Способ изготовления полупроводникового прибора

Авторы патента:

Кутуев Руслан Азаевич (RU)

Мустафаев Гасан Абакарович (RU)

Мустафаев Арслан Гасанович (RU)

Хасанов Асламбек Идрисович (RU)

H01L21/316 - из оксидов, стекловидных оксидов или стекла на основе оксидов

H01L21/31 - с целью образования диэлектрических слоев на полупроводниках, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии (для получения электродных слоев H01L 21/28, герметизирующих слоев H01L 21/56); последующая обработка этих слоев; выбор материалов для этих слоев

Владельцы патента RU 2694160:

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" (RU)

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления защитной изолирующей пленки. Изобретение обеспечивает снижение значения токов утечек, повышение технологичности и качества, улучшение параметров приборов и увеличение процента выхода годных. В способе изготовления полупроводникового прибора на пластинах кремния р-типа проводимости ориентации (100) формируют активные области прибора и разводку межсоединений для данного прибора по стандартной технологии. После чего наносят на подложку и систему межсоединений пленку арсенид силикатного стекла. Пленку арсенид силикатного стекла формируют толщиной 350 нм со скоростью осаждения 2,2 нм/с, окислением SiH₄ и AsH₃ при температуре 500°С, подавая в реактор 1% SiH₄ в потоке аргона 380 см³/мин, 1% AsH₃ в потоке аргона 50 см³/мин и кислород 80-90 см³/мин, с последующим отжигом при температуре 600°С в течение 50 с. 1 табл.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления защитной изолирующей пленки.

Известен способ изготовления прибора [Патент 5306945 США, МКИ H01L 29/34], предотвращающий влияние подвижных ионов на функциональные характеристики и надежность, покрытой тонким оксидным слоем и слоем борофосфоросиликатным стеклом, формированием рамки из вольфрама или сплава вольфрама, расположенная в соответствующей прямоугольной канавке на периферии кристалла. Нижняя поверхность рамки контактирует с легированной полоской р+ или n+ типа, расположенной в подложке комформно с рамкой. Из-за различия применяемых материалов при изготовлении приборов повышается дефектность структуры и ухудшаются электрические параметры изделий.

Известен способ изготовления прибора [Патент 5362686 США, МКИ H01L 21/02] с защитной изолирующей пленкой. На полупроводниковой подложке выполняют разводку межсоединений для данного прибора, после чего наносят на подложку и систему межсоединений пленку оксинитрида кремния, используя метод осаждения из паровой фазы силана и азотсодержащего газа.

Недостатками этого способа являются:

- повышенные значения тока утечки;

- низкая технологичность;

- высокая дефектность.

Задача, решаемая изобретением: снижение значения токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.

Задача решается формированием пленки арсенид силикатного стекла толщиной 350 нм со скоростью осаждения 2,2 нм/с, окислением SiH4 и AsH3 при температуре 500°С, подавая 1% SiH4 в потоке аргона 380 см³/мин, 1% AsH3 в потоке аргона 50 см³/мин и кислород 80-90 см³/мин, с последующим отжигом при температуре 600°С в течении 50 с.

Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р - типа проводимости, ориентации (100) формируют активные области прибора и разводку межсоединений для данного прибора по стандартной технологии. После чего наносят на подложку и систему межсоединений пленку арсенид силикатного стекла. Пленку арсенид силикатного стекла формируют толщиной 350 нм со скоростью осаждения 2,2 нм/с, окислением SiH4 и AsH3 при температуре 500°С, подавая в реактор 1% SiH4 в потоке аргона 380 см³/мин, 1% AsH3 в потоке аргона 50 см³/мин и кислород 80-90 см³/мин, с последующим отжигом при температуре 600°С в течении 50 с.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы.

Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 17,2%.

Технический результат: снижение тока утечки, обеспечение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличения процента выхода годных.

Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования пленки арсенид силикатного стекла толщиной 350 нм со скоростью осаждения 2,2 нм/с, окислением SiH4 и AsH3 при температуре 500°С, подавая в реактор 1% SiH4 в потоке аргона 380 см³/мин, 1% AsH3 в потоке аргона 50 см³/мин и кислород 80-100 см³/мин, с последующим отжигом при температуре 600°С в течении 50 с, позволяет повысит процент выхода годных приборов и улучшит их надежность.

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающего полупроводниковую подложку, активные области прибора, разводку межсоединений, защитную изолирующую пленку, отличающийся тем, что защитную изолирующую пленку формируют из арсенид силикатного стекла толщиной 350 нм со скоростью осаждения 2,2 нм/с, окислением SiH₄ и AsH₃ при температуре 500°С, подавая 1% SiH₄ в потоке аргона 380 см³/мин, 1% AsH₃ в потоке аргона 50 см³/мин и кислород 80-100 см³/мин, с последующим отжигом при температуре 600°С в течение 50 с.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затворного слоя оксида кремния с низкой плотностью дефектов.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2688864

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженными токами утечек.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2688863

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления защитной изолирующей пленки с низкой дефектностью.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2680989

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженной дефектностью.

Способ создания наноразмерных диэлектрических плёнок на поверхности inp с использованием оксида и фосфата марганца // 2680668

Использование: для формирования наноразмерных диэлектрических пленок. Сущность изобретения заключается в том, что способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности InP включает предварительную обработку полированных пластин InP травителем H2SO4:H2O2H2O=2:1:1 в течение 10-12 мин, многократное промывание в бидистиллированной воде, высушивание на воздухе, формирование на поверхности пластин InP слоя MnO2 толщиной 25-30 нм методом магнетронного распыления мишени, термооксидирование образцов при температуре 450-550°С в течение 40-70 мин в потоке кислорода в присутствии фосфата марганца Mn3(PO4)2.

Композиция для покрытия, способ ее получения и применение // 2680427

Настоящее изобретение относится к композиции для покрытия, получаемой из по меньшей мере одного иттрийсодержащего предшественника, выбранного из группы, включающей оксоалкоксиды иттрия, растворителя A и растворителя B, который отличается от растворителя A, при этом соотношение давления пара растворителя A при 20°C к давлению пара растворителя B при 20°C составляет .

Способ формирования диэлектрического слоя на поверхности кристалла inas // 2678944

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, содержащих пассивную структуру диэлектрик - полупроводник, в том числе диодов и транзисторов, а также приемников излучения, чувствительных в спектральном диапазоне (1÷3,5) мкм, таких как фотодиоды и фототранзисторы на кристаллах InAs n-типа проводимости.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2677500

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затвора полевого транзистора с пониженными токами утечек.

Способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности gaas с использованием магнетронно сформированного слоя диоксида марганца // 2677266

Использование: для формирования диэлектрических пленок нанометровой толщины на поверхности полупроводников AIIIBV. Сущность изобретения заключается в том, что способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности GaAs с использованием магнетронно сформированного слоя диоксида марганца включает предварительную обработку пластин GaAs концентрированной плавиковой кислотой, промывание их дистиллированной водой, высушивание на воздухе, формирование слоя МnO2 толщиной 30±1 нм, последующее термооксидирование при температуре от 450 до 550°С в течение 60 мин при скорости потока кислорода 30 л/ч, согласно изобретению, формирование слоя МnО2 производят методом магнетронного распыления мишени в аргоновой атмосфере рAr ~ 10-3 Торр.

Способ получения газочувствительного элемента на основе многослойной структуры пористого кремния на изоляторе и snox // 2674406

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано в процессе получения материалов с высокой газовой чувствительностью и малыми размерами для изготовления газовых сенсоров.

Установка контактной фотолитографии для полупроводниковых пластин с базовым срезом // 2691159

Изобретение относится к устройствам, предназначенным для совмещения рисунков на фотошаблоне и полупроводниковой пластине в процессе ее фотолитографической обработки и может быть применено при изготовлении фотопреобразователей.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2688881

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2688864

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2688863

Способ формирования фоторезистивной пленки из раствора на поверхности подложки с применением растворителей с высокой температурой кипения // 2688495

Использование: для формирования фоторезистивных пленок. Сущность изобретения заключается в том, что способ формирования фоторезистивной пленки толщиной от 0,8 до 20 мкм из раствора на поверхности подложки включает нанесение фоторезистивного материала из раствора методом аэрозольного итеррационного распыления в потоке газа, обеспечивают сушку формируемой пленки фоторезиста за счет увеличенной скорости испарения растворителя, на подложку в виде отдельных микрокапель, не образующих сплошного слоя в отдельной итерации, при этом подложка может содержать элементы с перепадом высоты, превышающим толщину фоторезистивной пленки, при этом для приготовления раствора фоторезистивного материала используют растворитель, имеющий температуру кипения в диапазоне от 180 до 215°С, представляющий собой один из растворителей или их смесь - циклогексанметанол, 2-циклогексилэтанол - в объемном отношении от не менее 2:1 до 5:1 к основным компонентам материала сформированной фоторезистивной пленки.

Способ изготовления стеклянных пластин с утолщенным краем для фотопреобразователей космического назначения // 2687875

Способ изготовления стеклянных пластин с утолщенным краем для фотопреобразователей космического назначения относится к электротехнике, в частности, к технологии изготовления солнечных элементов, а именно: к технологии изготовления радиационно-стойкого защитного стекла для фотопреобразователей.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2680989