Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления защитной изолирующей пленки с низкой дефектностью. Изобретение обеспечивает снижение значений тока утечки, повышение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. Способ изготовления полупроводникового прибора включает формирование на кремниевой подложке арсенид силикатного стекла со скоростью осаждения 5 нм/мин, окислением при подаче в реактор 1% силана SiH4 в потоке аргона 380 см3/мин, 1% AsH3 в потоке аргона 40 см3/мин и расходе кислорода O2 80 см3/мин при температуре 500°С с последующей термообработкой при температуре 1100°С в течение 5 часов в среде аргона.

 

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления защитной изолирующей пленки с низкой дефектностью.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент 5306945 США, МКИ H01L 29/34] предотвращающий влияние подвижных ионов на функциональные характеристики и надежность микросхем, покрытой тонким оксидным слоем и слоем борофосфоросиликатным стеклом, формируется рамка из вольфрама W или сплава W, расположенная в соответствующей прямоугольной канавке на периферии кристалла. Нижняя поверхность рамки контактирует с легированной полоской р+ или п+ типа, расположенной в подложке. В таких приборах при различных температурных режимах и в различных средах повышается дефектность структуры и ухудшаются электрические параметры изделий

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент 5362686 США, МКИ H01L 21/02] с защитной изолирующей пленкой. На полупроводниковой подложке выполняют разводку межсоединений для данного прибора, после чего наносят на подложку и систему межсоединений пленку оксинитрида кремния, используя метод осаждения из паровой фазы силана и азотосодержащего газа.

Недостатками этого способа являются:

- повышенные значения тока утечки

- высокая плотность дефектов;

- низкая технологичность.

Задача, решаемая изобретением: снижение значений тока утечки, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.

Задача решается формированием на кремниевой подложке арсенид силикатного стекла со скоростью осаждения 5 нм/мин, окислением при подаче в реактор 1% силана SiH4 в потоке аргона 380 см3/мин, 1% AsH3 в потоке аргона 40 см3/мин и расхода кислорода O2 80 см3/мин при температуре 500°С с последующей термообработкой при температуре 1100°С в течение 5 часов в среде аргона.

Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р - проводимости с удельным сопротивлением 10 Ом*см, ориентацией (100) формировали арсенид силикатное стекло со скоростью осаждения 5 нм/мин, окислением при подаче в реактор 1% силана SiH4 в потоке аргона 380 см3/мин, 1% AsH3 в потоке аргона 40 см3/мин и расхода кислорода O2 80 см3/мин при температуре 500°С с последующей термообработкой при температуре 1100°С в течение 5 часов в среде аргона. Низкая скорость осаждения обеспечивает более высокую плотность слоя арсенид силикатного стекла и способствует снижению значений токов утечек.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.

Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 12,4%.

Технический результат: снижение токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличения процента выхода годных.

Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования на кремниевой подложке арсенид силикатного стекла со скоростью осаждения 5 нм/мин, окислением при подаче в реактор 1% силана SiH4 в потоке аргона 380 см3/мин, 1% AsH3 в потоке аргона 40 см3/мин и расхода кислорода O2 80 см3/мин при температуре 500°С с последующей термообработкой при температуре 1100°С в течение 5 часов в среде аргона, позволяет повысит процент выхода годных приборов и улучшит их надежность.

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку, разводку межсоединений, процессы формирования изолирующей пленки, отличающийся тем, что изолирующую пленку формируют из арсенид силикатного стекла со скоростью осаждения 5 нм/мин, окислением при подаче в реактор 1% силана SiH4 в потоке аргона 380 см3/мин, 1% AsH3 в потоке аргона 40 см3/мин и расхода кислорода О2 80 см3/мин при температуре 500°С с последующей термообработкой при температуре 1100°С в течение 5 часов в среде аргона



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженной дефектностью.

Использование: для формирования наноразмерных диэлектрических пленок. Сущность изобретения заключается в том, что способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности InP включает предварительную обработку полированных пластин InP травителем H2SO4:H2O2H2O=2:1:1 в течение 10-12 мин, многократное промывание в бидистиллированной воде, высушивание на воздухе, формирование на поверхности пластин InP слоя MnO2 толщиной 25-30 нм методом магнетронного распыления мишени, термооксидирование образцов при температуре 450-550°С в течение 40-70 мин в потоке кислорода в присутствии фосфата марганца Mn3(PO4)2.

Настоящее изобретение относится к композиции для покрытия, получаемой из по меньшей мере одного иттрийсодержащего предшественника, выбранного из группы, включающей оксоалкоксиды иттрия, растворителя A и растворителя B, который отличается от растворителя A, при этом соотношение давления пара растворителя A при 20°C к давлению пара растворителя B при 20°C составляет .

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, содержащих пассивную структуру диэлектрик - полупроводник, в том числе диодов и транзисторов, а также приемников излучения, чувствительных в спектральном диапазоне (1÷3,5) мкм, таких как фотодиоды и фототранзисторы на кристаллах InAs n-типа проводимости.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затвора полевого транзистора с пониженными токами утечек.

Использование: для формирования диэлектрических пленок нанометровой толщины на поверхности полупроводников AIIIBV. Сущность изобретения заключается в том, что способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности GaAs с использованием магнетронно сформированного слоя диоксида марганца включает предварительную обработку пластин GaAs концентрированной плавиковой кислотой, промывание их дистиллированной водой, высушивание на воздухе, формирование слоя МnO2 толщиной 30±1 нм, последующее термооксидирование при температуре от 450 до 550°С в течение 60 мин при скорости потока кислорода 30 л/ч, согласно изобретению, формирование слоя МnО2 производят методом магнетронного распыления мишени в аргоновой атмосфере рAr ~ 10-3 Торр.

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано в процессе получения материалов с высокой газовой чувствительностью и малыми размерами для изготовления газовых сенсоров.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии формирования подзатворного диэлектрика с пониженной дефектностью и с повышенной радиационной стойкостью.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженным сопротивлением затвора.

Использование: для роста наноразмерных пленок диэлектриков на поверхности монокристаллических полупроводников. Сущность изобретения заключается в том, что пленку Al2O3 наносят ионно-плазменным распылением на слой пористого кремния с размером пор менее 3 нм, полученного электрохимическим травлением исходной пластины монокристаллического кремния, при рабочем давлении в камере в диапазоне 3-5⋅10-3 мм рт.ст.

Использование: для формирования фоторезистивных пленок. Сущность изобретения заключается в том, что способ формирования фоторезистивной пленки толщиной от 0,8 до 20 мкм из раствора на поверхности подложки включает нанесение фоторезистивного материала из раствора методом аэрозольного итеррационного распыления в потоке газа, обеспечивают сушку формируемой пленки фоторезиста за счет увеличенной скорости испарения растворителя, на подложку в виде отдельных микрокапель, не образующих сплошного слоя в отдельной итерации, при этом подложка может содержать элементы с перепадом высоты, превышающим толщину фоторезистивной пленки, при этом для приготовления раствора фоторезистивного материала используют растворитель, имеющий температуру кипения в диапазоне от 180 до 215°С, представляющий собой один из растворителей или их смесь - циклогексанметанол, 2-циклогексилэтанол - в объемном отношении от не менее 2:1 до 5:1 к основным компонентам материала сформированной фоторезистивной пленки.

Способ изготовления стеклянных пластин с утолщенным краем для фотопреобразователей космического назначения относится к электротехнике, в частности, к технологии изготовления солнечных элементов, а именно: к технологии изготовления радиационно-стойкого защитного стекла для фотопреобразователей.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженной дефектностью.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженной дефектностью.

Использование: для формирования наноразмерных диэлектрических пленок. Сущность изобретения заключается в том, что способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности InP включает предварительную обработку полированных пластин InP травителем H2SO4:H2O2H2O=2:1:1 в течение 10-12 мин, многократное промывание в бидистиллированной воде, высушивание на воздухе, формирование на поверхности пластин InP слоя MnO2 толщиной 25-30 нм методом магнетронного распыления мишени, термооксидирование образцов при температуре 450-550°С в течение 40-70 мин в потоке кислорода в присутствии фосфата марганца Mn3(PO4)2.

Настоящее изобретение относится к композиции для покрытия, получаемой из по меньшей мере одного иттрийсодержащего предшественника, выбранного из группы, включающей оксоалкоксиды иттрия, растворителя A и растворителя B, который отличается от растворителя A, при этом соотношение давления пара растворителя A при 20°C к давлению пара растворителя B при 20°C составляет .

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, содержащих пассивную структуру диэлектрик - полупроводник, в том числе диодов и транзисторов, а также приемников излучения, чувствительных в спектральном диапазоне (1÷3,5) мкм, таких как фотодиоды и фототранзисторы на кристаллах InAs n-типа проводимости.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затвора полевого транзистора с пониженными токами утечек.

Использование: для формирования диэлектрических пленок нанометровой толщины на поверхности полупроводников AIIIBV. Сущность изобретения заключается в том, что способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности GaAs с использованием магнетронно сформированного слоя диоксида марганца включает предварительную обработку пластин GaAs концентрированной плавиковой кислотой, промывание их дистиллированной водой, высушивание на воздухе, формирование слоя МnO2 толщиной 30±1 нм, последующее термооксидирование при температуре от 450 до 550°С в течение 60 мин при скорости потока кислорода 30 л/ч, согласно изобретению, формирование слоя МnО2 производят методом магнетронного распыления мишени в аргоновой атмосфере рAr ~ 10-3 Торр.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления подзатворного диэлектрика с пониженной плотностью дефектов.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженными токами утечек. Предложен способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования слоя подзатворного оксида при температуре 1200°С в течение 14 мин в потоке осушенного кислорода в присутствии трихлорэтилена с последующим отжигом в течение 10 мин в потоке азота, что позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность. Технический результат - снижение тока утечки, обеспечение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления защитной изолирующей пленки с низкой дефектностью. Изобретение обеспечивает снижение значений тока утечки, повышение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. Способ изготовления полупроводникового прибора включает формирование на кремниевой подложке арсенид силикатного стекла со скоростью осаждения 5 нммин, окислением при подаче в реактор 1 силана SiH4 в потоке аргона 380 см3мин, 1 AsH3 в потоке аргона 40 см3мин и расходе кислорода O2 80 см3мин при температуре 500°С с последующей термообработкой при температуре 1100°С в течение 5 часов в среде аргона.

Наверх