Способ магнетронного распыления составной мишени

Изобретение относится к магнетронному распылению составной мишени, выполненной из плоской нижней базовой части и, по меньшей мере, одной верхней накладной части мишени, изготовленных из двух компонентов осаждаемого на подложку материала пленки. Регулируют изменение площади поверхности распыления путем перемещения на плоской нижней базовой части мишени, по меньшей мере, одной верхней накладной части мишени с обеспечением при пересечении контура зоны распыления составной мишени упомянутой верхней накладной частью мишени изменения площадки, занимаемой последней в указанном контуре. Скорость указанного перемещения верхней накладной части мишени регулируют в зависимости от требуемого изменения состава осаждаемого на подложку двухкомпонентного материала пленки в направлении ее формирования. В результате обеспечивается управление качественным и экономичным осаждением на подложку многокомпонентного материала пленки. 5 з.п. ф-лы, 2 ил., 4 пр.

 

Изобретение относится к технологии магнетронного распыления и может быть использовано для управления качественным и экономичным осаждением на подложку многокомпонентного материала пленки в результате распыления составной мишени с частями, изготовленными из отдельных компонентов осаждаемого на подложку материала пленки, за счет изменения площади поверхностей распыления, расположенных на плоской нижней базовой части мишени в зоне распыления верхних накладных частей мишени для обеспечения заданного изменения состава осаждаемого на подложку материала пленки.

Известно низкоэффективное (от цикла к циклу) регулирование добавления примеси ниобия в тонкопленочную структуру, формируемую на подложке из монокристаллического кремния и плавленого кварца, при магнетронном распылении из составной мишени титана - ниобия (когда верхние накладные кусочки ниобия размером 2×2 мм и толщиной 1 мм равномерно располагались в зоне распыления (эрозии) нижней базовой титановой части мишени) путем подбора количества кусочков ниобия, необходимого для обеспечения требуемой концентрации титана и ниобия в тонкой пленке без обеспечения заданного изменения состава осаждаемого на подложку материала пленки в направлении формирования пленки (см. автореферат диссертации Лобанова М.В. на соискание ученой степени кандидата химических наук «Структура и свойства тонкопленочного диоксида титана модифицированного ниобием, индием и оловом».

Воронеж, Воронежский государственный университет, 2015, с. 89 на сайте в Интернет:

http://www.science.vsu.ru/dissertations/1395/%D0%94%D0o/oB8%D1%81%D1%81%D0%B5%D1%80%D1%82%D0%B0%D1%86%D0%B8%D1%8F %D0%9B%D0%BE%D0%B1%D0%B0%D0%BD%D0%BE%D0%B2% D0%9C.%D0%92..pdf).

В связи с отсутствием доступных источников информации со сведениями о регулировании в процессе магнетронного распыления составной мишени состава осаждаемого на подложку материала пленки в направлении формирования пленки в настоящем описании выбрана форма раскрытия в формуле изобретения сущности предлагаемого способа магнетронного распыления составной мишени без прототипа.

Технический результат от использования предлагаемого способа - разработка высокотехнологичного режима осаждения на подложку многокомпонентного материала пленки в результате распыления составной мишени с частями, изготовленными из отдельных компонентов осаждаемого на подложку материала пленки, за счет изменения площади поверхностей распыления, расположенных на плоской нижней базовой части мишени в зоне распыления верхних накладных частей мишени для обеспечения заданного изменения состава осаждаемого на подложку материала пленки с возможностью управления указанным изменением состава в направлении формирования пленки в процессе магнетронного распыления в результате одновременного с процессом магнетронного распыления перемещения на плоской нижней базовой части мишени, как минимум, одной верхней накладной части мишени, приводящее при пересечении контура зоны распыления составной мишени за счет геометрической формы этой части к изменению площадки, занимаемой последней в указанном контуре, и, соответственно, к изменению площади ее поверхности распыления, со скоростью указанного перемещения, регулируемой в зависимости от требуемого изменения состава осаждаемого на подложку материала пленки в направлении формирования пленки.

Для достижения указанного технического результата предлагается способ магнетронного распыления составной мишени с частями, изготовленными из отдельных компонентов осаждаемого на подложку материала пленки, включающий одновременное с процессом магнетронного распыления перемещение на плоской нижней базовой части мишени, как минимум, одной верхней накладной части мишени, приводящее при пересечении контура зоны распыления составной мишени за счет геометрической формы этой части к изменению площадки, занимаемой последней в указанном контуре, и, соответственно, к изменению площади ее поверхности распыления, причем скорость указанного перемещения регулируют в зависимости от требуемого изменения состава осаждаемого на подложку материала пленки в направлении формирования пленки.

В частных случаях одновременно с процессом высокочастотного распыления на магнетронной установке ВУП-4к

верхнюю накладную часть мишени, изготовленную из SrO и имеющую форму круга диаметром 20 мм, вращают на нижней базовой части мишени в плоскости, параллельной поверхности этой части, изготовленной из GeO2 и имеющей форму круга диаметром 60 мм, с постоянной в течение всего цикла распыления скоростью вращения 0.003 об/мин вокруг вертикальной оси ее вращения, имеющей эксцентриситет относительной центра указанного круга величиной 5 мм и зафиксированной на указанной нижней базовой части между центром составной мишени и кольцевой зоной ее распыления на расстоянии 10 мм от центра указанной зоны, получая при изменении площади распыления верхней накладной части, соответствующей площадке, занимаемой этой частью в контуре зоны распыления составной мишени, от минимальной величины до максимальной, пленку толщиной 1 мкм и с состоящим из двух указанных компонентов составом ее материала с линейным профилем;

верхнюю накладную часть мишени, изготовленную из SrO и имеющую форму круга диаметром 20 мм, вращают на нижней базовой части мишени в плоскости, параллельной поверхности этой части, изготовленной из GeO2 и имеющей форму круга диаметром 60 мм, с постоянными в течение двух полуциклов распыления скоростью вращения первого полуцикла 0.003 об/мин и скоростью вращения второго полуцикла 0.006 об/мин вокруг вертикальной оси ее вращения, имеющей эксцентриситет относительной центра указанного круга величиной 5 мм и зафиксированной на указанной нижней базовой части между центром составной мишени и кольцевой зоной ее распыления на расстоянии 10 мм от центра указанной зоны, получая при изменении площади распыления верхней накладной части, соответствующей площадке, занимаемой этой частью в контуре зоны распыления составной мишени, от минимальной величины до максимальной, пленку толщиной 1 мкм и с состоящим из двух указанных компонентов составом ее материала с ломаным линейным профилем;

верхнюю накладную часть мишени, изготовленную из SrO и имеющую форму кругового сектора радиусом 10 мм с углом сектора 60°, вращают на нижней базовой части мишени в плоскости, параллельной поверхности этой части, изготовленной из GeO2 и имеющей форму круга диаметром 60 мм, с линейно изменяющейся в течение цикла распыления скоростью вращения от 0.003 об/мин до 0.006 об/мин вокруг вертикальной оси ее вращения, расположенной у вершины угла указанного сектора и зафиксированной на указанной нижней базовой части между центром составной мишени и кольцевой зоной ее распыления на расстоянии 5 мм от центра указанной зоны, получая при изменении площади распыления верхней накладной части, соответствующей площадке, занимаемой этой частью в контуре зоны распыления составной мишени, от минимальной величины до максимальной, пленку толщиной 1 мкм и с состоящим из двух указанных компонентов составом ее материала с градиентным профилем;

верхнюю накладную часть мишени, изготовленную из SrO и имеющую форму кругового сектора радиусом 10 мм с углом сектора 60°, перемещают на нижней базовой части мишени, изготовленной из GeO2 и имеющей форму круга диаметром 60 мм, в радиальном направлении относительно кольцевой зоны распыления составной мишени с постоянной в течение всего цикла распыления скоростью перемещения 1 мм/мин, получая пленку толщиной 1 мкм и с состоящим из двух указанных компонентов составом ее материала с линейным профилем.

Для автоматизации предлагаемого способа перемещение, как минимум, одной верхней накладной части мишени в случае осаждения двухкомпонентного материала пленки осуществляют со скоростью, которую регулируют на основе аппаратно-программного обеспечения в соответствии с программным режимом ее поддержания, задаваемым требуемой зависимостью состава материала пленки от текущей толщины пленки при ее формировании.

На фиг. 1 схематически показана составная мишень для осуществления предлагаемого способа магнетронного распыления, с, как минимум, одной верхней накладной частью (в различных положениях), выполненной с возможностью поворота относительно нижней базовой части мишени, обеспечивающего изменение площади ее рассеяния, в виде круга (фиг. 1а), и кругового сектора (фиг. 1б) и возможностью радиального перемещения относительно нижней базовой части мишени, обеспечивающего изменение площади ее рассеяния, в виде кругового сектора (фиг. 1в); на фиг. 2 представлены экспериментальные профили концентрации атомов Sr в материале пленки относительно концентрации атомов Ge, полученные в случаях исполнения составной мишени на фиг. 1.

Составная мишень для осуществления предлагаемого способа магнетронного распыления (см. фиг. 1) представляет собой в примерах 1-4 осуществления предлагаемого способа неподвижную круглую нижнюю базовую часть 1, на которой установлена, как минимум, одна верхняя накладная часть 2 (обозначенная на фиг. 1а-в в представленных вариантах исполнения позициями 2.1 и 2.2) с возможностью поворота в плоскости, параллельной поверхности нижней базовой части 1, с помощью привода, расположенного под катодным узлом магнетрона с кольцевой зоной распыления, вокруг вертикальной оси 3, зафиксированной на нижней базовой части 1 в виде жестко соединенной с верхней накладной частью 2 поворотной оси, пропущенной через отверстие нижней базовой части 1 (см. фиг.1а-в, на которых привод, в качестве которого можно использовать шаговый двигатель Z26544-05-064 в режиме вращения, и исполнение оси 3 не показаны) и возможностью радиального перемещения на поверхности нижней базовой части 1 относительно кольцевой зоны распыления 4 составной мишени с помощью привода, вынесенного за пределы составной мишени в ее плоскости и соединенного с верхней накладной частью 2, вставленной своей нижним удлиненным выступом в прорезь радиальной направляющей нижней базовой части 1 (см. фиг. 1в, на которой привод, в качестве которого можно использовать шаговый двигатель Z26544-05-064 в режиме поступательного движения, и элементы обеспечения радиального перемещения указанной верхней накладной части не показаны).

При этом в четырех примерах осуществления предлагаемого способа нижняя базовая часть 1 изготовлена из GeO2, а верхняя накладная часть 2 - из SrO и имеете первом и втором примерах форму круга (см. фиг. 1а) и в третьем и четвертом примерах форму кругового сектора (см. фиг. 1б-в), причем в других примерах верхняя накладная часть может быть выполнена в виде в виде полукруга, четверти круга и других удобных для изготовления несимметричных фигур.

Предлагаемый способ магнетронного распыления составной мишени осуществляют следующим образом.

Одновременно с распылением составной мишени на магнетронной установке ВУП-4к в режиме высокочастотного магнетронного распыления на подложку, изготовленную из кремния КЭФ-0,4[100]:

в примере 1 верхнюю накладную часть 2 (обозначенную на фиг. 1а позицией 2.1), имеющую форму круга диаметром 20 мм и толщиной 2 мм, вращают (см. на фиг. 1а положения части 2 - (1), (2) и (3)) на поверхности нижней базовой части 1 диаметром 60 мм и толщиной 3 мм с постоянной в течение всего цикла распыления скоростью вращения 0.003 об/мин вокруг вертикальной оси 3 ее вращения, имеющей эксцентриситет относительной центра указанного круга величиной е=5 мм и зафиксированной на нижней базовой части 1 между центром составной мишени и кольцевой зоной ее распыления 4 на расстоянии L=10 мм от центра указанной зоны, получая (при изменении площади распыления верхней накладной части 2, соответствующей площадке, занимаемой этой частью в контуре зоны распыления составной мишени, от минимальной величины, при которой часть 2, обозначенная как 2.1, в положении (1) не пересекает зону 3 - находится вне ее, до максимальной величины, при которой часть 2, обозначенная как 2.1, пересекает зону 3 с максимальным ее покрытием - часть 2.1 на фиг. 1а в крайнем правом положении (2)) пленку толщиной 1 мкм и с двухкомпонентным составом (GeO2-SrO) ее материала с линейным профилем (см. кривую А на фиг. 2, представляющую собой профиль концентрации атомов Sr в материале пленки относительно концентрации атомов Ge, измеренный в настоящем примере);

в примере 2 верхнюю накладную часть 2 (обозначенную на фиг.1а позицией 2.1), имеющую форму круга диаметром 20 мм и толщиной 2 мм, вращают на поверхности нижней базовой части 1 диаметром 60 мм и толщиной 3 мм с постоянными в течение двух полуциклов распыления скоростью вращения первого полуцикла 0.003 об/мин и скоростью вращения второго полуцикла 0.006 об/мин вокруг вертикальной оси 3 ее вращения, имеющей эксцентриситет относительной центра указанного круга величиной е=5 мм и зафиксированной на нижней базовой части 1 между центром составной мишени и кольцевой зоной ее распыления 4 на расстоянии L=10 мм от центра указанной зоны, получая (при изменении площади распыления верхней накладной части 2, соответствующей площадке, занимаемой этой частью в контуре зоны распыления составной мишени, от минимальной величины, при которой часть 2, обозначенная как 2.1 в положении (1) не пересекает зону 3 - находится вне ее, до максимальной величины, при которой часть 2, обозначенная как 2.1, пересекает зону 3 с максимальным ее покрытием - часть 2.1 на фиг. 1а в крайнем правом положении (2)) пленку толщиной 1 мкм с двухкомпонентным составом (GeO2-SrO) ее материала с ломаным (состоящим из двух участков) линейным профилем (см. кривую Б на фиг. 2, представляющую собой профиль концентрации атомов Sr в материале пленки относительно концентрации атомов Ge, измеренный в настоящем примере);

в примере 3 верхнюю накладную часть 2 (обозначенную на фиг. 1б, позицией 2.2), имеющую форму кругового сектора радиусом 10 мм с углом сектора 60° и толщиной 2 мм, вращают на поверхности нижней базовой части 1 диаметром 60 мм и толщиной 3 мм с линейно изменяющейся в течение цикла распыления скоростью вращения от 0.003 об/мин до 0.006 об/мин вокруг вертикальной оси 3 ее вращения, расположенной на расстоянии у вершины угла указанного сектора и зафиксированной на указанной нижней базовой части между центром составной мишени и кольцевой зоной ее распыления 4 на расстоянии L=5 мм от центра указанной зоны, получая (при изменении площади распыления верхней накладной части, соответствующей площадке, занимаемой этой частью в контуре зоны распыления составной мишени, от минимальной величины, при которой часть 2 не пересекает зону 3 - находится вне ее - на фиг. 1б не показано, до максимальной величины, при которой на фиг. 1б часть 2, обозначенная как 2.2, пересекает зону 3 с максимальным ее покрытием) пленку толщиной 1 мкм с двухкомпонентным составом (GeO2-SrO) ее материала с градиентным профилем (см. кривую В на фиг. 2, представляющую собой профиль концентрации атомов Sr в материале пленки относительно концентрации атомов Ge, измеренный в настоящем примере);

в примере 4 верхнюю накладную часть 2 (обозначенную на фиг. 1в позицией 2.2), имеющую форму кругового сектора радиусом 10 мм с углом сектора 60° и толщиной 2 мм, перемещают на поверхности нижней базовой части 1 диаметром 60 мм и толщиной 3 мм в радиальном направлении относительно кольцевой зоны распыления 4 составной мишени с постоянной в течение всего цикла распыления скоростью перемещения 1 мм/мин, получая (при изменении площади распыления верхней накладной части, соответствующей площадке, занимаемой этой частью в контуре зоны распыления составной мишени, от минимальной величины, при которой часть 2 не пересекает зону 3 - находится вне ее - на фиг. 1 в не показано, до максимальной величины, при которой на фиг. 1в часть 2, обозначенная как 2.1, пересекает зону 3 с максимальным ее покрытием), пленку толщиной 1 мкм с линейным профилем (см. кривую Г на фиг. 2, представляющую собой профиль концентрации атомов Sr в материале пленки относительно концентрации атомов Ge, измеренный в настоящем примере).

Кривые А-Г получены методом РФА на косом шлифе с использованием установки Optim-X.

Очевидно, что количество распыляемых магнетронным методом компонентов, определяемое количеством установленных на поверхности нижней базовой мишени верхних накладных частей составной мишени, одновременно с процессом магнетронного распыления перемещаемых предлагаемым образом, может быть более двух - это может быть 3-4 компонента, а с учетом возможности использования неподвижной вытянутой овальной нижней базовой части составной мишени на магнетронной установке с аналогичной зоной распыления, многокомпонентность материала получаемой пленки может быть еще увеличена в зависимости от размеров подложки.

1. Способ магнетронного распыления составной мишени, выполненной из плоской нижней базовой части и, по меньшей мере, одной верхней накладной части мишени, изготовленных из двух компонентов осаждаемого на подложку материала пленки, отличающийся тем, что регулируют изменение площади поверхности распыления путем перемещения на плоской нижней базовой части мишени, по меньшей мере, одной верхней накладной части мишени с обеспечением при пересечении контура зоны распыления составной мишени упомянутой верхней накладной частью мишени изменения площадки, занимаемой последней в указанном контуре, причем скорость указанного перемещения верхней накладной части мишени регулируют в зависимости от требуемого изменения состава осаждаемого на подложку двухкомпонентного материала пленки в направлении ее формирования.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при распылении используют магнетронную установку ВУП-4к, при этом верхнюю накладную часть мишени, изготовленную из SrO и имеющую форму круга диаметром 20 мм, вращают на нижней базовой части мишени в плоскости, параллельной поверхности этой части, изготовленной из GeO2 и имеющей форму круга диаметром 60 мм, с постоянной в течение всего цикла распыления скоростью вращения 0,003 об./мин вокруг вертикальной оси ее вращения, имеющей эксцентриситет относительно центра указанного круга величиной 5 мм и зафиксированной на указанной нижней базовой части между центром составной мишени и кольцевой зоной ее распыления на расстоянии 10 мм от центра указанной зоны, получая при изменении площади распыления верхней накладной части, соответствующей площадке, занимаемой этой частью в контуре зоны распыления составной мишени, от минимальной величины до максимальной, пленку толщиной 1 мкм и с состоящим из двух указанных компонентов составом ее материала с линейным профилем.

3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при распылении используют магнетронную установку ВУП-4к, при этом верхнюю накладную часть мишени, изготовленную из SrO и имеющую форму круга диаметром 20 мм, вращают на нижней базовой части мишени в плоскости, параллельной поверхности этой части, изготовленной из GeO2 и имеющей форму круга диаметром 60 мм, с постоянными в течение двух полуциклов распыления скоростью вращения первого полуцикла 0,003 об./мин и скоростью вращения второго полуцикла 0,006 об./мин вокруг вертикальной оси ее вращения, имеющей эксцентриситет относительно центра указанного круга величиной 5 мм и зафиксированной на указанной нижней базовой части между центром составной мишени и кольцевой зоной ее распыления на расстоянии 10 мм от центра указанной зоны, получая при изменении площади распыления верхней накладной части, соответствующей площадке, занимаемой этой частью в контуре зоны распыления составной мишени, от минимальной величины до максимальной, пленку толщиной 1 мкм и с состоящим из двух указанных компонентов составом ее материала с ломаным линейным профилем.

4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при распылении используют магнетронную установку ВУП-4к, при этом верхнюю накладную часть мишени, изготовленную из SrO и имеющую форму кругового сектора радиусом 10 мм с углом сектора 60°, вращают на нижней базовой части мишени в плоскости, параллельной поверхности этой части, изготовленной из GeO2 и имеющей форму круга диаметром 60 мм, с линейно изменяющейся в течение цикла распыления скоростью вращения от 0,003 об./мин до 0,006 об./мин вокруг вертикальной оси ее вращения, расположенной у вершины угла указанного сектора и зафиксированной на указанной нижней базовой части между центром составной мишени и кольцевой зоной ее распыления на расстоянии 5 мм от центра указанной зоны, получая при изменении площади распыления верхней накладной части, соответствующей площадке, занимаемой этой частью в контуре зоны распыления составной мишени, от минимальной величины до максимальной, пленку толщиной 1 мкм и с состоящим из двух указанных компонентов составом ее материала с градиентным профилем.

5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при распылении используют магнетронную установку ВУП-4к, при этом верхнюю накладную часть мишени, изготовленную из SrO и имеющую форму кругового сектора радиусом 10 мм с углом сектора 60°, перемещают на нижней базовой части мишени, изготовленной из GeO2 и имеющей форму круга диаметром 60 мм, в радиальном направлении относительно кольцевой зоны распыления составной мишени с постоянной в течение всего цикла распыления скоростью перемещения 1 мм/мин, получая при изменении площади распыления верхней накладной части, соответствующей площадке, занимаемой этой частью в контуре зоны распыления составной мишени, от минимальной величины до максимальной, пленку толщиной 1 мкм и с состоящим из двух указанных компонентов составом ее материала с линейным профилем.

6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перемещение как минимум одной верхней накладной части мишени в случае осаждения двухкомпонентного материала пленки осуществляют со скоростью, которую регулируют на основе аппаратно-программного обеспечения в соответствии с программным режимом ее поддержания, задаваемым требуемой зависимостью состава материала пленки от текущей толщины пленки при ее формировании.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области ионно-плазменного напыления многослойных пленок, в частности к устройству для получения многослойных пленок. Устройство содержит экранированную катод-мишень и подложкодержатель, расположенный в горизонтальном магнитном поле.

Изобретение относится к способам получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов, а именно EuSi2 кристаллической модификации hP3 (пространственная группа N164, ) со структурой интеркалированных европием слоев силицена, которые могут быть использованы для проведения экспериментов по исследованию силиценовой решетки.

Изобретение относится к системе и способу нанесения покрытия. Система включает вакуумную камеру и узел для нанесения покрытия.

Изобретение относится к способу и системе для нанесения покрытий на подложку. В системе узел нанесения покрытия расположен внутри вакуумной камеры.

Изобретение относится к способу и системе для нанесения покрытий на подложку. В системе узел нанесения покрытия расположен внутри вакуумной камеры.

Изобретение относится к технологии тонких пленок и может быть использовано при отработке технологии получения пленок, когда необходимо определить скорости напыления пленок в зависимости от расстояния источника материала-подложка.Техническим результатом изобретения является ускорение процесса контроля толщины скорости формирования пленки за счет упразднения дополнительных операций: вакуумизации камеры, перемещения подложки на новое расстояние мишень-подложка, формирование пленки, разгерметизация камеры.

Изобретение относится к способу и установке для магнетронного распыления материала с поверхности мишени с обеспечением большей процентной доли распыленного материала в форме ионов.

Изобретение относится к способу и устройству для нанесения покрытия на горячую подложку в вакуумной камере. Осуществляют размещение подложки (20) на подложкодержателе (24) таким образом, чтобы нижняя поверхность (21а) подложки контактировала с подложкодержателем поверхность к поверхности,подъем подложки (20) на расстояние d относительно подложкодержателя, нагрев поднятой подложки через ее верхнюю поверхность (21b) с помощью нагревательного устройства (22), немедленное последующее нанесение покрытия на горячую подложку, опускание подложки на подложкодержатель (24) и охлаждение подложки.

Изобретение относится к установке и способу нанесения покрытия на подложку. Установка содержит вакуумную камеру, во внутреннем пространстве которой располагают подложку для нанесения на нее покрытия и по меньшей мере одну распыляемую мишень, и устройство для определения износа распыляемой мишени.

Изобретение относится к электроаппаратостроению. Способ нанесения покрытия на медный контакт электрокоммутирующего устройства включает ионно-плазменное напыление молибдена на медный контакт.

Изобретение относится к способу нанесения покрытия на заготовку (варианты). Выполняют покрытие, содержащее по меньшей мере один слой TixSi1-xN, где x≤0,85.

Изобретение относится к области устройств, используемых для нанесения на изделия нанопокрытий методом магнетронного распыления. Корончатый подложкодержатель содержит корпус, подложконесущую поверхность (ПНП), выполненную секционной, с образованием подвижного соединения секций с опорой, установленной в корпусе подложкодержателя, при этом секции оснащены управляемыми автономными приводами перемещений относительно опоры, которая выполнена в виде приводной рамы, установленной с возможностью совершения цикловых перемещений относительно вертикальной оси, а ПНП выполнена с возможностью раскрытия, складывания и фиксации в любом промежуточном положении посредством управляемых автономных приводов перемещений и автономных устройств управления последовательностью перемещений.
Изобретение относится к способу получения компонента с заданным уровнем блеска. Способ включает этапы: подготовка компонента с по меньшей мере одним металлическим слоем, где данный по меньшей мере один металлический слой образует поверхность компонента, получение матово-глянцевой смеси путем смешения глянцевого лака и матового лака в заранее определенном соотношении, нанесение матово-глянцевой смеси на металлическую поверхность компонента, сшивка матово-глянцевой смеси, так что на металлической поверхности компонента оказывается нанесен слой из сшитой смеси глянцевого лака и матового лака.

Изобретение относится к способам формирования пористого оксидного материала и может быть использовано для разработки анодных материалов литий-ионных батарей и суперконденсаторов нового поколения, чувствительных элементов газовых сенсоров.

Изобретение относится к области металлургии, в частности к плазменной химико-термической обработке титановых сплавов, и может быть использовано в машиностроении для повышения износостойкости и коррозионной стойкости деталей машин.

Изобретение относится к магнетронному распылению составной мишени с частями, изготовленными из отдельных компонентов осаждаемого на подложку материала пленки. Подготавливают тонкие плоские шаблоны, имеющие форму и соответствующую заданному изменению состава осаждаемого на подложку материала пленки площадь рабочих участков поверхностей распыления верхних накладных частей мишени, представляющих собой площадки, занимаемые ими в контуре зоны распыления.

Изобретение относится к распылительному блоку магнетрона для осаждения пленок твердых растворов FexTi(1-x)O2 в диапазоне 0<х<0,6 на поверхности металлов, стекол или керамики.

Изобретение относится к системе и способу нанесения покрытия. Система включает вакуумную камеру и узел для нанесения покрытия.

Изобретение относится к способу создания прозрачных проводящих композитных нанопокрытий (варианты). По первому варианту предварительно осуществляют химическое осаждение на нагретую подложку тонкой пленки углеродных нанотрубок.

Изобретение относится к способу получения тонких магнитных наногранулированных пленок. Способ включает последовательное осаждение на термостойкую подложку тонкой пленки оксида ферромагнитного металла и слоя металла-восстановителя при комнатной температуре с последующим вакуумным отжигом полученной двухслойной пленки.

Изобретение относится к напылению электропроводящего металл-углеродного многослойного покрытия на ленточную подложку из нетканого волокнистого материала, включающему подачу рабочего газа в вакуумную камеру с подложкой и ионно-плазменное напыление слоев покрытия на движущуюся с постоянной скоростью ленточную подложку магнетронным распылением. Напыление слоев покрытия на движущуюся с постоянной скоростью ленточную подложку ведут посредством по крайней мере двух магнетронов, содержащих мишени из металла и углерода. На магнетроны подают постоянное напряжение в импульсном режиме путем асимметричного переключения подачи напряжения на мишени при скважности по времени на мишени из металла дольше, чем на мишени из углерода, до получения на ленточной подложке молекулярных слоев металл-углеродного покрытия заданной толщины. Обеспечивается однородность и равномерность покрытия. 4 з.п. ф-лы, 5 ил., 2 табл.

Изобретение относится к магнетронному распылению составной мишени, выполненной из плоской нижней базовой части и, по меньшей мере, одной верхней накладной части мишени, изготовленных из двух компонентов осаждаемого на подложку материала пленки. Регулируют изменение площади поверхности распыления путем перемещения на плоской нижней базовой части мишени, по меньшей мере, одной верхней накладной части мишени с обеспечением при пересечении контура зоны распыления составной мишени упомянутой верхней накладной частью мишени изменения площадки, занимаемой последней в указанном контуре. Скорость указанного перемещения верхней накладной части мишени регулируют в зависимости от требуемого изменения состава осаждаемого на подложку двухкомпонентного материала пленки в направлении ее формирования. В результате обеспечивается управление качественным и экономичным осаждением на подложку многокомпонентного материала пленки. 5 з.п. ф-лы, 2 ил., 4 пр.

Наверх