определения толщины. В Таблице 1 приведено сравнение возможностей попиксельного распознавания толщины пленки двумя методами. Из данных Таблицы 1 видно, что заявляемый способ позволяет достичь большей разрешающей способности определения топографии пленки.

Таким образом, решена задача по разработке способа измерения толщины пленки в рамках ИБС путем применения измерения коррелограмм образца пленки, нанесенной на подложку, и идентичной подложки, не содержащей измеряемую пленку, и дальнейшей аппроксимацией коррелограмм, полученных от пленки, взвешенной суммой коррелограмм, полученных от подложки. Данный способ имеет важное преимущество по сравнению с прототипом, заключающееся в том, что использование коррелограмм, полученных с подложек, не содержащих измеряемую пленку, позволяет учесть искажения коррелограмм, вызванное оптическими инструментами и отражением от подложки. Также этот способ является простым по сравнению с другими известными способами определения толщины пленки на основе ИБС. Способ использует полную информацию, содержащуюся как в амплитудном, так и фазовом спектре сигнала интерферометра.

1. Способ измерения толщины тонкой пленки и картирования топографии ее поверхности с помощью интерферометра белого света, характеризующийся тем, что подвергают воздействию белого света подложку с нанесенной измеряемой пленкой и измеряют набор коррелограмм, отличающийся тем, что предварительно подвергают воздействию белого света с ограниченной когерентностью подложку, не содержащую измеряемую пленку, и измеряют коррелограммы, после чего выделяют опорную коррелограмму; кроме того, измерение набора коррелограмм осуществляют по каждому пикселю, которые аппроксимируют взвешенной суммой двух или более опорных коррелограмм, используя интерполяцию как измеренных коррелограмм из набора, так и опорных коррелограмм для повышения точности аппроксимации; вычисляют набор толщин пленки и положений ее подложки, по результатам которого строятся карты топографии поверхности и толщины пленки.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что опорную коррелограмму определяют на основании измерения поверхности подложки, не содержащую измеряемую пленку, характеризуя ее отражающие свойства, либо измерением на зеркале или другом объекте; опорных коррелограмм может быть одна или несколько.

3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что аппроксимацию коррелограмм, полученных при измерении подложки с нанесенной пленкой, выполняют с помощью взвешенной суммы опорных коррелограмм; при этом толщина пленки и ее положение в направлении сканирования являются параметрами аппроксимации; значения этих параметров, при которых достигается наилучшая аппроксимация, принимаются как истинные значения толщины пленки и ее положения.

4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что интерполяцию коррелограмм выполняют путем расширения спектра гармониками высоких частот с нулевой амплитудой.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к способам управления фазовым сдвигом между двумя когерентными монохроматическими световыми волнами в лазерных измерительных информационных системах.

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к способам управления фазовым сдвигом между двумя когерентными монохроматическими световыми волнами в лазерных измерительных информационных системах.

Устройство предназначено для исследования упругопластических и прочностных свойств материалов при интенсивных динамических нагрузках. Двухканальная интерферометрическая система состоит из источника одномодового когерентного излучения, исследуемого образца, узла разделения отраженного от исследуемого образца излучения, двух независимых оптических интерферометров, построенных по схеме двухплечевого интерферометра VISAR, и системы регистрации.

Изобретение относится к области метрологии тонких пленок. Способ определения толщины пленки с помощью интерферометрии белого света, при котором подложку, содержащую измеряемую пленку, подвергают в интерферометре воздействию белого света с ограниченной когерентностью и измеряют коррелограммы, характеризуется тем, что предварительно подложку, не содержащую измеряемую пленку, подвергают воздействию белого света с ограниченной когерентностью и определяют набор коррелограмм, кроме того, набор коррелограмм определяют для каждого пикселя оптического поля, после чего выделяют нелинейную в зависимости от волнового числа часть фазового спектра, аппроксимируют фазовые спектры известным теоретическим нелинейным спектром фазового сдвига, вызванного пленкой, определяя локальную толщину пленки как параметр наилучшей аппроксимации, получают в результате набор толщин пленки и положений ее подложки, по результатам которого строятся карты топографии поверхности и толщины пленки, причем нелинейный фазовый спектр объектной коррелограммы поверхности, содержащей пленку, корректируют путем вычитания нелинейного фазового спектра опорной коррелограммы.

Способ однопозиционного определения угловых координат заключается в применении в качестве фотоприемного устройства матричного фотоприемника, осуществляющего прием суммарного излучения сигнальной волны и волны гетеродина.

Способ определения положения объектов относится к оптическим способам определения положения сканирующих датчиков при измерении полного поперечного профиля объекта.

Изобретение может быть использовано для формирования периодических интерференционных картин, например, для записи голографических дифракционных решеток, создания периодических структур различной размерности, реализации Фурье-спектрометров, брэгговских зеркал и т.п.

Голографический способ изучения нестационарных процессов, в котором используют когерентный источник излучения, коллиматор и первый, второй и третий светоделители, а также зеркала, при помощи которых формируют три опорных и один объектный пучки.

Изобретение относится к области волоконной оптики и может быть использовано при создании волоконно-оптических интерферометрических датчиков для регистрации фазовых сигналов (вибраций, акустических воздействий).

Изобретение относится к области интерференционной оптики и может быть использовано для определения рельефа поверхности на основе фазового изображения, например, в интерференционных микроскопах.
Использование: для определения толщины окисной пленки алюминия в процессе анодного окисления холодного катода в тлеющем разряде кислорода. Сущность изобретения заключается в том, что способ определения средней толщины окисной пленки в процессе анодного окисления холодного катода в тлеющем разряде кислорода, включающий создание высокого вакуума в области контроля, отличается тем, что определяют площадь рабочей поверхности холодного катода определенной конфигурации, внутренний объем вакуумной области, занимаемой датчиком вакуума, расположенным вне области холодного катода и соединенным вакуумным каналом с вакуумной областью, содержащей технологический прибор с холодным катодом, внутренний объем вакуумной области, занимаемой технологическим прибором с холодным катодом, наполняют вакуумную систему и вакуумные области кислородом до постоянного давления, отсоединяют вакуумные области от вакуумной системы, фиксируют перед началом зажигания тлеющего разряда в технологическом приборе с холодным катодом величину установившегося давления в вакуумных областях, содержащих датчик вакуума и технологический прибор с холодным катодом, зажигают тлеющий разряд во внутреннем объеме вакуумной области, занимаемой технологическим прибором с холодным катодом, фиксируют датчиком вакуума в выбранный момент времени давление кислорода в процессе анодного окисления холодного катода в тлеющем разряде, рассчитывают среднюю толщину окисной пленки алюминия на рабочей поверхности холодного катода определенной конфигурации в выбранный момент времени анодного окисления в тлеющем разряде кислорода по определенной формуле.

Изобретение относится к способу определения эффективной толщины диффузионного слоя на металлическом изделии. Осуществляют воздействие плазменного разряда заданной продолжительности на поверхность диффузионного слоя изделия, при этом проводят измерение интенсивности спектральной линии для определения содержания диффундирующего элемента и анализ распределения значений содержания этого компонента в диффузионном слое.

Устройство для измерения осевой толщины офтальмологической линзы содержит крепежное устройство для крепления оправки формирующей оптики, измерительное устройство, содержащее датчик перемещения, процессор, связанный с измерительным устройством; устройство хранения данных цифровой среды, связанное с процессором и хранящее программный код, который выполняется по требованию и служит для запоминания цифровых данных, описывающих перечень метрологических данных, получения входных цифровых данных из измерительного устройства, содержащих справочное измерение M1 оправки формирующей оптики без линзы и измерение М2 линзы на той же формирующей оптике, и вычисления величины осевой толщины линзы посредством вычитания метрологических данных, полученных при измерениях M1 и М2.

Изобретение относится к способам для определения точной толщины сухих контактных линз. При реализации заявленного способа располагают формирующую оптическую оправку, которая имеет выпуклую поверхность, на пути лазерного луча.

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для бесконтактного контроля толщины прозрачных пленок, наносимых на подложки в вакууме.

Изобретение относится к измерительной технике. Способ контроля состава материала при формировании структуры заключается в том, что в процессе формирования слоя осуществляют измерение эллипсометрических параметров Δ и ψ.

Изобретение относится к области прецизионных оптических средств контроля формы поверхности объектов в процессе их технологической обработки или функционирования.

Способ определения толщины слоя покрываемой лопатки турбины включает измерение посредством лазерной триангуляции лопатки турбины перед и во время или после нанесения покрытия.

Изобретение относится к способу оценки защитных свойств тонких покрытий от поверхностной деградации (разрушения, эрозии, распыления) защищаемых материалов при воздействии на них высокоэнергетических излучений, преимущественно в вакууме.

Изобретение относится к вакуумной технике, а именно к установкам для напыления многослойных покрытий нанометровой толщины, используемых, например, в качестве спектральных фильтров для оптических приборов в приборостроении, и может быть использовано для напыления покрытий со строго заданной толщиной и полосой пропускания оптического спектра.

Изобретение относится к области оптоэлектронного контроля прозрачных или полупрозрачных смесей емкостей типа бутылок, банок с целью выявления дефектов распределения материала. Устройство для измерения толщины стенок емкостей содержит оптическую систему, служащую для улавливания и фокусирования на плоскости регистрации светового датчика световых пучков, отраженных от внешней и внутренней поверхностей стенки. При этом оптическая система улавливания и фокусирования содержит первый объектив, предметная плоскость которого расположена рядом с точкой падения светового пучка на стенку. Кроме того, содержит, по меньшей мере, полупрозрачный рассеивающий экран, расположенный в плоскости изображения первого объектива, таким образом, чтобы физически представлять световые пучки, собранные первым объективом, в виде горячих пятен (Ti). Кроме того, устройство содержит второй объектив, в предметной плоскости которого установлен рассеивающий экран, а в плоскости изображения которого установлен световой датчик. Технический результат – повышение высоких рабочих характеристик для измерения толщины стенки прозрачных или полупрозрачных емкостей для широкого диапазона типов емкостей. 6 з.п. ф-лы, 5 ил.
Наверх