Способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное



Способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное
Способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное
Способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное
Способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное

Владельцы патента RU 2694799:

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Использование: для применения в процессорах с высокой плотностью функциональных элементов на основе сверхпроводящих нанопроводов. Сущность изобретения заключается в том, что способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное заключается во включении участков нормальных сопротивлений в наноразмерный сверхпроводник. Технический результат: обеспечеение возможности снижения энергопотребления и тепловыделения в электронных функциональных наноразмерных устройствах с высокой плотностью элементов. 3 ил.

 

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании функциональных переключаемых электронных устройств различного назначения, в том числе, для применения в процессорах с высокой плотностью функциональных элементов на основе сверхпроводящих нанопроводов.

Как известно, работа сверхпроводящих коммутаторов (СПК), основана на переводе токонесущего элемента из сверхпроводящего состояния в нормальное. При этом перевод осуществляется превышением одного из критических параметров сверхпроводящего токонесущего элемента (температуры, плотности тока, напряженности магнитного поля) или некоторой совокупности их. При использовании таких переключателей требуется повышенный расход энергии и связанное с ним тепловыделение, что ограничивает их использование в наноразмерных микросхемах.

Известен способ перевода сверхпроводящего ключа в нормальное состояние путем воздействия на него внешним магнитным полем, который предусматривает для увеличения эффективности перевода в нормальное состояние, одновременно с включением внешнего магнитного поля скачком увеличивают индуктивность сверхпроводящего ключа и наводят в нем ток, величина которого меньше критического значения, затем при постоянной величине индукции внешнего магнитного поля скачком уменьшают индуктивность сверхпроводящего ключа и одновременно скачком увеличивают до критического значения наведенный в ключе ток (RU 1623511 [1]). Недостатком является сложность реализации и ограниченность применения, заключающаяся в том, что он не может быть реализован в устройствах микроэлектроники.

Известен способ перевода сверхпроводника в электронных устройствах из сверхпроводящего состояния в нормальное путем его локального нагрева CN 104579280 [2] с использованием нагревательных стержней, окружающих переводимый в нормальное состояние сверхпроводник. Недостатком известного способа является достаточно длительный период возврата нагретого сверхпроводника из нормального состояние в сверхпроводящего. Кроме того, данный способ применим только для макрообъектов.

Известен способ перевода сверхпроводника в электронных устройствах из сверхпроводящего состояния в нормальное путем его локального нагрева JP 2013016664 [3] с использованием нагревательных элементов в виде меандра из фольги. Из-за ее малой теплоемкости и относительно большой площади обеспечивается как быстрый нагрев, так и быстрое охлаждение, что облегчает обратный перевод сверхпроводника из нормального состояние в сверхпроводящего. Этого достаточно для обеспечения работы тех аппаратов (МРТ), для которых этот способ используется в средствах аварийного отключения, но не применим в элементах логики, где требуется. Однако данный способ не обеспечивает снижения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное и высокое быстродействие. Кроме того, данный способ применим только для макрообъектов.

Известен способ перевода сверхпроводника в электронных устройствах из сверхпроводящего состояния в нормальное путем увеличения суммарного проходящего по нему тока до значений, превышающих величину критического (US 2015045228 [4]). Это достигается тем, что в дополнение к уже протекающему по сверхпроводнику току создается наведенный индукционный ток путем подачи тока управления на индукционную катушку, сформированную на поверхности сверхпроводника. Суперпозиция индуктивных токов и напряжения постоянного тока превышает критическую плотность тока материала сверхпроводника, который инициирует переход в нормальное состояние. Недостатками используемого метода является его неприменимость для микро и наноустройств с высокой плотностью функциональных элементов (например, процессоров) на основе сверхпроводников в связи с тем, что магнитное поле от используемой RF катушки захватывает большую площадь и объем существенно превышающие размеры функциональных элементов, что будет неизбежно вызывать ложные срабатывания многочисленных соседних, по отношению к управляемому, элементу. Кроме того, способ не обеспечивает снижения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное, что приводит к повышенному энергопотреблению и тепловыделению.

Известно техническое решение, предусматривающее формирование составного проводника, часть которого состоит из сверхпроводящего материала, а часть из нормального (резистивного) (KR 20050010228 [5]). Задачей его является снижение сопротивления создаваемого соединения. Использовать его в микроэлектронике невозможно из-за макро размеров и технологических сложностей изготовления.

Известен используемый в микроэлектронике (для использования в логических элементах и цифровых схемах) способ перевода сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное путем управления величиной критического тока известный из US 5831278 [6], который может быть выбран в качестве ближайшего аналога. Объектом управления является джозефсоновский переход, при этом между джозефсоновским переходом и линией управления должен быть изолирующий слой. Толщина этого слоя должна быть такой, чтобы линия управления была электрически изолирована от джозефсоновского перехода, но обеспечивала магнитную связь. Способ заключается в изменении величины тока до критического путем добавления индуцированной составляющей за счет прохождения тока по линии управления.

Соединение может быть возвращено в его сверхпроводящее состояние путем снятия управляющего тока, тем самым исключая магнитное поле, которое индуцируется за счет тока контроля и восстановления критического тока перехода к своему прежнему значению. К недостаткам данного способа можно отнести, во-первых, то, что таким способом можно управлять током через джозефсоновский переход, в то время как управление сверхпроводимостью сверхпроводников, не содержащих джозефсоновские переходы, требует существенно больших магнитных полей, которые не могут быть созданы таким способом. Во-вторых, размеры областей, охватываемые магнитным полем всегда существенно превышают размеры источников магнитного поля, что создает препятствия для формирования высокоплотных функциональных элементов на основе джозефсоновских переходов и их совокупностей (например, для процессоров) которые исключают ложные срабатывания при таком способе управления. Кроме того, способ не обеспечивает снижения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное, что приводит к повышенному энергопотреблению и тепловыделению.

Заявляемый способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное направлен на снижение энергопотребления и тепловыделения в электронных функциональных наноразмерных устройствах с высокой плотностью элементов.

Указанный результат достигается тем, что способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное осуществляется путем включения участков нормальных сопротивлений в наноразмерный сверхпроводник.

Способ уменьшения критического тока перевода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное заключается в том, что в наноразмерном сверхпроводнике создается резистивная область, которая находится в нормальном состоянии при рабочей температуре. Экспериментально было установлено, что при этом происходит уменьшение прямого критического тока перехода сверхпроводящего нанопроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное до уровня тока обратного перехода. При этом такое уменьшение критического тока происходит примерно в 5-10 раз по сравнению со сверхпроводниками, в которых эта резистивная область отсутствует. Уменьшение величины критического тока обуславливает снижение энергопотребления в любых функциональных элементах, использующих интегрированные сопротивления, например, переключателях, логических устройствах и т.п.вплоть до двух порядков величины. Технология преобразования участков нанопроводов из сверхпроводящих в нормальные известна. См. RU 2541679, RU 2645167, RU 2476373, RU 2477902.

Сущность заявляемого способа поясняется примером реализации и графическими материалами. На фиг. 1 представлена принципиальная схема установки для измерения величины критического тока. На фиг. 2 вольт-амперная характеристика нанопроводника без встроенного резистивного элемента. На фиг.3 вольт-амперная характеристика нанопроводника с резистивным элементом.

В общем случае эксперимента по определению величины критического тока проводится с помощью установки, представленной на фиг. 1 следующим образом.

Исследуемый нанопроводник 1 помещается в жидкий гелий (температура 4.2К) или в другое устройство, позволяющее достичь рабочей температуры, ниже температуры сверхпроводящего перехода материала нанопроводника.

С помощью источника тока 2 через нанопроводник пропускается постоянный ток, который измеряется амперметром 3, при этом напряжение на нанопроводнике измеряется вольтметром 4.

Величина тока через нанопроводник медленно увеличивается до момента возникновения напряжения на нанопроводнике. В момент возникновения напряжения на нанопроводнике фиксируется величина тока, которая соответствует току прямого перехода нанопровода из сверхпроводящего состояния в нормальное.

Далее, величина тока через нанопровод медленно уменьшается до момента исчезновения напряжения на нанопроводнике. В момент исчезновения напряжения на нанопроводнике фиксируется величина тока, которая соответствует току обратного перехода нанопровода из нормального состояния в сверхпроводящее.

Таким образом измеряются прямой и обратный ток нанопроводника. Пример определения критического тока в чистом сверхпроводнике.

В качестве примера рассмотрим определение критических токов в нанопроводе из нитрида ниобия (NbN). Нанопроводник из нитрида ниобия длиной 1000 нм, шириной 200 нм и толщиной 4 нм изготавливается методами электронной литографии и плазмохимического травления на диэлектрической подложке из сапфира. Для подключения нанопроводника к схеме электрических измерений, к его концам методом взрывной фотолитографии формируются макроскопические металлические контакты из платины толщиной 20 нм с подслоем титана толщиной 10 нм. Нанопроводник на подложке помещается в жидкий гелий (температура 4.2 К) или в другое устройство, способное обеспечить достижение рабочей температуры 4.2 К, например, криогенную машину замкнутого цикла.

С помощью источника тока 2 через нанопроводник пропускается постоянный ток, который измеряется амперметром 3, при этом напряжение на нанопроводнике измеряется вольтметром 4.

Величина тока через нанопроводник медленно увеличивается до момента возникновения напряжения на нанопроводнике. В момент возникновения напряжения на нанопроводнике фиксируется величина тока, которая соответствует току прямого перехода нанопровода из сверхпроводящего состояния в нормальное.

Далее, величина тока через нанопровод медленно уменьшается до момента исчезновения напряжения на нанопроводнике. В момент исчезновения напряже-ния на нанопроводнике фиксируется величина тока, которая соответствует току обратного перехода нанопровода из нормального состояния в сверхпроводящее.

По результатам вышеописанных измерений напряжения на нанопроводе в зависимости от величины тока через него строится вольт-амперная характеристика нанопроводника, показанная на фиг. 2. Прямой ток нанопроводника I1 определяется в момент появления напряжения на нанопроводнике при увеличении тока, а обратный ток I2 определяется в момент исчезновения напряжения на нанопроводнике при уменьшении тока.

Пример определения критического тока в сверхпроводнике с резистивным участком.

В качестве примера рассмотрим определение критических токов в нанопроводе из нитрида ниобия (NbN) со сформированным резистивным участком. Нанопроводник из нитрида ниобия длиной 1000 нм, шириной 200 нм и толщиной 4 нм изготавливается методами электронной литографии и плазмохимического травления на диэлектрической подложке из сапфира. Для подключения нанопроводника к схеме электрических измерений, к его концам методом взрывной фотолитографии формируются макроскопические металлические контакты из платины толщиной 20 нм с подслоем титана толщиной 10 нм. Далее в нанопроводе формируется резистивный участок длиной 400 нм и шириной 200 нм и толщиной 4 нм полностью перекрывающий сечение нанопроводника. Резистивный участок формируется, например, за счет облучения выбранного участка нанопровода через окно в маске, созданной методом электронной литографии. Облучение проводится смешанным ионным пучком, состоящим из протонов и ионов ОН+ до дозы, достаточной для преобразования нитрида ниобия в металлическое состояние.

Нанопроводник с интегрированным резистивным участком на подложке помещается в жидкий гелий (температура 4.2 К) или в другое устройство, способное обеспечить достижение рабочей температуры 4.2 К, например, криогенную машину замкнутого цикла.

С помощью источника тока 2 через нанопроводник пропускается постоянный ток, который измеряется амперметром 3, при этом напряжение на нанопроводнике измеряется вольтметром 4.

Величина тока через нанопроводник медленно увеличивается до момента возникновения скачка напряжения на нанопроводнике, сопровождающего переход сверхпроводящей части нанопроводника в нормальное состояние. В момент возникновения скачка напряжения на нанопроводнике фиксируется величина тока, которая соответствует току прямого перехода нанопровода с резистивным участком из сверхпроводящего состояния в нормальное.

Далее, величина тока через нанопровод с резистивным участком медленно уменьшается до обратного скачка напряжения, сопровождающего момента перехода сверхпроводящей части нанопроводника из нормального состояния в сверхпроводящее. В момент обратного скачка напряжения на фиксируется величина тока, которая соответствует току обратного перехода нанопровода с резистивным элементом из нормального состояния в сверхпроводящее.

По результатам вышеописанных измерений напряжения на нанопроводе с резистивным элементом в зависимости от величины тока через него строится вольт-амперная характеристика нанопроводника с резистивным элементом, показанная на фиг. 3.

Прямой ток нанопроводника I1R определяется в момент скачка напряжения на нанопроводнике с резистивным элементом при увеличении тока, а обратный ток I2R определяется в момент скачка напряжения на нанопроводнике с резистивным элементом при уменьшении тока.

Поскольку прямой ток нанопроводника с резистивным элементом I1R (фиг. 3) соответствует обратному току I2 без резистивного элемента (фиг. 2), введение резистивного элемента уменьшает величину прямого критического тока сверхпроводящего нанопроводника, что обеспечивает уменьшение энергопотребления устройства, поскольку выделяемая электрическая мощность пропорциональна квадрату протекающего тока.

Способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное, заключающийся во включении участков нормальных сопротивлений в наноразмерный сверхпроводник.



 

Похожие патенты:

Использование: в области электротехники. Технический результат – уменьшение напряженности электрического поля между сборкой токоограничивающих модулей и заземленными стенками криостата и, как следствие, повышение электрической прочности токоограничителя.

Использование: для создания функциональных переключаемых электронных устройств различного назначения. Сущность изобретения заключается в том, что способ перевода сверхпроводника в электронных функциональных наноразмерных устройствах из сверхпроводящего состояния в нормальное осуществляют путем его локального нагрева, для нагрева используют тепловыделяющий элемент в виде сверхпроводящего нанопровода, гальванически не связанного с подвергаемым воздействию и расположенного с наноразмерным зазором рядом с нагреваемым отрезком сверхпроводника с пропусканием через него тока, превышающего величину тока перехода сверхпроводника в нормальное состояние и обеспечивающего выделение мощности, достаточной для нагрева и перевода управляемого нанопровода в нормальное состояние, при этом соблюдают условие, что величина тока, пропускаемого по переводимому в нормальное состояние сверхпроводнику, не превышает величины тока его возврата из нормального состояния в сверхпроводящее, определяемой по вольтамперной характеристике сверхпроводника, полученной без внешних воздействий на сверхпроводник.

Использование: в области электротехники. Технический результат - обеспечение стабильной эксплуатации сильноточного сверхпроводящего ограничителя тока за счет реализации одинакового подводящего и отводящего сопротивления в цепи к каждому модулю ограничителя тока, а также уменьшение габаритов сверхпроводящего ограничителя тока и его упрощение.

Использование: для регистрации отдельных фотонов видимого и инфракрасного диапазонов. Сущность изобретения заключается в том, что сверхпроводниковый однофотонный детектор содержит подложку, контактные площадки, размещенные на ней, чувствительный элемент, выполненный в форме меандра из сверхпроводящего материала, расположенный между контактными площадками, концы которого подсоединены к последним, при этом к чувствительному элементу последовательно подключен полосковый резистор, сопротивление которого превышает сопротивление контактных площадок, расположенный с зазором относительно подложки, на расстоянии от нее, не превышающем значение, получаемое из следующего выражения: L=V×(t/2), где V - скорость распространения сигнала в линии; t - длительность импульса.

Использование: для создания сверхпроводящего быстродействующего выключателя. Сущность изобретения заключается в том, что сверхпроводящий быстродействующий выключатель, содержащий отключающий элемент, выполненный в виде двух последовательно соединенных фольговых проводников из сверхпроводящего материала, к выводам которых подключены выводы двух последовательно соединенных и заряженных разнополярно конденсаторов, между точкой соединения конденсаторов и точкой соединения проводников отключающего элемента включен замыкающий прибор, проводники отключающего элемента сложены между собой через изоляционный материал бифилярно, а вместе эти проводники уложены в индуктивную обмотку, в центральной области отключающего элемента расположен медный стержень круглого сечения с волнообразной в осевом направлении боковой поверхностью, имеющий замкнутую полость, толщина стенки стержня превышает глубину проникновения магнитного поля на частоте управления, стержень подключен к точке соединения проводников отключающего элемента с замыкающим прибором, снаружи отключающего элемента и концентрично с ним размещен полый цилиндр из металла с высокой электропроводностью, который имеет волнообразную в осевом направлении внутреннюю поверхность, при этом толщина его стенки превышает глубину проникновения магнитного поля на частоте управления.

Использование: для криостатирования сверхпроводящей обмотки индукционного накопителя. Сущность изобретения заключается в том, что способ криостатирования и запитки сверхпроводящей обмотки индукционного накопителя включает режим захолаживания, ввод тока в сверхпроводящую обмотку и удержание магнитного поля, где захолаживание сверхпроводящей обмотки индукционного накопителя осуществляют за счет принудительного протока жидкого гелия, а ввод тока и удержание магнитного поля обеспечивают с помощью сверхпроводящего преобразователя тока, который располагают между накопительной емкостью с жидким гелием и сверхпроводящей обмоткой индукционного накопителя, при этом накопительную емкость с жидким гелием, сверхпроводящий преобразователь тока и сверхпроводящую обмотку индукционного накопителя располагают в разных криостатах и соединяют между собой при помощи коаксиальных каналов, внутри которых располагают гелиевые магистрали и токоподводы.

Сверхпроводящий выключатель может быть использован для коммутации электрических цепей постоянного тока, в системах вывода энергии из индуктивных сверхпроводящих накопителей, для защиты крупных магнитных сверхпроводящих систем, работающих в режиме «замороженного» магнитного поля, сверхпроводящих обмоток электрических машин и в качестве токоограничителей в экспериментальных сверхпроводящих линиях электропередачи.

Изобретение относиться к области измерения параметров слабых потоков излучения и касается способа измерения параметров однофотонных источников излучения. Параметры источника излучения измеряются с помощью однофотонного сверхпроводникового детектора.

Изобретение относится к электротехнике, к средствам для использования эффекта сверхпроводимости, и может быть использовано в установках для активации высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП).

Изобретение относится к электротехнике, в частности к сверхпроводящим размыкателям постоянного тока многократного действия. .

Изобретение относится к способу ионно-плазменного получения наноструктур на поверхности вольфрама. Сначала производят обработку поверхности образца в плазме индукционного высокочастотного разряда в аргоне при импульсном отрицательном напряжении смещения на изделии величиной выше 100 В с частотой до 100 кГц и коэффициентом заполнения до 100%.

Изобретение предназначено для модифицирования металл/углеродных наноструктур, обладающих хорошей совместимостью с полимерными материалами для применения во вспучивающихся огнезащитных покрытиях и других полимерных композициях.

Изобретение относится к нанотехнологии и химической промышленности и может быть использовано при изготовлении полимерных композиционных материалов. Сначала графит обрабатывают раствором персульфата аммония в серной кислоте, не содержащей свободной воды.

Изобретение относится к способам формирования тонких наноструктурных пленок оксида графена на подложках из различных, в том числе, гибких полимерных материалов, и может быть использовано для создания активных элементов сенсоров на основе оксида графена.

Группа изобретений относится к области медицины и предназначена для получения и применения в пищевой, парфюмерной и фармацевтической промышленности композиции, обладающей антимикробным и антитоксическим действием.

Изобретение относится к жидким антикоррозионным составам на водной основе и может использоваться для защиты от коррозии в промышленных и хозяйственных целях, в частности для защиты от коррозии конструкций и деталей из металлов и сплавов на основе железа и алюминия, контактирующих с агрессивными средами.

Изобретение относится к синтезу наночастиц оксидов марганца и аэрогелей оксидов марганца. Способ включает растворение металлорганического прекурсора марганца в сверхкритическом диоксиде углерода в реакторе высокого давления с добавлением в качестве окислителя чистого кислорода.

Изобретение относится к жидким растворам, имеющим нанопузырьки, и к системе и способу производства жидких растворов, содержащих нанопузырьки. Генератор нанопузырьков содержит корпус, имеющий впускную часть для приема исходного жидкого раствора, участок обработки для обработки исходного жидкого раствора, выпускную часть для выпуска обработанного жидкого раствора, содержащего нанопузырьки, причем участок обработки включает, по меньшей мере, две последовательные плоскости поверхности сдвига, разделенные кавитационными пространствами.

Изобретение относится к синтезу полимерных наночастиц на основе полиалкил(мет)акрилатов, сополимеров алкил(мет)акрилатов. Способ включает двухстадийный синтез.
Использование: для коллоидного синтеза фотолюминесцентных полупроводниковых наночастиц (квантовых точек) структуры ядро/многослойная оболочка. Сущность изобретения заключается в том, что способ коллоидного синтеза квантовых точек структуры ядро/многослойная оболочка включает следующие этапы: первый этап приготовления прекурсоров, включающий приготовление прекурсоров халькогенов и металлов II и VI групп для синтеза ядер квантовых точек и наращивания оболочки; второй этап синтеза ядер квантовых точек, включающий нагрев прекурсора металла до 240-280°С, впрыск прекурсора халькогена, снижение температуры до 210-230°С, инкубацию в течение 3-5 минут, а также последующее снижение температуры до 55-65°С; на третьем этапе проходит очистка синтезированных ядер квантовых точек, включающая добавление к реакционной смеси с синтезированными ядрами квантовых точек осадителя в объеме, равном исходному объему реакционной смеси, центрифугирование и растворение ядер квантовых точек в неполярном растворителя, и последующее проведение гель-фильтрации полученных ядер квантовых точек в неполярном растворителе, а также подсчет количества синтезированных ядер квантовых точек; четвертый этап модификации поверхностных лигандов ядер квантовых точек, включающий добавление к полученному раствору 1000-кратного избытка, по отношению к количеству ядер квантовых точек, олеиламина и боргидрида натрия, последующее осаждение квантовых точек добавлением осадителя в объеме, равном объему раствора с ядрами квантовых точек, центрифугирование полученной смеси, и добавление к полученному осадку с ядрами квантовых точек 1000-кратного избытка, по отношению к количеству ядер квантовых точек, олеиламина и боргидрида натрия, а также неполярного растворителя для полного растворения осадка ядер квантовых точек, затем проводят фильтрацию полученного раствора и к фильтрату добавляют осадитель до момента полной коагуляции квантовых точек, последующее центрифугирование полученной смеси, растворение осадка ядер квантовых точек в неполярном растворителе, и фильтрацию полученного раствора ядер квантовых точек в колбу с органическим растворителем и последующую отгонку неполярного растворителя при 50-70°С; на пятом этапе наращивают многослойную оболочку, для чего очищенные ядра квантовых точек переносят в трехгорлую колбу, с помощью которой обеспечивают вакуумирование реакционной смеси, подачу инертного газа и внесение прекурсоров, после чего проводят добавление к раствору очищенных ядер квантовых точек олеиламина, в количестве не менее 1000-кратного избытка по отношению к количеству ядер квантовых точек, вакуумирование данной смеси и ее нагрев до 90-100°С в течение 18-22 минут, с продувкой инертным газом и последующее охлаждение до 50-60°С, наращивание первого слоя оболочки, включающее добавление стабилизирующего агента, нагрев до 100-120°С в течение 8-12 минут, внесение заданного количества атомов прекурсора металла, нагрев до 165-175°С, выдерживание реакционной смеси при данной температуре 8-12 минут, охлаждение смеси до 100-120°С, добавление заданного количества атомов прекурсора халькогена, последующий разогрев до 165-175°С, выдерживание реакционной смеси при данной температуре 8-12 минут, охлаждение реакционной смеси до 100-120°С, а наращивание второго, третьего и последующих слоев по процедуре, аналогичной наращиванию первого слоя оболочки, при этом после завершения наращивания последнего слоя оболочки смесь дополнительно выдерживают 8-12 минут при 165-175°С и охлаждают до 55-65°С в токе инертного газа; шестой этап модификации поверхностных лигандов оболочки квантовых точек, включающий добавление к синтезированным квантовым точкам осадителя, до момента полной коагуляции квантовых точек, центрифугирование и полное растворение осадка квантовых точек в смеси органического растворителя, соли первичного амина и алкилкарбоновой кислоты, предварительно прогретой до полного растворения компонентов, последующую инкубацию квантовых точек в данном растворе в течение 10-14 часов, фильтрацию, и добавление стабилизирующего агента, после чего проводят удаление органического растворителя.

Использование: для создания функциональных переключаемых электронных устройств. Сущность изобретения заключается в том, что способ формирования сверхпроводящих функциональных элементов электронных устройств, имеющих области с различными значениями плотности критического тока, включает использование корпускулярного излучения, при этом создают элементы требуемых геометрических форм и размеров, облучают только выбранные участки функциональных элементов, а в качестве корпускулярного излучения используют низкоэнергетический поток ионов или атомов, энергия и доза которого достаточны для образования дефектов кристаллической структуры и/или изменения стехиометрии материала сверхпроводника. Технический результат - формирование наноразмерных функциональных элементов электронных устройств со стабильными параметрами критического тока в требуемых областях. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.
© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности 2018-10-25 2019-07-16T17:00:09
Наверх