Способ измерения теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения



Способ измерения теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения
Способ измерения теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения
Способ измерения теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения
Способ измерения теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения
Способ измерения теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения
Способ измерения теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения
Способ измерения теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения
Способ измерения теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения
Способ измерения теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения
Способ измерения теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения
Способ измерения теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения
G01R31/2601 - Устройства для определения электрических свойств; устройства для определения местоположения электрических повреждений; устройства для электрических испытаний, характеризующихся объектом, подлежащим испытанию, не предусмотренным в других подклассах (измерительные провода, измерительные зонды G01R 1/06; индикация электрических режимов в распределительных устройствах или в защитной аппаратуре H01H 71/04,H01H 73/12, H02B 11/10,H02H 3/04; испытание или измерение полупроводниковых или твердотельных приборов в процессе их изготовления H01L 21/66; испытание линий передачи энергии H04B 3/46)

Владельцы патента RU 2686859:

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет" (RU)

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к неразрушающему контролю, и может быть использовано для измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов после изготовления и монтажа на радиатор охлаждения. Предложен способ измерения теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения, который заключается в том, что закрепляют корпус контролируемого полупроводникового прибора на радиаторе охлаждения через слой теплопроводящей пасты. Радиатор охлаждения размещают в нагретой жидкости, температура которой не более 75% от предельной температуры нагрева полупроводникового прибора, причем корпус полупроводникового прибора располагают выше уровня нагретой жидкости. Измеряют n значений напряжений термоЭДС между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения, усиливают их, производят аналого-цифровое преобразование, сохраняют и определяют n значений температур корпуса полупроводникового прибора по формуле: где ЕЕЭДСi - измеренная термоЭДС в конце i временного интервала, Тро - температура радиатора охлаждения, помещенного в нагретую жидкость, α - коэффициент Зеебека, i - текущий индекс, изменяется от 0 до n, i и n - натуральный ряд чисел, а затем среднее значение теплового сопротивления по формуле: , где С - теплоемкость корпуса полупроводникового прибора, t0 - время начала процесса нагрева корпуса полупроводникового прибора, ti=(Δt⋅i) - временные интервалы в процессе нагрева корпуса полупроводникового прибора, Δt - значение временного интервала, Т0 - температура корпуса полупроводникового прибора перед началом измерения, ТППi - температура корпуса полупроводникового прибора в конце i временного интервала. Технический результат - повышение информативности получаемых данных измерений, так как способ позволяет измерять тепловое сопротивление между корпусом любого полупроводникового прибора и радиатором охлаждения после установки полупроводникового прибора на радиатор охлаждения, что дает информацию о наличии и качестве нанесения теплопроводящей пасты между полупроводниковым прибором и радиатором охлаждения без снятия радиатора охлаждения до введения полупроводникового прибора в эксплуатацию. 1 ил.

 

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к неразрушающему контролю и может быть использовано для измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов после изготовления и монтажа на радиатор охлаждения.

Известен способ измерения теплового сопротивления термопаст [Измерение теплового сопротивления термопаст. Вы можете провести их сами. На страницах сайта www.electrosad.ru.], осуществляемый устройством, включающем в себя источник питания ~220 В, соединенный первым выводом с предохранителем, а вторым выводом с переключателем. Выход предохранителя соединен со входом лабораторного автотрансформатора, выход переключателя соединен со вторым входом лабораторного автотрансформатора. К выходу лабораторного автотрансформатора подключен вольтметр и, через последовательно соединенный амперметр, резистор. Резистор привинчен к радиатору охлаждения с устройством обдува через слой теплопроводящей пасты.

Измерение теплового сопротивления термопасты включает воздействие на резистор, привинченный к радиатору охлаждения через слой теплопроводящей пасты заданным напряжением, измерения тока резистора, измерения температуры корпуса резистора и температуры радиатора охлаждения вблизи контактной поверхности с помощью термопар. Далее определяют значение теплового сопротивления термопасты по формуле:

где tPO - температура радиатора охлаждения вблизи контактной поверхности;

tR1 - температура резистора;

U - приложенное на резистор напряжение;

I - измеренный ток резистора.

Этот способ не позволяет контролировать тепловое сопротивление между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения, так как при подаче напряжения на полупроводниковый прибор температура корпуса полупроводникового прибора будет зависеть еще и от теплового сопротивления «переход-корпус».

Известен способ измерения теплового сопротивления переход-корпус полупроводникового прибора [RU 2529761 С1, МПК G01R 31/00 (2006.01), опубл. 27.09.2014], выбранный в качестве прототипа, включающий воздействие на контролируемый полупроводниковый прибор нагретой жидкостью с заданной температурой, определение зависимости выходного напряжения контролируемого полупроводникового прибора от температуры нагрева контролируемого полупроводникового прибора, определение теплового сопротивления переход-корпус контролируемого полупроводникового прибора с учетом параметров теплоемкости контролируемого полупроводникового прибора, значений температур и времени нагрева между этими температурами контролируемого полупроводникового прибора. Причем воздействие нагретой жидкостью на контролируемый полупроводниковый прибор осуществляют посредством струи нагретой жидкости, фиксируя при этом n значений выходного напряжения контролируемого полупроводникового прибора через равные промежутки времени, фиксируя при этом время начала процесса и фиксируя время конца каждого последующего временного интервала нагрева контролируемого полупроводникового прибора. Определение зависимости выходного напряжения контролируемого полупроводникового прибора от температуры нагрева контролируемого полупроводникового прибора осуществляют по двум крайним температурам, соответствующим началу и концу процесса нагрева контролируемого полупроводникового прибора. На основе этой зависимости определяют температурный коэффициент напряжения контролируемого полупроводникового прибора, n значений выходного напряжения контролируемого полупроводникового прибора преобразуют в n значений температур в конце каждого временного интервала путем деления каждого измеренного выходного напряжения на температурный коэффициент напряжения. Определение теплового сопротивления переход-корпус контролируемого полупроводникового прибора осуществляют n раз с учетом n временных интервалов времени нагрева полупроводникового прибора, n значений температур контролируемого полупроводникового прибора, определяемых в конце каждого временного интервала. Далее определяют среднее значение теплового сопротивления переход-корпус контролируемого полупроводникового прибора по формуле:

где С - теплоемкость контролируемого полупроводникового прибора,

t0 - время начала процесса нагрева контролируемого полупроводникового прибора,

ti=(Δt⋅i) - временные интервалы в процессе нагрева контролируемого полупроводникового прибора,

Δt - значение временного интервала,

Т0 - значения температуры контролируемого полупроводникового прибора перед началом измерения,

Ti - значения температуры контролируемого полупроводникового прибора в конце i временного интервала,

i - текущий индекс, изменяется от 0 до n,

i и n - натуральный ряд чисел.

Этот способ не позволяет контролировать тепловое сопротивление между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения, так как выходное напряжение контролируемого полупроводникового прибора зависит не только от теплового сопротивления переход-корпус полупроводникового прибора, но и от качества нанесения теплопроводящей пасты между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения.

Техническим результатом предложенного изобретения является измерение теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения после установки полупроводникового прибора на радиатор охлаждения.

Способ измерения теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения, также как в прототипе, включает воздействие нагретой жидкостью с заданной температурой, измерение n значений напряжений через равные промежутки времени и фиксацию времени начала процесса и времени конца каждого последующего временного интервала нагрева, определение теплового сопротивления n раз с учетом n временных интервалов времени нагрева, определение среднего значения теплового сопротивления.

Согласно изобретению закрепляют корпус контролируемого полупроводникового прибора на радиаторе охлаждения через слой теплопроводящей пасты. Радиатор охлаждения размещают в нагретой жидкости, температура которой не более 75% от предельной температуры нагрева полупроводникового прибора, причем корпус полупроводникового прибора располагают выше уровня нагретой жидкости. Измеряют n значений напряжений термоЭДС между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения, усиливают их, производят аналого-цифровое преобразование, сохраняют и определяют n значений температур корпуса полупроводникового прибора по формуле:

где ЕЕЭДСi - измеренная термоЭДС в конце i временного интервала,

Tpo - температура радиатора охлаждения, помещенного в нагретую жидкость,

α - коэффициент Зеебека,

i - текущий индекс, изменяется от 0 до n,

i и n - натуральный ряд чисел, а затем среднее значение теплового сопротивления по формуле:

где С - теплоемкость корпуса полупроводникового прибора,

t0 - время начала процесса нагрева корпуса полупроводникового прибора,

ti=(Δt⋅i) - временные интервалы в процессе нагрева корпуса полупроводникового прибора,

Δt - значение временного интервала,

Т0 - температура корпуса полупроводникового прибора перед началом измерения,

ТПП i - температура корпуса полупроводникового прибора в конце i временного интервала.

Предложенный способ позволяет измерять тепловое сопротивление между корпусом любого полупроводникового прибора и радиатором охлаждения после установки полупроводникового прибора на радиатор охлаждения, что дает информацию о наличии и качестве нанесения теплопроводящей пасты между полупроводниковым прибором и радиатором охлаждения без снятия радиатора охлаждения до введения полупроводникового прибора в эксплуатацию.

На фиг. 1 представлено устройство, реализующее предлагаемый способ.

Предложенный способ измерения теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения осуществлен с помощью устройства, содержащего микроконтроллер 1, микроконтроллер 1, соединенный с оптическим излучателем 2 и оптическим приемником 3. Персональный компьютер 4 соединен с микроконтроллером 1. К корпусу полупроводникового прибора 5 подключен первый вход усилителя 6, выход которого связан с входом аналого-цифрового преобразователя 7 (АЦП), который соединен с микроконтроллером 1. К радиатору охлаждения 8 через слой теплопроводящей пасты 9 привинчен корпус полупроводникового прибора 5. Радиатор охлаждения 8 размещен в емкости 10, наполненной диэлектрической жидкостью 11, так, что нижняя часть радиатора

охлаждения 8 погружена в диэлектрическую жидкость 11, а корпус полупроводникового прибора 5 расположен выше ее уровня. Радиатор охлаждения 8 соединен со вторым входом усилителя 6. Емкость 10 установлена на нагреватель 12. Оптический излучатель 2 и оптический приемник 3 прикреплены изнутри на противоположных стенках емкости 10 так, что они расположены выше уровня диэлектрической жидкости 11, а их оптические оси совпадают и направлены навстречу друг другу.

В качестве полупроводникового прибора 9 использовали транзистор КТ805. В качестве радиатора охлаждения 6 использовали радиатор SK29-25S. В качестве микроконтроллера 1 использовали микросхему Atmega 16 производства фирмы «ATMEL». Микроконтроллер 1 соединен с персональным компьютером 5 интерфейсом RS232 для передачи данных. В качестве оптического излучателя 2 был использован инфракрасный светодиод АЛ107Б. Оптический приемник 3 - фотодиод марки ФД265-01. В качестве диэлектрической жидкости 10 использована полиметилсилоксановая жидкость марки ПМС-5 по ГОСТ 13032-77 с изм. 1-3 [«Кремнийорганические продукты, выпускаемые в СССР», Каталог-справочник. М.: Химия, 1970. - С. 52). Использован усилитель 11 с малым напряжением смещения нуля и дрейфом нуля, например, ОР177, аналого-цифровой преобразователь 4 (АЦП) - с временем преобразования не более 1 мс и разрядностью не менее 12 бит, например, МАХ1270. Нагревателем 12 была лабораторная плитка ПЛ-01 с функцией стабилизации температуры, позволяющая вести нагрев до 300°С.

В начале с помощью нагревателя 12 нагрели диэлектрическую жидкость 11 до температуры 70°С, которая определялась как не более 75% от максимально допустимой температуры, обозначенной в технических условия полупроводникового прибора - транзистора КТ805. Затем, включив микроконтроллер 1, подавали импульсные сигналы на оптический излучатель 2. Сигналы с оптического излучателя 2 поступали на оптический приемник 3, что сигнализировало об отсутствии радиатора охлаждения 8 в жидкости 11 и неготовности устройства к работе.

Затем поместили радиатор охлаждения 8 с прикрепленным к нему через слой теплопроводящей пасты 9 корпусом полупроводникового прибора 5 в нагретую диэлектрическую жидкость 11. Сигналы с оптического излучателя 2 перестали поступать на оптический приемник 3, что сигнализировало о начале процесса измерения. Микроконтроллер 1 начал отсчет времени измерения. В результате нагрева радиатора охлаждения 8 между ним и корпусом полупроводникового прибора 5 возникла термоЭДС, которая поступала на усилитель 6, а затем на аналого-цифровой преобразователь 7 (АЦП). С выхода аналого-цифрового преобразователя 7 (АЦП) данные в цифровой форме поступали в микроконтроллер 1, который через заданные промежутки времени, передавал их в персональный компьютер 5. По мере передачи тепловой энергии от радиатора охлаждения 8 к корпусу полупроводникового прибора 5 происходило изменение термоЭДС. Микроконтроллер 1 фиксировал время окончания измерения, которое составило, 700 секунд, и с помощью программы определил температуру корпуса полупроводникового прибора 5 по формуле (1).

После расчета температуры корпуса полупроводникового прибора 5 в каждом временном интервале получили массив температур TППi, в котором каждому члену массива соответствует значение температуры корпуса полупроводникового прибора 5 в момент времени ti, причем время определялось по номеру члена массива. После преобразования полученный массив ТППi передавался из микроконтроллера 1 в компьютер 4 с помощью интерфейса RS232 и использовался для расчета теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора 5 и радиатором охлаждения 8. Расчет теплового сопротивления производился в компьютере 4 в программе Microsoft Excel n раз с последующим вычислением средней величины по формуле (2).

Измеренное тепловое сопротивление между корпусом транзистора К805 и радиатором охлаждения SK29-25S с нанесенной тонким равномерным слоем теплопроводящей пастой КПТ-8 составило 0,061°С/Вт, с а без нанесения теплопроводящей пасты - 0,112°С/Вт.

Способ измерения теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения, включающий воздействие нагретой жидкостью с заданной температурой, измерение n значений напряжений через равные промежутки времени и фиксацию времени начала процесса и времени конца каждого последующего временного интервала нагрева, определение теплового сопротивления n раз с учетом n временных интервалов времени нагрева, определение среднего значения теплового сопротивления, отличающийся тем, что закрепляют корпус контролируемого полупроводникового прибора на радиаторе охлаждения через слой теплопроводящей пасты, радиатор охлаждения размещают в нагретой жидкости, температура которой не более 75% от предельной температуры нагрева полупроводникового прибора, причем корпус полупроводникового прибора располагают выше уровня нагретой жидкости, измеряют n значений напряжений термоЭДС между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения, усиливают их, производят аналого-цифровое преобразование, сохраняют и определяют n значений температур корпуса полупроводникового прибора по формуле:

где ЕЕЭДСi - измеренная термоЭДС в конце i временного интервала,

Тро - температура радиатора охлаждения, помещенного в нагретую жидкость,

α - коэффициент Зеебека,

i - текущий индекс, изменяется от 0 до n,

i и n - натуральный ряд чисел,

а затем среднее значение теплового сопротивления по формуле:

,

где С - теплоемкость корпуса полупроводникового прибора,

t0 - время начала процесса нагрева корпуса полупроводникового прибора,

ti=(Δt⋅i) - временные интервалы в процессе нагрева корпуса полупроводникового прибора,

Δt - значение временного интервала,

Т0 - температура корпуса полупроводникового прибора перед началом измерения,

ТППi - температура корпуса полупроводникового прибора в конце i временного интервала.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способу мониторинга в режиме реального времени рабочего состояния емкостного датчика. Оно находит свое применение, представляющее особый интерес, но не единственное, в измерении хода лопаток в ротационной машине или в турбомашине, такой как турбореактивный двигатель или турбовинтовой двигатель самолета или, например, турбина электрогенератора.

Изобретение относится к испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний на стойкость различных видов сложнофункциональных интегральных микросхем (СИМ) к статическим дестабилизирующим воздействиям (СДВ), в том числе к воздействию ионизирующих излучений.

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров компонентов силовой электроники и может быть использовано для определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус ZThJC(t) и теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия RThJC транзисторов с полевым управлением, в частности биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) и полевых транзисторов с изолированным затвором (MOSFET) для контроля их качества.

Изобретение относится к области электротехники, а именно к системам для программирования и тестирования USB устройств и может быть использовано в процессе изготовления USB устройств.

Изобретение относится к области контроля и испытаний для испытания систем, содержащих опасные цепи электровоспламенительных устройств (ЭВУ), на стойкость к воздействию как импульсных, так и постоянных внешних электромагнитных полей (ЭМП) и разрядов молнии.

Изобретение относится к области технической диагностики и может быть использовано для автоматизированного бесконтактного диагностирования технического состояния радиоэлектронных устройств (РЭУ) различных типов.

Изобретение относится к области техники и информатики, а более конкретно к способу предсказания состояния технической системы на основе разностных функций. Технический результат - возможность использовать разности не только первого, но и более высоких порядков, что позволяет эффективно прогнозировать состояние системы.

Изобретение относится к устройствам диагностирования и быстродействующей защиты асинхронных двигателей. Устройство диагностирования и быстродействующей защиты асинхронного двигателя дополнительно содержит датчик магнитной индукции, размещенный в воздушном зазоре асинхронного двигателя и предназначенный для измерения мгновенных значений магнитной индукции, масштабированный сигнал о значении которой с выхода масштабирующего усилителя сигнала магнитной индукции поступает на блок полосовых фильтров, настроенных на частоты гармоник диагностических признаков, выходами подключенный к первым входам блока компараторов, вторые входы которых соединены с выходами формирователя амплитуд эталонных сигналов, соответствующих диагностическим признакам, выходы блока компараторов соединены с установочными входами блока триггеров и входами логического элемента ИЛИ, подключенного выходом к управляющему входу управляемого коммутационного аппарата, входы сброса блока триггеров объединены между собой и являются входом сброса кода ошибки, визуальное отображение которой осуществляется блоком индикации сигнала кода ошибки, входы которого подключены к выходам блока триггеров.

Группа изобретений относится к области электрических сетей энергоснабжения. Для уменьшения расходов оператора сети на распознавание и локализацию сработавших блоков прерываний (16а, 16b, 16с) предлагается устройство (17), которое имеет сенсорный интерфейс (21а) для подключения сенсорного блока (21b) для измерения специфической для блока прерываний (16а, 16b, 16с) измерительной величины (М), соединенный с сенсорным интерфейсом (21а) обрабатывающий блок (20), который предназначен для распознавания изменения проходящего через блок прерываний (16а, 16b, 16с) тока на основании измерительной величины (М), и соединенный с обрабатывающим блоком (20) связной интерфейс (22а), через который в случае распознавания изменения тока предусмотрена передача оповестительного сигнала (S), который указывает критическое состояние блока прерываний, в блок (22b) связи.

Изобретение относится к оценке точности вращающихся трансформаторов (ВТ) и аналого-цифровых преобразователей их сигналов в код (АЦПВТ). Технический результат заключается в повышении точности способа путем определения действительной погрешности, которую имеет контролируемый ВТ (и АЦПВТ) за счет исключения при обработке результатов измерений погрешности второго и третьего ВТ, включаемых при измерениях как в дистанционную передачу, так и при подключении к ним АЦПВТ.

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров компонентов силовой электроники и может быть использовано для определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус ZThJC(t) и теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия RThJC транзисторов с полевым управлением, в частности биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) и полевых транзисторов с изолированным затвором (MOSFET) для контроля их качества.

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров компонентов силовой электроники и может быть использовано для определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус ZThJC(t) и теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия RThJC транзисторов с полевым управлением, в частности биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) и полевых транзисторов с изолированным затвором (MOSFET) для контроля их качества.

Использование: для разбраковки ИС класса «система на кристалле» по критерию потенциальной надежности. Сущность изобретения заключается в том, что на представительной выборке ИС класса «система на кристалле» измеряют значения критических напряжений питания (КНП) отдельно для каждого функционального блока ИС при различных температурах (например, при 25°С, 50°С, 75°С и верхней допустимой для ИС данного класса температуре), строят графики усредненных по выборке зависимостей значений КНП от температуры для каждого функционального блока.

Использование: для оценки скорости поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда полупроводников. Сущность изобретения заключается в том, что метод оценки скорости поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда в полупроводниках типа CdS, основанный на зависимости структуры спектра фотопроводимости от величины и знака напряженности электрического поля на поверхности полупроводника, отличается тем, что скорость поверхностной рекомбинации полупроводника определяется по форме спектральной кривой фототока в области экситонных резонансов.

Изобретение относится к области технической диагностики и может быть использовано для автоматизированного бесконтактного диагностирования технического состояния радиоэлектронных устройств (РЭУ) различных типов.

Изобретение относится к области технической диагностики и может быть использовано для автоматизированного бесконтактного диагностирования технического состояния радиоэлектронных устройств (РЭУ) различных типов.

Изобретение относится к области измерительной техники и касается способа измерения температуры активной области светодиода. Способ заключается в том, что через светодиод пропускают греющий ток заданной величины, излучение светодиода подается на два фотоприемника и температуру активной области светодиода определяют по изменению центральной длины волны излучения.

Изобретение относится к области измерительной техники и касается способа измерения температуры активной области светодиода. Способ заключается в том, что через светодиод пропускают греющий ток заданной величины, излучение светодиода подается на два фотоприемника и температуру активной области светодиода определяют по изменению центральной длины волны излучения.

Изобретение относится к электролюминесцентному устройству (20) со светоизлучающим элементом (21), имеющим емкость, переключаемым источником (22) тока, соединенным со светоизлучающим элементом, для подачи тока возбуждения на светоизлучающий элемент и схемой (23) обнаружения короткого замыкания для обнаружения короткого замыкания в светоизлучающем элементе.

Предлагаемое устройство относится к области контроля кабелей и предназначено для прозвонки и определения правильности монтажа кабелей, монтируемых на производстве или проложенных на объектах.

Предлагаемый способ относится к области информационно-измерительной техники и может быть использован для предотвращения пожаров на объектах энергетики и других отраслей промышленности.

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к неразрушающему контролю, и может быть использовано для измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов после изготовления и монтажа на радиатор охлаждения. Предложен способ измерения теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения, который заключается в том, что закрепляют корпус контролируемого полупроводникового прибора на радиаторе охлаждения через слой теплопроводящей пасты. Радиатор охлаждения размещают в нагретой жидкости, температура которой не более 75 от предельной температуры нагрева полупроводникового прибора, причем корпус полупроводникового прибора располагают выше уровня нагретой жидкости. Измеряют n значений напряжений термоЭДС между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения, усиливают их, производят аналого-цифровое преобразование, сохраняют и определяют n значений температур корпуса полупроводникового прибора по формуле: где ЕЕЭДСi - измеренная термоЭДС в конце i временного интервала, Тро - температура радиатора охлаждения, помещенного в нагретую жидкость, α - коэффициент Зеебека, i - текущий индекс, изменяется от 0 до n, i и n - натуральный ряд чисел, а затем среднее значение теплового сопротивления по формуле:, где С - теплоемкость корпуса полупроводникового прибора, t0 - время начала процесса нагрева корпуса полупроводникового прибора, ti - временные интервалы в процессе нагрева корпуса полупроводникового прибора, Δt - значение временного интервала, Т0 - температура корпуса полупроводникового прибора перед началом измерения, ТППi - температура корпуса полупроводникового прибора в конце i временного интервала. Технический результат - повышение информативности получаемых данных измерений, так как способ позволяет измерять тепловое сопротивление между корпусом любого полупроводникового прибора и радиатором охлаждения после установки полупроводникового прибора на радиатор охлаждения, что дает информацию о наличии и качестве нанесения теплопроводящей пасты между полупроводниковым прибором и радиатором охлаждения без снятия радиатора охлаждения до введения полупроводникового прибора в эксплуатацию. 1 ил.

Наверх