Способ изготовления полупроводникового прибора

Авторы патента:

H01L21/265 - с внедрением ионов (трубки с ионным пучком для локальной обработки H01J 37/30)

Владельцы патента RU 2693506:

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" (RU)

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с повышенным значением напряжения пробоя изолирующих областей. Изобретение обеспечивает повышение значений напряжения пробоя изолирующих областей, повышение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. В способе изготовления полупроводникового прибора на подложке кремния n-типа проводимости формируют карман р-типа путем имплантации ионов магния с энергией 150 кэВ, дозой 1*10¹⁴ см^-2, с последующей термообработкой при температуре 700-750°С в течение 5-15 мин в атмосфере водорода. Затем формируют структуру прибора, электроды стока, истока и затвора по стандартной технологии. 1 табл.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат. 5270226 США, МКИ HO1L 21/336] со слаболегированными стоками и повышенной надежностью, путем ионной имплантации в области стока и истока с использованием электрода затвора в качестве маски, имплантация проводится в несколько стадий, с поворотом подложки на 90 и 170°. В таких полупроводниковых приборах из-за проведения имплантации в несколько стадий образуется большое количество дефектов, которые ухудшают параметры приборов.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат. 5290720 США, МКИ HO1L 21/265] с формированием самосовмещенных силицидных затворных электродов. Исходная структура с поликремневыми затворами над соседними карманами р и n типа проводимости покрывается слоями диоксида кремния. Реактивным ионным травлением формируют пристеночные кремниевые спейсеры, проводится ионная имплантация в области стока и истока, затворные структуры покрываются тонким слоем диоксида кремния, создаются пристеночные спейсеры из нитрида кремния, наносится слой титана и проводится термообработка.

Недостатками способа являются:

- низкие значения напряжения пробоя изолирующих областей;

- высокие значения токов утечек;

- низкая технологичность.

Задача, решаемая изобретением: повышения значений напряжения пробоя изолирующих областей, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.

Задача решается формированием р- кармана путем имплантации ионов магния с энергией 150 кэВ, дозой 1*10¹⁴ см^-2, с последующей термообработкой при температуре 700-750°С в течении 5-15 мин в атмосфере водорода.

Технология способа состоит в следующем: на подложке кремния n-типа проводимости формируют карман р-типа путем имплантации ионов магния с энергией 150 кэВ, дозой 1*10¹⁴ см^-2, с последующей термообработкой при температуре 700-750°С в течении 5-15 мин в атмосфере водорода. Затем формировали структуру прибора, электроды стока, истока и затвора по стандартной технологии.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы приборы. Результаты обработки представлены в таблице.

Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых приборов, на партии пластин сформированных в оптимальном режиме увеличился на 14,2%.

Технический результат: повышения значений напряжения пробоя изолирующих областей, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных.

Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.

Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора формированием р -кармана путем имплантации ионов магния с энергией 150 кэВ, дозой 1*10¹⁴см^-2, с последующей термообработкой при температуре 700-750°С в течение 5-15 мин в атмосфере водорода, позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность.

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку, процессы ионного легирования, термообработку, формирование диоксида кремния, активных областей стока, истока, канала, кармана р-типа, отличающийся тем, что карман р-типа формируют путем имплантации ионов магния с энергией 150 кэВ, дозой 1*10¹⁴ см^-2, с последующей термообработкой при температуре 700-750°С в течение 5-15 мин в атмосфере водорода.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии формирования силицидных слоев с низким сопротивлением.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2688866

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления п+ скрытых слоев. Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р-типа проводимости с удельным сопротивлением 10 Ом*см, ориентации (111) формировали п+ скрытый слой имплантацией ионов мышьяка с энергией 150 кэВ, дозой (2-4) 1012 см-2 при температуре подложки 500-600°С, с последующей разгонкой при температуре 1200°С в атмосфере смеси 50% кислорода О2/50% азота N2 и термическим отжигом при температуре 1000°С в течение 20 мин в атмосфере водорода.

Способ изготовления фазовых периодических микроструктур на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников // 2687889

Изобретение относится к оптоэлектронике, а именно к способам изготовления периодических микроструктур на основе материалов с фазовой памятью - халькогенидных стеклообразных полупроводников, выполненных на поверхности оптически прозрачных материалов.

Способ формирования гексагональной фазы кремния // 2687087

Использование: для изготовления светоизлучающих приборов на основе гексагональной фазы кремния, обеспечивающей эффективное возбуждение фотолюминесценции. Сущность изобретения заключается в том, что в способе формирования фазы гексагонального кремния путем имплантации в изготовленную из алмазоподобного монокристаллического кремния пластину ионов, имеющих атомный радиус, превышающий атомный радиус кремния, и образующих в результате указанной имплантации в алмазоподобном монокристаллическом кремнии пластины включения, инициирующие возникновение в нем повышенных механических напряжений, создающих энергетические условия преобразования алмазоподобной фазы монокристаллического кремния в его гексагональную фазу, для повышения стабильности возникновения в алмазоподобном монокристаллическом кремнии упомянутой пластины зоны повышенных механических напряжений производят имплантацию ионов азота и галлия через предварительно полученный на поверхности исходной пластины тонкий слой нитрида кремния толщиной, с одной стороны, не препятствующей прохождению сквозь слой имплантируемых ионов галлия и азота, с другой стороны, достаточной при подобранной энергии имплантации для запирания под ним в прилегающем к указанному слою нитрида кремния подповерхностном слое алмазоподобного монокристаллического кремния указанной пластины имплантированных ионов азота и галлия с образованием ими при последующем отжиге пластины в указанном подповерхностном слое включений нитрида галлия, приводящем к стабильному формированию в этом слое гексагональной фазы кремния с повышенным заполнением этого слоя указанной фазой.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2671294

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженной плотностью дефектов.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2671294

Способ изготовления интегральных элементов микросхем на эпитаксиальных структурах арсенида галлия // 2665368

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии полупроводниковых приборов на эпитаксиальных структурах арсенида галлия. Техническим результатом предлагаемого способа изготовления интегральных элементов микросхемы на эпитаксиальных структурах арсенида галлия является обеспечение равенства слоевых сопротивлений для различных интегральных элементов, рабочая область которых формируется в эпитаксиальных структурах арсенида галлия при помощи жидкостного травления.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2660296

Изобретение относитья к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки.

Способ изготовления диэлектрической изоляции // 2660212

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления диэлектрической изоляции с низкими токами утечек.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2659328

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления биполярных транзисторов с высоким коэффициентом усиления.