Способ определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус и теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия транзисторов с полевым управлением



Способ определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус и теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия транзисторов с полевым управлением
Способ определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус и теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия транзисторов с полевым управлением
Способ определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус и теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия транзисторов с полевым управлением
G01R31/2608 - Устройства для определения электрических свойств; устройства для определения местоположения электрических повреждений; устройства для электрических испытаний, характеризующихся объектом, подлежащим испытанию, не предусмотренным в других подклассах (измерительные провода, измерительные зонды G01R 1/06; индикация электрических режимов в распределительных устройствах или в защитной аппаратуре H01H 71/04,H01H 73/12, H02B 11/10,H02H 3/04; испытание или измерение полупроводниковых или твердотельных приборов в процессе их изготовления H01L 21/66; испытание линий передачи энергии H04B 3/46)

Владельцы патента RU 2685769:

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва" (RU)

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров компонентов силовой электроники и может быть использовано для определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус ZThJC(t) и теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия RThJC транзисторов с полевым управлением, в частности биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) и полевых транзисторов с изолированным затвором (MOSFET) для контроля их качества. Согласно заявленному способу осуществляют нагрев испытуемого транзистора постоянным электрическим током при условии выделения в структуре транзистора известной постоянной мощности. На интервале нагрева получают зависимости температуры корпуса и температурочувствительного параметра от времени нагрева, при этом в качестве температурочувствительного параметра используют напряжение на затворе испытуемого транзистора. Прекращают нагрев при достижении заданного значения температуры корпуса. Через промежуток времени не менее 2τ, где τ – значение тепловой постоянной кристалл-корпус, на интервале естественного охлаждения периодически через структуру транзистора пропускают измерительные импульсы электрического тока при условии выделения в структуре транзистора постоянной мощности, равной величине постоянной мощности, выделяемой в структуре транзистора на интервале нагрева, длительность и скважность которых минимально влияют на тепловые процессы. При протекании каждого измерительного импульса электрического тока одновременно измеряют и сохраняют значения температуры корпуса и температурочувствительного параметра. Находят функцию взаимосвязи температуры кристалла и температурочувствительного параметра и вычисляют переходное тепловое сопротивление кристалл-корпус ZThJC(t), определяют тепловое сопротивление кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия RThJC испытуемого транзистора равным значению ZThJC(t) на постоянном участке. Технический результат - повышение точности определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус ZThJC(t) и теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия RThJC транзисторов с полевым управлением. 2 ил.

 

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров компонентов силовой электроники и может быть использовано для определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус ZThJC(t) и теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия RThJC транзисторов с полевым управлением, в частности биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) и полевых транзисторов с изолированным затвором (MOSFET) для контроля их качества.

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому изобретению является метод определения теплового сопротивления кристалл-корпус силовых полупроводниковых приборов , заключающийся в том, что полупроводниковый кристалл нагревают путем пропускания через него постоянного тока заданной амплитуды, измеряют в процессе нагревания значения его температурочувствительного параметра, в качестве которого используют прямое падение напряжения на кристалле, на интервале нагревания дополнительно измеряют температуру основания корпуса прибора в выбранной точке, запоминают эти значения, получая их зависимости от времени, прекращают нагрев полупроводникового кристалла при достижении заданного значения температуры корпуса и в режиме естественного охлаждения при подаче на кристалл коротких измерительных импульсов тока с амплитудой, равной амплитуде на этапе нагрева, и с длительностью и скважностью, минимально влияющих на тепловое равновесие прибора, измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра и температуры основания корпуса, получая их зависимости от времени уже на интервале охлаждения, при этом длительность интервала охлаждения tint выбирают из условия безусловного выполнения tint>>3τmax, где τmax – наибольшая тепловая постоянная конструкции прибора, определяют момент динамического равновесия на интервале нагрева и по полученным зависимостям вычисляют тепловое сопротивление переход-корпус в данный момент динамического равновесия [1].

Первый недостаток известного решения обусловлен тем, что в процессе испытания в кристалле испытуемого прибора выделяется тепло, что непрерывно изменяет величину выделяемой в нем мощности. При этом возникают переходные тепловые процессы, влияние которых снижает точность способа.

Второй недостаток связан с использованием в качестве температурочувствительного параметра прямого падения напряжения на кристалле, которое нелинейно зависит от температуры. При этом наибольшая чувствительность измерения температуры кристалла испытуемого прибора достигается при наибольшем изменении мощности в кристалле испытуемого прибора. Это обуславливает снижение точности определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус ZThJC(t) и теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия RThJC.

В известном решении при подаче измерительных импульсов на этапе охлаждения мощность каждого импульса определяется произведением постоянной величины тока и переменной для каждого импульса величины температурочувствительного параметра. Мощность каждого измерительного импульса отличается от предыдущего, что ведет к снижению точности калибровки температурочувствительного параметра и снижению точности определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус ZThJC(t) и теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия RThJC.

Технический результат заключается в повышении точности определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус ZThJC(t) и теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия RThJC транзисторов с полевым управлением.

Сущность изобретения заключается в том, что в способе определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус ZThJC(t) и теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия RThJC транзисторов с полевым управлением нагрев испытуемого транзистора осуществляют путем пропускания через него постоянного тока при условии поддержания в структуре испытуемого транзистора выделяемой в ней мощности постоянной заданной величины PH, при этом на этапе нагрева одновременно измеряют значения температуры корпуса и температурочувствительного параметра, по которым получают их зависимости от времени нагрева. При достижении температуры корпуса испытуемого транзистора заданного значения прекращают нагрев и на последующем этапе естественного охлаждения подают измерительные импульсы тока прямоугольной формы с амплитудой, при которой в структуре транзистора поддерживается величина постоянной мощности равная мощности PH, которая выделялась на этапе нагрева, и при длительности и скважности которых выделяемая электрическая энергия минимально влияет на тепловые процессы в структуре испытуемого транзистора. В качестве температурочувствительного параметра при этом используют напряжение на затворе испытуемого транзистора UG. Измерительные импульсы тока подают через промежуток времени не менее 2τ после прекращения нагрева, где τ – значение тепловой постоянной кристалл-корпус в соответствии с данными паспорта испытуемого транзистора. При этом при подаче каждого измерительного импульса измеряют и сохраняют значения температуры корпуса TC(n) и температурочувствительного параметра UG(n), где n – порядковый номер измерительного импульса, получают функцию взаимосвязи температуры кристалла и температурочувствительного параметра TJ(UG), вычисляют переходное тепловое сопротивление кристалл-корпус ZThJC(t) на интервале нагрева по формуле:

,

где TJ(UG(t)) – зависимость температуры кристалла испытуемого транзистора от времени нагрева t, полученная через функцию взаимосвязи температуры кристалла испытуемого транзистора и температурочувствительного параметра TJ(UG) и зависимость температурочувствительного параметра от времени нагрева UG(t), TC(t) – зависимость температуры корпуса от времени нагрева t, PH – известная величина постоянной мощности, и определяют тепловое сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия RThJC испытуемого транзистора равным значению переходного теплового сопротивления кристалл-корпус ZThJC(t) на постоянном участке этой характеристики.

На фиг. 1 представлены диаграммы, поясняющие осуществление заявленного способа; на фиг. 2 изображено в общем виде устройство, которое может быть использовано при реализации заявленного способа.

Устройство содержит выпрямитель 1, вход которого подключен к питающей сети переменного напряжения, к выходу которого подключен фильтр 2. Выход фильтра 2 подключен к стабилизатору напряжения 3, первый выход которого подключен к первому входу регулирующего элемента 4. Регулирующий элемент 4 является нагрузкой и представляет собой транзистор с полевым управлением (в частности, IGBT, MOSFET). Второй выход стабилизатора напряжения 3 через резистивный датчик тока 5 соединен со вторым входом регулирующего элемента 4. Выход резистивного датчика тока 5 соединен со вторым входом усилителя обратной связи 6, к первому входу усилителя обратной связи 6 подключен регулируемый опорный элемент 7. Выход усилителя обратной связи 6 соединен с управляющим входом регулирующего элемента 4 [2].

Способ определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус и теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия транзисторов с полевым управлением реализуется следующим образом.

На первом этапе от момента t0 до момента t1 осуществляют нагрев испытуемого транзистора известной постоянной мощностью PH путем пропускания через него тока. Поддержание постоянной мощности на испытуемом транзисторе может осуществляться с помощью регулируемого стабилизатора мощности [2]. Структура стабилизатора мощности представлена на фиг. 2. Испытуемый транзистор включают в качестве нагрузки 4 устройства.

В качестве температурочувствительного параметра используется напряжение на затворе испытуемого транзистора UG. На всем интервале нагрева от момента времени t0 до момента t1 одновременно измеряют значения температурочувствительного параметра UG и значения температуры корпуса TC, получая их зависимости от времени нагрева UG(t) и TC(t). Измерение температуры корпуса TC может производиться, например, в расположенной под центром полупроводникового кристалла точке.

В момент времени t1, как показано на фиг. 1, останавливают нагрев испытуемого транзистора. Момент времени t1 определяют по достижении заданного значения температуры корпуса TCF. Значение температуры корпуса TCF должно находиться в диапазоне величин, при которых обеспечивается безопасная работа испытуемого транзистора.

На интервале естественного охлаждения температуры кристалла и корпуса испытуемого транзистора выравниваются, и через промежуток времени не менее 2τ, где τ – значение тепловой постоянной кристалл-корпус согласно данных паспорта испытуемого транзистора, температуры корпуса и полупроводникового кристалла являются практически одинаковыми.

Момент времени t2 соответствует задержке времени более 2τ от момента окончания нагрева t1, с момента времени t2 и далее на всём интервале естественного охлаждения допустимо придерживаться равенства:

TC = TJ, (1)

где TC – температура корпуса, TJ – температура полупроводникового кристалла.

На интервале естественного охлаждения от момента времени t2 до t3 на испытуемый транзистор подают измерительные импульсы тока прямоугольной формы при условии поддержания в структуре транзистора заданной постоянной величины мощности PH равной мощности, которая выделяется в структуре транзистора на этапе нагрева, как показано на фиг. 1.

При действии каждого измерительного импульса одновременно измеряют и сохраняют значения температуры корпуса и температурочувствительного параметра TC(n) и UG(n), где n – порядковый номер измерительного импульса. Длительность и скважность измерительных импульсов тока должны минимально влиять на тепловые процессы в испытуемом транзисторе.

С учетом (1) полученный набор значений TC(n) преобразуют в TJ(n). Выполняют математическую обработку полученных наборов значений TJ(n) и UG(n), в результате получая функцию взаимосвязи температуры кристалла и температурочувствительного параметра TJ(UG).

Известно, что переходное тепловое сопротивление кристалл – корпус ZThJC(t) определяется как температурная реакция испытуемого транзистора на мгновенное изменение мощности потерь [3]:

, (2)

где ΔP – скачок мощности потерь, ΔT(t) – изменение температуры кристалла относительно его корпуса в момент времени t.

С увеличением времени t переходное тепловое сопротивление кристалл-корпус ZThJC(t) выходит на постоянный участок, значения ZThJC(t) на постоянном участке равны значению теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия RThJC.

В предлагаемом способе мощность в испытуемом транзисторе до начала интервала нагрева равна нулю, а на интервале нагрева скачок мощности потерь ΔP равен известной постоянной мощности PH.

Используя полученные на интервале нагрева зависимости UG(t) и TC(t), а также функцию взаимосвязи TJ(UG), вычисляют переходное тепловое сопротивление ZThJC(t) на интервале нагрева от t0 до t1 по формуле:

, (3)

где TJ(UG(t)) – зависимость температуры кристалла испытуемого транзистора от времени нагрева t, полученная через функцию взаимосвязи температуры кристалла испытуемого транзистора и температурочувствительного параметра TJ(UG) и зависимость температурочувствительного параметра от времени нагрева UG(t), TC(t) – зависимость температуры корпуса от времени нагрева t, PH – известная величина постоянной мощности.

Тепловое сопротивление кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия RThJC определяют равным значению переходного теплового сопротивления ZThJC(t) на постоянном участке этой характеристики.

Применение в заявленном способе нагрева испытуемого транзистора электрическим током при условии поддержания заданной величины постоянной мощности, выделяемой в его структуре, позволяет устранить погрешности измерения мощности и повысить точность определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус ZThJC(t) и теплового теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия RThJC.

Осуществление испытания транзисторов при условиях обеспечения стабилизированной мощности, выделяемой в испытуемом приборе, использовании, позволяет исключить влияние переходных тепловых процессов на результаты измерений, что повышает точность определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус ZThJC(t) и, соответственно, теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия RThJC.

Использование в качестве температурочувствительного параметра напряжения на затворе испытуемого транзистора UG, зависимость которого от температуры линейна, позволяет получать данные о температуре кристалла при постоянной мощности, выделяемой в испытуемом транзисторе, с более высокой точностью, что обуславливает повышение точности определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус ZThJC(t) и, соответственно, теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия RThJC.

Использование измерительных импульсов тока при условии стабилизации заданной постоянной мощности выделяемой в полупроводниковом кристалле, что и на интервале нагрева, повышает точность определения взаимосвязи температуры кристалла и температурочувствительного параметра, что также позволяет повысить точность определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус ZThJC(t) и, соответственно, теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия RThJC.

Источники информации

1. RU 2240573, МПК G01R 31/26, опубл. 20.11.2004.

2. RU 179908, МПК G05F 1/66 (2006.01), опубл. 29.05.2018.

3. Воронин П. А. Силовые полупроводниковые ключи: семейства, характеристики, применение / П.А. Воронин. Изд. 2-е, перераб. и доп. – М.: Издательский дом Додэка-XXI, 2005. – 384 с.

Способ определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус и теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия транзисторов с полевым управлением, в котором нагрев испытуемого транзистора осуществляют путем пропускания через него постоянного электрического тока, измеряют на интервале нагрева значения температуры корпуса и температурочувствительного параметра, получая при этом их зависимости от времени нагрева, прекращают нагрев при достижении заданного значения температуры корпуса и на интервале естественного охлаждения подают измерительные импульсы электрического тока, длительность и скважность которых минимально влияют на тепловые процессы, отличающийся тем, что нагрев испытуемого транзистора осуществляют постоянным электрическим током при условии поддержания в полупроводниковом кристалле транзистора известной постоянной мощности PH, а в качестве температурочувствительного параметра используют напряжение на затворе испытуемого транзистора UG, измерительные импульсы электрического тока подают через промежуток времени не менее 2τ после прекращения нагрева, где τ – значение тепловой постоянной кристалл-корпус согласно данным паспорта испытуемого транзистора, а на интервале естественного охлаждения подают измерительные импульсы электрического тока при условии выделения в полупроводниковом кристалле транзистора известной постоянной мощности, равной величине мощности PH, которая выделяется в полупроводниковом кристалле транзистора на этапе нагрева, при этом при протекании каждого измерительного импульса электрического тока одновременно измеряют и сохраняют значения температуры корпуса TC(n) и температурочувствительного параметра UG(n), где n – порядковый номер измерительного импульса, получают функцию взаимосвязи температуры кристалла и температурочувствительного параметра TJ(UG), вычисляют переходное тепловое сопротивление кристалл-корпус ZThJC(t) на интервале нагрева:

,

где TJ(UG(t)) – зависимость температуры кристалла испытуемого транзистора от времени нагрева t, полученная через функцию взаимосвязи температуры кристалла испытуемого транзистора и температурочувствительного параметра TJ(UG) и зависимость температурочувствительного параметра от времени нагрева UG(t),

TC(t) – зависимость температуры корпуса от времени нагрева t,

PH – известная постоянная мощность,

а тепловое сопротивление кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия RThJC испытуемого транзистора определяют равным величине переходного теплового сопротивления кристалл-корпус ZThJC(t) на постоянном участке этой характеристики.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электротехники, а именно к системам для программирования и тестирования USB устройств и может быть использовано в процессе изготовления USB устройств.

Изобретение относится к области контроля и испытаний для испытания систем, содержащих опасные цепи электровоспламенительных устройств (ЭВУ), на стойкость к воздействию как импульсных, так и постоянных внешних электромагнитных полей (ЭМП) и разрядов молнии.

Изобретение относится к области технической диагностики и может быть использовано для автоматизированного бесконтактного диагностирования технического состояния радиоэлектронных устройств (РЭУ) различных типов.

Изобретение относится к области техники и информатики, а более конкретно к способу предсказания состояния технической системы на основе разностных функций. Технический результат - возможность использовать разности не только первого, но и более высоких порядков, что позволяет эффективно прогнозировать состояние системы.

Изобретение относится к устройствам диагностирования и быстродействующей защиты асинхронных двигателей. Устройство диагностирования и быстродействующей защиты асинхронного двигателя дополнительно содержит датчик магнитной индукции, размещенный в воздушном зазоре асинхронного двигателя и предназначенный для измерения мгновенных значений магнитной индукции, масштабированный сигнал о значении которой с выхода масштабирующего усилителя сигнала магнитной индукции поступает на блок полосовых фильтров, настроенных на частоты гармоник диагностических признаков, выходами подключенный к первым входам блока компараторов, вторые входы которых соединены с выходами формирователя амплитуд эталонных сигналов, соответствующих диагностическим признакам, выходы блока компараторов соединены с установочными входами блока триггеров и входами логического элемента ИЛИ, подключенного выходом к управляющему входу управляемого коммутационного аппарата, входы сброса блока триггеров объединены между собой и являются входом сброса кода ошибки, визуальное отображение которой осуществляется блоком индикации сигнала кода ошибки, входы которого подключены к выходам блока триггеров.

Группа изобретений относится к области электрических сетей энергоснабжения. Для уменьшения расходов оператора сети на распознавание и локализацию сработавших блоков прерываний (16а, 16b, 16с) предлагается устройство (17), которое имеет сенсорный интерфейс (21а) для подключения сенсорного блока (21b) для измерения специфической для блока прерываний (16а, 16b, 16с) измерительной величины (М), соединенный с сенсорным интерфейсом (21а) обрабатывающий блок (20), который предназначен для распознавания изменения проходящего через блок прерываний (16а, 16b, 16с) тока на основании измерительной величины (М), и соединенный с обрабатывающим блоком (20) связной интерфейс (22а), через который в случае распознавания изменения тока предусмотрена передача оповестительного сигнала (S), который указывает критическое состояние блока прерываний, в блок (22b) связи.

Изобретение относится к оценке точности вращающихся трансформаторов (ВТ) и аналого-цифровых преобразователей их сигналов в код (АЦПВТ). Технический результат заключается в повышении точности способа путем определения действительной погрешности, которую имеет контролируемый ВТ (и АЦПВТ) за счет исключения при обработке результатов измерений погрешности второго и третьего ВТ, включаемых при измерениях как в дистанционную передачу, так и при подключении к ним АЦПВТ.

Изобретение относится к устройству (22) дифференциальной защиты для электрического прибора (10) отключения, при этом прибор (10) отключения содержит по меньшей мере один неподвижный контакт (14), выполненный с возможностью соединения с соответствующим электрическим проводником (12), по меньшей мере один контакт (16), подвижный между замкнутым положением, в котором он электрически соединен с соответствующим неподвижным контактом (14), и разомкнутым положением, в котором он электрически изолирован от соответствующего неподвижного контакта (14), и разъединяющий привод (20) размыкания подвижного контакта или подвижных контактов (16) при обнаружении дифференциального дефекта.

Изобретение относится к области измерительной техники и касается способа измерения температуры активной области светодиода. Способ заключается в том, что через светодиод пропускают греющий ток заданной величины, излучение светодиода подается на два фотоприемника и температуру активной области светодиода определяют по изменению центральной длины волны излучения.

Изобретение относится к подаче электроэнергии к вспомогательному оборудованию транспортных средств. Система электропитания включает в себя первую схему, вторую схему и контроллер напряжения.

Использование: для разбраковки ИС класса «система на кристалле» по критерию потенциальной надежности. Сущность изобретения заключается в том, что на представительной выборке ИС класса «система на кристалле» измеряют значения критических напряжений питания (КНП) отдельно для каждого функционального блока ИС при различных температурах (например, при 25°С, 50°С, 75°С и верхней допустимой для ИС данного класса температуре), строят графики усредненных по выборке зависимостей значений КНП от температуры для каждого функционального блока.

Использование: для оценки скорости поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда полупроводников. Сущность изобретения заключается в том, что метод оценки скорости поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда в полупроводниках типа CdS, основанный на зависимости структуры спектра фотопроводимости от величины и знака напряженности электрического поля на поверхности полупроводника, отличается тем, что скорость поверхностной рекомбинации полупроводника определяется по форме спектральной кривой фототока в области экситонных резонансов.

Изобретение относится к области технической диагностики и может быть использовано для автоматизированного бесконтактного диагностирования технического состояния радиоэлектронных устройств (РЭУ) различных типов.

Изобретение относится к области технической диагностики и может быть использовано для автоматизированного бесконтактного диагностирования технического состояния радиоэлектронных устройств (РЭУ) различных типов.

Изобретение относится к области измерительной техники и касается способа измерения температуры активной области светодиода. Способ заключается в том, что через светодиод пропускают греющий ток заданной величины, излучение светодиода подается на два фотоприемника и температуру активной области светодиода определяют по изменению центральной длины волны излучения.

Изобретение относится к области измерительной техники и касается способа измерения температуры активной области светодиода. Способ заключается в том, что через светодиод пропускают греющий ток заданной величины, излучение светодиода подается на два фотоприемника и температуру активной области светодиода определяют по изменению центральной длины волны излучения.

Изобретение относится к электролюминесцентному устройству (20) со светоизлучающим элементом (21), имеющим емкость, переключаемым источником (22) тока, соединенным со светоизлучающим элементом, для подачи тока возбуждения на светоизлучающий элемент и схемой (23) обнаружения короткого замыкания для обнаружения короткого замыкания в светоизлучающем элементе.

Предлагаемое устройство относится к области контроля кабелей и предназначено для прозвонки и определения правильности монтажа кабелей, монтируемых на производстве или проложенных на объектах.

Изобретение относится к обнаружению короткозамкнутого диода в мостовом выпрямителе. Сущность: способ включает определение междуфазного напряжения (Vab, Vbc, Vca) между двумя фазными входами (20) мостового выпрямителя (16), причем фазный вход (20) обеспечен между двумя последовательно соединенными диодами (26) соответствующей фазы, и индикацию неисправности в виде короткозамкнутого диода посредством определения, является ли междуфазное напряжение равным нулю дольше, чем время переключения мостового выпрямителя (16).

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов силовой электроники и может быть использовано для экспресс-оценки тепловой инерционности прибора, его теплового сопротивления и контроля качества.

Изобретение относится к теплофизическим измерениям и направлено на определение коэффициента теплопередачи в конвективно охлаждаемых деталях, например в лопатках газовых турбин.

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров компонентов силовой электроники и может быть использовано для определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус ZThJC и теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия RThJC транзисторов с полевым управлением, в частности биполярных транзисторов с изолированным затвором и полевых транзисторов с изолированным затвором для контроля их качества. Согласно заявленному способу осуществляют нагрев испытуемого транзистора постоянным электрическим током при условии выделения в структуре транзистора известной постоянной мощности. На интервале нагрева получают зависимости температуры корпуса и температурочувствительного параметра от времени нагрева, при этом в качестве температурочувствительного параметра используют напряжение на затворе испытуемого транзистора. Прекращают нагрев при достижении заданного значения температуры корпуса. Через промежуток времени не менее 2τ, где τ – значение тепловой постоянной кристалл-корпус, на интервале естественного охлаждения периодически через структуру транзистора пропускают измерительные импульсы электрического тока при условии выделения в структуре транзистора постоянной мощности, равной величине постоянной мощности, выделяемой в структуре транзистора на интервале нагрева, длительность и скважность которых минимально влияют на тепловые процессы. При протекании каждого измерительного импульса электрического тока одновременно измеряют и сохраняют значения температуры корпуса и температурочувствительного параметра. Находят функцию взаимосвязи температуры кристалла и температурочувствительного параметра и вычисляют переходное тепловое сопротивление кристалл-корпус ZThJC, определяют тепловое сопротивление кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия RThJC испытуемого транзистора равным значению ZThJC на постоянном участке. Технический результат - повышение точности определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус ZThJC и теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия RThJC транзисторов с полевым управлением. 2 ил.

Наверх