Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затворного слоя оксида кремния с низкой плотностью дефектов. Слой затворного оксида кремния формируют с применением пиролиза силана в присутствии двуокиси углерода в соотношении (1:100) в потоке водорода 24 л/мин, со скоростью роста 3-5 нм/с, при температуре 1100°С, с последующим отжигом в течение 3 мин в потоке азота при температуре 570°С. Технический результат: снижение плотности дефектов, обеспечение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличения процента выхода годных.

 

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затворного слоя оксида кремния с низкой плотностью дефектов.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент 5328872 США, МКИ H01L 21/02] который предусматривает выращивание пленки легированного оксида путем ПФХО при пониженном давлении. На этапах загрузки подложки и собственно выращивания пленки проводят интенсивную откачку рабочего объема реактора, чтобы предупредить образование частиц оксида в активной зоне и их попадание на подложки. Из-за изготовления оксида приборов при различных температурных режимах и в различных средах повышается дефектность структуры и ухудшаются электрические параметры изделий

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент 5393683 США, МКИ H01L 21/265]предусматривающий формирование двухслойного затворного оксида на кремниевой подложке. Способ включает изготовление двухслоев затворного оксида: сначала окислением подложки в кислородосодержащей атмосфере, а затем окислением в атмосфере NO2. Соотношение слоев по толщине (в %) составляет 80:20 от суммарной толщины слоя 6,5 нм. Недостатками этого способа являются: высокая плотность дефектов, повышенные значения тока утечки, низкая технологичность.

Задача, решаемая изобретением: снижение плотности дефектов, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.

Задача решается формированием затворного слоя оксида кремния с применением пиролиза силана в присутствии двуокиси углерода в соотношении (1:100) в потоке водорода 24 л/мин, со скоростью роста 3-5 нм/с, при температуре 1100°С, с последующим отжигом в течение 3 мин. в потоке азота при температуре 570°С

Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния n-проводимости с удельным сопротивлением 4,5 Ом*см, ориентацией (111) подачей в реактор смесь силана с двуокисью углерода в соотношении (1:100) в потоке водорода 24 л/мин, формируют слой оксида кремния со скоростью роста 3-5 нм/с, при температуре 1100°С, с последующим отжигом в течение 3 мин в потоке азота при температуре 570°С. Затем формировали активные области полевого транзистора и контакты по стандартной технологии. Водород замедляет разложение и гидлолиз силана, а низкая скорость осаждения обеспечивает более высокую плотность слоя оксида кремния и способствует снижению дефектности.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.

Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 13,1%.

Технический результат: снижение плотности дефектов, обеспечение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличения процента выхода годных.

Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования затворного слоя оксида кремния с применением пиролиза силана в присутствии двуокиси углерода в соотношении (1:100) в потоке водорода 24 л/мин, при скорости роста 3-5 нм/с, при температуре 1100°С с последующим отжигом в течение 3 мин. в потоке азота при температуре 570°С, позволяет повысит процент выхода годных приборов и улучшит их надежность.

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку, процессы формирования областей стока, истока, затвора, контактов к этим областям и слоя оксида кремния, отличающийся тем, что слой оксида кремния формируют с применением пиролиза силана в присутствии двуокиси углерода в соотношении (1:100) в потоке водорода 24 л/мин, со скоростью роста 3-5 нм/с, при температуре 1100°С с последующим отжигом в течение 3 мин в потоке азота при температуре 570°С.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженными токами утечек.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления защитной изолирующей пленки с низкой дефектностью.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженной дефектностью.

Использование: для формирования наноразмерных диэлектрических пленок. Сущность изобретения заключается в том, что способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности InP включает предварительную обработку полированных пластин InP травителем H2SO4:H2O2H2O=2:1:1 в течение 10-12 мин, многократное промывание в бидистиллированной воде, высушивание на воздухе, формирование на поверхности пластин InP слоя MnO2 толщиной 25-30 нм методом магнетронного распыления мишени, термооксидирование образцов при температуре 450-550°С в течение 40-70 мин в потоке кислорода в присутствии фосфата марганца Mn3(PO4)2.

Настоящее изобретение относится к композиции для покрытия, получаемой из по меньшей мере одного иттрийсодержащего предшественника, выбранного из группы, включающей оксоалкоксиды иттрия, растворителя A и растворителя B, который отличается от растворителя A, при этом соотношение давления пара растворителя A при 20°C к давлению пара растворителя B при 20°C составляет .

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, содержащих пассивную структуру диэлектрик - полупроводник, в том числе диодов и транзисторов, а также приемников излучения, чувствительных в спектральном диапазоне (1÷3,5) мкм, таких как фотодиоды и фототранзисторы на кристаллах InAs n-типа проводимости.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затвора полевого транзистора с пониженными токами утечек.

Использование: для формирования диэлектрических пленок нанометровой толщины на поверхности полупроводников AIIIBV. Сущность изобретения заключается в том, что способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности GaAs с использованием магнетронно сформированного слоя диоксида марганца включает предварительную обработку пластин GaAs концентрированной плавиковой кислотой, промывание их дистиллированной водой, высушивание на воздухе, формирование слоя МnO2 толщиной 30±1 нм, последующее термооксидирование при температуре от 450 до 550°С в течение 60 мин при скорости потока кислорода 30 л/ч, согласно изобретению, формирование слоя МnО2 производят методом магнетронного распыления мишени в аргоновой атмосфере рAr ~ 10-3 Торр.

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано в процессе получения материалов с высокой газовой чувствительностью и малыми размерами для изготовления газовых сенсоров.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии формирования подзатворного диэлектрика с пониженной дефектностью и с повышенной радиационной стойкостью.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженными токами утечек.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженными токами утечек.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления защитной изолирующей пленки с низкой дефектностью.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления защитной изолирующей пленки с низкой дефектностью.

Использование: для формирования фоторезистивных пленок. Сущность изобретения заключается в том, что способ формирования фоторезистивной пленки толщиной от 0,8 до 20 мкм из раствора на поверхности подложки включает нанесение фоторезистивного материала из раствора методом аэрозольного итеррационного распыления в потоке газа, обеспечивают сушку формируемой пленки фоторезиста за счет увеличенной скорости испарения растворителя, на подложку в виде отдельных микрокапель, не образующих сплошного слоя в отдельной итерации, при этом подложка может содержать элементы с перепадом высоты, превышающим толщину фоторезистивной пленки, при этом для приготовления раствора фоторезистивного материала используют растворитель, имеющий температуру кипения в диапазоне от 180 до 215°С, представляющий собой один из растворителей или их смесь - циклогексанметанол, 2-циклогексилэтанол - в объемном отношении от не менее 2:1 до 5:1 к основным компонентам материала сформированной фоторезистивной пленки.

Способ изготовления стеклянных пластин с утолщенным краем для фотопреобразователей космического назначения относится к электротехнике, в частности, к технологии изготовления солнечных элементов, а именно: к технологии изготовления радиационно-стойкого защитного стекла для фотопреобразователей.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженной дефектностью.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженной дефектностью.

Использование: для формирования наноразмерных диэлектрических пленок. Сущность изобретения заключается в том, что способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности InP включает предварительную обработку полированных пластин InP травителем H2SO4:H2O2H2O=2:1:1 в течение 10-12 мин, многократное промывание в бидистиллированной воде, высушивание на воздухе, формирование на поверхности пластин InP слоя MnO2 толщиной 25-30 нм методом магнетронного распыления мишени, термооксидирование образцов при температуре 450-550°С в течение 40-70 мин в потоке кислорода в присутствии фосфата марганца Mn3(PO4)2.

Настоящее изобретение относится к композиции для покрытия, получаемой из по меньшей мере одного иттрийсодержащего предшественника, выбранного из группы, включающей оксоалкоксиды иттрия, растворителя A и растворителя B, который отличается от растворителя A, при этом соотношение давления пара растворителя A при 20°C к давлению пара растворителя B при 20°C составляет .

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затворного слоя оксида кремния с низкой плотностью дефектов. Слой затворного оксида кремния формируют с применением пиролиза силана в присутствии двуокиси углерода в соотношении в потоке водорода 24 лмин, со скоростью роста 3-5 нмс, при температуре 1100°С, с последующим отжигом в течение 3 мин в потоке азота при температуре 570°С. Технический результат: снижение плотности дефектов, обеспечение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличения процента выхода годных.

Наверх