Способ получения монокристаллических слоевкремния

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

272964

Союз Ссветскик

Социзлнстическив

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 29.1 I I.1968 (№ 1229544/22-1) Кл. 12g, 17/32 с присоединением заявки №

Прис ритет

Опубликовано 14Х11.1970. Бюллетень № 23

Дата опубликования описания 22.Х.1970

МПК В Olj 17/32

УДК 669.058-172 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения А. Г. Петрик, Ю. В. Юшков, Л. Я. Шварцман и Н, К. Устинова

Заявитель СГСг.. (-/,; ч —. PP q.1;Л

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВ

КРЕМНИЯ

Предмет изобретения

Известен способ получения монокристаллических слоев кремния из наро-газовой фазы, r!o которому парс-газовая смесь, подаваемая к поверхности подложки, нагретой до температуры 1000 — 1200 С, включает моносилан и водородд.

По предлагаемому способу в состав парогазовой смеси вводят хлористый водород. Это предотвратит появление в газовой ф" çå у поверхности подложки мелкодисперсного кремния.

По этому спосооу осаждение производят на подложку, нагретую до 1000 — 1200 С. Паро-газовую смесь, содержащую моносилан и хлсристый водород, взятые в объемном соотношении 10: 1, подают к поверхности подложки со скоростью 5 — 7 смз/сек. Получающийся в результате термического, разложения моносилана кремний наращивается на подложку, сбразуя монокристаллический слой. Появление мелкодисперсного кремния в газовой фазе предотвращается за счет его реакции с хлористым водородом в момент образования. В процессе эпитакспального роста происходит травление поверхности подложки хлористым водородом, в связи с чем улучшается структу5 ра получаемых слоев. При устранении загрязнения растущего слоя мелкодисперсным кремнием из газовой фазы происходит более равномерное наращивание по площади подложки.

Способ получения монокристаллическ гх слоев кремния эпитаксиаль|,ым нара цивание:,!

15 из паро-газовой фазы, включающей моноснлан и водород, на,подложку, нагретую до температуры 1000 — 1200 С. отличпюи1ий ся тем, что, с целью предотвращения появления в газовой фазе мелкодисперсного кремния. B co20 став паро-газовой смеси, подаваемой к поверхности подложки, вводят хлористый водород.

Способ получения монокристаллических слоевкремния 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, предназначено для получения нитевидных кристаллов (НК) с воспроизводимыми геометрическими параметрами

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых соединений типа А3N и может быть использовано при изготовлении эпитаксиальных структур различного назначения

Изобретение относится к тугоплавким соединениям, а именно пиролитическому ромбоэдрическому нитриду бора и технологии его получения методом химического осаждения из газовой фазы

Изобретение относится к области технологии полупроводниковых материалов и приборов, а более конкретно к устройствам для нанесения тонких пленок полупроводниковых соединений и твердых растворов на их основе

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, предназначено для получения нитевидных кристаллов (НК) с воспроизводимыми геометрическими параметрами

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния в процессе его осаждения из пара или парогазовой фазы силанов на нагретые основы
Наверх