Способ изготовления чувствительных к гигантскому комбинационному рассеянию подложек на основе пористого кремния, содержащего наночастицы серебра

Изобретение относится к оптике, а именно к способам изготовления устройств, служащих для анализа химических веществ при использовании эффекта поверхностно-усиленного комбинационного рассеяния света молекулами, находящимися вблизи наноструктур из серебра, проявляющих плазмонный резонанс электронов проводимости, колебания которых создает локальное электромагнитное поле. Данные устройства предназначены для определения малых концентраций органического вещества при возбуждении его лучом лазера в видимом диапазоне и выполнены на основе подложек из пористого кремния с поверхностными наноструктурами из серебра. Способ изготовления чувствительных к гигантскому комбинационному рассеянию света подложек с поверхностью из пористого кремния заключается в формировании заданной структуры на поверхности исходной пластины монокристаллического кремния, путем имплантации ионами серебра с энергией 4-120 кэВ, дозой облучения, обеспечивающей концентрацию вводимых атомов металла в облучаемом слое кремния 1.0⋅1019-6.5⋅1023 атомов/см3, и плотностью тока ионного пучка 2⋅1012-1⋅1014 ион/см2с. Техническим результатом изобретения является обеспечение возможности изготовления чувствительных к гигантскому комбинационному рассеянию света подложек с поверхностью из пористого кремния, содержащего наночастицы серебра не химическим способом и за один технологический цикл в вакууме. 10 ил.

 

Изобретение относится к оптике [1], а именно, к способам изготовления устройств, служащих для анализа химических веществ при использовании эффекта поверхностно-усиленного комбинационного рассеяния света молекулами, находящимися вблизи наноструктур (наночастиц) из серебра, проявляющих плазмонный резонанс электронов проводимости, колебания которых создает локальное электромагнитное поле. Данные устройства предназначены для определения малых концентраций органического вещества при возбуждении его лучом лазера в видимом диапазоне и выполнены на основе подложек из пористого кремния с поверхностными наноструктурами из серебра. Удельная поверхность полированного кремния ограничивается значением 0.1-0.3 м2/см3 тогда, как пористый кремний характеризуется большей суммарной площадью его внутренней поверхности, величина которой может возрастать до 3-4 порядков [2]. Подложки на основе пористого кремния, содержащего наночастицы серебра, могут использоваться в различных областях науки и техники: молекулярная спектроскопия, биология, медицина, экология, криминалистическая экспертиза, полупроводниковая индустрия и других.

Известен способ [3] изготовления чувствительной к гигантскому комбинационному рассеянию подложки с наноструктурами серебра, выбранный в качестве первого аналога, который заключается в создании методом вакуумного термического напыления многослойной структуры из слоев серебра и диэлектрика, нанесенных на кремниевые пластины. Последовательность слоев включала: 1) экранирующий слой серебра 50 нм; 2) изолирующий слой оксида кремния толщиной 15 нм; 3) наноостровковый слой из серебра с массовой толщиной 6 нм; 4) отделяющий слой диэлектрика оксида кремния переменной толщины в диапазоне 0-60 нм.

Недостатком способа по первому аналогу является то, что при изготовлении чувствительной к гигантскому комбинационному рассеянию подложки с наночастицами серебра требуется обязательное выполнение нескольких технологических операций, а именно, последовательные осаждения слоев диэлектрика и металла. Кроме того, используемая в данном способе пластина кремния, для создания подобной чувствительной к гигантскому комбинационному рассеянию подложки, носит пассивный характер и не содержит в своей структуре наночастиц серебра.

Известен способ [4] изготовления чувствительной к гигантскому комбинационному рассеянию подложки с наночастицами серебра, выбранный в качестве второго аналога, который заключается в создании методом атмосферного лазерного осаждения двумерного массива наночастиц серебра на плоской поверхности полированного кремния.

Недостатком способа по второму аналогу является то, что при изготовлении чувствительной к гигантскому комбинационному рассеянию подложки осаждение наночастиц серебра осуществляется на плоскую полированную поверхность кремния, а не на пористый кремний, обладающий большей суммарной площадью его внутренней поверхности.

Известен [5] способ изготовления чувствительной к гигантскому комбинационному рассеянию подложки с поверхностью из пористого кремния, содержащего наночастицы серебра. Для этого пористый кремний формируется электрохимическим анодированием кремниевых пластин, ориентированных в плоскости (100), в водно-спиртовом растворе фтористоводородной кислоты. После анодирования на поверхность пористого кремния иммерсионным методом проводится осаждение наночастиц серебра из водного раствора азотнокислого серебра.

Способ химического изготовления чувствительных к гигантскому комбинационному рассеянию света подложек с поверхностью из пористого кремния, содержащего наночастицы серебра, сочетающего в себе последовательные этапы анодирования и иммерсионного осаждения, является наиболее близким к заявляемому, и поэтому выбран в качестве прототипа.

Недостатки прототипа:

- используемый способ формирования чувствительной к гигантскому комбинационному рассеянию подложки для анализа химических веществ на основе пористого кремния, содержащего наночастицы серебра [5], позволяет создавать подложки только при использовании комбинации химических методов - электрохимического анодирования и иммерсионного осаждения в водном растворе, т.е. содержит несколько раздельных технологических этапов, что усложняет ее изготовление;

- подложка для анализа химических веществ на основе пористого кремния, содержащего наночастицы серебра, изготавливается химическим способом [5] в растворах и поэтому, содержит в себе примеси и загрязнения продуктов химической реакции, что затрудняет ее применение совместно с устройствами микроэлектроники, создаваемыми вакуумной техникой.

Решаемая техническая задача в заявляемом способе заключается в обеспечении возможности изготовления чувствительных к гигантскому комбинационному рассеянию света подложек на основе пористого кремния, содержащего наночастицы серебра, за один технологический цикл в вакууме.

Поставленная техническая задача в предлагаемом способе изготовления чувствительных к гигантскому комбинационному рассеянию света подложек с поверхностью из пористого кремния, содержащего наночастицы серебра, заключающаяся в формировании заданной структуры на поверхности исходной пластины монокристаллического кремния, достигается тем, что формирование структуры осуществляют с помощью имплантации ионами серебра с энергией 4-120 кэВ, дозой облучения, обеспечивающей концентрацию вводимых атомов металла в облучаемом слое кремния 1.0⋅1019-6.5⋅1023 атомов/см3, и плотностью тока ионного пучка 2⋅1012⋅1⋅1014 ион/см2с.

На фиг. 1. Показано изображение, полученное на сканирующем электронном микроскопе (СЭМ) при малом увеличении, поверхности слоя пористого кремния, содержащего наночастицы серебра, сформированного имплантацией монокристаллического кремния ионами серебра.

На фиг. 2. Показано изображение, полученное на СЭМ при большом увеличении, поверхности слоя пористого кремния, содержащего наночастицы серебра, сформированного имплантацией монокристаллического кремния ионами серебра.

На фиг. 3. Показано СЭМ-изображение поверхности исходной пластины неимплантированного кремния.

На фиг. 4. Показано изображение, полученное на атомно-силовом микроскопе (АСМ) при малом увеличении, поверхности слоя пористого кремния, содержащего наночастицы серебра, сформированного имплантацией монокристаллического кремния ионами серебра.

На фиг. 5. Показано изображение, полученное на атомно-силовом микроскопе (АСМ) при большом увеличении, поверхности слоя пористого кремния, содержащего наночастицы серебра, сформированного имплантацией монокристаллического кремния ионами серебра.

На фиг. 6. Показан профиль поперечного сечения отдельной поры кремния, измеренного по направлению, обозначенному на фрагменте фиг. 5.

На фиг. 7. Показано изображение поперечного сечения, полученное на просвечивающем электронном микроскопе (ПЭМ) приповерхностного слоя пористого кремния, содержащего наночастицы серебра, сформированного имплантацией монокристаллического кремния ионами серебра. На вставке приведена микродифракция от наночастиц серебра.

На фиг. 8. Показана гистограмма распределения наночастиц серебра в структуре пористого кремния, сформированного имплантацией монокристаллического кремния ионами серебра по данным фиг. 2.

На фиг. 9. Показаны спектры оптического отражения необлученного кремния (1) и пористого кремния, содержащего ионно-синтезированные наночастицы серебра (2).

На фиг. 10. Показан спектр комбинационного рассеяния для молекул красителя метилового оранжевого на пористом кремнии, содержащем наночастицы серебра, сформированном ионной имплантацией.

Рассмотрим осуществление предлагаемого способа на конкретном примере.

Рассмотрим способ изготовления чувствительных к гигантскому комбинационному рассеянию света подложек с поверхностью из пористого кремния, содержащего наночастицы серебра, заключающийся в формировании заданной структуры на поверхности исходной пластины монокристаллического кремния. Формирование структуры осуществляют с помощью имплантации на ускорителе ИЛУ-3 ионами Ag+ с энергией Е=30 кэВ, дозой облучения D=1.5⋅1017 ион/см2, обеспечивающей концентрацию вводимых атомов металла в облучаемом слое кремния 6.0⋅1022 атомов/см3, плотностью тока ионного пучка J=7.5⋅1012 ион/см2c.

Моделирование концентрационных профилей распределения имплантированного серебра с энергией 30 кэВ в кремний по глубине с помощью компьютерного алгоритма SRIM-2013 [6], показало, что в приповерхностном имплантированном слое кремния происходит накопление атомов серебра, приводящее к зарождению и росту металлических наночастиц. Общая толщина имплантированного слоя с наночастицами серебра, а, следовательно, и толщина активного слоя формируемой структуры чувствительной к гигантскому комбинационному рассеянию света, для данных условий имплантации, не превышает 60 нм.

На фиг. 1 и 2 в различных масштабах приведены изображения поверхности кремния, имплантированного ионами серебра, наблюдаемые на сканирующем электронном микроскопе (СЭМ) Merlin Zeiss. Как следует из приведенных СЭМ-изображений, морфология облученного кремния в отличие от исходной полированной пластины монокристаллического кремния (фиг. 3) характеризуется наличием ярко-выраженной пористой кремниевой структуры, содержащей наночастицы серебра, частично выступающие над поверхностью. При этом, сформированный имплантацией слой выглядит однородным на большой площади образца в десятки микрон (фиг. 1), что является важной характеристикой для технологических приложений (масштабируемость) [7]. Увеличение фрагмента поверхности (фиг. 2) позволяет оценить средний диаметр отверстий пор (черные области): ~150-180 нм и толщину стенок пор (светлые серые области): ~30-60 нм. Следует отметить, что формирование слоя пористого кремния происходит сразу же или одновременно с зарождением и ростом наночастиц серебра из ионов имплантируемой примеси. На фиг. 2 наночастицы серебра хорошо просматриваются в виде светлых пятен на стенках кремниевых пор.

Дополнительная информация, подтверждающая формирование слоя пористого кремния, содержащего наночастицы серебра, при имплантации пластины монокристаллического кремния наблюдалась на атомно-силовом микроскопе (АСМ) Dimension FastScan Bruker. На фиг. 4 и 5 приведены в различных масштабах АСМ-изображения фрагмента поверхности пластины пористого кремния, которые выглядят типичными при данном методе наблюдения для пористых кремниевых структур, синтезированных электрохимическими способами [7]. На фиг. 6, представлен профиль сечения поверхности отдельной поры, измеренный вдоль направления по отрезку, указанному на фиг. 5, позволяющий оценить глубину пор: ~40-50 нм. Таким образом, из АСМ также можно заключить, что в результате имплантации кремния ионами серебра формируется слой пористого кремния, содержащего наночастицы серебра. Светлые сферические пятна, наблюдаемые на поверхности, соответствуют ионно-синтезированным наночастицам серебра (фиг. 4 и 5).

На фиг. 7 показано изображение, полученное на просвечивающем электронном микроскопе (ПЭМ) JEM-2100 (JEOL) приповерхностного слоя пористого кремния, содержащего наночастицы Ag, сформированного имплантацией пластины монокристаллического кремния ионами серебра. На выбранном локальном участке размеры частиц варьируются от 5 до 15 нм. На вставке фиг. 7 приведена микродифракция от наночастиц серебра, которая соответствует гранецентрированной кристаллической фазе наночастиц с их различной пространственной ориентацией в слое пористого кремния.

На фиг. 8. Показана гистограмма распределения наночастиц серебра в структуре пористого кремния, сформированного имплантацией пластины монокристаллического кремния ионами серебра по данным СЭМ-изображения, приведенного на фиг. 2. Средний размер наночастиц оценивается величиной порядка 5-15 нм.

На фиг. 9. приведены экспериментальные спектры линейного оптического отражения для поверхностей исходной пластины монокристаллического кремния, а также пористого кремния, содержащего наночастицы серебра, полученного имплантацией ионами серебра монокристаллического кремния, измеренные на спектрометре AvaSpec-2048 (Avantes). В отличие от исходной матрицы кремния фиг. 9 (1), сформированный имплантацией ионами серебра слой фиг. 9 (2) характеризируется наличием в видимой области спектра селективной полосы поглощения с максимумом ~850 нм. Данная полоса указывает на формирование в кремниевой матрице наночастиц серебра, и она обусловлена проявлением эффекта поверхностного плазмонного резонанса в металлических наночастицах [8].

Тестирование сформированной по предлагаемому способу изготовления чувствительной к гигантскому комбинационному рассеянию света подложки с поверхностью из пористого кремния, содержащего наночастицы серебра проводилось при использовании раствора красителя метилового оранжевого (МО) в бидистиллированной воде при концентрации 10 мМ. Капля (100 мкл) раствора МО наносилась на поверхность слоя пористого кремния, содержащего наночастицы серебра. Высота капли, оцениваемая в оптическом микроскопе, составляла порядка 0.5 мм, а ее площадь на образце ~0,78 мм2. Регистрация спектров комбинационного рассеяния красителя в присутствии наночастиц серебра проводилась при фокусировке лазерного излучения на границу раздела капля - подложка.

Спектр комбинационного рассеяния МО был измерен на конфокальном микроскопе DXR Raman Microscope (ThermoFisher Scientific). В качестве источника возбуждения КР сигнала использовался непрерывный диодный лазер, генерирующий излучение на длине волны 780 нм с максимальной мощностью 10 мВт. Диапазон измерений составлял 450-1700 см-1, а спектральное и конфокальное разрешения микроскопа 3 см-1 и 5 мкм, соответственно. Латеральное разрешение микроскопа было равно 2 мкм.

На фиг. 10. показан спектр комбинационного рассеяния света для молекул МО на пористом кремнии, содержащем наночастицы серебра, сформированном ионной имплантацией. На приведенной спектральной зависимости присутствует узкая линия на частотах 1118, 1150, 1200, 1316, 1366, 1392, 1421, 1446 и 1592 см-1, соответствующих колебаниям молекул МО, известным из литературы [9]. Спектр комбинационного рассеяния был нормирован на интенсивность фононной линии монокристаллического кремния, регистрируемой на частоте 520 см-1. Для той же используемой мощности лазерного излучения 10 мВт сигнала комбинационного рассеяния света для того же количества МО, осажденного на исходную гладкую пластину кремния, обнаружено не было. Данное обстоятельство указывает способность усиливать сигнал комбинационного рассеяния МО подложкой с поверхностью из пористого кремния, содержащего наночастицы серебра, изготовленной по предлагаемому способу.

При изготовлении чувствительных к гигантскому комбинационному рассеянию света подложек с поверхностью из пористого кремния, содержащего наночастицы серебра режимы ионной имплантации по параметрам имеют следующие ограничения, Е=4-120 кэВ, D - должна обеспечивать концентрацию вводимых атомов металла в облучаемой подложке кремния 1.0⋅1019-6.8⋅1023 атомов/см3, плотность тока ионного пучка J=2⋅1012-1⋅1014 ион/см2с. За границами этих режимов не достигается необходимый технический результат, и качество изготовленной чувствительной к гигантскому комбинационному рассеянию света подложки с поверхностью из пористого кремния, содержащего наночастицы серебра, не будет соответствовать необходимым требованиям.

Доза облучения определяется количеством атомов серебра, необходимого для образования серебряных наночастиц, формирование которых в облучаемой матрице сопровождается процессом порообразования в кремнии. Это условие, согласно нашим исследованиям зависимости появления пор на поверхности облучаемого слоя кремния от дозы имплантации, выполняется при концентрациях вводимых атомов металла 1.0⋅1019 атомов/см3. При этом количество внедренной примеси не должно превышать той дозы, при которой начнется слипание растущих металлосодержащих наночастиц, приводящее к образованию сплошной металлосодержащей пленки, и по нашим оценкам составляет не более 6.8⋅1023 атомов/см3.

Плотность тока в ионном пучке J определяет, с одной стороны, время набора дозы имплантации, а с другой стороны скорость нагрева облучаемого материала. Экспериментально установлено, что при превышении плотности ионного тока J=1⋅1014 ион/см2с разогрев локального поверхностного слоя кремния, приводящего к его плавлению, происходит настолько быстро, что формирование пор не происходит. Облучение с малой плотностью ионного тока нецелесообразно увеличивает время имплантации. Поэтому, минимальная плотность ионного тока ограничена величиной J=2⋅1012 ион/см2с.

Энергия иона Е обуславливает величину его среднего проекционного пробега, которое определяет глубину залегания имплантированного иона, а следовательно, толщину модифицированного слоя. Сверху энергия ускорения иона ограничена величиной Е=120 кэВ, поскольку при увеличении данной энергии происходит столь глубокое проникновение имплантированных ионов серебра, что зарождение слоя кремния, содержащего наночастицы серебра, будет происходить не вблизи поверхности исходной облучаемой пластины кремния, а в ее глубине. Ограничение снизу величиной Е=4 кэВ, связано с тем, что при дальнейшем уменьшении Е не удается получить достаточно крупные элементы структуры кремния, чтобы характеризовать их как поры, а наблюдается лишь распыление его поверхностного слоя [9].

По сравнению с прототипом предлагаемый способ позволяет изготавливать чувствительные к гигантскому комбинационному рассеянию света подложки с поверхностью из пористого кремния, содержащего наночастицы серебра не химическим способом и за один технологический цикл в вакууме.

Список цитируемой литературы

1.Ченга Р., Фуртака Т. Гигантское комбинационное рассеяние света. Ред. Агранович A.M. М.: Мир 1984.

2. Зимин С.П. Пористый кремний - материал с новыми свойствами. Соровский образовательный журнал. 2004. Т. 8. №1. С. 101-107.

3. Кукушкин В.И., Ваньков А.Б., Кукушкин И.В. К вопросу о дальнодействии поверхностно-усиленного рамановского рассеяния. Письма ЖЭТФ. 2013. Т. 98. вып. 2. С. 72-77.

4. Козадев К.В., Леончик С.В., Новиков А.Г., Зинчук О.В., Баран Л.В. Лазерное осаждение ГКР-активных наноструктур серебра на поверхности кремния. ЖПС 2016. Т. 83. №5. С. 736-741.

5. Бондаренко А.В., Холостов К.И., Панарин А.Ю., Терехов С.Н. Формирование металлических кластеров серебра на пористом кремнии для создания высокочувствительных к гигантскому комбинационному рассеянию структур. 4-ая Международная научная конференция. Материалы и структуры современной электроники. Минск, Беларусь. С. 50-53.

6. Ziegel J.F., Biersak J.P., Littmark U. The stopping and range of ions in solids. N.Y.: Pergamon, 1996.

7. Ищенко А.А., Фетисов Г.В., Асланов Л.А.: Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля. М.: Физматлит, 2011. 573 с.

8. Kreibig U., Vollmer М. Optical properties of metal clusters. Berlin: Springer. 1995.

9. Герасименко H., Пархоменко Ю. Кремний - материал наноэлектронике. М.: Техносфера, 2007. 276 с.

Способ изготовления чувствительных к гигантскому комбинационному рассеянию света подложек с поверхностью из пористого кремния, содержащего наночастицы серебра, заключающийся в формировании заданной структуры на поверхности исходной пластины монокристаллического кремния, отличающийся тем, что формирование структуры осуществляют с помощью имплантации ионами серебра с энергией 4-120 кэВ, дозой облучения, обеспечивающей концентрацию вводимых атомов металла в облучаемом слое кремния 1.0⋅1019-6.5⋅1023 атомов/см3, и плотностью тока ионного пучка 2⋅1012-1⋅1014 ион/см2с.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с низким значением тока утечки.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с повышенным значением напряжения пробоя изолирующих областей.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии формирования силицидных слоев с низким сопротивлением.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления п+ скрытых слоев. Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р-типа проводимости с удельным сопротивлением 10 Ом*см, ориентации (111) формировали п+ скрытый слой имплантацией ионов мышьяка с энергией 150 кэВ, дозой (2-4) 1012 см-2 при температуре подложки 500-600°С, с последующей разгонкой при температуре 1200°С в атмосфере смеси 50% кислорода О2/50% азота N2 и термическим отжигом при температуре 1000°С в течение 20 мин в атмосфере водорода.

Изобретение относится к оптоэлектронике, а именно к способам изготовления периодических микроструктур на основе материалов с фазовой памятью - халькогенидных стеклообразных полупроводников, выполненных на поверхности оптически прозрачных материалов.

Использование: для изготовления светоизлучающих приборов на основе гексагональной фазы кремния, обеспечивающей эффективное возбуждение фотолюминесценции. Сущность изобретения заключается в том, что в способе формирования фазы гексагонального кремния путем имплантации в изготовленную из алмазоподобного монокристаллического кремния пластину ионов, имеющих атомный радиус, превышающий атомный радиус кремния, и образующих в результате указанной имплантации в алмазоподобном монокристаллическом кремнии пластины включения, инициирующие возникновение в нем повышенных механических напряжений, создающих энергетические условия преобразования алмазоподобной фазы монокристаллического кремния в его гексагональную фазу, для повышения стабильности возникновения в алмазоподобном монокристаллическом кремнии упомянутой пластины зоны повышенных механических напряжений производят имплантацию ионов азота и галлия через предварительно полученный на поверхности исходной пластины тонкий слой нитрида кремния толщиной, с одной стороны, не препятствующей прохождению сквозь слой имплантируемых ионов галлия и азота, с другой стороны, достаточной при подобранной энергии имплантации для запирания под ним в прилегающем к указанному слою нитрида кремния подповерхностном слое алмазоподобного монокристаллического кремния указанной пластины имплантированных ионов азота и галлия с образованием ими при последующем отжиге пластины в указанном подповерхностном слое включений нитрида галлия, приводящем к стабильному формированию в этом слое гексагональной фазы кремния с повышенным заполнением этого слоя указанной фазой.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженной плотностью дефектов.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженной плотностью дефектов.

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии полупроводниковых приборов на эпитаксиальных структурах арсенида галлия. Техническим результатом предлагаемого способа изготовления интегральных элементов микросхемы на эпитаксиальных структурах арсенида галлия является обеспечение равенства слоевых сопротивлений для различных интегральных элементов, рабочая область которых формируется в эпитаксиальных структурах арсенида галлия при помощи жидкостного травления.

Изобретение относитья к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки.

Изобретение относится к композиционным материалам (КМ) на основе высокомолекулярных соединений и к способу его получения. Предложен способ получения КМ на основе СВМПЭ полимеризацией этилена на поверхности частиц наполнителя в присутствии иммобилизованного на них катализатора, состоящего из соединения переходного металла VCl4 и алюминийорганического соединения Al(i-Bu)3.

Настоящее изобретение относится к дисперсному катализатору облагораживания тяжелого нефтяного сырья, представляющему из себя наночастицы на основе молибденсодержащих фаз, формирующемуся «in situ» при облагораживании тяжелого нефтяного сырья в присутствии воды, согласно изобретению катализатор дополнительно содержит наночастицы сокатализатора на основе Fe, Co или Ni и имеет состав MoS2/MoO2 + MexOy и/или MemSn, с содержанием фазы MoS2 3–78 мас.

Изобретение относится к области сканирующей зондовой микроскопии, преимущественно к атомно-силовой микроскопии. Сущность изобретения заключается в том, что в способе формирования изображения в сканирующей зондовой микроскопии, включающем построчное сканирование поверхности образца в прямом и обратном направлениях и регистрацию сигналов Sƒ и Sb, соответствующих сигналу S при сканировании каждой строки в прямом и обратном направлениях, значениям которого соответствуют две матрицы чисел Sƒi,j и Sbi,j, являющиеся матрицами изображений и описывающие попиксельно изображение, как минимум одну строку матрицы изображения Si,j сигнала S формируют последовательностью процедур, включающих сдвиг элементов как минимум одной из матриц сигнала S вдоль направления сканирования, относительно элементов другой матрицы, на величину ΔХ, при котором по меньшей мере на части по меньшей мере одной строки происходит совмещение сигналов Sƒ и Sb, измеренных при движении в прямом и обратном направлениях, и вычисление по меньшей мере одной строки матрицы изображения Si,j по формуле: где Sƒi,j, Sbi,j - матрицы изображений сигнала S, измеренного соответственно в прямом и обратном направлениях сканирования, F(Sƒi,j, Sbi,j) - функция сигналов Sƒ, Sb, вид которой определяется типом сигнала S.

Изобретение может быть использовано при проведении поверхностной обработки летательных аппаратов, деталей автомобилей. Не содержащая шестивалентного хрома жидкость для химической конверсионной обработки поверхностей покрытия цинком или цинковым сплавом содержит ионы трехвалентного хрома, ионы циркония, нитрат-ионы, цепочечный коллоидный кремнезем и воду.

Изобретение относится к медицине, а именно к дерматологии, и может быть использовано для фотохимиотерапии витилиго. Для этого осуществляют аппликацию на поверхность кожи фотосенсибилизирующего средства выбирают средство на основе субмикронных пористых частиц карбоната кальция размером менее 1.5 мкм, содержащих активное вещество Амми большой плодов фурокумарины в виде спиртовой суспензии в дозе 15-20 мг частиц/см2.

Изобретения относятся к нанотехнологии и могут быть использованы при изготовлении легковесных и хорошо проводящих материалов. Углеродные нанотрубки диспергируют в растворителе при температуре 80-140 °С.

Изобретение относится к области экологии и материаловедения, а именно нанотехнологии, и может быть использовано для количественного определения углеродных наноструктур (УН), в частности углеродных нанотрубок, в твердых и жидких образцах и различных средах.

Изобретение относится к нанотехнологии, а именно к способу выращивания многослойных наногетероэпитаксиальных структур с массивами идеальных квантовых точек (НГЭС ИКТ).

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть предназначено для исследования невидимой ткани. Способ предназначен для идентификации невидимой ткани.
Изобретение относится к способу получения суспензии серебра, используемой при производстве асептических средств и текстильной продукции. Способ включает следующие этапы: получение суспензии оксалата серебра с концентрацией частиц оксалата серебра 5-55 г/л путем диспергирования оксалата серебра в дисперсионной среде при температуре от -5 до 0°С, содержащей смесь стабилизатора и безводного растворителя, содержащего этиленгликоль и этиловый спирт в соотношении 1:1, при этом содержание стабилизатора в дисперсионной среде составляет 1 мас.

Изобретение относится к оптике, а именно к способам изготовления устройств, служащих для анализа химических веществ при использовании эффекта поверхностно-усиленного комбинационного рассеяния света молекулами, находящимися вблизи наноструктур из серебра, проявляющих плазмонный резонанс электронов проводимости, колебания которых создает локальное электромагнитное поле. Данные устройства предназначены для определения малых концентраций органического вещества при возбуждении его лучом лазера в видимом диапазоне и выполнены на основе подложек из пористого кремния с поверхностными наноструктурами из серебра. Способ изготовления чувствительных к гигантскому комбинационному рассеянию света подложек с поверхностью из пористого кремния заключается в формировании заданной структуры на поверхности исходной пластины монокристаллического кремния, путем имплантации ионами серебра с энергией 4-120 кэВ, дозой облучения, обеспечивающей концентрацию вводимых атомов металла в облучаемом слое кремния 1.0⋅1019-6.5⋅1023 атомовсм3, и плотностью тока ионного пучка 2⋅1012-1⋅1014 ионсм2с. Техническим результатом изобретения является обеспечение возможности изготовления чувствительных к гигантскому комбинационному рассеянию света подложек с поверхностью из пористого кремния, содержащего наночастицы серебра не химическим способом и за один технологический цикл в вакууме. 10 ил.

Наверх