Способ повышения точности контроля качества стыковки

Изобретение может быть использовано для гибридизации матричных фотоприемных устройств (МФПУ) методом перевернутого монтажа. Способ повышения точности контроля качества стыковки БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) включает установку состыкованного модуля в держатель под небольшим углом к оптической оси объектива микроскопа так, чтобы в поле зрения микроскопа появились сфокусированные действительное изображение края МФЧЭ и мнимое изображение того же края МФЧЭ, зеркально отображенное от плоскости БИС считывания. Каждое измерение зазоров проводят в местах, обозначенных металлизированными метками, сформированными на поверхности кристалла БИС считывания так, чтобы в поле зрения микроскопа одновременно наблюдались изображения зазора и меток. Технический результат - повышение точности измерений величины зазоров между кристаллами посредством того, что каждое измерение зазоров проводят в местах, обозначенных металлизированными метками. 3 ил.

 

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно, к технологии сборки полупроводниковых приборов, и может быть использовано для гибридизации матричных фотоприемных устройств (МФПУ) методом перевернутого монтажа.

В технологическом маршруте изготовления МФПУ должна присутствовать операция оперативного контроля надежности стыковки двух кристаллов - БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ), с помощью которой определяется качество стыковки кристаллов для проведения при необходимости корректирующих действий по улучшению надежности стыковки.

Известен электрический способ контроля качества стыковки кристаллов, являющийся неразрушающим методом контроля [Новоселов А.Р., Косулина И.Г. "Оперативный метод контроля сборок flip-flop", Автометрия, 2009, Т. 45, №6, 119-1]. По этому способу качество стыковки кристаллов определяется визуально по экрану видеомонитора, на вход которого подается видеосигнал с БИС считывания. Если в поле матрицы есть области недостыковки индиевых микроконтактов, то производится дожим кристаллов для получения полной стыковки кристаллов.

Одним из основных недостатков рассмотренного способа является его ненадежность при определении качества проведенной стыковки. Это связано с тем, что при электрическом контроле качества стыковки нет критерия оптимальной стыковки. То есть наличие состыкованных микроконтактов не означает надежной стыковки. Связь между микроконтактами кристаллов может быть слабой, что при многократном термоциклировании может привести к отстыковке как отдельных микроконтактов, так и целых областей матрицы. Или, наоборот, из-за перекоса кристаллов при стыковке отдельные области кристаллов могут быть пережаты до смыкания соседних микроконтактов.

Наиболее близким к предлагаемому способу является оптический способ контроля качества стыковки кристаллов [Акимов В.М., Болтарь К.О., Васильева Л.А., Климанов Е.А. Способ оперативного контроля качества тыковки, Патент на изобретение №2660020 от 04.07.2018]. Способ использует метод прямого измерения зазоров между состыкованными кристаллами. Состыкованный модуль устанавливают в держателе под небольшим углом к оптической оси объектива микроскопа так, чтобы в поле зрения микроскопа появился сфокусированный край кристалла МФЧЭ. Ширина зазора определяется как половина расстояния между действительным и мнимым изображениями края кристалла МФЧЭ. Измерение зазоров между кристаллами проводят под микроскопом по четырем сторонам МФЧЭ, в среднем по 5 измерений по каждой стороне, всего 20 измерений на кристалл.

Недостатком рассмотренного способа является случайный выбор места проведения измерений ширины зазоров вдоль каждой стороны кристалла при каждой серии измерений, связанный с индивидуальными особенностями оператора. Это может приводить к ошибкам при повторных измерениях, т.к. измерения проводятся в другом месте зазора. Особенно заметно это при измерении зазоров длинных и узких кристаллов линеек, когда ширина зазоров может заметно меняться вдоль длинных сторон модуля.

Технический результат предлагаемого изобретения состоит в повышении точности измерений величины зазоров между кристаллами посредством того, что каждое измерение зазоров проводят в местах, обозначенных металлизированными метками, сформированными на поверхности кристалла БИС считывания так, чтобы в поле зрения микроскопа одновременно наблюдались изображения зазора и меток.

Технический результат достигается тем, что с целью повышения точности контроля зазоров после стыковки, на поверхности кристалла БИС считывания формируют специальные линии - метки, расположенные перпендикулярно каждой стороне кристалла МФЧЭ. Для улучшения заметности меток их формируют в самом верхнем слое алюминиевой металлизации по периметру проекции края МФЧЭ на кристалл БИС считывания. Ширина линии-метки составляет в среднем 20 мкм. Если ширина будет меньше 20 мкм, то метка будет плохо видна на фоне зазора, если больше, то уменьшается точность позиционирования при измерении. Для улучшения контраста изображения линии ее длина составляет не менее двойной ширины.

На фиг. 1 дана блок-схема измерения зазора между кристаллами. Состыкованный модуль 1 устанавливают в держателе 2 под небольшим углом к оптической оси объектива микроскопа 3 так, чтобы в поле зрения микроскопа появился сфокусированный край кристалла МФЧЭ. Держатель устанавливается на предметный столик 4 микроскопа.

На фиг. 2 представлен пример расположения меток на кристалле БИС считывания 5 вдоль края каждой стороны МФЧЭ 6. Необходимое число линий-меток 7 формируют в верхнем слое металлизации (в слое алюминия).

На фиг.3 показана фотография зазора 8 между состыкованными кристаллами с фиксирующими место измерения двумя линиями-метками 9.

Способ повышения точности контроля качества стыковки БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ), включающий в себя установку состыкованного модуля в держатель под небольшим углом к оптической оси объектива микроскопа так, чтобы в поле зрения микроскопа появились сфокусированные действительное изображение края МФЧЭ и мнимое изображение того же края МФЧЭ, зеркально отображенное от плоскости БИС считывания, отличающийся тем, что с целью повышения точности измерений величины зазоров между кристаллами каждое измерение зазоров проводят в местах, обозначенных металлизированными метками, сформированными на поверхности кристалла БИС считывания так, чтобы в поле зрения микроскопа одновременно наблюдались изображения зазора и меток.



 

Похожие патенты:

Использование: для создания лазерного прибора. Сущность изобретения заключается в том, что лазерный прибор содержит от двух до шести мезаструктур, обеспеченных на одном полупроводниковом кристалле, причем мезаструктуры электрически соединены параллельно так, что мезаструктуры выполнены с возможностью испускания лазерного излучения в одно и то же время, если на мезаструктуры подано заданное пороговое напряжение, причем лазерный прибор дополнительно содержит драйвер для электрического возбуждения мезаструктур, причем драйвер выполнен с возможностью подачи заданного порогового напряжения на мезаструктуры, причем полупроводниковый кристалл имеет длину стороны менее 250 мкм.

Изобретение относится к способам защиты носителя данных от несанкционированного использования и подделки. .

Изобретение относится к области изготовления изделий электронной техники, заготовкой для которых является слиток полупроводникового материала, требующий калибровки - получение цилиндрической поверхности.

Изобретение относится к измерительной технике, может быть использовано для определения локальной подвижности носителей заряда в локальной области полупроводниковых структур в процессе изготовления и испытания полупроводниковых приборов.

Способ изготовления полупроводникового устройства включает в себя нанесение проводящей пасты, содержащей металлические частицы, на заданную область в электродной пластине, включающей в себя выемку на поверхности электродной пластины, причем заданная область находится рядом с выемкой, размещение полупроводниковой микросхемы на проводящей пасте так, чтобы внешний периферийный край полупроводниковой микросхемы располагался над выемкой, размещение оправки в положении над выемкой и вблизи внешнего периферийного края полупроводниковой микросхемы с обеспечением зазора между оправкой и внешней периферийной частью электродной пластины, которая представляет собой часть, расположенную дальше во внешней периферийной стороне, чем выемка, и затвердевание проводящей пасты путем нагревания проводящей пасты при приложении давления к полупроводниковой микросхеме в направлении электродной пластины.

Узел (20) датчика давления технологической текучей среды включает в себя датчик (30) давления, выполненный с возможностью измерения давления технологической текучей среды.

Изобретение относится к области техники жидкокристаллических дисплеев, в частности к контролю конструкции с МДП-структурой (структурой металл - диэлектрик - полупроводник) в ТПТ (тонкопленочных транзисторах) и его системе.

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии сборки полупроводниковых приборов, и может быть использовано для гибридизации кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) методом перевернутого монтажа.

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к определению физических параметров полупроводниковых приборов, в частности к определению температурной зависимости распределения потенциала в двухзатворных симметричных полностью обедненных полевых транзисторах со структурой «кремний на изоляторе» с гауссовым вертикальным профилем легирования рабочей области, и может быть использовано при моделировании и разработке интегральных схем в специализированных программах.

Изобретение относится к физике полупроводников. Его применение при определении параметров каскадно возбуждаемых ловушек носителей зарядов в полупроводнике позволяет исследовать каскадно возбуждаемый тип ловушек в более широком классе полупроводниковых материалов, начиная с кристаллических и заканчивая органическими полупроводниками и нанокристаллами, и обеспечивает расширенные функциональные возможности за счет определения не только характеристик ловушек, но и энергетической плотности их состояний.
Изобретение относится к приборам и методам экспериментальной физики и предназначено для исследования дефектной структуры кристаллов. Способ имеет преимущество по сравнению с методом рентгенодифракционной топографии: нет необходимости разрушать исследуемый образец, можно осуществлять экспрессный контроль больших партий монокристаллов.

Изобретение относится к области оптико-электронного приборостроения и касается способа измерения пороговой разности температур инфракрасного матричного фотоприемного устройства.

Изобретение относится к области оптико-физических измерений, основанных на эллипсометрии, и предназначено для определения линейного коэффициента теплового расширения тонких прозрачных пленок.

Изобретение относится к области изготовления изделий электронной техники, заготовкой для которых является слиток полупроводникового материала, требующий калибровки - получение цилиндрической поверхности.

В травильной линии должно подвергаться травлению некоторое количество подвергаемых травлению полос, которые имеют начальные свойства материала. Для этого компьютер устанавливает некоторое количество последовательностей, которые содержат, соответственно, определенное количество полос, подвергаемых травлению.

Изобретение относится к измерительной технике, может быть использовано для определения локальной подвижности носителей заряда в локальной области полупроводниковых структур в процессе изготовления и испытания полупроводниковых приборов.

Изобретение относится к электронной технике, в частности к микроэлектронике, и может быть использовано при изготовлении кристаллов интегральных схем (ИС) и дискретных полупроводниковых приборов.

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии сборки полупроводниковых приборов, и может быть использовано для гибридизации кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) методом перевернутого монтажа.

Использование: для неразрушающего контроля параметров полупроводников, содержащих вырожденный электронный газ. Сущность изобретения заключается в том, что образец охлаждают, воздействуют на него изменяющимся постоянным магнитным полем с индукцией В и переменным магнитным полем, изменяющимся со звуковой частотой, имеющим амплитуду, во много раз меньшую индукции В, облучают образец СВЧ-излучением заданной частоты, выбирают частоту излучения меньше частоты столкновений носителей заряда с атомами полупроводника, регистрируют сигнал, пропорциональный второй производной мощности, проходящего через диафрагму и образец СВЧ-излучения в зависимости от индукции В, измеряют значение индукции магнитного поля, соответствующее максимуму сигнала, и определяют квантованное холловское сопротивление.

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к определению физических параметров полупроводниковых приборов, в частности к определению температурной зависимости распределения потенциала в двухзатворных симметричных полностью обедненных полевых транзисторах со структурой «кремний на изоляторе» с гауссовым вертикальным профилем легирования рабочей области, и может быть использовано при моделировании и разработке интегральных схем в специализированных программах.

Изобретение относится к физике полупроводников. Его применение при определении параметров каскадно возбуждаемых ловушек носителей зарядов в полупроводнике позволяет исследовать каскадно возбуждаемый тип ловушек в более широком классе полупроводниковых материалов, начиная с кристаллических и заканчивая органическими полупроводниками и нанокристаллами, и обеспечивает расширенные функциональные возможности за счет определения не только характеристик ловушек, но и энергетической плотности их состояний.

Изобретение может быть использовано для гибридизации матричных фотоприемных устройств методом перевернутого монтажа. Способ повышения точности контроля качества стыковки БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов включает установку состыкованного модуля в держатель под небольшим углом к оптической оси объектива микроскопа так, чтобы в поле зрения микроскопа появились сфокусированные действительное изображение края МФЧЭ и мнимое изображение того же края МФЧЭ, зеркально отображенное от плоскости БИС считывания. Каждое измерение зазоров проводят в местах, обозначенных металлизированными метками, сформированными на поверхности кристалла БИС считывания так, чтобы в поле зрения микроскопа одновременно наблюдались изображения зазора и меток. Технический результат - повышение точности измерений величины зазоров между кристаллами посредством того, что каждое измерение зазоров проводят в местах, обозначенных металлизированными метками. 3 ил.

Наверх